借助過程氣體循環(huán)以多重等離子體進(jìn)行等離子體處理的設(shè)備的制造方法
【專利摘要】根據(jù)本發(fā)明的用于等離子體處理的設(shè)備包括處理室以及具有循環(huán)線路和循環(huán)泵的循環(huán)單元，處理室具有至少兩個(gè)被過程氣體穿流的等離子體處理區(qū)、氣體輸入部和氣體輸出部，氣體輸入部適用于將過程氣體輸送給至少兩個(gè)等離子體處理區(qū)，氣體輸出部適用于將廢氣從處理室排除，其中，循環(huán)單元適用于將廢氣中至少一部分供應(yīng)到氣體輸入部中，并且其中，供應(yīng)到氣體輸入部中的廢氣是從等離子體處理區(qū)中的至少兩個(gè)中逸出的氣體的混合物。通過混合來自等離子體處理區(qū)中的至少兩個(gè)中的廢氣并且將廢氣重新供應(yīng)到氣體輸入部中，使來自等離子體處理區(qū)中的至少兩個(gè)中的過程氣體的已經(jīng)轉(zhuǎn)化的組成部分、但也有未轉(zhuǎn)化的組成部分混合，并且因此實(shí)現(xiàn)了輸送給等離子體處理區(qū)的過程氣體的均勻化。這減少了由于等離子過程在不同的等離子體處理區(qū)中的差異而產(chǎn)生的各個(gè)基底之間的等離子體處理的非均勻性。
【專利說明】
借助過程氣體循環(huán)以多重等離子體進(jìn)行等離子體處理的設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種用于利用低溫等離子體進(jìn)行等離子體處理的設(shè)備，該設(shè)備在處理室中具有多個(gè)等離子體處理區(qū)，并且在該設(shè)備中，從處理室中導(dǎo)出的廢氣中的一部分又輸送給用于等離子體處理的過程氣體。
【背景技術(shù)】
[0002]等離子體處理例如在太陽能電池制造、微電子技術(shù)或基底表面(例如玻璃)的提純中用于沉積或去除層或顆粒，或用于例如通過等離子體浸沒-離子注入來添加層。為了提高在等離子體處理中的產(chǎn)量，應(yīng)用了批量系統(tǒng)(batch-System)，在批量系統(tǒng)中同時(shí)處理多個(gè)基底。在此，可以并排或上下相疊地布置具有待處理的表面的基底。由US 4,287,851 B和EPO 143 479 Al中公知了一種設(shè)施，在該設(shè)施中，給每個(gè)基底都配屬了與其他的等離子體處理區(qū)分開運(yùn)行的等離子體處理區(qū)。
[0003]在此，在等離子體處理期間利用的過程氣體要么僅在一個(gè)部位上導(dǎo)入到處理室中，并從那里分配到各個(gè)等離子體處理區(qū)上，要么過程氣體分別經(jīng)由獨(dú)立的輸出開口(例如噴嘴)輸送給各個(gè)等離子體處理區(qū)。在此，過程氣體有利地流動(dòng)穿過等離子體處理區(qū)。
[0004]由于在用于等離子體生成的條件中的、在用于相應(yīng)的基底的邊界條件(例如環(huán)境溫度)中的差異以及另外的在處理室內(nèi)部的非均勻性，在多個(gè)同時(shí)處理的基底上的處理會(huì)出現(xiàn)不同的結(jié)果。這些結(jié)果例如可以是不同的沉積率或腐蝕率或所沉積的層的不同的組成或不同的添加量。
[0005]此外，在基底很大時(shí)還出現(xiàn)了在基底的橫向的延伸長度上的處理的非均勻性，這是因?yàn)檫^程氣體在其穿過等離子體處理區(qū)的運(yùn)輸路徑上在過程氣體的組成方面發(fā)生改變。例如，能起反應(yīng)的組成部分的數(shù)量由于這樣的組成部分在基底的長度上已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了反應(yīng)而在過程氣體流動(dòng)的方向上減少。因此，所沉積的或去除的層厚也沿該基底方向下降。
[0006]為了排除最后提到的問題，公知了對(duì)生成的等離子體進(jìn)行脈沖。在此，等離子體通過短的脈沖僅在短的時(shí)間內(nèi)點(diǎn)火，而等離子體在循環(huán)的多數(shù)時(shí)間(大約90%)內(nèi)是熄火的。在等離子體的該暫停時(shí)間內(nèi)，新的、未消耗的過程氣體可以被分配到整個(gè)基底上，從而在等離子體點(diǎn)火的時(shí)間內(nèi)，在基底的所有部位上都可以實(shí)現(xiàn)相同的沉積率或腐蝕率。然而，這卻導(dǎo)致加工過程明顯延長，這是因?yàn)閮H有效使用了總時(shí)間的10%。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]因此，本發(fā)明的任務(wù)是，提供一種利用多個(gè)等離子體處理區(qū)對(duì)多個(gè)基底進(jìn)行等離子體處理的設(shè)備，該設(shè)備適用于減少各個(gè)基底之間的等離子體處理的非均勻性，這些非均勻性由于等離子體處理在不同的的等離子體處理區(qū)中有所區(qū)別而出現(xiàn)。此外，本發(fā)明的任務(wù)是，提供一種用于等離子體處理的設(shè)備，該用于等離子體處理的設(shè)備也減少了在基底上的等離子體處理的非均勻性。
[0008]該任務(wù)通過根據(jù)權(quán)利要求1的設(shè)備來解決。有利的實(shí)施方式存在于從屬權(quán)利要求中。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的用于等離子體處理的設(shè)備包括處理室以及具有循環(huán)線路和循環(huán)栗的循環(huán)單元，處理室具有至少兩個(gè)被過程氣體穿流過的等離子體處理區(qū)、氣體輸入部和氣體輸出部，氣體輸入部適用于將過程氣體輸送給至少兩個(gè)等離子體處理區(qū)，氣體輸出部適用于將廢氣從處理室排除，其中，循環(huán)單元適用于將廢氣中的至少一部分供應(yīng)到氣體輸入部中，并且其中，供應(yīng)到氣體輸入部中的廢氣是從等離子體處理區(qū)中的至少兩個(gè)中逸出的氣體的混合物。
[0010]通常，在該申請(qǐng)中，“氣體”、“過程氣體”或“廢氣”的概念可以被理解為適用于等離子體處理或在該等離子體處理時(shí)產(chǎn)生的氣體或氣體混合物的任一形式。
[0011]在此，氣體輸入部例如通過處理室的器壁中的至少一個(gè)與氣體線路連接的開口、通過至少一個(gè)伸入到處理室中的氣體線路(管)或與至少一個(gè)氣體線路連接的具有一個(gè)或多個(gè)開口的輸入室來實(shí)現(xiàn)，過程氣體從它們中流入到處理室中。以相同的方式，氣體輸出部例如通過處理室的器壁中的至少一個(gè)與廢氣線路連接的開口、通過至少一個(gè)伸入到處理室中的廢氣線路(管)或與至少一個(gè)廢氣線路連接的具有一個(gè)或多個(gè)開口的輸出室來實(shí)現(xiàn)，過程氣體從它們中流入處理室。
[0012]如前面已所述地那樣，不同的等離子體處理區(qū)會(huì)具有過程氣體的組成部分轉(zhuǎn)化成例如自由基、離子或反應(yīng)產(chǎn)物的不同的比率。通過混合來自至少兩個(gè)等離子體處理區(qū)中的廢氣并且將廢氣重新供應(yīng)到氣體輸入部中，使來自至少兩個(gè)等離子體處理區(qū)中的過程氣體的已經(jīng)轉(zhuǎn)化的組成部分、但也有還未轉(zhuǎn)化的組成部分混合，并且因此實(shí)現(xiàn)了對(duì)輸送給至少兩個(gè)等離子體處理區(qū)的過程氣體的均勻化。這就減少了等離子處理在各個(gè)基底之間的非均勻性，這些非均勻性由于等離子處理在不同的等離子體處理區(qū)中有所區(qū)別而產(chǎn)生。換言之:基底的沉積率或腐蝕率或其他的加工率通過混勻在所有基底上的過程氣體來均勻化，也就是均衡。
[0013]此外，過程氣體更好地被充分用于相應(yīng)的等離子體處理，這是因?yàn)橐环矫?，過程氣體的還未用于沉積或去除層的組成部分被重新輸送給等離子體處理部，并且另一方面，過程氣體因此已經(jīng)包含了起反應(yīng)的或已經(jīng)被激勵(lì)的組成部分，這些組成部分與迄今還未通過等離子體激勵(lì)的過程氣體相比需要更少的激勵(lì)用來進(jìn)行力求達(dá)到的反應(yīng)。因此，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)減少氣體消耗，也就是說新鮮的過程氣體的消耗，而且能夠?qū)崿F(xiàn)提高用于等離子體處理的沉積率或腐蝕率。
