本實(shí)用新型涉及微波環(huán)境下鋁和氣體反應(yīng)制取膜裝置技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種微波環(huán)境下鋁和氣體反應(yīng)制取膜裝置。

背景技術(shù)：

鍍鋁膜是通過(guò)真空鍍鋁工藝將高純度的鋁絲在高溫(1100-1200℃)下蒸發(fā)成氣態(tài)，之后塑料薄膜經(jīng)過(guò)真空蒸發(fā)室時(shí)，氣態(tài)的鋁分子沉淀到塑料薄膜表面而形成的光亮金屬色彩的薄膜。

鍍鋁膜是采用特殊工藝在塑料薄膜表面鍍上一層極薄的金屬鋁而形成的一種復(fù)合軟包裝材料，其中最常用的加工方法當(dāng)數(shù)真空鍍鋁法，就是在高真空狀態(tài)下通過(guò)高溫將金屬鋁融化蒸發(fā)，使鋁的蒸汽沉淀堆積到塑料薄膜表面上，從而使塑料薄膜表面具有金屬光澤。由于它既具有塑料薄膜的特性，又具有金屬的特性，是一種廉價(jià)美觀、性能優(yōu)良、實(shí)用性強(qiáng)的包裝材料。

以往的濾膜需要高溫的情況下進(jìn)行反應(yīng)從而生成濾膜，制備環(huán)境危險(xiǎn)，制備純度底。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種化學(xué)氣相沉積鋁薄制取裝置，具備能控制氣體的比例，提高了制取鋁薄膜的效率，解決背景技術(shù)提出的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：。

一種微波環(huán)境下鋁和氣體反應(yīng)制取膜裝置，包括箱體，所述箱體內(nèi)固定設(shè)有微波發(fā)生器、波導(dǎo)、反應(yīng)室和氣體壓力推進(jìn)器，所述微波發(fā)生器的一端連接所述波導(dǎo)，所述波導(dǎo)的一側(cè)設(shè)有三鞘釘調(diào)配器，所述波導(dǎo)內(nèi)固定設(shè)有模式轉(zhuǎn)換天線，所述模式轉(zhuǎn)換天線下方設(shè)有石英窗口，所述石英窗口下方連接所述反應(yīng)室，所述波導(dǎo)的一側(cè)設(shè)有反應(yīng)氣體進(jìn)入口，所述反應(yīng)氣體進(jìn)入口通過(guò)管道連接所述氣體壓力推進(jìn)器，所述反應(yīng)室的內(nèi)部固定設(shè)有基片加熱器，所述基片加熱器的上端固定設(shè)有基片，所述基片的上端固定設(shè)有等離子體，所述基片加熱器下方連接有排氣管，所述排氣管穿過(guò)所述反應(yīng)室連接所述箱體，所述排氣管穿過(guò)所述箱體連接外部。

優(yōu)選的，所述氣體壓力推進(jìn)器內(nèi)管道設(shè)有第一氣罐、第二氣罐、第三氣罐和流量器，所述第一氣罐、所述第二氣罐和所述第三氣罐外部均設(shè)有流量器。

