濺射靶、光學功能膜及層疊配線膜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的濺射靶中，作為金屬元素，將Mo及In中的任一種或兩種以及Cu及Fe中的任一種或兩種作為主成分，且含有5～80原子％的Mo及In中的任一種或兩種以及20～95原子％的Cu及Fe中的任一種或兩種，所述金屬元素的一部分或全部以氧化物形式構(gòu)成。
【專利說明】
瓣射卽、光學功能膜及層疊配線膜
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種用于瓣射形成層疊于金屬薄膜且減少金屬的反射的光學功能膜 的瓣射祀、光學功能膜及層疊配線膜。
[0002] 本申請主張基于2014年6月27日于日本申請的專利申請2014-132524號及2015年6 月9日于日本申請的專利申請2015-116826號的優(yōu)先權(quán)，并將其內(nèi)容援用于此。
【背景技術(shù)】
[0003] 近年來，作為便攜式終端裝置等輸入機構(gòu)，利用了投影型靜電電容方式的觸控面 板。該觸控面板中，若手指接近配置于觸控面板的基板上的感應(yīng)用的電極，則在指尖與電極 之間形成靜電電容。該方式的觸控面板中，根據(jù)該電容的變化，通過控制電路等來檢測觸摸 位置。為了檢測觸摸位置，需要感應(yīng)用的電極，W圖案化形成該電極，并已知有如下技術(shù)，在 透明基板的一面設(shè)置沿X方向延伸的X電極及沿Y方向延伸的Y電極，將運些電極配置成格子 狀的技術(shù)(例如，參考專利文獻1)。
[0004] 并且，W液晶顯示裝置和等離子顯示器為代表的平板顯示器中，采用了 W彩色顯 示為目的的濾色器。該濾色器中，紅(R)、綠(G)、藍(B)的微濾色器與各像素對應(yīng)而形成為矩 陣狀。并且，W提高對比度和色純度且提高可視度為目的，在運些微濾色器彼此之間形成有 被稱為黑色矩陣下，稱為BM)的黑色的部件。
[0005] 已提出有對該BM使用銘(Cr)或銘化合物，形成由金屬銘單層膜構(gòu)成的遮光膜、金 屬銘與氧化銘的層疊膜、或Cr金屬、Cr氧化物及Cr氮化物的層疊膜等的低反射膜(例如，參 考專利文獻2)。還提出有形成由儀(Ni)與饑(V)的合金或者M與V的氧化物、氮化物或氮氧 化物構(gòu)成的遮光膜(例如，參考專利文獻3)、形成氮化鶴(W)膜作為遮光膜(例如，參考專利 文獻4)。
[0006] 另一方面，太陽能電池板中，太陽光經(jīng)由玻璃基板等而入射時，在其相反側(cè)形成有 太陽能電池的背面電極。作為該背面電極，可使用基于鋼(Mo)、銀(Ag)等的金屬膜。從背面 側(cè)觀察運種太陽能電池板時，若直接看見該背面電極即金屬膜，則由于呈現(xiàn)金屬光澤，因此 作為產(chǎn)品的外觀較差。因此，通常貼付黑色的背板等來掩蓋其金屬光澤的同時也保護該背 面電極。
[0007] 專利文獻1:日本特開2013-235354號公報 [000引專利文獻2:日本特開2002-182190號公報
[0009] 專利文獻3:日本特開2001-234267號公報
[0010] 專利文獻4:日本特開2013-079432號公報
[0011] W往的觸控面板中的用于檢測觸摸位置的電極中使用了 IT0薄膜，但隨著觸控面 板的大面積化，使用IT0薄膜會存在電阻變高，并且，檢測精度也下降的問題。因此，近年來， 提出了將低電阻的金屬薄膜作為金屬配線使用，從而代替IT0薄膜。然而，存在如下問題： 良P，由于使用了該金屬薄膜的金屬配線示出良好的反射特性而反射外部光，因此能夠從面 板外部看見配線圖案的金屬光澤，導(dǎo)致難W使用觸控面板。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] 因此，本發(fā)明的目的在于提供一種成膜于觸控面板中的金屬薄膜的配線上來減少 觸控面板畫面的配線圖案的金屬光澤的膜下，稱為光學功能膜)及用于瓣射形成該光學 功能膜的瓣射祀。