[0014]優(yōu)選地，循環(huán)單元包括調(diào)節(jié)閥，其中，調(diào)節(jié)閥和循環(huán)栗以如下方式設(shè)計(jì)，S卩，經(jīng)由循環(huán)線路供應(yīng)到氣體輸入部中的廢氣的氣體流與供應(yīng)到氣體輸入部中的且不同于廢氣的氣體的氣體流的比處于小于100的范圍內(nèi)。針對(duì)該比的典型的且優(yōu)選的值在8與12之間，特別優(yōu)選為10。也就是說，通過循環(huán)單元從廢氣中提取出比輸送給等離子體處理部的新鮮的氣體的氣體流大數(shù)倍的氣體流，并且又輸送給氣體輸入部進(jìn)而輸送給等離子體處理部。由此，明顯提高了過程氣體穿過等離子體處理區(qū)的流動(dòng)速度，并且過程氣體在相應(yīng)的等離子體處理區(qū)中的停留時(shí)間明顯減少了例如大致10倍。因此，也降低了過程氣體在貫穿過相應(yīng)的等離子體處理區(qū)時(shí)的等離子體化學(xué)的分解率，由此實(shí)現(xiàn)了在等離子體處理區(qū)中的過程氣體的組成部分在基底沿氣體的流動(dòng)方向的長度上的更均勻的組成，并且最終實(shí)現(xiàn)了所沉積或去除的層在基底的延伸長度上的更均勻的厚度。換言之:在其沿氣體流動(dòng)方向的延伸長度上使得對(duì)每個(gè)基底的加工均勻化。此外，使重新輸送已經(jīng)被激勵(lì)的氣體組成部分的上述的效果得到增強(qiáng)，這導(dǎo)致進(jìn)一步提高了沉積率或腐蝕率。
[0015]通過氣體回引的所述的效果，在基底沿氣體流動(dòng)方向的延伸長度上和在多個(gè)基底上實(shí)現(xiàn)對(duì)層厚度和/或另外的層特性，例如光學(xué)或電特性，如透射度、折射指數(shù)、電導(dǎo)率等的突出的均勻化，其中，層厚度或另外的層特性的偏差位于幾個(gè)百分點(diǎn)的范圍內(nèi)，例如小于或等于±4%。
[0016]在根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的實(shí)施方式中，循環(huán)線路與氣體輸送線路連接，氣體輸送線路適用于將不同于廢氣的氣體供應(yīng)到氣體輸入部中。該氣體是新鮮氣體或氣體混合物，氣體混合物可以包含過程氣體的一種、多種或所有組成部分，并且該氣體用于啟動(dòng)等離子體處理并且補(bǔ)償了過程氣體的由于等離子體處理而消耗掉的組成部分。因此，新鮮輸送的氣體和經(jīng)由循環(huán)線路在此輸送給等離子體處理部的廢氣已經(jīng)在與氣體輸入部連接的氣體輸送線路中混合，并且僅需一個(gè)氣體輸送線路用于不僅供應(yīng)新鮮輸送的氣體而且還供應(yīng)回引的廢氣到處理室中。
[0017]在優(yōu)選的實(shí)施方式中，氣體輸入部與兩個(gè)氣體輸送線路連接，其中，第一氣體輸送線路直接與循環(huán)線路連接，而第二氣體輸送線路與用于提供不同于廢氣的氣體的設(shè)備連接。因此，第二氣體輸送線路適用于將新鮮氣體或新鮮氣體混合物輸送給過程氣體，從而可以補(bǔ)償過程氣體的由于進(jìn)行等離子體處理而消耗掉的組成部分。
[0018]優(yōu)選地，氣體輸入部構(gòu)造為氣體輸入部-混合室，該氣體輸入部-混合室具有至少兩個(gè)分別具有一個(gè)或多個(gè)開口的流出系統(tǒng)。在此，每個(gè)流出系統(tǒng)分別配屬于至少兩個(gè)等離子體處理區(qū)中的一個(gè)，從而過程氣體從相應(yīng)的流出系統(tǒng)的開口向所配屬的等離子體處理區(qū)流動(dòng)。流出系統(tǒng)的多個(gè)開口優(yōu)選具有如下布置和大小，即，過程氣體均勻地或以匹配于等離子體處理區(qū)的等離子體條件的方式輸送給等離子體處理區(qū)。例如，在等離子體處理區(qū)的邊緣區(qū)域中，開口可以以彼此間較小的間距布置，或者具有與等離子體激勵(lì)區(qū)的中間區(qū)域中的開口相比所不同的流導(dǎo)值(Leitwerte)。此外，各個(gè)流出系統(tǒng)，也就是說配屬于不同的等離子體區(qū)的彼此不同的流出系統(tǒng)可以具有開口的不同的布置和/或流導(dǎo)值。優(yōu)選地，流出系統(tǒng)的開口具有相同的流導(dǎo)值。此外，除了將過程氣體限定地輸送給各個(gè)等離子體處理區(qū)以夕卜，輸入室還適用于確保將經(jīng)由循環(huán)線路供應(yīng)的廢氣和不同于廢氣地供應(yīng)的氣體相混合。于是，當(dāng)經(jīng)由循環(huán)線路供應(yīng)的廢氣和不同于廢氣地供應(yīng)的氣體經(jīng)由兩個(gè)彼此分離的氣體輸送線路供應(yīng)到氣體輸入部中時(shí)，這尤其是有利的。在此，氣體輸入部-混合室可以以貼靠到器壁上或者與該器壁間隔開的方式布置在處理室的器壁上的外部或處理室之內(nèi)。
[0019]當(dāng)氣體輸入部與兩個(gè)氣體輸送線路連接時(shí)，氣體輸送線路中的第一個(gè)用于輸送廢氣，而第二個(gè)則用于不同于廢氣供應(yīng)的氣體，像上面描述的那樣，氣體輸入部-混合室在特別優(yōu)選的實(shí)施方式中具有至少兩個(gè)子室，其中，每個(gè)子室具有獨(dú)立的流出系統(tǒng)，過程氣體從獨(dú)立的流出系統(tǒng)中向至少一個(gè)等離子體處理區(qū)流動(dòng)，并且分別配屬于至少一個(gè)等離子體處理區(qū)。在此，給每個(gè)子室都配屬至少一個(gè)配量裝置，配量裝置適用于針對(duì)相應(yīng)的子室獨(dú)立地調(diào)整所供應(yīng)的廢氣的量或不同于廢氣的供應(yīng)的氣體的量。
[0020]優(yōu)選地，氣體輸出部通過氣體輸出部-混合室來實(shí)現(xiàn)，該氣體輸出部-混合室具有至少兩個(gè)分別帶有一個(gè)或多個(gè)開口的流入系統(tǒng)，廢氣通過所述流入系統(tǒng)從等離子體處理區(qū)流入到氣體輸出部-混合室中，其中，每個(gè)流入系統(tǒng)分別配屬于至少兩個(gè)等離子體處理區(qū)中的一個(gè)。流入系統(tǒng)的多個(gè)開口優(yōu)選具有如下布置和大小，即，過程氣體均勻地或以匹配于等離子體處理區(qū)的等離子體條件的方式從所配屬的等離子體處理區(qū)中導(dǎo)出。在此，已經(jīng)參考了流出系統(tǒng)和其開口的說明是適用的。至少兩個(gè)流入系統(tǒng)的開口優(yōu)選具有相同的流導(dǎo)值。在此，氣體輸出部-混合室能夠以貼靠到器壁上或者與該器壁間隔開的方式布置在處理室的器壁上的外部或處理室之內(nèi)。
[0021]在優(yōu)選的實(shí)施方式中，氣體輸出部通過廢氣線路與用于氣體導(dǎo)出的設(shè)備連接，并且循環(huán)線路聯(lián)接到廢氣線路上。因此，僅需一個(gè)與氣體輸出部連接的廢氣線路。在此，用于氣體導(dǎo)出的設(shè)備，例如真空栗一方面用于調(diào)整處理室中的限定的壓力，而且另一方面用于將廢氣從氣體輸出部導(dǎo)出并且因此對(duì)過程氣體到處理室中的供應(yīng)進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0022]在其他優(yōu)選的實(shí)施方式中，氣體輸出部與用于氣體導(dǎo)出的設(shè)備借助廢氣線路并且彼此分離地與循環(huán)線路連接。也就是說，氣體輸出部與兩個(gè)氣體導(dǎo)出線路連接，其中的第一氣體導(dǎo)出線路是廢氣線路，而第二個(gè)氣體導(dǎo)出線路是循環(huán)線路。這就能夠?qū)崿F(xiàn)不僅將廢氣線路和循環(huán)線路而且將用于氣體導(dǎo)出的設(shè)備和循環(huán)栗都匹配于待調(diào)整的參數(shù)和純度要求。例如，循環(huán)栗不應(yīng)造成對(duì)回引的廢氣的污染，由此，與聯(lián)接到廢氣線路上的真空栗相比，對(duì)循環(huán)栗提出更高的要求。
[0023]優(yōu)選地，循環(huán)單元包括灰塵沉積裝置，該灰塵沉積的裝置優(yōu)選在循環(huán)線路中布置在循環(huán)栗之前。
[0024]此外，循環(huán)單元優(yōu)選包括用于去除廢氣的特定的組成部分，尤其是氣態(tài)的組成部分的設(shè)備。這例如可以是不能夠在等離子體處理中再次使用的反應(yīng)產(chǎn)物。
