本技術(shù)涉及光伏，特別是涉及一種石墨框部件以及pecvd鍍膜設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在光伏技術(shù)中，perc（passivated?emitter?and?rear?cell）技術(shù)是通過在硅片的背面增加一層鈍化層如氧化鋁層或氧化硅層，對硅片起到鈍化的作用。為了防止鈍化層被破壞，影響鈍化效果，還會在鈍化層外面再鍍一層氮化硅層。perc?技術(shù)中引入的背面鈍化可將電池背表面載流子的復合速率降至50cm/s以下，表面懸掛鍵降至1011?ev?cm2以下，因而可改善電池背面復合，提升電池的少子壽命。此外，perc電池的背面疊層鈍化膜起到了背反射器的作用，可將更多的長波長的光反射回電池，從而提升電池的長波響應(yīng)。但是由于perc電池的背鈍化層為絕緣層，無法與鋁背場形成電極通路，因而，需要通過激光在硅片背面開槽，形成perc電池的局部背表面場，傳統(tǒng)技術(shù)中，導電漿料中的玻璃料在高溫蝕穿鈍化膜的過程中不可避免地會在太陽能電池的硅基體中形成光生載流子的復合缺陷，進而降低太陽能電池片的開路電壓和轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、基于此，有必要提供一種石墨框部件。本實用新型的石墨框部件能夠減少perc電池制備過程中激光開槽時激光對硅片襯底的破壞。

2、本申請一實施例提供了一種石墨框部件。

3、一種石墨框部件，包括石墨框以及阻擋件，所述石墨框具有多個用于放置硅片的放置工位，所述放置工位具有鏤空區(qū)域，各個所述放置工位處分別連接有所述阻擋件，所述阻擋件的位置與放置在所述放置工位上的硅片背面的副柵線位置對應(yīng)，所述阻擋件用于阻擋硅片背面上的副柵線被沉積鈍化膜層。

4、在其中一些實施例中，所述石墨框上的多個所述放置工位間隔分布。

5、在其中一些實施例中，所述石墨框上的多個所述放置工位沿著第一方向以及第二方向順序且間隔分布，在所述第一方向上間隔分布有至少兩個所述放置工位，在所述第二方向上間隔分布有至少兩個所述放置工位。

6、在其中一些實施例中，所述第一方向與所述第二方向垂直。

7、在其中一些實施例中，所述阻擋件具有耐高溫性能，所述阻擋件耐受溫度為1000℃~1500℃。

8、在其中一些實施例中，所述阻擋件為線狀。

9、在其中一些實施例中，各個所述放置工位處連接的所述阻擋件的數(shù)量為多個，各個所述放置工位處連接的多個所述阻擋件間隔分布。

10、在其中一些實施例中，相鄰的所述阻擋件之間的間距為2mm~20mm。

11、在其中一些實施例中，所述鏤空區(qū)域的尺寸小于硅片的尺寸，所述鏤空區(qū)域的長度、寬度分別小于硅片的長度、寬度至少1mm。

12、本申請一實施例還提供了一種pecvd鍍膜設(shè)備。

13、一種pecvd鍍膜設(shè)備，包括傳送部件、載入腔、加熱腔、反應(yīng)腔、冷卻腔、載出腔以及所述石墨框部件，其中，所述載入腔、所述加熱腔、所述反應(yīng)腔、所述冷卻腔以及所述載出腔依次順序連接，所述載入腔、所述加熱腔、所述反應(yīng)腔、所述冷卻腔以及所述載出腔之間相鄰的腔室分別通過閥門連通，所述傳送部件能夠沿著所述載入腔、所述加熱腔、所述反應(yīng)腔、所述冷卻腔以及所述載出腔的順序傳送樣品以及所述石墨框部件。

