專利名稱：生長碳納米管的方法及形成半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電線的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種生長碳納米管的方法以及利用碳納米管形成導(dǎo)電線的方法，更具體而言，涉及一種能夠提高碳納米管密度的生長碳納米管的方法以及一種利用碳納米管形成導(dǎo)電線(conductive line)的方法，通過該方法能夠降低電阻并提高電流密度。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件的例子包括諸如動態(tài)RAM(DRAM)、靜態(tài)RAM(SRAM)、相變RAM(PRAM)、磁RAM(DRAM)等的半導(dǎo)體存儲器件。半導(dǎo)體存儲器件包括利用開關(guān)器件的金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)晶體管，還包括諸如觸點(diǎn)(contact)和互連(interconnection)的導(dǎo)電線，電子通過導(dǎo)電線運(yùn)動。
隨著半導(dǎo)體存儲器件集成密度的增大，導(dǎo)電線的線寬減小而電流的量，即電流密度增大。預(yù)計在2010-2019年間半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電線的電流密度達(dá)到約106A/cm2。
常規(guī)半導(dǎo)體器件主要使用金屬導(dǎo)電線，例如鋁或銅導(dǎo)電線。然而，在使用金屬時，減小導(dǎo)電線的線寬和提高電流密度受到了限制。
為了提高半導(dǎo)體器件的集成密度，必需要減小線寬，且必需要提高電流密度。然而由于上述原因，利用金屬導(dǎo)電線的半導(dǎo)體器件的集成密度受到限制。
因此，為了提高半導(dǎo)體器件的集成密度，已經(jīng)進(jìn)行了用碳納米管導(dǎo)電線代替金屬導(dǎo)電線的嘗試，與金屬導(dǎo)電線相比，碳納米管導(dǎo)電線能夠以更小的線寬具有更高的電流密度。不過，即使半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電線是由碳納米管形成的，半導(dǎo)體器件的集成密度也可以得到進(jìn)一步提高。因此，碳納米管的致密化(densification)成為了重要的問題。
圖1A到圖1E為示出生長碳納米管的常規(guī)方法的垂直橫截面圖。
參考圖1A，使用NH3在大約600℃的溫度下蝕刻其上形成有催化劑層12的襯底10，以在催化劑層12上形成催化劑顆粒(grains)12a。如果不在催化劑層12上形成催化劑顆粒12a而催化劑層12的表面保持均勻狀態(tài)，碳薄膜將形成于催化劑層12的表面上而不是形成碳納米管14。
接下來，通過向溫度保持在500到900℃的反應(yīng)室(未示出)中注入如CO的含碳?xì)怏w以及如H2、N2、或Ar氣的氣體，在催化劑顆粒12a的表面上形成碳納米管14。
參考圖1B，在催化劑顆粒12a下方含碳?xì)怏w的碳被分解出來。參考圖1C，在催化劑顆粒12a下方分解的碳在催化劑顆粒12a下方以石墨的形式飽和并沉淀。在繼續(xù)注入氣體時，參考圖1D，石墨在催化劑顆粒12a的表面下方生長，形成碳納米管14。圖1E示出了生長于催化劑層12上的碳納米管14。
在圖1E中，被碳納米管14占據(jù)的催化劑層12的表面區(qū)域的部分由填充因數(shù)(fill factor)定義，填充因數(shù)表示碳納米管14的生長密度。為了增大填充因數(shù)，必需要減小催化劑顆粒12a之間的間隙。為此，在現(xiàn)有技術(shù)中，形成厚的催化劑層12以減小催化劑顆粒12a的顆粒尺寸，因?yàn)楦蟮念w粒之間具有小間隙。然而，由于與較大顆粒生長在一起的碳納米管的結(jié)晶度差，使用這種方法通過提高碳納米管的密度來提高半導(dǎo)體器件的集成密度存在限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種生長碳納米管的方法，通過該方法能夠提高碳納米管的密度。
本發(fā)明還提供了一種形成半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電線的方法，該導(dǎo)電線具有低電阻和高電流密度。