[0013] 本發(fā)明人著眼于Mo氧化物膜、In氧化物膜等具有對于可見光區(qū)域的外部光的光吸 收特性，換言之，反射率極低，且外觀呈黑色。即，可知通過將Mo或In的氧化物膜形成于金屬 薄膜的配線上，由此能夠減少配線圖案的金屬光澤。
[0014] 然而，將該氧化物膜形成于觸控面板的配線上時，若考慮生產(chǎn)率，在形成于觸控面 板基板上的金屬薄膜的表面形成該氧化物膜之后，形成配線圖案則效率較高。該配線圖案 化中，通常，利用蝕刻液經(jīng)由圖案掩模對金屬薄膜和氧化物膜進行蝕刻。在此，發(fā)現(xiàn)了Mo或 In的氧化物膜的基于蝕刻液的蝕刻性優(yōu)異，但另一方面可靠性(耐化學性、耐候性)較差。另 夕h上述的蝕刻性是指金屬薄膜與氧化物膜整合后被蝕刻的性能，優(yōu)選蝕刻速度、過度蝕刻 等在圖案化時沒有障礙。
[0015] 因此，得到了為了提高Mo或In的氧化物膜的可靠性而添加發(fā)揮可靠性優(yōu)異的效果 的化、Fe為有效的見解，因此確認到若對用于瓣射形成該光學功能膜的瓣射祀加入Cu、Fe而 瓣射形成該光學功能膜，則可得到包含化、Fe的氧化物的光學功能膜。并且，可知包含該Cu、 化的氧化物的光學功能膜也能夠用作平板顯示器中的黑色矩陣(BM)的黑色的部件，而且， 還能夠代替黑色的背板而設(shè)置，從而適合掩蓋運些金屬光澤的同時也保護太陽能電池板的 背面電極。
[0016] 因此，本發(fā)明根據(jù)上述見解而得到，為了解決所述課題而采用了 W下的構(gòu)成。
[0017] (1)本發(fā)明的一方式的瓣射祀中，作為金屬元素，將Mo及In中的任一種或兩種W及 Cu及Fe中的任一種或兩種作為主成分，且含有5~80原子％的齡及In中的任一種或兩種W 及20~95原子％的化及Fe中的任一種或兩種，所述金屬元素的一部分或全部W氧化物形式 構(gòu)成。
[0018] (2)本發(fā)明的一方式的瓣射祀中，包含如下金屬:作為金屬元素，將Mo及In中的任 一種或兩種W及Cu及Fe中的任一種或兩種作為主成分，且含有5~80原子％的齡及In中的 任一種或兩種W及20~95原子％的化及化中的任一種或兩種。
[0019] (3)本發(fā)明的一方式的瓣射祀在所述(1)或(2)的瓣射祀中，作為所述金屬元素，還 含有3~10原子％的選自Ni、Mn及Co中的至少一種。
[0020] (4)本發(fā)明的一方式的光學功能膜中，包含如下金屬的氧化物:作為金屬元素，將 Mo及In中的任一種或兩種W及Cu及Fe中的任一種或兩種作為主成分，且含有5~80原子％ 的Mo及In中的任一種或兩種W及20~95原子％的化及化中的任一種或兩種。
[0021] (5)本發(fā)明的一方式的光學功能膜在所述(4)的光學功能膜中，包含作為所述金屬 元素還含有3~10原子％的選自Ni、Mn及Co中的至少一種。
[0022] (6)本發(fā)明的一方式的光學功能膜層疊于金屬，且從所述光學功能膜側(cè)測定的平 均反射率為30% W下。
[0023] (7)本發(fā)明的一方式的層疊配線膜為具備金屬配線膜及層疊于該金屬配線膜的光 學功能膜的層疊配線膜，其中，所述光學功能膜包含如下金屬的氧化物:作為金屬元素，將 Mo及In中的任一種或兩種W及Cu及Fe中的任一種或兩種作為主成分，且含有5~80原子％ 的Mo及In中的任一種或兩種W及20~95原子％的化及化中的任一種或兩種。