14、上述石墨框部件，在石墨框放置工位上的鏤空區(qū)域用耐高溫材料來擋住部分背面激光開槽的位置，阻擋氮化硅膜層在副柵線區(qū)域的沉積，進而達到不使用激光開槽或者小功率激光開槽，減少或者避免激光對硅基體的破壞，提高少子壽命，提升開路電壓，提升電池效率。具體地，本申請在背膜石墨框鏤空區(qū)域用耐高溫材質(zhì)制作阻擋件例如細線，阻擋件匹配背面副柵線位置，進而阻擋氮化硅在副柵線對應(yīng)區(qū)域上的沉積，降低導電漿料在副柵線區(qū)域的燒結(jié)溫度以及由高溫燒結(jié)所致的玻璃料蝕穿氮化硅膜的過程中在太陽能電池硅基體中形成的缺陷態(tài)密度，因此，本申請的技術(shù)方案可以提高太陽能電池的開路電壓和轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)特征：

1.一種石墨框部件（10），其特征在于，包括石墨框（100）以及阻擋件（200），所述石墨框（100）具有多個用于放置硅片的放置工位，所述放置工位具有鏤空區(qū)域（101），各個所述放置工位處分別連接有所述阻擋件（200），所述阻擋件（200）的位置與放置在所述放置工位上的硅片背面的副柵線位置對應(yīng)，所述阻擋件（200）用于阻擋硅片背面上的副柵線被沉積鈍化膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨框部件（10），其特征在于，所述石墨框（100）上的多個所述放置工位間隔分布。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨框部件（10），其特征在于，所述石墨框（100）上的多個所述放置工位沿著第一方向以及第二方向順序且間隔分布，在所述第一方向上間隔分布有至少兩個所述放置工位，在所述第二方向上間隔分布有至少兩個所述放置工位。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的石墨框部件（10），其特征在于，所述第一方向與所述第二方向垂直。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨框部件（10），其特征在于，所述阻擋件（200）具有耐高溫性能，所述阻擋件（200）耐受溫度為1000℃~1500℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1~5任意一項所述的石墨框部件（10），其特征在于，所述阻擋件（200）為線狀。

7.根據(jù)權(quán)利要求1~5任意一項所述的石墨框部件（10），其特征在于，各個所述放置工位處連接的所述阻擋件（200）的數(shù)量為多個，各個所述放置工位處連接的多個所述阻擋件（200）間隔分布。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的石墨框部件（10），其特征在于，相鄰的所述阻擋件（200）之間的間距為2mm~20mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1~5、8任意一項所述的石墨框部件（10），其特征在于，所述鏤空區(qū)域（101）的尺寸小于硅片的尺寸，所述鏤空區(qū)域（101）的長度、寬度分別小于硅片的長度、寬度至少1mm。

10.一種pecvd鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括傳送部件、載入腔、加熱腔、反應(yīng)腔、冷卻腔、載出腔以及權(quán)利要求1~9任意一項所述的石墨框部件（10），其中，所述載入腔、所述加熱腔、所述反應(yīng)腔、所述冷卻腔以及所述載出腔依次順序連接，所述載入腔、所述加熱腔、所述反應(yīng)腔、所述冷卻腔以及所述載出腔之間相鄰的腔室分別通過閥門連通，所述傳送部件能夠沿著所述載入腔、所述加熱腔、所述反應(yīng)腔、所述冷卻腔以及所述載出腔的順序傳送樣品和所述石墨框部件（10）。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種石墨框部件以及PECVD鍍膜設(shè)備。本申請的石墨框部件包括石墨框以及阻擋件，石墨框具有多個用于放置硅片的放置工位，放置工位具有鏤空區(qū)域，各個放置工位處分別連接有阻擋件，阻擋件的位置與放置在放置工位上的硅片背面的副柵線位置對應(yīng)，阻擋件用于阻擋硅片背面上的副柵線被沉積鈍化膜層。本申請通過設(shè)置阻擋件能夠阻擋氮化硅膜在副柵線對應(yīng)區(qū)域的沉積，使得導電漿料無需蝕穿鈍化膜層，因此可以降低導電漿料在副柵線區(qū)域的燒結(jié)溫度以及由高溫燒結(jié)所致的玻璃料蝕穿氮化硅膜的過程中在太陽能電池硅基體中形成的缺陷態(tài)密度，進而提高太陽能電池的開路電壓和轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)研發(fā)人員：馬凡東,徐冠群,李紅飛
受保護的技術(shù)使用者：通威太陽能（成都）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240410
技術(shù)公布日：2024/12/19