優(yōu)選的，所述反應(yīng)室的兩側(cè)設(shè)有四個(gè)磁場(chǎng)線圈。

優(yōu)選的，所述反應(yīng)室底端連接真空泵。

優(yōu)選的，所述磁場(chǎng)線圈關(guān)于反應(yīng)室對(duì)稱，所述反應(yīng)室一邊的磁場(chǎng)線圈為N極，所述反應(yīng)室另一邊的磁場(chǎng)線圈為S極。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果如下：該種化學(xué)氣相沉積鋁薄膜制取裝置在將氣體通入反應(yīng)室內(nèi)時(shí)能通過(guò)流量器智能控制各氣體的比例，造成制取鋁薄膜的效率提高，制備環(huán)境安全，且制備量大純凈。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型一種微波環(huán)境下鋁和氣體反應(yīng)制取膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型一種微波環(huán)境下鋁和氣體反應(yīng)制取膜裝置中氣體壓力推進(jìn)器內(nèi)部的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1-箱體,2-微波發(fā)生器,3-三鞘釘調(diào)配器,4-波導(dǎo),5-模式轉(zhuǎn)換天線,6-反應(yīng)氣體進(jìn)入口,7-氣體壓力推進(jìn)器,8-真空泵,9-磁場(chǎng)線圈,10-基片加熱器,11-等離子體,12-石英窗口,13-基片,14-排氣管，15-流量器，16-第一氣罐，17-第二氣罐，18-第三氣罐，19-反應(yīng)室。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1-2，本實(shí)用新型提供一種技術(shù)方案：一種微波環(huán)境下鋁和氣體反應(yīng)制取膜裝置，包括箱體1，所述箱體1內(nèi)固定設(shè)有微波發(fā)生器2、波導(dǎo)4、反應(yīng)室19和氣體壓力推進(jìn)器7，所述微波發(fā)生器2的一端連接所述波導(dǎo)4，所述波導(dǎo)4的一側(cè)設(shè)有三鞘釘調(diào)配器3，所述波導(dǎo)4內(nèi)固定設(shè)有模式轉(zhuǎn)換天線5，所述模式轉(zhuǎn)換天線5下方設(shè)有石英窗口12，所述石英窗口12下方連接所述反應(yīng)室19，所述反應(yīng)室19的兩側(cè)設(shè)有四個(gè)磁場(chǎng)線圈9。磁場(chǎng)線圈9可以調(diào)節(jié)反應(yīng)室19內(nèi)的磁場(chǎng)強(qiáng)度，用石墨材料作為碳源，用磁控管濺射裝置在氣體中以射頻能或非流電能作能源，化學(xué)濺射石墨靶，制得鋁膜?；鍦囟确秶?50℃下，膜的生長(zhǎng)速度約1μm/，所述波導(dǎo)4的一側(cè)設(shè)有反應(yīng)氣體進(jìn)入口6，所述反應(yīng)氣體進(jìn)入口6通過(guò)管道連接所述氣體壓力推進(jìn)器7，所述反應(yīng)室19的內(nèi)部固定設(shè)有基片加熱器10，所述氣體壓力推進(jìn)器7內(nèi)管道設(shè)有第一氣罐16、第二氣罐17、第三氣罐18和流量器15，所述第一氣罐18、所述第二氣罐17和所述第三氣罐16外部均設(shè)有流量器15。通過(guò)流量器智能控制各氣體的比例，可以智能調(diào)節(jié)進(jìn)入反應(yīng)室19內(nèi)的氣體，用來(lái)提高制取鋁薄膜的效率，所述基片加熱器10的上端固定設(shè)有基片13，所述基片13的上端固定設(shè)有等離子體11，所述基片加熱器10下方連接有排氣管14，所述排氣管14穿過(guò)所述反應(yīng)室19連接所述箱體1，所述排氣管14穿過(guò)所述箱體1連接外部，所述反應(yīng)室19底端連接真空泵8，所述磁場(chǎng)線圈9關(guān)于反應(yīng)室19對(duì)稱，所述反應(yīng)室19一邊的磁場(chǎng)線圈9為N極，所述反應(yīng)室19另一邊的磁場(chǎng)線圈9為S極。

工作原理：微波發(fā)生器2產(chǎn)生的微波通過(guò)波導(dǎo)4傳輸進(jìn)反應(yīng)室內(nèi)，波導(dǎo)4外側(cè)的三鞘釘調(diào)配器3對(duì)于微波進(jìn)行強(qiáng)化處理，其中氣體壓力推進(jìn)器7將第一氣罐16、第二氣罐17和第三氣罐18內(nèi)的氣體經(jīng)過(guò)流量器16一定比例的壓進(jìn)反應(yīng)室19內(nèi)，在反應(yīng)室19內(nèi)經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)線圈9的磁化處理后鋁薄膜開始生成，其中反應(yīng)過(guò)后的廢氣通過(guò)真空泵8的作用下經(jīng)過(guò)排氣管14排出箱體。

盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。