本發(fā)明還提供了一種形成半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電線的方法，通過該方法能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體器件的超高度集成，因?yàn)樘技{米管導(dǎo)電線也能夠應(yīng)用于微小通孔。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種生長碳納米管的方法，該方法包括制備具有多個突起的襯底；形成覆蓋突起并促進(jìn)碳納米管生長的催化劑層；以及通過向催化劑層上注入含碳?xì)怏w而在催化劑層的表面上生長碳納米管。
所述方法還可以包括在形成覆蓋突起的催化劑層以及在催化劑層的表面上生長碳納米管之間，通過處理催化劑層的表面形成催化劑顆粒。
形成催化劑層的催化劑顆?？梢园ㄔ趶挠蒒2氣、Ar氣、H2氣、He氣、Ne氣和NH3氣構(gòu)成的組中選擇的至少一種氣體的氣氛下熱處理催化劑層的表面。
形成催化劑層的催化劑顆?？梢园ㄓ秒x子化的Ar氣、NH3氣或N2氣轟擊催化劑層的表面。襯底的突起可以為球形、柱形、金字塔形或其組合。
可以使用熱CVD法或PECVD法形成碳納米管。
催化劑層可以形成預(yù)定厚度，使得催化劑層的表面與突起具有相同或類似的形狀。
催化劑層可以由從Ni、Fe、Co、Pt、Mo、W、Y、Au、Pd及其合金構(gòu)成的組中選擇的至少一種金屬形成。
催化劑層可以使用磁控管濺射法或蒸鍍法形成。
可以在400到900℃的溫度下進(jìn)行碳納米管的生長。
在碳納米管的生長中，含碳?xì)怏w可以包含從由CH4、C2H2、C2H4、C2H6、CO和CO2構(gòu)成的組中選擇的至少一種氣體，且含碳?xì)怏w可以與從由H2氣、N2氣、O2氣、H2O蒸汽和Ar氣構(gòu)成的組中選擇的氣體一起注入反應(yīng)室中。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種形成半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電線的方法，其包括制備襯底；在襯底上形成具有多個突起的電極；在電極上形成覆蓋突起并促進(jìn)碳納米管生長的催化劑層；形成覆蓋催化劑層的絕緣層；在絕緣層中形成暴露催化劑層的表面的一部分的通孔；以及通過在催化劑層上方向通孔中注入含碳?xì)怏w，在催化劑層的表面上生長碳納米管，從而形成導(dǎo)電線。
該方法還可以包括在形成覆蓋突起的催化劑層和形成覆蓋催化劑層的絕緣層之間通過處理催化劑層的表面來形成催化劑顆粒。
可以通過根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的形成碳納米管的方法形成催化劑層的催化劑顆粒。
電極的突起可以是球形、柱形、金字塔形中的至少一種或其組合。
可以通過根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的形成碳納米管的方法形成碳納米管和催化劑層。
絕緣層可以由氧化物形成。


通過參考附圖詳細(xì)描述其示范性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其他特征與優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯見，附圖中圖1A到圖1E為示出生長碳納米管的常規(guī)方法的垂直橫截面圖；圖2A給出了垂直橫截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例生長碳納米管的方法；圖2B為利用常規(guī)生長碳納米管的方法從催化劑層表面生長的碳納米管的垂直橫截面圖，作為圖2A的操作(e)之后生長的碳納米管的對比例；圖3為使用圖2A所示的方法在襯底上形成的催化劑層的原子力顯微鏡照片；圖4為使用圖2A所示的方法從催化劑層表面生長的碳納米管的掃描電子顯微鏡(SEM)照片；以及圖5A到5E為垂直橫截面圖，示出了使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的生長碳納米管的方法形成半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電線的方法。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的示范性實(shí)施例。附圖中類似的附圖標(biāo)記表示類似元件。