[0025]在優(yōu)選的實(shí)施方式中，氣體輸入部和氣體輸出部結(jié)構(gòu)相同地實(shí)施，并且用于等離子體處理的設(shè)備具有變換單元，變換單元適用于，在第一切換狀態(tài)中，將經(jīng)由循環(huán)線路供應(yīng)的廢氣和不同于廢氣地供應(yīng)的氣體輸送給氣體輸入部，并且將廢氣從氣體輸出部導(dǎo)出，而在第二切換狀態(tài)中，將經(jīng)由循環(huán)線路供應(yīng)的廢氣和不同于廢氣地供應(yīng)的氣體輸送給氣體輸出部，并且將廢氣從氣體輸入部導(dǎo)出。因此，用于等離子體處理的設(shè)備適用于造成在處理室和等離子體處理區(qū)中流動(dòng)的氣體流的氣體循環(huán)方向換向。因此，在基底的延伸長度上的所沉積的或去除的層的厚度還可以更好地均勻化，也就是說均衡。變換單元優(yōu)選包括兩個(gè)各具有兩個(gè)閥的閥組，其中，第一閥組的閥分別與第二閥組的閥相反地切換。每個(gè)閥組的一個(gè)閥分別處于設(shè)備的廢氣支路中，而每個(gè)閥組的另一個(gè)閥分別處于設(shè)備的輸送支路中。變換單元優(yōu)選適用于在每次等離子體處理過程內(nèi)進(jìn)行5至25次之間地變換切換狀態(tài)并且進(jìn)而切換了氣體循環(huán)方向。等離子體處理過程例如是給基底涂覆以預(yù)先給定的層厚度，或者從基底去除預(yù)先給定的層的厚度。
[0026]優(yōu)選地，用于等離子體處理的設(shè)備還具有用于使在等離子體處理區(qū)中加工的基底的機(jī)構(gòu)沿第一方向在處理室中運(yùn)動(dòng)的設(shè)備。在此，處理室包括多個(gè)氣體輸入部和多個(gè)氣體輸出部，其中，氣體輸入部和氣體輸出部交替地沿第一方向布置在處理室的側(cè)上。例如，氣體輸入部和氣體輸出部布置在處理室的靠上的器壁上，其中，基底橫向并排地布置，并且沿等離子體處理區(qū)在下方運(yùn)動(dòng)，該等離子體處理區(qū)沿第一方向布置在相應(yīng)的氣體輸入部和氣體輸出部之間。在此，過程氣體流經(jīng)基底機(jī)構(gòu)，但沒有穿流過。這相應(yīng)于所謂的具有平坦的且橫向并排布置的如下的單個(gè)基底的串聯(lián)設(shè)施(In-1ine-Anlag)，在單個(gè)基底上，過程氣體在沿基底的運(yùn)動(dòng)方向的方向上流動(dòng)。來自至少兩個(gè)氣體輸出部的廢氣通過循環(huán)單元混合，并且又供應(yīng)到氣體輸入部中。
[0027]在其他優(yōu)選的實(shí)施方式中，氣體輸入部和氣體輸出部布置在處理室的相對(duì)置的側(cè)上。在此，等離子體處理區(qū)可以橫向并排或優(yōu)選豎直上下相疊地布置在氣體輸入部和氣體輸出部之間。
[0028]優(yōu)選地，用于等離子體處理的設(shè)備還具有用于使在等離子體處理區(qū)中加工的基底的系統(tǒng)在沿第一方向在處理室中運(yùn)動(dòng)的設(shè)備。在此，處理室包括多個(gè)氣體輸入部和多個(gè)配屬于這些氣體輸入部的氣體輸出部，其中，氣體輸入部和氣體輸出部沿第一方向以如下方式布置，即，特定的氣體輸入部布置在處理室的沿第一方向延伸的側(cè)上，而配屬于特定的氣體輸入部的氣體輸出部布置在處理室的相對(duì)置的側(cè)上。在此，基底橫向并排地布置在基底機(jī)構(gòu)中或優(yōu)選豎直上下相疊地布置在特定的氣體輸入部與和特定的氣體輸入部相對(duì)置的氣體輸出部之間，從而基底機(jī)構(gòu)和配屬于相應(yīng)的氣體輸入部和氣體輸出部的等離子體處理區(qū)被過程氣體穿流。這相應(yīng)于串聯(lián)設(shè)施，在其中，也可以對(duì)基底堆棧進(jìn)行處理，在基底堆棧中，過程氣體沿垂直于基底的運(yùn)動(dòng)方向的方向流動(dòng)?；自诖丝梢栽诘入x子體處理期間運(yùn)動(dòng)或者近似靜止地被加工。在第二種情況下，基底在處理室內(nèi)部從第一對(duì)的氣體輸入部和配屬的氣體輸出部之間的位置向第二對(duì)的氣體輸入部和配屬的氣體輸出部之間的另外的位置運(yùn)動(dòng)，然而在等離子體處理期間在相應(yīng)的位置中保持不運(yùn)動(dòng)。
[0029]氣體輸出部在此優(yōu)選將廢氣從至少兩個(gè)由所配屬的氣體輸入部來提供過程氣體的等離子體處理區(qū)導(dǎo)出，將它們混合并且將它們又輸送給至少一個(gè)所配屬的氣體輸入部。
[0030]在優(yōu)選的實(shí)施方式中，用于等離子體處理的設(shè)備包括恰好與氣體輸入部和配屬于這些氣體輸入部的氣體輸出部的對(duì)一樣多的循環(huán)單元，其中，給每對(duì)特定的氣體輸入部和所配屬的氣體輸出部都配屬循環(huán)單元。因此，廢氣經(jīng)由配屬的循環(huán)單元從特定的氣體輸出部僅供應(yīng)到配屬的氣體輸入部中。
[0031]替選地，多個(gè)氣體輸出部的廢氣相互混合，并且又輸送給至少一個(gè)，優(yōu)選多個(gè)氣體輸入部。在特別優(yōu)選的實(shí)施方式中，來自所有氣體輸出部的廢氣被混合，并且供應(yīng)到所有氣體輸入部中。對(duì)于該設(shè)計(jì)方案來說僅需要一個(gè)循環(huán)單元。
[0032]在用于等離子體處理的設(shè)備的特別優(yōu)選的實(shí)施方式中，沿第一方向依次布置的氣體輸入部和配屬于這些氣體輸入部的氣體輸出部的兩個(gè)對(duì)中的氣體輸入部和所屬的氣體輸出部以如下方式布置，即，其中一對(duì)的氣體輸入部與另一對(duì)的氣體輸出部一樣都布置在處理室的相同的側(cè)上。因此，至少兩個(gè)氣體輸入部和兩個(gè)氣體輸出部沿著第一方向交替地布置在處理室的相同的一側(cè)上。利用該布置方案，可以均衡基底沿過程氣體的流動(dòng)方向的延伸長度上的非均勻性，這是因?yàn)檫^程氣體的流動(dòng)方向在兩對(duì)氣體輸入部和配屬的氣體輸出部之間換向。
【附圖說明】
[0033]下面，根據(jù)本發(fā)明的用于等離子體處理的設(shè)備借助多個(gè)實(shí)施例闡述，而用于等離子體處理的設(shè)備并不局限于這些實(shí)施例。尤其可行的是，參考不同的實(shí)施例所描述的觀點(diǎn)彼此組合，只要這沒有明確被排除。
[0034]圖1A示出根據(jù)本發(fā)明的用于等離子體處理的設(shè)備的第一實(shí)施方式的橫截面，在該第一實(shí)施方式中，氣體輸入部通過輸入室來實(shí)現(xiàn)，并且循環(huán)線路與氣體輸送線路連接，氣體輸送線路適用于將不同于廢氣的氣體輸送給氣體輸入部。此外，第一實(shí)施方式僅具有一個(gè)廢氣線路，廢氣經(jīng)由該廢氣線路從氣體輸出部導(dǎo)出，并且循環(huán)線路與廢氣線路連接；
[0035]圖1B示意性地示出針對(duì)沒有氣體回引的傳統(tǒng)處理和在利用根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的情況下的處理的在基底沿氣體流動(dòng)方向的延伸長度上的所沉積的層的厚度曲線；
[0036]圖1C示出圖1A的截段，其中，闡述了借助區(qū)分開的氣體體積使在多個(gè)基底上的加工率均勻化；
[0037]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的用于等離子體處理的設(shè)備的第二實(shí)施方式的橫截面，在該第二實(shí)施方式中，通過輸入室實(shí)現(xiàn)的氣體輸入部與兩個(gè)氣體輸送線路連接，其中一個(gè)氣體輸送線路適用于將不同于廢氣的氣體輸送給氣體輸入部，而另一個(gè)氣體輸送線路是循環(huán)線路。此外，第二實(shí)施方式還具有兩個(gè)廢氣線路，廢氣經(jīng)由它們從氣體輸出部導(dǎo)出，其中一個(gè)廢氣線路是循環(huán)線路；
[0038]圖3示出氣體輸入部的實(shí)施方式，在該實(shí)施方式中，氣體輸入部實(shí)施為具有多個(gè)子室的混合室。在此，針對(duì)每個(gè)子室的所供應(yīng)的廢氣的量和不同于廢氣的供應(yīng)的氣體的量可以借助配量裝置獨(dú)立調(diào)整；
[0039]圖4示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的用于等離子體處理的設(shè)備的第三實(shí)施方式，在該第三實(shí)施方式中，循環(huán)單元還包含灰塵沉積設(shè)備和用于去除廢氣的特定的氣態(tài)的組成部分的設(shè)備；
[0040]圖5示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的用于等離子體處理的設(shè)備的第四實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，在該第四實(shí)施方式中，氣體的循環(huán)方向可以得到改變；
[0041]圖6A至圖6C示出用于產(chǎn)生等離子體和基底支架的電互連的特定的實(shí)施例，其中，圖6A示出非脈沖式的等離子體生成的示例，圖6B示出脈沖式的等離子體生成的示例，而圖6C示出遠(yuǎn)程等離子體生成的示例；
