技術(shù)編號:3433313
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種生長碳納米管的方法以及利用碳納米管形成導(dǎo)電線的方法,更具體而言,涉及一種能夠提高碳納米管密度的生長碳納米管的方法以及一種利用碳納米管形成導(dǎo)電線(conductive line)的方法,通過該方法能夠降低電阻并提高電流密度。背景技術(shù) 半導(dǎo)體器件的例子包括諸如動態(tài)RAM(DRAM)、靜態(tài)RAM(SRAM)、相變RAM(PRAM)、磁RAM(DRAM)等的半導(dǎo)體存儲器件。半導(dǎo)體存儲器件包括利用開關(guān)器件的金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)晶體管,還包括諸...
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