圖2A給出了垂直橫截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例生長碳納米管的方法。圖2B為利用常規(guī)生長碳納米管的方法從催化劑層表面生長的碳納米管的垂直橫截面圖，作為圖2A的操作(e)之后生長的碳納米管的對比例。
參考圖2A的(a)，制備具有多個突起110a的襯底110。襯底110可以由硅晶片或玻璃形成。形成于襯底110上的突起110a可以具有球形、柱形、金字塔形或其組合，但本發(fā)明不限于此。突起110a的形狀可以是任何能夠增大襯底110的表面積的形狀。突起110a可以與襯底110形成一體或者可以與襯底110分開。在本實(shí)施例中，突起110a是通過用金涂布玻璃襯底110形成的。
接下來，參考圖2A的(b)，在襯底110上形成覆蓋突起110a的催化劑層122。催化劑層122可以形成預(yù)定厚度，使得催化劑層122的表面能夠具有與突起110a相同或類似的形狀。如果催化劑層122的厚度大于預(yù)定厚度，催化劑層122可能覆蓋除突起110a以外的突起110a之間的空間。在這種情況下，無法實(shí)現(xiàn)增大催化劑層122表面積的目的，因?yàn)榇呋瘎?22具有平坦的表面。
催化劑層122可以由Ni、Fe、Co、Pt、Mo、W、Y、Au、Pd及這些金屬的合金構(gòu)成的組中選擇的至少一種金屬形成?？梢允褂么趴毓転R射法或蒸鍍法形成催化劑層122，不過本發(fā)明不限于此。例如，可以通過在襯底110上涂布粉末狀態(tài)的過渡金屬催化劑來形成催化劑層122。
接下來，參考圖2A的(c)，在包含從由N2氣、Ar氣、H2氣、He氣、Ne氣和NH3氣構(gòu)成的組中選擇的至少一種氣體的氣體氣氛下熱處理催化劑層122。于是，在催化劑層122的表面上形成了多個催化劑顆粒122a，在催化劑顆粒122a上能夠生長碳納米管140。不過，本發(fā)明不受限制，可以通過在Ar、NH3或N2氣被熱處理離子化之后，Ar氣、NH3氣或N2氣離子撞擊催化劑層122的表面來形成催化劑顆粒122a。
參考圖2A的(d)，在突起110a上重新構(gòu)造(restructured)催化劑層122，以具有如上所述的催化劑顆粒122a。也就是說，當(dāng)在其上形成有多個突起110a的襯底110上形成催化劑層122以及處理催化劑層122的表面以形成催化劑顆粒122a時，在突起110a的表面上排列了催化劑顆粒122a。此時，催化劑顆粒122a之間的實(shí)際間隙類似于常規(guī)平坦襯底的間隙，但是當(dāng)從襯底110上方觀察催化劑顆粒122a之間的間隙時，催化劑顆粒122a之間的水平間隙小于常規(guī)平坦襯底中的間隙。因此，如后面將描述的，當(dāng)從催化劑顆粒122a的表面垂直生長碳納米管140時，碳納米管140之間的水平間隙小于生長于常規(guī)平坦襯底上的碳納米管之間的間隙。因此，提高了襯底110上碳納米管140的生長密度，由此提高了填充因數(shù)。
在形成催化劑顆粒122a之后，參考圖2A的(e)，在催化劑層122上生長碳納米管140，更具體地，在包含催化劑顆粒122a的催化劑層122的表面上生長碳納米管140?？梢允褂脽酑VD法生長碳納米管140，但是本發(fā)明不限于此。也就是說，可以使用任何能夠使碳納米管140從催化劑層122的表面生長的方法生長碳納米管140，例如PECVD法。
例如，可以在混合氣體氣氛下，在溫度保持在約400到900℃的反應(yīng)室(reactor)中利用熱CVD法生長碳納米管140，在混合氣體中以預(yù)定組分比混合CO和H2。不過，本發(fā)明不限于此，可以通過向反應(yīng)室(未示出)中注入如CH4、C2H2、C2H4、C2H6、CO和CO2的至少一種含碳?xì)怏w和H2氣、N2氣、O2氣、H2O蒸汽和Ar氣之一來生長碳納米管140。