[0042]參考圖7A和7B闡述了根據(jù)本發(fā)明的用于等離子體處理的設(shè)備的第五實(shí)施方式，在第五實(shí)施方式中，基底機(jī)構(gòu)沿著過程氣體流動(dòng)在下方受引導(dǎo)。在此，圖7A示出設(shè)施的俯視圖，而圖7B示出沿基底機(jī)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)方向穿過設(shè)施的橫截面；
[0043]圖8示出根據(jù)本發(fā)明的用于等離子體處理的設(shè)備的第六實(shí)施方式，在該第六實(shí)施方式中，過程氣體穿流過基底機(jī)構(gòu)，并且該第六實(shí)施方式的橫截面例如相應(yīng)于圖1A所示的橫截面。
【具體實(shí)施方式】
[0044]在圖1A中，在沿三維的笛卡爾坐標(biāo)系中的x-y平面的橫截面中示出了根據(jù)本發(fā)明的用于等離子體處理的設(shè)備(I)的第一實(shí)施方式。設(shè)備(I)包括處理室(10)、氣體輸送線路
(21)、聯(lián)接到氣體輸送線路(21)上的用于提供氣體的設(shè)備(22)、廢氣線路(23)、聯(lián)接到廢氣線路(23)上的栗(24)和循環(huán)單元(30)。
[0045]處理室(10)具有多個(gè)等離子體處理區(qū)(Ila至lie)以及實(shí)現(xiàn)為氣體輸入部-混合室的氣體輸入部(13)和實(shí)現(xiàn)為氣體輸出部-混合室的氣體輸出部(14)。在圖1中所示的實(shí)施方式中，處理室(10)具有三個(gè)等離子體處理區(qū)(Ila至11c)。在其他的實(shí)施方式中，也可以將僅兩個(gè)等離子體處理區(qū)或多于三個(gè)的等離子體處理區(qū)布置在氣體輸入部(13)與氣體輸出部(14)之間。等離子體處理區(qū)用作于對(duì)基底(12a至12c)進(jìn)行等離子體處理，這些基底在所示的情況下分別布置在所配屬的等離子體處理區(qū)(Ila至11c)下方。在其他的實(shí)施方式中，基底也可以布置在相應(yīng)的等離子體處理區(qū)的上方、內(nèi)部或側(cè)向。在所示情況下，基底豎直地上下相疊地，也就是說沿著y軸線且垂直于基底的橫向的延伸長度地布置在所謂的基底堆棧中。在其他的實(shí)施方式中，也可以將多個(gè)基底橫向并排地，也就是說沿著X軸線或沿著z軸線布置。于是，特定的等離子體處理區(qū)也可以橫向并排地布置。將多個(gè)基底并排或上下相疊地橫向和豎直地布置進(jìn)行組合也是可行的。
[0046]氣體輸入部(13)布置在處理室(10)的第一側(cè)上，而氣體輸出部(14)布置在處理室的第二側(cè)上，其中，處理室的第二側(cè)與第一側(cè)對(duì)置。氣體輸入部(13)的輸入室和氣體輸出部
(14)的輸出室布置在處理室(10)的內(nèi)部，也就是說布置在處理室(10)的器壁的內(nèi)側(cè)上?；?12a至12c)布置在處理室(10)的第一側(cè)與第二側(cè)之間，從而基底機(jī)構(gòu)，也就是說全部基底被在氣體輸入部與氣體輸出部之間流動(dòng)的過程氣體穿流。氣體輸入部(13)具有多個(gè)流出開口(131a至131c)，過程氣體從這些流出開口流向等離子體處理區(qū)(Ila至lie)，而氣體輸出部(14)具有多個(gè)流入開口(141a至141c)，從等離子體處理區(qū)(Ila至lie)中逸出的廢氣經(jīng)過這些流入開口流入到氣體輸出部中。在圖1中所示的實(shí)施方式中，存在有三個(gè)流出開口(131a至131c)和三個(gè)流入開口(141a至141c)。盡管這在圖1中所示的橫截面中并不明顯，但是仍有多個(gè)流出開口和多個(gè)流入開口沿著處理室的z方向布置。在此，流出開口形成了配屬于特定的等離子體處理區(qū)的流出系統(tǒng)，過程氣體從流出系統(tǒng)流向特定的等離子體處理區(qū)(Ila至11c)。以相同的方式，流入開口形成了配屬于特定的等離子體處理區(qū)的流入系統(tǒng)，從特定的等離子體處理區(qū)(Ila至lie)中逸出的廢氣體經(jīng)過流入系統(tǒng)。特定的流出系統(tǒng)的流出開口和特定的流入系統(tǒng)的流入開口分別布置在相對(duì)于y軸線相同的位置上。
[0047]在其他的實(shí)施方式中，流出開口的數(shù)量和流入開口的數(shù)量也可以不是三個(gè)，也可以彼此不同并且對(duì)不同的等離子體處理區(qū)來說也是不同的。此外，流出開口的數(shù)量對(duì)于不同的流出系統(tǒng)來說是不同的，流入開口的數(shù)量對(duì)于不同的流出系統(tǒng)來說是不同的，以及流出開口在特定的流出系統(tǒng)中的豎直的位置是不同的，而且流入開口在特定的流入系統(tǒng)中的豎直位置是不同的，也就是說它們相對(duì)于y軸線的位置是不同的。
[0048]氣體輸入部-混合室在x-y平面中具有足夠大的橫截面，并且因此在內(nèi)部具有足夠小的流導(dǎo)值，從而過程氣體可以從流出開口(131a至131c)平均分配地供應(yīng)到多個(gè)等離子體處理區(qū)中。流出開口(131a至131c)有利地以如下方式具有小的橫截面和尺寸，S卩，在流出開口上發(fā)生氣體阻隔的效果。
[0049]氣體輸入部(13)與氣體輸送線路(21)連接，經(jīng)由氣體輸送線路，過程氣體被供應(yīng)到氣體輸入部(13)中。過程氣體在此由新鮮氣體和廢氣的混合物組成，新鮮氣體由用于提供氣體的設(shè)備(22)提供，廢氣經(jīng)由循環(huán)單元(30)從氣體輸出部(14)回引向氣體輸入部
(13)。新鮮氣體和廢氣在此已經(jīng)在氣體輸送線路(21)中混合并且此外還在氣體輸入部(13)的氣體輸入部-混合室中混合。新鮮氣體的量經(jīng)由配量裝置，例如質(zhì)量流控制器在用于提供氣體的設(shè)備(22)中調(diào)節(jié)。
[0050]氣體輸出部(14)與廢氣線路(23)連接，栗(24)聯(lián)接到廢氣線路上。栗(24)—方面用作于吸出在等離子體處理時(shí)產(chǎn)生的廢氣，而另一方面與布置在廢氣線路(23)中的調(diào)節(jié)閥(25a、25b)共同作用于調(diào)整處理室(10)中的限定的壓力。在此，來自不同的等離子體處理區(qū)(I Ia至11c)的廢氣在氣體輸出部(14)的氣體輸出部-混合室和廢氣線路(23)中混合。
[0051]循環(huán)單元(30)包括循環(huán)線路(31)和循環(huán)栗(32)。循環(huán)線路(31)在根據(jù)本發(fā)明的用于等離子體處理的設(shè)備的第一實(shí)施方式中與廢氣線路(23)和氣體輸送線路(21)連接，從而氣體輸入部(13)僅與氣體輸送線路(21)連接，而氣體輸出部(14)僅與廢氣線路(23)連接。借助循環(huán)單元(30)，廢氣中的一部分被再次輸送給過程氣體，其中，再次供應(yīng)的廢氣在全部廢氣中的份額經(jīng)由調(diào)節(jié)閥(25a、25b)調(diào)整。因此，再次供應(yīng)的廢氣在全部過程氣體中的份額也得到調(diào)節(jié)，該份額等于或大于新鮮氣體的氣體流。例如，從廢氣中提取出比新鮮氣體的氣體流量大10倍的氣體流，并且再次輸送給氣體輸入部。羅茨栗適用于作為循環(huán)栗(32)，其以約10的壓縮比生成足夠用于氣體循環(huán)的過壓。因?yàn)樘峁┝司哂?50至25000m3/h的范圍內(nèi)的抽吸功率的羅茨栗，所以也可以設(shè)置具有足夠的氣體循環(huán)的非常大的處理室。有利地，以純半導(dǎo)體的實(shí)施方案使用羅茨栗，從而在循環(huán)單元(30)中僅附加地出現(xiàn)非常小的泄漏率，并且通過例如來自羅茨栗軸軸承的傳動(dòng)裝置油避免了對(duì)過程氣體的污染。沿被栗送的氣體的方向在循環(huán)栗(32)之前的循環(huán)線路(31)的直徑(CU)在此可以大于沿被栗送的氣體的方向在循環(huán)栗(32)之后的循環(huán)線路(31)的直徑(d2)。
[0052]圖1B示意性地示出了所沉積的層在基底沿氣體流動(dòng)方向(X方向)的延伸長度上的厚度ds的曲線。在此，基底或基底的通過等離子體處理所加工的面沿著圖1A中所示的X方向從第一點(diǎn)Xl延伸到第二點(diǎn)X2。這是針對(duì)沒有氣體回引的在其中存在有相對(duì)小的氣體穿流量Q1的傳統(tǒng)處理的厚度曲線和針對(duì)根據(jù)本發(fā)明的具有與此相對(duì)很大的氣體穿流量Q2(像其借助氣體循環(huán)在根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備中出現(xiàn)的那樣)的過程的厚度曲線。關(guān)于基底橫向于氣體流動(dòng)方向，也就是說沿z方向的延伸長度，對(duì)于特定的Ax1來說是以均勻組成過程氣體為前提，也就是說，過程氣體組成沿z方向是均勻的。
