1.一種硅錠的鑄造方法，其特征在于，包含以下幾個步驟：
步驟一、在坩堝中進行裝料：首先、在坩堝的底部表面鋪設(shè)底層原料，所述底層原料包括多晶硅粉；其次、在所述底層原料上鋪設(shè)中間層原料，所述中間層原料由多塊單晶硅片拼接而成；再次、在所述中間層原料上填充上層原料，所述上層原料由多晶硅料組成；所述多晶硅料經(jīng)過提純并且根據(jù)將要形成的硅錠的目標(biāo)電阻率添加了摻雜劑；
步驟二、將裝料后的所述坩堝置于鑄錠爐中、并對所述鑄錠爐抽真空；對所述坩堝的底部進行加熱并到達一定溫度，該溫度使所述坩堝底部的所述多晶硅粉燒結(jié)、并形成燒結(jié)層；所述燒結(jié)層上面與所述單晶硅片粘結(jié)、所述燒結(jié)層的下面與所述坩堝底部粘結(jié)，從而固定住所述單晶硅片；
步驟三、控制所述鑄錠爐的爐內(nèi)的垂直溫度梯度，保持所述底層原料的所述多晶硅粉為固態(tài)，使所述單晶硅片的上部部分熔化，并使所述上層原料的所述多晶硅料熔化；
步驟四、控制所述鑄錠爐的爐內(nèi)的垂直溫度梯度，使晶粒沿著未熔化的所述單晶硅片向上生長，最后得到與所述單晶硅片相同尺寸的硅錠。
2.如權(quán)利要求1所述硅錠的鑄造方法，其特征在于：步驟一中所述多晶硅粉的粒度為500目～5000目，所述底層原料的厚度為0.1毫米～5毫米。
3.如權(quán)利要求1所述硅錠的鑄造方法，其特征在于：步驟一所述底層原料還包括添加劑粉，所述添加劑粉為硅溶膠，或所述添加劑粉為氟硅酸和二氧化硅的混合物，所述添加劑粉的粒度為1000目～20000目、純度為99.999％以上。