[0024] (8)本發(fā)明的一方式的層疊配線膜在所述(7)的層疊配線膜中，包含作為所述金屬 元素還含有3~10原子％的選自Ni、Mn及Co中的至少一種。
[0025] 本發(fā)明的瓣射祀含有5~80原子％的齡及In中的任一種或兩種W及20~95原子％ 的Cu及Fe中的任一種或兩種，還含有3~10原子％的選自Ni、Mn及Co中的至少一種，金屬元 素的一部分或全部W氧化物形式構(gòu)成。因此，若利用該瓣射祀進行瓣射成膜，則可得到蝕刻 性、掩蓋性(減少配線圖案的金屬光澤）、可靠性均得到滿足的光學功能膜。并且，安裝于觸 控面板的觸摸畫面的外觀也變好，而且，有助于提高觸控面板的生產(chǎn)率。并且，本發(fā)明的光 學功能膜還能夠用作平板顯示器的黑色矩陣(BM)的黑色的部件，還能夠代替也同時保護太 陽能電池板的背面電極的黑色的背板而設(shè)置，從而適合掩蓋運些金屬光澤。并且，本發(fā)明的 層疊配線膜層疊有由上述的組成構(gòu)成的光學功能膜，因此反射特性、可靠性優(yōu)異。
【具體實施方式】
[0026] 本發(fā)明的實施方式的瓣射祀的特征在于，作為金屬元素，將Mo及In中的任一種或 兩種W及Cu及化中的任一種或兩種作為主成分，且含有5~80原子％的齡及In中的任一種 或兩種、20~95原子％的〇1及化中的任一種或兩種，一部分或全部W氧化物形式構(gòu)成。利用 上述的構(gòu)成，能夠瓣射形成蝕刻性、反射特性及可靠性優(yōu)異的光學功能膜。另外，設(shè)為Mo及 In中的任一種或兩種W及Cu及化中的任一種或兩種的合計含量為50原子％^上，從而運些 金屬元素成為主成分。
[0027] 在此，關(guān)于祀材中的金屬成分，能夠?qū)⑺薪饘俪煞种械腗o及In中的任一種或兩 種確定為5原子％ ^上。若Mo及In中的任一種或兩種小于5原子％，則可見光中，在400~ 800nm的波長下，反射率不會成為30% W下，由于該層疊膜的反射，無法抑制配線圖案的金 屬光澤。并且，若Mo及In中的任一種或兩種為80原子％^上，則恒溫恒濕試驗前后的反射率 變化的最大值為15% W上，若Mo及In中的任一種或兩種為60原子％ ^上，則反射率變化的 最大值為10% W上，若Mo及In中的任一種或兩種為50原子％^上，則反射率變化的最大值 為5% W上，因此從提高氧化物膜的可靠性的觀點考慮，Mo及In中的任一種或兩種越低越 好。考慮到上述情況，優(yōu)選將Mo及In中的任一種或兩種設(shè)定為40~70原子％，但并不限定于 此。并且，能夠?qū)⑺薪饘俪煞种械腃u及化中的任一種或兩種確定為20原子％^上。若Cu及 化中的任一種或兩種小于20原子％，則可見光中，在400~800nm的波長下，恒溫恒濕試驗前 后的反射率變化的最大值為15% W上且氧化物膜的可靠性下降。若化及Fe中的任一種或兩 種超過95原子％，則可見光中，在400~800nm的波長下，反射率不會成為30% W下，由于該 層疊膜的反射，無法抑制配線圖案的金屬光澤。優(yōu)選將Cu及Fe中的任一種或兩種設(shè)定為30 ~60原子％，但并不限定于此。
[00%]并且，本發(fā)明的實施方式的瓣射祀中，作為金屬元素除了含有5~80原子％的1〇及 In中的任一種或兩種、W及20~95原子％的化及Fe中的任一種或兩種W外，還能夠含有3~ 10原子％的選自Ni、Mn及Co中的至少一種，有提高光吸收率的效果。在此，關(guān)于祀材中的金 屬成分，優(yōu)選將所有金屬成分中的選自Ni、Mn及Co中的至少一種設(shè)為10原子％ ^下。若選自 該Ni、Mn及Co中的至少一種超過10原子％，則蝕刻速度變慢。并且，選自Ni、Mn及Co中的至少 一種小于3原子％時，提高光吸收率的效果較小，抑制因堿導(dǎo)致的變色的效果也降低，因此 有可能無法充分得到添加運些元素的效果。