[0053]在傳統(tǒng)處理中，層厚度cUftx方向減小，這是因?yàn)檫^程氣體在很小的流動(dòng)速度的情況下在等離子體處理區(qū)中以等離子體化學(xué)的方式分解，并且隨著分解產(chǎn)物的份額的增加，沉積率下降。此外，另外的層參數(shù)，例如光學(xué)或電的特性，譬如透射度、折射指數(shù)、電導(dǎo)率等也會(huì)發(fā)生改變。
[0054]在利用根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的情況下，由于循環(huán)單元(30)中的氣體循環(huán)，過程氣體以更大的，例如十倍的流動(dòng)速度運(yùn)動(dòng)經(jīng)過等離子體處理區(qū)。在該提高的氣體穿流量Q2的情況下，過程氣體在等離子體處理區(qū)中的等離子體化學(xué)的分解以如下方式降低，即，使沉積率實(shí)際上保持不變。因此在基底沿X方向的延伸長度上的層厚度ds以及另外的層參數(shù)都被均勻化，也就是說保持恒定地構(gòu)造。
[0055]借助示出圖1A的截段的圖1C闡述的是，如何通過在氣體循環(huán)的各次氣體運(yùn)行中持續(xù)地混勻過程氣體，使得除了對(duì)在基底沿X方向的延伸長度上的加工進(jìn)行均勻化(相應(yīng)于圖1B)以外，也使對(duì)在由沿y方向的多達(dá)100個(gè)基底構(gòu)成的基底機(jī)構(gòu)中的不同的基底的加工進(jìn)行均勻化。
[0056]為此，在圖1C中考慮到在兩次氣體循環(huán)運(yùn)行中的在它們的流動(dòng)路徑上的小的區(qū)分開的氣體體積(2)、(3)和(4)。在圖1C中，所有區(qū)分開的氣體體積通過相應(yīng)的在圓圈中的附圖標(biāo)記來標(biāo)明。在此，區(qū)分開的第一氣體體積(2)穿過第一流出開口( 13Ia)從氣體輸入部
(13)進(jìn)入到等離子體處理室中且沿箭頭方向橫穿第一等離子體處理區(qū)(11a)，其中，區(qū)分開的第一氣體體積的組成發(fā)生改變，并且作為區(qū)分開的氣體體積(2‘)穿過第一流入開口(141a)朝著氣體輸出部(14)的方向離開等離子體處理室。相應(yīng)地，區(qū)分開的第二氣體體積(3)穿過第二流出開口(131b)從氣體輸入部(13)進(jìn)入到等離子體處理室中且沿箭頭方向橫穿第二等離子體處理區(qū)(11b)，其中，區(qū)分開的第二氣體體積的組成發(fā)生改變，并且作為氣體體積(3‘)穿過第二流入開口(141b)朝著氣體輸出部(14)的方向離開等離子體處理室，而區(qū)分開的第三氣體體積(4)穿過第三流出開口(131c)從氣體輸入部(13)進(jìn)入到等離子體處理室中且沿箭頭方向橫穿第三等離子體處理區(qū)(11c)，其中，區(qū)分開的第三氣體體積的組成發(fā)生改變，并且作為區(qū)分開的氣體體積(4 ‘)穿過第三流入開口( 141 c)朝著氣體輸出部(14)的方向離開等離子體處理室。
[0057]在第一次運(yùn)行中，區(qū)分開的氣體體積(2)、(3)和(4)首先全部具有第一氣體組成(a)，該第一氣體組成對(duì)于所有區(qū)分開的氣體體積(2)、(3)和(4)來說是一樣的。在各個(gè)區(qū)分開的氣體體積(2)、(3)和(4)分別橫穿各自的等離子體處理區(qū)(Ila至lie)期間，視等離子體處理區(qū)和在其中燃燒的等離子體的特性而定地，氣體組成針對(duì)每個(gè)區(qū)分開的氣體體積都以特殊的方式發(fā)生改變。在各個(gè)等離子體區(qū)中，等離子體化學(xué)的氣體變換會(huì)稍有不同，例如，通過略有不同的等離子體功率耦入導(dǎo)致的是，區(qū)分開的氣體體積(2‘)、(3‘)和(4‘)在離開等離子體區(qū)后會(huì)在它們的氣體組成中有所區(qū)別。
[0058]由此，區(qū)分開的第一氣體體積(2‘)具有略有改變的第一氣體組成(al)，而區(qū)分開的第二氣體體積(3‘)具有略有改變的第二氣體組成(a2)，并且區(qū)分開第三的氣體體積(4‘)具有略有改變的第三氣體組成(a3)，這些氣體組成彼此間都會(huì)有所區(qū)別。
[0059]區(qū)分開的氣體體積(2‘)、(3‘)和(4‘)現(xiàn)在在它們的路徑上通過循環(huán)單元(30)混合，從而區(qū)分開的第四氣體體積(5)本身位于與氣體輸送線路(21)連接之前的循環(huán)線路
(31)中，該區(qū)分開的第四氣體體積具有均勻化的第四氣體組成(b)。區(qū)分開的第四氣體體積
(5)必要時(shí)與新鮮氣體混合，從而在氣體輸送線路(21)中存在具有第五氣體組成(c)的區(qū)分開的第五氣體體積(6)，該第五氣體組成可以與第一氣體組成(a)不同。
[0060]該區(qū)分開的第五氣體體積(5)從現(xiàn)在起被供應(yīng)到氣體輸入部(13)中，并且經(jīng)由流出開口(131a至131c)在第二次運(yùn)行中又作為新的區(qū)分開的氣體體積(2)、(3)和(4)輸送給相應(yīng)的等離子體處理區(qū)(Ila至11c)，其中，區(qū)分開的氣體體積(2)、(3)和(4)的氣體組成又彼此相同。
[0061 ]因此，在第一次運(yùn)行中穿過第一等離子體處理區(qū)(I Ia)的氣體分子會(huì)在第二次運(yùn)行中例如穿過第二等離子體處理區(qū)(Ilb)或第三等離子體處理區(qū)(11c)，這剛好引起有意的氣體混勻效果。因此，加工率和在所有基底上所獲得的層特性都得到均衡，這些基底的過程氣體在循環(huán)單元(30)中混勻。
[0062]在根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的所有實(shí)施方式中類似地發(fā)生參考圖1B和IC闡述的穿過氣體循環(huán)單元(30)的氣體回引的效果。
[0063]圖2在沿x-y平面的橫截面中示出了根據(jù)本發(fā)明的用于等離子體處理的設(shè)備(I)的第二實(shí)施方式，該第二實(shí)施方式相對(duì)于第一實(shí)施方式具有許多共同之處，從而這些共同之處不再闡述。然而與第一實(shí)施方式區(qū)別在于，循環(huán)單元(30)完全與新鮮空氣的輸送部和與栗(24)連接的廢氣線路分離。也就是說:氣體輸入部(13)與兩個(gè)氣體輸送線路(2 Ia、2 Ib)連接，并且氣體輸出部(14)與兩個(gè)廢氣線路(23a、23b)連接。第一氣體輸送線路(21a)相應(yīng)于循環(huán)線路(31)，而第二氣體輸送線路(21b)與用于提供氣體的設(shè)備(22)連接，并且用于將新鮮氣體，也就是說不同于廢氣的氣體，供應(yīng)到氣體輸入部(13)中。因此，經(jīng)由第一氣體輸送線路(21a)供應(yīng)的廢氣和經(jīng)由第二氣體輸送線路(21b)供應(yīng)的新鮮氣體在氣體輸入部(13)的氣體輸入部-混合室中才混合。
[0064]在另外的實(shí)施方式中此外可行的是，除了第二氣體輸送線路(21b)以外還設(shè)置有另外的氣體輸送線路，其將另外的新鮮氣體供應(yīng)到氣體輸入部(13)中。于是當(dāng)被輸送的新鮮氣體在常壓下在其混合時(shí)導(dǎo)致安全方面的問題時(shí)，這尤其是有利的。
[0065]第一廢氣線路(23a)相應(yīng)于循環(huán)線路(31)，并且直接與循環(huán)栗(32)連接，而第二廢氣線路(23b)僅與栗(24)連接。因此，氣體輸出部(14)的氣體輸出部-混合室具有在x-y平面中足夠大的橫截面，并且進(jìn)而在內(nèi)部具有足夠小的流導(dǎo)值，從而來自多個(gè)等離子體處理區(qū)的廢氣被很好地混勻。利用布置在循環(huán)線路(31)中的調(diào)節(jié)閥(25a)來調(diào)整再次供應(yīng)到氣體輸入部(13)中的廢氣的氣體流，而利用布置在第二廢氣線路(23b)中的調(diào)節(jié)閥(25b)來調(diào)整處理室(10)中的壓力。
[0066]第一和第二實(shí)施方式的特征也可以組合。例如，用于等離子體處理的設(shè)備(I)也可以像在圖2中示出的那樣包括兩個(gè)氣體輸送線路(21a、21b)，但像在圖1中示出的那樣僅包括一個(gè)廢氣線路(23)。