參考圖2A的(e)，在本實(shí)施例中，形成于襯底110上的碳納米管140比圖2B所示的在常規(guī)平坦襯底10上從催化劑層12生長的碳納米管14具有更小的間隙。實(shí)驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn)，根據(jù)圖2A的(e)所示的本發(fā)明實(shí)施例的碳納米管140具有9×1010個/cm2的密度和25.5％的填充因數(shù)，而根據(jù)圖2B所示的常規(guī)技術(shù)的碳納米管14具有3×1010個/cm2的密度和8.5％的填充因數(shù)。也就是說，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的碳納米管140的密度為常規(guī)碳納米管14的密度的三倍。不過，本發(fā)明不限于此，如果希望，可以將碳納米管140生長到大于9×1010個/cm2的密度和大于25.5％的填充因數(shù)。
圖3為使用圖2A所示的方法在襯底上形成的催化劑層的原子力顯微鏡照片，而圖4為使用圖2A所示的方法從催化劑層表面生長的碳納米管的掃描電子顯微鏡(SEM)照片。
參考圖3，形成于襯底110上的催化劑層122具有粗糙的表面。如圖4所示，從催化劑層122的粗糙表面生長的碳納米管140以高密度排列。
圖5A到5E為垂直橫截面圖，示出了使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的生長碳納米管的方法形成半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電線的方法。
參考圖5A，在襯底110上形成電極120。襯底110可以由硅晶片或玻璃形成。在電極120的上表面上形成多個突起120a。形成于電極120上的突起120a可以具有球形、柱形或金字塔形或其組合。不過，本發(fā)明不限于此，突起120a可以具有任何能夠增大電極120的表面積的形狀。而且，突起120a可以與電極120形成為一體或者可以獨(dú)立于電極120形成。
電極120可以不直接形成于襯底110上。盡管未示出，可以在襯底110上形成諸如絕緣層的預(yù)定材料層之后，在絕緣層上形成電極120。電極120可以由具有高電導(dǎo)率的金屬或摻雜硅形成。例如，當(dāng)電極120與金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)一起形成于硅襯底110上時，電極120可以由摻雜硅形成，而當(dāng)電極形成于絕緣層上時，電極120可以由具有高電導(dǎo)率的金屬形成。
參考圖5B，在形成于襯底110上的電極120的表面上形成催化劑層122。在電極120上形成催化劑層122的方法與以上參考圖2A所述的方法相同，只是催化劑層122是形成于電極120上而不是襯底110上。于是，將不再重復(fù)其詳細(xì)描述。
接下來，參考圖5C，在NH3氣氣氛下熱處理催化劑層122的表面，或者通過用諸如Ar的離子化氣體轟擊催化劑層122的表面蝕刻催化劑層122的表面。通過這種方式，催化劑層122的表面為生長碳納米管140準(zhǔn)備就緒。生長碳納米管140的方法與參考圖2A所述的方法相同。于是，將不再重復(fù)其詳細(xì)描述。
參考圖5D，形成覆蓋襯底110、電極120和催化劑層122的絕緣層130，并通過蝕刻絕緣層130形成通孔(via hole)132。
參考圖5D，絕緣層130形成于其上形成有催化劑層122的電極120的表面上。此時，絕緣層130不僅覆蓋催化劑層122，還覆蓋襯底110的上表面和電極120的側(cè)表面。絕緣層130可以由諸如氧化硅(SiO2)的氧化物形成。
接下來，在絕緣層130中形成暴露催化劑層122的表面的一部分的通孔132。更具體而言，在絕緣層130上涂布光致抗蝕劑之后，將光致抗蝕劑構(gòu)圖成預(yù)定圖案。接下來，使用構(gòu)圖后的光致抗蝕劑作為掩模通過各向異性蝕刻絕緣層130來形成通孔132。
參考圖5E，在通孔132內(nèi)在電極120上從催化劑層122生長碳納米管140。
可以使用熱CVD法、PECVD法或現(xiàn)有技術(shù)中公知的其他方法生長碳納米管140。從催化劑層122生長碳納米管140的方法與參考圖2A所述的方法相同。
如參考圖2A的(e)所述的，在通孔132內(nèi)從催化劑層122的表面生長的碳納米管140之間比圖2B所示的從常規(guī)平坦襯底10上的催化劑層12生長的碳納米管14具有更小的間隙。也就是說，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的碳納米管140具有比現(xiàn)有技術(shù)中生長的碳納米管14更高的密度。