[0029] 并且，氧化銅、氧化鐵、氧化鋼有可能因堿而變色。其結(jié)果，在配線加工時由于去除 光致抗蝕劑時使用的抗蝕劑去除劑(堿性），光功能膜的色調(diào)有可能發(fā)生變化。在此，通過含 有3~10原子％的選自Ni、Mn及Co中的至少一種，能夠抑制因堿導(dǎo)致的變色，從而能夠抑制 因抗蝕劑去除劑引起的光功能膜的色調(diào)變化。優(yōu)選含有5~10原子％的選自Ni、Mn及Co中的 至少一種，但并不限定于此。
[0030] Ni、Mn及Co中的任一種氧化物與Mo、In的氧化物同樣地具有掩蓋性優(yōu)異的反射特 性，另外，雖然與Cu、Fe程度不同，但蝕刻性良好，因此通過還含有Ni、Mn及Co中的任一種，能 夠瓣射形成蝕刻性、反射特性及可靠性更優(yōu)異的光學功能膜。
[0031] 利用上述的本發(fā)明的實施方式的瓣射祀瓣射形成的光學功能膜包含如下金屬的 氧化物:作為金屬成分含有5~80原子％的齡及In中的任一種或兩種、20~95原子％的〇1及 化中的任一種或兩種，作為所述金屬成分還含有3~10原子％的選自Ni、Mn及Co中的至少一 種。在此，利用W氧化物形式構(gòu)成的瓣射祀通過瓣射進行成膜時，光學功能膜的組成成為與 瓣射祀的組成基本上相同的構(gòu)成。利用本發(fā)明的實施方式的瓣射祀進行瓣射成膜時，可利 用氣等稀有氣體進行。
[0032] 另外，本發(fā)明的實施方式的瓣射祀W金屬、金屬氧化物或金屬與氧化物形式構(gòu)成。 W金屬氧化物或金屬與氧化物形式構(gòu)成的瓣射祀例如通過粉末燒結(jié)法制造。由金屬構(gòu)成的 瓣射祀能夠由基于含有本發(fā)明的實施方式的光學功能膜中的金屬元素的烙化鑄造的鑄錠、 金屬粉的燒結(jié)體或壓巧構(gòu)成。利用含有較多金屬的瓣射祀瓣射形成本發(fā)明的實施方式的光 學功能膜時，除了氣W外還加入氧為宜。優(yōu)選將氣與氧的比例（02/(A^^))設(shè)為0.01~ 0.30,但并不限定于此。
[0033] 本發(fā)明的實施方式的層疊配線膜中，金屬配線膜上層疊有由上述的組成構(gòu)成的光 學功能膜，因此反射特性、可靠性優(yōu)異。并且，含有3~10原子％的選自Ni、Mn及Co中的至少 一種時，耐堿性優(yōu)異，在使用抗蝕劑去除液時，也能夠抑制光學功能膜的色調(diào)變化。
[0034] 并且，本發(fā)明的實施方式的層疊配線膜中，只要在金屬配線膜層疊有光學功能膜， 則不限定層疊結(jié)構(gòu)，也可W設(shè)為基板/金屬配線膜/光學功能膜、基板/光學功能膜/金屬配 線膜、基板/光學功能膜/金屬配線膜/光學功能膜等的層疊結(jié)構(gòu)。
[0035] 另外，本發(fā)明的實施方式的層疊配線膜中，優(yōu)選光學功能膜的膜厚設(shè)為20nmW上 且200nmW下的范圍內(nèi)，優(yōu)選金屬配線膜的膜厚設(shè)為lOOnmW上且2000nmW下的范圍內(nèi)。并 且，優(yōu)選配線寬度設(shè)為2皿W上且30皿W下的范圍內(nèi)，優(yōu)選配線的最外緣部與最內(nèi)緣部之差 (過度蝕刻量)為1皿W下。
[0036] 實施例
[0037] 接著，關(guān)于本發(fā)明的瓣射祀及W該瓣射祀形成的光學功能膜，W下通過實施例進 行具體說明。
[00測讀施例）