[0067]圖3詳細(xì)示出了氣體輸入部(13)和氣體輸送部的特別優(yōu)選的實(shí)施方式。首先，氣體輸入部(13)的氣體輸入部-混合室具有多個(gè)子室(13a至13c)，這些子室彼此間通過分隔壁(132a、132b)分離。其中每個(gè)子室(13a至13c)都具有自己的流出系統(tǒng)，這些流出系統(tǒng)通過流出開口(131a至131c)示出。每個(gè)子室(13a至13c)都與兩個(gè)氣體輸送線路連接，其中，其中一個(gè)氣體輸送線路分別適用于將新鮮氣體供應(yīng)到相應(yīng)的子室(13a至13c)中，而另一個(gè)適用于將經(jīng)由循環(huán)線路(31)輸送的廢氣供應(yīng)到相應(yīng)的子室(13a至13c)中。此外，在每個(gè)氣體輸送線路中都布置有配量裝置(26a至26f)，利用這些配量裝置調(diào)節(jié)供應(yīng)到相應(yīng)的子室(13a至13c)中的新鮮氣體的量和供應(yīng)到相應(yīng)的子室(I 3a至13c)中的廢氣的量。因此，可以借助配量裝置26a調(diào)整供應(yīng)到子室13a中的新鮮氣體的量，并且可以借助配量裝置26d調(diào)整供應(yīng)到子室13a中的廢氣的量。因此，利用圖3中所示的實(shí)施方式，在分別配屬于子室(13a至13c)的不同的等離子體處理區(qū)(Ila至lie)中的等離子體處理?xiàng)l件中的區(qū)別通過過程氣體的不同的組成來均衡。
[0068]盡管在圖3中分別在每個(gè)氣體輸送線路中示出了配量裝置(26a至26f)，但也可以僅將配量裝置布置在用于輸送新鮮氣體的氣體輸送線路中或用于輸送廢氣的氣體輸送線路中。此外也可行的是，將不同的新鮮氣體供應(yīng)到不同的子室(13a至13c)中。此外可行的是，氣體輸入部(13)的各個(gè)子室(13a至13c)并不完全通過分隔壁(132a、132b)彼此分離，而是這些分隔壁(I32a、132b)具有開口，通過這些開口，氣體可以在整個(gè)氣體輸入部(13)中擴(kuò)散。因此，為所有子室(13a至13c)供應(yīng)廢氣例如可以僅通過一個(gè)氣體輸送線路實(shí)現(xiàn)，而針對(duì)每個(gè)子室(13a至13c)的新鮮氣體的輸送可以獨(dú)立地調(diào)整。
[0069]圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的用于等離子體處理的設(shè)備(I)的第三實(shí)施方式。該第三實(shí)施方式在原理結(jié)構(gòu)方面相應(yīng)于第一實(shí)施方式，然而，除了循環(huán)線路(31)和循環(huán)栗
(32)以外，循環(huán)單元(30)還包括灰塵沉積設(shè)備(33)和用于去除廢氣的特定的氣態(tài)的組成部分的設(shè)備(34)?；覊m沉積設(shè)備(33)有利地沿被栗送的氣體的方向布置在循環(huán)栗(32)之前，從而在循環(huán)栗(32)之前已經(jīng)去除了包含在廢氣中的灰塵顆粒，并且因此防止栗功率受到影響。
[0070]在另一有利的實(shí)施方式中，灰塵沉積設(shè)備(33)沿被栗送的氣體的方向布置在循環(huán)栗(32)后面，從而在灰塵沉積設(shè)備(33)中的壓力下降不那么明顯。此外可行的是，也使用了多個(gè)這樣的灰塵沉積設(shè)備或多級(jí)的設(shè)備。
[0071]用于去除廢氣的特定的氣態(tài)的組成部分的設(shè)備(34)用于去除廢氣的不再能夠在等離子體處理中使用的或者在廢氣中過量存在的組成部分。這例如可以是不再對(duì)本就執(zhí)行的等離子體處理做出貢獻(xiàn)的反應(yīng)產(chǎn)物。這些組成部分可以通過用于去除的設(shè)備(34)完全或部分地從在循環(huán)線路(31)中運(yùn)輸?shù)膹U氣中去除掉，并且經(jīng)由導(dǎo)出線路(35)導(dǎo)出。用于去除廢氣的特定的氣態(tài)的組成部分的設(shè)備(34)可以沿在循環(huán)單元(30)中被栗送的氣體的方向布置在循環(huán)栗(32)之前或之后。
[0072]在圖5中示意性地示出了用于等離子體處理的設(shè)備(I)的第四實(shí)施方式，在該第四實(shí)施方式中，在等離子體處理區(qū)中流動(dòng)的氣體的方向可以被切換。這示例性地針對(duì)圖1所示的實(shí)施方式不出，在該第四實(shí)施方式中，氣體輸入部(13)僅與氣體輸送線路連接，而氣體輸出部(14)僅與廢氣線路連接。為了對(duì)氣體流動(dòng)方向進(jìn)行換向，也就是說實(shí)際上彼此交換氣體輸入部和氣體輸出部，在氣體輸送線路以及廢氣線路中分別布置有第一閥組(27)的閥和第二閥組(28)的閥。第一閥組(27)和第二閥組(28)共同形成變換單元。在第一切換狀態(tài)中，第一閥組(27)的閥(27a和27b)打開，并且第二閥組(28)的閥(28a和28b)關(guān)閉。因此，新鮮氣體由用于提供氣體的設(shè)備(22)來供應(yīng)，并且經(jīng)由循環(huán)線路(31)回引的廢氣供應(yīng)到氣體輸入部(13)中，并且廢氣經(jīng)由氣體輸出部(14)從處理室中導(dǎo)出。在第二切換狀態(tài)中，第一閥組
(27)的閥(27a和27b)關(guān)閉，并且第二閥組(28)的閥(28a和28b)打開。因此，新鮮氣體由用于提供氣體的設(shè)備(22)來供應(yīng)，并且經(jīng)由循環(huán)線路(31)回引的廢氣供應(yīng)到氣體輸出部(14)中，并且廢氣經(jīng)由氣體輸入部(13)從處理室中導(dǎo)出。有利地，氣體輸入部(13)和氣體輸出部
(14)為此結(jié)構(gòu)相同地實(shí)施。通過切換等離子體處理區(qū)(Ila至lie)中的氣體流動(dòng)方向可以減少等離子體處理在基底沿流動(dòng)方向的延伸長度上的非均勻性。流動(dòng)方向的典型的切換率為(每次完整的等離子體處理例如在涂層處理的情況下每次在基底上以特定層厚度的沉積)切換5至25次。
[0073]參考圖6A至6C闡述了用于等離子體的生成和基底支架的電互連的特定的實(shí)施例，其中，應(yīng)用到根據(jù)本發(fā)明的用于等離子體處理的設(shè)備的第一實(shí)施例。因此，忽略了關(guān)于氣體輸送和氣體導(dǎo)出的細(xì)節(jié)。
[0074]圖6A示出了用于借助發(fā)生器(60)非脈沖式地生成等離子體的示例，發(fā)生器提供直流電壓。在另外的實(shí)施方式中，發(fā)生器(60)可以提供低頻或高頻的電壓?；?12a至12c)布置在梳狀地延伸的電極(121、122)上。在此，第一電極(121)沿相應(yīng)的輸送線路的正X方向延伸，而第二電極(122)沿相應(yīng)的輸送線路的負(fù)X方向延伸。在另外的實(shí)施方式中，電極(121、122)沿相應(yīng)的輸送線路的正和負(fù)z方向延伸出。第一電極(121)和第二電極(122)沿y方向交替地布置，其中，第一電極(121)與第二電極(122)電絕緣。發(fā)生器(60)與第一和第二電極(121、122)對(duì)稱地連接。在另外的實(shí)施方式中，發(fā)生器(60)與第一和第二電極(121、122)非對(duì)稱地連接，其中，第一電極(121)或第二電極(122)與處理室的接地連接。與布置在電極上的基底(12a至12c)相比，電極(121、122)具有稍大的橫向的延伸長度，并且典型地，沿y方向彼此間具有I至10mm的間距。在施加電壓的情況下，在第一電極(121)與和第一電極相鄰地布置的第二電極(122)之間生成等離子體，等離子體能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)位于電極之間的基底的處理。
[0075]圖6B示出了脈沖式地生成等離子體的示例。在此，第一電極(121)與處理室的接地(與大地)連接，而第二電極(122)與匹配和過濾箱(62)連接，發(fā)生器(60)和脈沖發(fā)生器(61)聯(lián)接到匹配和過濾箱上。這種脈沖式生成的等離子體例如可以用于借助等離子體浸沒注入進(jìn)行離子注入。因此，可以將具有離子能量至約30keV的添加物，例如硼或磷注入到基底中。為此，在等離子體處理區(qū)(Ila至lie)中點(diǎn)燃例如具有磷化氫(PH3)氣體的或具有氟化硼(BF3)的等離子體。通過施加來自脈沖發(fā)生器(61)的短的負(fù)高壓脈沖，將來自等離子體邊緣層的離子加速到基底上。
[0076]圖6C示出用于遠(yuǎn)程式地生成等離子體的示例。其中，為了進(jìn)行處理，例如為了進(jìn)行純粹的自由基腐蝕或表面改性，等離子體區(qū)和處理區(qū)應(yīng)彼此分離，在處理中通過來自等離子體而撞擊在基底上的離子的份額不是必須的或期望的。氣體循環(huán)在此像其在之前的實(shí)施例中描述的那樣也是有利的。在此，在遠(yuǎn)程等離子體(111)區(qū)中生成的自由基和氣體組成部分均勻地在原則上相應(yīng)于之前描述的等離子體處理區(qū)的不同的處理區(qū)(Ila至lie)上分配，從而實(shí)現(xiàn)了減少在不同的基底(12a至12c)之間的和在基底的延伸長度上的非均勻性。遠(yuǎn)程等離子體(111)例如可以借助發(fā)生器(60)生成。