盡管在附圖中未示出，如果在絕緣層130上形成連接至碳納米管140的電極或存儲器薄膜(未示出)，那么碳納米管140就充當(dāng)著諸如觸點(diǎn)或互連的導(dǎo)電線，導(dǎo)電線連接兩個電極或電極和存儲器薄膜。在這種情況下，形成于通孔132內(nèi)的碳納米管導(dǎo)電線由于其高密度而具有非常低的電阻，從而能夠?qū)崿F(xiàn)電流密度的顯著提高。
而且，當(dāng)碳納米管140被用作半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電線時，碳納米管導(dǎo)電線可以具有幾個nm到幾十nm的直徑。因此，碳納米管導(dǎo)電線能夠應(yīng)用于直徑為幾個nm到幾十nm的微小通孔，由此使半導(dǎo)體器件的超高度集成成為可能。
本發(fā)明提供了一種生長碳納米管的方法，通過這種方法能夠提高碳納米管的密度。
本發(fā)明還提供了一種形成半導(dǎo)體器件的碳納米管導(dǎo)電線的方法，該導(dǎo)電線具有低電阻和高電流密度。
本發(fā)明還提供了一種形成半導(dǎo)體器件的碳納米管導(dǎo)電線的方法，通過該方法能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體器件的超高度集成，因?yàn)樘技{米管導(dǎo)電線能夠應(yīng)用于微小通孔。
盡管已經(jīng)參考其示范性實(shí)施例具體展示和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在其中做出多種形式和細(xì)節(jié)的改變而不背離如權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種生長碳納米管的方法，包括制備具有多個突起的襯底；形成催化劑層，所述催化劑層覆蓋所述突起并促進(jìn)所述碳納米管的生長；以及通過向所述催化劑層上注入含碳?xì)怏w在所述催化劑層的表面上生長所述碳納米管。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在形成覆蓋所述突起的所述催化劑層以及在所述催化劑層的所述表面上生長所述碳納米管之間，通過處理所述催化劑層的所述表面形成催化劑顆粒。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述催化劑層的所述催化劑顆粒的形成包括在從由N2氣、Ar氣、H2氣、He氣、Ne氣和NH3氣構(gòu)成的組中選擇的至少一種氣體的氣氛下熱處理所述催化劑層的所述表面。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述催化劑層的所述催化劑顆粒的形成包括用離子化的Ar、NH3或N2氣轟擊所述催化劑層的所述表面。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底的所述突起為球形、柱形、金字塔形或其組合。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中使用熱CVD法或PECVD法形成所述碳納米管。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述催化劑層形成至預(yù)定厚度，使得所述催化劑層的所述表面與所述突起具有相同或類似的形狀。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述催化劑層由從Ni、Fe、Co、Pt、Mo、W、Y、Au、Pd和這些金屬的合金構(gòu)成的組中選擇的至少一種金屬形成。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中使用磁控管濺射法或蒸鍍法形成所述催化劑層。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述碳納米管的生長是在400到900℃的溫度下進(jìn)行的。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述碳納米管的生長期間，所述含碳?xì)怏w包含從由CH4、C2H2、C2H4、C2H6、CO和CO2構(gòu)成的組中選擇的至少一種氣體，且所述含碳?xì)怏w與從由H2氣、N2氣、O2氣、H2O蒸汽和Ar氣構(gòu)成的組中選擇的氣體一起注入反應(yīng)室中。