[0039] 首先，為了制造瓣射祀，準備了Mo化粉末、Iri2化粉末、化0粉末、Fe3化粉末、NiO粉末、 Mn2〇3粉末及C〇3〇4粉末。接著，W成為表1及表2所示的祀材組成比（僅金屬）的方式稱量，并 將稱量的各粉末填充到混合裝置中進行混合，制作出實施例1~6、9~13、15、17~18、20~ 26、28~32、35~39、41、43~75的混合粉末。將各實施例的混合粉末作為原料，^溫度:700 °C、壓力：300kgf/cm2 (29.4MPa)在真空中進行3小時熱壓，制作出燒結(jié)體。將運些燒結(jié)體機 械加工成直徑：152.4mm、厚度:6mm之后，W In焊錫貼付于Cu制的墊板上，制作出實施例1~ 6、9~13、15、17~18、20~26、28~32、35~39、41、43~75的瓣射祀。優(yōu)選祀材組織的粒徑為 20WI1W下，更優(yōu)選為10皿W下。祀材組織的粒徑通過利用JIS H 0501的切割法計算組織的 平均粒徑來求出。通過將祀材組織的粒徑設(shè)定在所述范圍，能夠抑制瓣射時的異常放電。
[0040] 另一方面，準備Mo粉末、加粉末及Fe粉末，W成為表1所示的祀材組成比（僅金屬） 的方式稱量，并將稱量的各粉末與氣氣一同填充到混合裝置中進行混合，制作出實施例8、 14、19的混合粉末。將該實施例8、14、19的混合粉末作為原料，W溫度:950°C、壓力:300kgf/ cm2(29.4MPa)在真空中進行3小時熱壓，制作出燒結(jié)體。將運些燒結(jié)體機械加工成上述的規(guī) 定形狀，并粘附墊板，制作出實施例8、14、19的瓣射祀。優(yōu)選祀材組織的粒徑為下，更 優(yōu)選為10皿W下。
[0041] 進一步準備粒狀的Cu、ln，w成為表1所示的祀材組成比（僅金屬）的方式稱量，并 將稱量的各原料投入到石墨相蝸中，通過高頻加熱爐加熱烙解至1200°C，投入到規(guī)定尺寸 的石墨模具。之后，放冷并冷卻至室溫，制作出實施例27、33的成型體。將運些成型體機械加 工成上述的規(guī)定形狀，并粘附墊板，制作出實施例27、33的瓣射祀。
[0042] 進一步準備粒狀的化、Im化粉末，W成為表1所示的祀材組成比（僅金屬）的方式稱 量，并將稱量的各粉末填充到混合裝置中進行混合，制作出實施例34、40、42的混合粉末。將 各實施例的混合粉末作為原料，W溫度:950°C、壓力：300kgf/cm2(29.4MPa)在真空中進行3 小時熱壓，制作出燒結(jié)體。將運些燒結(jié)體機械加工成上述的規(guī)定形狀，并粘附墊板，制作出 實施例34、40、42的瓣射祀。祀材組織的粒徑優(yōu)選為20WI1W下，更優(yōu)選為lOwii W下。
[0043] 進一步準備粒狀的Mo、Fe3化粉末，W成為表1所示的祀材組成比（僅金屬）的方式稱 量，并將稱量的各粉末填充到混合裝置中進行混合，制作出實施例7、16的混合粉末。將各實 施例的混合粉末作為原料，W溫度:850°C、壓力：300kgf/cm2(29.4MPa)在真空中進行3小時 熱壓，制作出燒結(jié)體。將運些燒結(jié)體機械加工成上述的所定形狀，并粘附墊板，制作出實施 例7、16的瓣射祀。祀材組織的粒徑優(yōu)選為20WI1W下，更優(yōu)選為lOwii W下。
[0044]〔比較例）
[0045] 為了與上述實施例進行比較，設(shè)為與實施例(氧化物的瓣射祀）的情況相同，并W 表3所示的投入組成制作出比較例1~18的瓣射祀。比較例1~18的情況下，金屬元素中的任 一種的含量在實施例的祀材組成比的范圍外。另外，運些比較例1~18的瓣射祀中，將氧化 物作為原料，整個祀材W氧化物形式構(gòu)成。
[0046] [表1]

[(K)加]
[0051]接著，關(guān)于在上述中制造的實施例及比較例的氧化物瓣射祀，將通過ICP進行了金 屬成分組成的分析的結(jié)果示于表4~6。