[0077]通常，一個(gè)或多個(gè)用于進(jìn)行處理的等離子體可以是低壓等離子體，其中，必要的功率可以借助電極、感應(yīng)式地、借助微波或經(jīng)由電介質(zhì)窗耦入。
[0078]此外，在圖6A和6C中還示出了加熱元件(15)，該加熱元件確保了對(duì)于等離子體處理來說所需的基底溫度和/或氣體溫度。這例如可以經(jīng)由紅外輻射或熱傳導(dǎo)實(shí)現(xiàn)。有利地，加熱元件也整合到氣體輸入部-混合室和氣體輸出部-混合室中，從而基底和等離子體處理區(qū)具有均勻的溫度分布。所描述的加熱元件可以在根據(jù)本發(fā)明的用于等離子體處理的設(shè)備的所有實(shí)施方式中使用。
[0079]圖7A和7B示出了根據(jù)本發(fā)明的用于等離子體處理的設(shè)備的第五實(shí)施方式，其中，圖7A示出了設(shè)備的俯視圖，而圖7B示出了沿著圖7A中所示的線B-B‘的橫截面。在根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的實(shí)施方式中，基底(12a至12d)在處理室(10)中沿著在所示情況下相應(yīng)于z方向的第一方向運(yùn)動(dòng)。運(yùn)動(dòng)借助箭頭來標(biāo)記。在此，多個(gè)基底(12a至12d)可以橫向并排地布置在基底載體(120)上?；纵d體(120)借助設(shè)備(70)運(yùn)動(dòng)來使基底在處理室中運(yùn)動(dòng)。這例如可以是圖7B中所示的滾輪或也可以是帶或其他設(shè)備。處理室具有多個(gè)氣體輸入部(13a、13b)和多個(gè)氣體輸出部(14a、14b)，其中，它們沿著第一方向交替地布置在處理室的一側(cè)上。像在圖7B中看到的那樣，氣體輸入部(13a、13b)和氣體輸出部(14a、14b)沿上部的室壁布置。在氣體輸入部(13a、13b)與其相鄰的氣體輸出部(14a、14b)(或兩個(gè)相鄰的氣體輸出部)之間布置有等離子體處理區(qū)(Ila至11c)，其中，基底(12a至12d)沿著等離子體處理區(qū)(Ila至lie)在下方受引導(dǎo)。因此，雖然過程氣體流經(jīng)基底(12a至12d)的基底機(jī)構(gòu)，但沒有穿流過。
[0080]有利地，從所有位于處理室(1)中的氣體輸出部(I4a、14b)中逸出的廢氣相互混合，并且輸送給所有位于處理室(10)中的氣體輸入部(13a、13b)。然而，在另外的實(shí)施方式中也可行的是，僅混合來自特定的氣體輸出部的廢氣，并且這些廢氣僅輸送給特定的氣體輸入部。但是，通過混合廢氣并且將其重新輸送到氣體輸入部中，均衡了在各個(gè)等離子體處理區(qū)(Ila至lie)之間以及在特定的等離子體處理區(qū)內(nèi)部的過程氣體差異。
[0081]圖8以設(shè)備的俯視圖示出了根據(jù)本發(fā)明的用于等離子體處理的設(shè)備的第六實(shí)施方式，其中，圖1示出了這種設(shè)備沿x-y平面的示例性的橫截面。在此，基底也沿第一方向，也就是說沿z方向，在處理室(10)中運(yùn)動(dòng)。然而，基底豎直地，也就是說沿y方向，上下相疊地布置在基底載體(120)中，從而在俯視圖中僅看到最上方的基底(12a)。處理室包括多個(gè)氣體輸入部(13a至13c)以及多個(gè)氣體輸出部(14a至14c)，它們沿第一方向布置在處理室的相對(duì)置的側(cè)上，其中，為每個(gè)氣體輸入部都配屬了一個(gè)氣體輸出部。在此，特定的氣體輸入部(例如13a)布置在處理室(10)的一側(cè)上，而配屬于該特定的氣體輸入部的氣體輸出部(例如14a)布置在處理室的相對(duì)置的側(cè)上。因此，基底機(jī)構(gòu)和配屬于相應(yīng)的氣體輸入部和氣體輸出部的等離子體處理區(qū)(Ila)被過程氣體穿流過。處理室的兩側(cè)在此沿X方向彼此間隔開。在圖8中所示的實(shí)施方式中，所有的氣體輸入部(13a至13c)都布置在處理室(10)的一側(cè)上，而所有的氣體輸出部(14a至14c)都布置在處理室(1)的相對(duì)置的側(cè)上。
[0082]然而，在另外的實(shí)施方式中，氣體輸入部與氣體輸出部的各個(gè)對(duì)也可以相反地布置。例如，氣體輸入部13a和13c可以布置在處理室(10)的第一側(cè)上，并且所屬的氣體輸出部14a和14c布置在處理室(10)的相對(duì)置的第二側(cè)上，而氣體輸入部13b布置在處理室(10)的第二側(cè)上，并且所屬的氣體輸出部14b布置在處理室(I O)的第一側(cè)上。因此，切換氣體流動(dòng)方向可以在相鄰的等離子體處理區(qū)(Ila至lie)中實(shí)現(xiàn)，而無需利用圖5中所示的變換單元。
[0083]在不同于圖7A、7B和8中所示的實(shí)施例的實(shí)施例中，氣體輸入部和氣體輸出部的數(shù)量，它們相對(duì)于處理室(10)的側(cè)的布置方案以及相互混合的廢氣的數(shù)量或相互互連的氣體輸出部和氣體輸入部的數(shù)量可以與在圖中所示的實(shí)施例的這些數(shù)量和布置有所不同。
[0084]附圖標(biāo)記列表
[0085]I用于等離子體處理的設(shè)備
[0086]2至6區(qū)分開的氣體體積
[0087]10處理室
[0088]I Ia至I Ic 等離子體處理區(qū)
[0089]111遠(yuǎn)程等離子體
[0090]12a-12d 基底
[0091]120基底載體
[0092]121第一電極
[0093]122第二電極
[0094]13氣體輸入部
[0095]13a 至 13c 子室
[0096]131a 至 131c 流出開口
[0097]132a,b分隔壁
[0098]14氣體輸出部
[0099]141a 至 141c 流入開口
[0100]15加熱元件
[0101]21氣體輸送線路
[0102]21a第一氣體輸送線路
[0103]21b第二氣體輸送線路
[0104]22用于提供氣體的設(shè)備
[0105]23廢氣線路
[0106]23a第一廢氣線路
[0107]23b第二廢氣線路
[0108]24栗
[0109]25a、25b調(diào)節(jié)閥
[0110]26a-26f配量裝置
[0111]27第一閥組
[0112]24a, b第一閥組的閥
[0113]28第二閥組
[0114]28a、b第二閥組的閥
[0115]30循環(huán)單元
[0116]31循環(huán)線路
[0117]32循環(huán)栗
[0118]33灰塵沉積設(shè)備
[0119]34用于去除氣體組成部分的設(shè)備
[0120]35導(dǎo)出線路
[0121]60發(fā)生器
[0122]61脈沖發(fā)生器
[0123]62匹配和過濾箱
[0124]70用于使基底運(yùn)動(dòng)的設(shè)備
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于等離子體處理的設(shè)備，所述用于等離子體處理的設(shè)備包括: -處理室，所述處理室具有: -被過程氣體穿流過的至少兩個(gè)等離子體處理區(qū)， -氣體輸入部，所述氣體輸入部適用于將所述過程氣體輸送給所述至少兩個(gè)等離子體處理區(qū)，和 -氣體輸出部，所述氣體輸出部適用于將廢氣從所述處理室中排除，以及 -循環(huán)單元，所述循環(huán)單元具有循環(huán)線路和循環(huán)栗，其中，所述循環(huán)單元適用于將所述廢氣中的至少一部分供應(yīng)到所述氣體輸入部中， -其中，供應(yīng)到氣體輸入部中的廢氣是從所述至少兩個(gè)等離子體處理區(qū)中逸出的氣體的混合物。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于，-所述循環(huán)單元包括調(diào)節(jié)閥，并且 -所述調(diào)節(jié)閥和所述循環(huán)栗以如下方式設(shè)計(jì)，即，經(jīng)由所述循環(huán)線路供應(yīng)到所述氣體輸入部中的廢氣的氣體流相對(duì)于供應(yīng)到所述氣體輸入部的且不同于廢氣的氣體的氣體流的比處于小于等于100的范圍內(nèi)，優(yōu)選為10。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于，所述氣體輸入部與氣體輸送線路連接，所述氣體輸送線路聯(lián)接到用于提供與所述廢氣不同的氣體的設(shè)備上，其中，所述循環(huán)線路與所述氣體輸送線路連接，從而由所述循環(huán)單元輸送的廢氣經(jīng)由所述氣體輸送線路供應(yīng)到所述氣體輸入部中。