12.一種形成半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電線的方法，其包括制備襯底；在所述襯底上形成具有多個突起的電極；在所述電極上形成催化劑層，所述催化劑層覆蓋所述突起并促進(jìn)所述碳納米管的生長；形成覆蓋所述催化劑層的絕緣層；在所述絕緣層中形成通孔，所述通孔暴露所述催化劑層的表面的一部分；以及通過在所述催化劑層的所述表面上方向所述通孔中注入含碳?xì)怏w，在所述催化劑層的所述表面上生長碳納米管，從而形成導(dǎo)電線。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括在形成覆蓋所述突起的所述催化劑層和形成覆蓋所述催化劑層的所述絕緣層之間，通過處理所述催化劑層的所述表面而形成催化劑顆粒。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中形成所述催化劑層的催化劑顆粒包括在從由N2氣、Ar氣、H2氣、He氣、Ne氣和NH3氣構(gòu)成的組中選擇的至少一種氣體的氣氛下熱處理所述催化劑層的所述表面。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中形成所述催化劑層的所述催化劑顆粒包括用離子化的Ar氣、NH3氣或N2氣轟擊所述催化劑層的所述表面。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述電極的所述突起為球形、柱形、金字塔形或其組合。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其中使用熱CVD法或PECVD法形成所述碳納米管。
18.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述催化劑層形成至預(yù)定厚度，使得所述催化劑層的所述表面與所述突起具有相同或類似的形狀。
19.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述催化劑層由從Ni、Fe、Co、Pt、Mo、W、Y、Au、Pd和這些金屬的合金構(gòu)成的組中選擇的至少一種金屬形成。
20.如權(quán)利要求12所述的方法，其中使用磁控管濺射法或蒸鍍法形成所述催化劑層。
21.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述絕緣層由氧化物形成。
22.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述導(dǎo)電線的形成是在400到900℃的溫度下進(jìn)行的。
23.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在所述導(dǎo)電線的形成期間，所述含碳?xì)怏w包含從由CH4、C2H2、C2H4、C2H6、CO和CO2構(gòu)成的組中選擇的至少一種氣體，且所述含碳?xì)怏w與從由H2氣、N2氣、O2氣、H2O蒸汽和Ar氣構(gòu)成的組中選擇的氣體一起注入反應(yīng)室中。
全文摘要
提供了一種生長碳納米管的方法和一種使用該碳納米管形成半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電線的方法。形成半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電線的方法包括制備襯底；在所述襯底上形成具有多個突起的電極；在電極上形成催化劑層，其覆蓋突起并促進(jìn)碳納米管的生長；形成覆蓋催化劑層的絕緣層；在絕緣層中形成通孔，其暴露催化劑層的表面的一部分；以及通過在催化劑層的表面上方向通孔內(nèi)注入含碳?xì)怏w，在催化劑層的表面上生長碳納米管，從而形成導(dǎo)電線。該形成導(dǎo)電線的方法可以用于減小半導(dǎo)體器件的電阻并提高半導(dǎo)體器件的電流密度，并實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的超高度集成，因?yàn)樘技{米管導(dǎo)電線可以應(yīng)用于微小通孔。
文檔編號C01B31/02GK1992198SQ20061015369
公開日2007年7月4日 申請日期2006年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月27日
發(fā)明者韓仁澤, 金夏辰 申請人:三星Sdi株式會社