[0化2][表 4]

[0化6]
[0057]關(guān)于利用實施例1~75及比較例1~18的氧化物瓣射祀瓣射形成的光學功能膜，將 通過ICP進行了金屬成分組成的分析的結(jié)果示于表7~9。
[0化引 < 成膜>
[0059] 利用上述實施例及比較例的瓣射祀，在W下的成膜條件下進行了瓣射成膜。
[0060] .電源:直流電源
[0061] ?功率:600W(僅 Ag 膜、200W)
[0062] ?氣壓:0.2化
[0063] ?氣體流量:光學功能膜的情況下Ar+〇2:50sccm
[0064] 化、Al、Ag、Mo 膜的情況下 Ar :50sccm [0(?日].祀材基板間距離:70mm
[0066] ?基板:玻璃基板化agle XG)
[0067] ?基板溫度:室溫
[006引 ?基板尺寸:20mm見方
[0069] ?厚度：50nm
[0070] 另外，關(guān)于形成光學功能膜時的Ar與〇2的比例：〇2/(Ar+〇2)，在表10~表12的唯^/ (Ar+〇2)"欄中示出。
[0071] [表 7]

[0075]
[0076] 并且，關(guān)于利用實施例1~75及比較例1~18的瓣射祀在金屬薄膜上通過瓣射成膜 來層疊的光學功能膜(層疊膜），測量了平均反射率及恒溫恒濕試驗前后的反射率變化的最 大值。進一步對耐堿性進行了評價。
[0077] <反射率的測定>
[0078] W與上述相同的成膜條件進行了瓣射成膜。另外，在玻璃基板化agle XG)上依次 層疊成膜厚度:50nm的氧化物膜(光學功能膜）、使用了厚度:200nm的銅、侶、銀或鋼中的任 一種的金屬膜。另外，實施例69中使用A1、實施例70中使用Ag、實施例71中使用Mo、除此W外 的實施例及比較例中使用Cu來作為金屬膜。金屬膜為用于金屬配線，該成膜中使用了各自 的金屬瓣射祀。另外，將用于該金屬膜的金屬示于表10~12的"金屬膜"欄中。
[0079] 接著，關(guān)于如上所述的形成于玻璃基板上的層疊膜，測定了反射率。該測定中，利 用分光光度計化itacM，Ltd.制U4100)從玻璃基板側(cè)在400~800nm的波長下進行了測定。 并且，利用W相同的方式制作的四個樣品進行測定，對在400~800nm的波長下所得到的測 定值進行平均，求出平均反射率。將該測定結(jié)果示于表10~表12的"平均反射率（％ r欄中。
[0080] <恒溫恒濕試驗前后的反射率變化的測定>
[0081] 并且，關(guān)于如上所述的形成于玻璃基板上的層疊膜，在W下所示的試驗條件下進 行了恒溫恒濕試驗。
[0082] .溫度:85°C
[0083] .濕度:85%
[0084] ?保持時間：250小時
[0085] 在該恒溫恒濕試驗后，按照上述的方法測定上述波長范圍內(nèi)的反射率，作為試驗 后的反射率。并且，求出試驗前后的400、500、600、700、800nm的波長各自的反射率變化。上 述五個波長中，將試驗前后反射率的變化最大的波長的反射率變化的值作為反射率變化的 最大值求出。將評價結(jié)果示于表10~表12的"反射率變化最大值"的"恒溫恒濕"的欄中。
[0086] <耐堿性的評價>
[0087] 在玻璃基板上形成厚度50nm的光學功能膜。將形成有光學功能膜的玻璃基板浸泡 在40°C的抗蝕劑剝離液(TOKYO 0HKA K0GY0 C0.，LTD.制104)及5質(zhì)量％的濃度的NaOH水溶 液中10分鐘，按照上述的順序測定浸泡前后的反射率并求出反射率變化的最大值。將評價 結(jié)果示于表10~表12的"反射率變化最大值"的"104"及"NaOH"的欄中。
[008引 < 蝕刻速度的測定>