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于，所述氣體輸入部與兩個(gè)氣體輸送線路連接，其中，第一氣體輸送線路直接與所述循環(huán)線路連接，而第二氣體輸送線路與用于提供與所述廢氣不同的氣體的設(shè)備連接。5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于，所述氣體輸入部通過氣體輸入部-混合室來實(shí)現(xiàn)，所述氣體輸入部-混合室具有分別帶有一個(gè)或多個(gè)開口的至少兩個(gè)流出系統(tǒng)，所述過程氣體從所述流出系統(tǒng)向所述等離子體處理區(qū)流出，其中，每個(gè)流出系統(tǒng)分別配屬于所述至少兩個(gè)等離子體處理區(qū)中的一個(gè)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于，所述至少兩個(gè)流出系統(tǒng)的開口具有相同的流導(dǎo)值。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于，所述氣體輸入部通過氣體輸入部-混合室來實(shí)現(xiàn)，所述氣體輸入部-混合室具有至少兩個(gè)子室，其中，每個(gè)子室具有獨(dú)立的流出系統(tǒng)，所述過程氣體從所述獨(dú)立的流出系統(tǒng)向至少一個(gè)等離子體處理區(qū)流動(dòng)，并且分別配屬于至少一個(gè)等離子體處理區(qū)，并且其中，給每個(gè)子室配屬有至少一個(gè)配量裝置，所述配量裝置適用于針對(duì)各個(gè)子室獨(dú)立地調(diào)整供應(yīng)的廢氣的量和/或不同于廢氣地供應(yīng)的氣體的量。8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于，所述氣體輸出部通過氣體輸出部-混合室來實(shí)現(xiàn)，所述氣體輸出部-混合室具有分別具有一個(gè)或多個(gè)開口的至少兩個(gè)流入系統(tǒng)，通過所述流入系統(tǒng)，所述廢氣從所述等離子體處理區(qū)中流入到所述氣體輸出部-混合室中，其中，每個(gè)流入系統(tǒng)分別配屬于至少兩個(gè)等離子體處理區(qū)中的一個(gè)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于，至少兩個(gè)流入系統(tǒng)的開口具有相同的流導(dǎo)值。10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于， -所述氣體輸出部與用于氣體導(dǎo)出的設(shè)備經(jīng)由廢氣線路連接，并且 -所述循環(huán)線路與所述廢氣線路連接。11.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于，所述氣體輸出部與用于氣體導(dǎo)出的設(shè)備經(jīng)由廢氣線路并且彼此分離地與所述循環(huán)線路連接。12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于，所述循環(huán)單元包括灰塵沉積裝置。13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于，所述循環(huán)單元包括用于去除所述廢氣的特定的組成部分的設(shè)備。14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于， -所述氣體輸入部和所述氣體輸出部結(jié)構(gòu)相同地實(shí)施，并且 -所述用于等離子體處理的設(shè)備具有變換單元，所述變換單元適用于，在第一切換狀態(tài)中，將經(jīng)由所述循環(huán)線路供應(yīng)的廢氣和不同于所述廢氣地供應(yīng)的氣體輸送至所述氣體輸入部，并且將所述廢氣從所述氣體輸出部導(dǎo)出，而在第二切換狀態(tài)中，將經(jīng)由所述循環(huán)線路供應(yīng)的廢氣和不同于所述廢氣地供應(yīng)的氣體輸送給所述氣體輸出部，并且將所述廢氣從所述氣體輸入部導(dǎo)出。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于，所述變換單元適用于在每個(gè)等離子體處理過程中變換所述切換狀態(tài)5至25次。16.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于， -所述用于等離子體處理的設(shè)備還具有用于使在等離子體處理區(qū)中加工的基底機(jī)構(gòu)沿著第一方向在處理室中運(yùn)動(dòng)的設(shè)備，并且 -所述處理室包括多個(gè)氣體輸入部和多個(gè)氣體輸出部，其中，所述氣體輸入部和所述氣體輸出部交替地沿所述第一方向布置在所述處理室的一側(cè)上，并且所述過程氣體流經(jīng)但沒有穿流過所述基底機(jī)構(gòu)。17.根據(jù)權(quán)利要求1至15中任一項(xiàng)所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于，所述氣體輸入部和所述氣體輸出部布置在所述處理室的相對(duì)置的側(cè)上。18.根據(jù)權(quán)利要求1至15中任一項(xiàng)所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于， -所述用于等離子體處理的設(shè)備還具有用于使在等離子體處理區(qū)中加工的基底機(jī)構(gòu)沿著第一方向在處理室中運(yùn)動(dòng)的設(shè)備，并且 -所述處理室包括氣體輸入部與配屬于所述氣體輸入部的氣體輸出部的多個(gè)對(duì)，其中，所述氣體輸入部和所述氣體輸出部沿所述第一方向以如下方式布置，即，特定的氣體輸入部布置在所述處理室的沿所述第一方向延伸的一側(cè)上，而配屬于所述特定的氣體輸入部的氣體輸出部布置在所述處理室的對(duì)置的另一側(cè)上，從而所述基底機(jī)構(gòu)和配屬于各氣體輸入部和氣體輸出部的等離子體處理區(qū)被過程氣體穿流過。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于，所述用于等離子體處理的設(shè)備包括恰好與氣體輸入部和配屬于所述氣體輸入部的氣體輸出部的對(duì)一樣多的循環(huán)單元，其中，給每對(duì)特定的氣體輸入部和所配屬的氣體輸出部配屬有循環(huán)單元，并且其中，廢氣從特定的氣體輸出部經(jīng)由配屬的循環(huán)單元僅供應(yīng)到配屬的氣體輸入部中。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于，來自于所有的氣體輸出部的廢氣被混合，并且供應(yīng)到所有的氣體輸入部中。21.根據(jù)權(quán)利要求18至20中任一項(xiàng)所述的用于等離子體處理的設(shè)備，其特征在于，沿所述第一方向依次布置的氣體輸入部與配屬于所述氣體輸入部的氣體輸出部的兩個(gè)對(duì)中的氣體輸入部和所附屬的氣體輸出部以如下方式布置，即，其中一個(gè)對(duì)中的氣體輸入部與另一個(gè)對(duì)中的氣體輸出部布置在處理室的相同的側(cè)上。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK106062247SQ201580012469
【公開日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2015年3月3日 公開號(hào)201580012469.X, CN 106062247 A, CN 106062247A, CN 201580012469, CN-A-106062247, CN106062247 A, CN106062247A, CN201580012469, CN201580012469.X, PCT/2015/54334, PCT/EP/15/054334, PCT/EP/15/54334, PCT/EP/2015/054334, PCT/EP/2015/54334, PCT/EP15/054334, PCT/EP15/54334, PCT/EP15054334, PCT/EP1554334, PCT/EP2015/054334, PCT/EP2015/54334, PCT/EP2015054334, PCT/EP201554334
【發(fā)明人】赫爾曼·施萊姆, 米爾科·科爾, 埃里克·安索奇, 丹尼爾·德克爾
【申請(qǐng)人】梅耶博格（德國）股份有限公司