[0089] 接著，按照上述的方法，關(guān)于形成于玻璃基板上的厚度50nm的光學功能膜，按照W 下所示的蝕刻條件進行了蝕刻試驗。蝕刻試驗是測量光學功能膜完全烙化為止的時間，并 計算出蝕刻速度。將其結(jié)果示于表10~表12的"蝕刻速度(nm/sec)"欄中。
[0090] .方法:浸潰法
[0091] ?蝕刻液：SEA2(KANT0 CHEMICAL C0 .，INC.制）
[0092] .液溫:40°C
[0093] [表 10]

[00981
[0099] 根據(jù)W上的結(jié)果，實施例1~75的瓣射祀中均含有5~80原子％的齡及In中的任一 種或兩種W及20~95原子％的化及化中的任一種或兩種?？芍眠\些瓣射祀瓣射形成的 層疊膜的平均反射率均示出30% W下，能夠減少因膜自身的外部光的反射引起的配線圖案 的金屬光澤。并且，確認到恒溫恒濕試驗前后的反射率變化也較小，具有可靠性。而且，在選 自化、Mn及Co中的至少一種為10原子％ W下的實施例1~71中，確認到相對于上述光學功能 膜的蝕刻速度為與層疊形成的金屬膜相同程度的速度，可知在同時對層疊形成的光學功能 膜及金屬膜進行圖案化時，蝕刻中沒有任何障礙。
[0100] 因此，確認到利用實施例1~75的瓣射祀瓣射形成的光學功能膜具備掩蓋性(減少 配線圖案的金屬光澤）、可靠性運兩種特性。并且，確認到利用實施例1~71的瓣射祀瓣射形 成的光學功能膜還具備良好的蝕刻性。
[0101] 并且，在含有選自Ni、Mn及Co中的至少一種的實施例62-68、72-75中，確認到在堿 液中浸泡后的反射率的變化較少，耐堿性優(yōu)異。
[0102] 另外，在利用實施例1~75瓣射形成的層疊膜中，確認到即使浸泡在40°C的抗蝕劑 剝離液(TOKYO 0HKA K0GY0 C0.，LTD.制104)中10分鐘，反射率的變化較少，即使在通過蝕 刻形成配線時，反射率也不會發(fā)生太大變化。
[0103] 另一方面，利用比較例1~3、7~9、13~15的瓣射祀瓣射形成的光學功能膜的Mo及 In中的任一種或兩種的合計均低于5原子％，且層疊膜的平均反射率均超過30%，因此掩蓋 性方面較差。利用比較例4~6、10~12、16~18的瓣射祀瓣射形成的光學功能膜的Mo及In中 的任一種或兩種均超過80原子％，且層疊膜的試驗前后的反射率變化均較大，因此可靠性 方面較差。
[0104] 如上所述，確認到利用含有5~80原子％的1〇及In中的任一種或兩種、20~95原 子％的化及化中的任一種或兩種，并且還含有3~10原子％的選自Ni、Mn及Co中的至少一種 的瓣射祀瓣射形成的光學功能膜均滿足蝕刻性、掩蓋性(減少配線圖案的金屬光澤)及可靠 性。
[0105] 另外，為了將本發(fā)明用作瓣射祀，優(yōu)選表面粗糖度:5.0wiiW下，更優(yōu)選為l.OwnW 下，優(yōu)選雜質(zhì)濃度:0.1原子％^下，更優(yōu)選為0.05原子％^下，優(yōu)選抗彎強度:50MPaW上， 更優(yōu)選為lOOMPaW上。
[0106] 并且，本發(fā)明的技術(shù)范圍并不限定于上述實施方式及上述實施例，在不脫離本發(fā) 明的宗旨的范圍內(nèi)能夠施加各種變更。
[0107] 例如，上述實施方式及上述實施例中，通過熱壓進行了燒結(jié)，但作為其他方法也可 W采用HIP法(熱等靜壓式燒結(jié)法)或常壓燒結(jié)法等。
[0108] 并且，基材也可W采用玻璃W外的金屬或薄膜等。
[0109] 產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0110] 本發(fā)明的瓣射祀能夠形成蝕刻性、掩蓋性及可靠性均得到滿足的光學功能膜。該 光學功能膜還可作為平板顯示器中的BM的黑色的部件使用，還能夠代替黑色的背板而設(shè) 置，從而適合掩蓋運些金屬光澤的同時也保護太陽能電池板的背面電極。并且，本發(fā)明的層 疊配線膜層疊有由上述的組成構(gòu)成的光學功能膜，因此反射特性、可靠性優(yōu)異。
【主權(quán)項】
1. 一種濺射靶，其中， 作為金屬元素，將Mo及In中的任一種或兩種以及Cu及Fe中的任一種或兩種作為主成 分，且含有5~80原子％的此及In中的任一種或兩種以及20~95原子％的〇1及Fe中的任一 種或兩種，所述金屬元素的一部分或全部以氧化物形式構(gòu)成。2. -種濺射靶，其中，包含如下金屬： 作為金屬元素，將Mo及In中的任一種或兩種以及Cu及Fe中的任一種或兩種作為主成 分，且含有5~80原子％的此及In中的任一種或兩種以及20~95原子％的〇1及Fe中的任一 種或兩種。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述濺射靶，其中， 作為金屬元素，還含有3~10原子％的選自Ni、Mn及Co中的至少一種。4. 一種光學功能膜，其中，包含如下金屬的氧化物： 作為金屬元素，將Mo及In中的任一種或兩種以及Cu及Fe中的任一種或兩種作為主成 分，且含有5~80原子％的此及In中的任一種或兩種以及20~95原子％的〇1及Fe中的任一 種或兩種。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的光學功能膜，其包含作為所述金屬元素還含有3~10原子％的 選自Ni、Μη及Co中的至少一種的氧化物。6. 根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的光學功能膜，其層疊于金屬，且從所述光學功能膜側(cè)測定 的平均反射率為30%以下。7. -種層疊配線膜，其具備金屬配線膜及層疊于該金屬配線膜的光學功能膜，其中， 所述光學功能膜包含如下金屬的氧化物： 作為金屬元素，將Mo及In中的任一種或兩種以及Cu及Fe中的任一種或兩種作為主成 分，且含有5~80原子％的此及In中的任一種或兩種以及20~95原子％的〇1及Fe中的任一 種或兩種。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的層疊配線膜，其中， 所述光學功能膜包含作為所述金屬元素還含有3~10原子％的選自Ni、Mn及Co中的至 少一種。
【文檔編號】C22C9/05GK106062241SQ201580011616
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2015年6月24日 公開號201580011616.1, CN 106062241 A, CN 106062241A, CN 201580011616, CN-A-106062241, CN106062241 A, CN106062241A, CN201580011616, CN201580011616.1, PCT/2015/68260, PCT/JP/15/068260, PCT/JP/15/68260, PCT/JP/2015/068260, PCT/JP/2015/68260, PCT/JP15/068260, PCT/JP15/68260, PCT/JP15068260, PCT/JP1568260, PCT/JP2015/068260, PCT/JP2015/68260, PCT/JP2015068260, PCT/JP201568260
【發(fā)明人】齋藤淳, 張守斌, 鹽野一郎
【申請人】三菱綜合材料株式會社