本實(shí)用新型涉及濺射鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種多基片濺射真空電子束蒸鍍裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，為了在基片上沉積薄膜，需要將基片放置在真空室里，真空室中填充著處于低壓的濺射氣體，在基片附近設(shè)置靶材，靶材與負(fù)極或陰極電連接。在真空室中，還設(shè)置有正極或者陽極。向陰極施加-100伏特和-1000伏特之間的高負(fù)電壓，引起了濺射氣體的電離，在陰極靶材上方形成等離子體放電。帶正電荷的濺射氣體離子轟擊帶負(fù)電荷的陰極靶材，引起靶材的原子被濺射在空間中，朝向基片飛行，并粘附在基片上?，F(xiàn)有技術(shù)中的這種濺射方式存在缺陷，最突出的問題是形成的薄膜表面疏松，高低不平，在顯微鏡下能觀察到針孔結(jié)構(gòu)，容易造成薄膜脫落。

另外，現(xiàn)有技術(shù)中的濺射真空電子束蒸鍍裝置工作效率低，一次只能完成一個(gè)基片的鍍膜。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種多基片濺射真空電子束蒸鍍裝置，所要解決的技術(shù)問題是如何提高成膜質(zhì)量，避免薄膜脫落，同時(shí)提高工作效率。

本實(shí)用新型所述的多基片濺射真空電子束蒸鍍裝置包括真空濺射室、布置在真空濺射室底部上的陽極和環(huán)狀陰極靶材，布置在真空濺射室頂部的多基片支座，多基片支座的下方固定設(shè)置有多個(gè)基片，多個(gè)基片與環(huán)狀陰極靶材相對布置；環(huán)狀陰極靶材的中心設(shè)置有惰性氣體入口管，惰性氣體入口管與設(shè)置在真空濺射室的外部的水箱連接，水箱中裝有水，水箱的底部與氫氣瓶或臭氧源連接；所述的惰性氣體入口管還與設(shè)置在真空濺射室的外部的氬氣瓶連接；多基片支座的一側(cè)設(shè)置有基片機(jī)械臂；基片機(jī)械臂的末端插在真空濺射室內(nèi)部；真空濺射室的一側(cè)設(shè)置有基片儲存盒；基片儲存盒內(nèi)設(shè)置有多個(gè)新基片；基片儲存盒通過其側(cè)壁上的門與真空濺射室連通；真空濺射室的底部還設(shè)置有渦輪泵。

所述的多基片支座的底部設(shè)置有圓形基片裝載盤，多個(gè)基片固定設(shè)置在圓形基片裝載盤的下表面上。

所述的惰性氣體入口管向真空濺射室中輸入的氣體的分壓力為5×10^-6托和5×10^-4托之間的范圍內(nèi)。

所述環(huán)狀陰極靶材上施加有直流電壓、脈沖直流電壓、交流電壓、或射頻電壓。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)：

本實(shí)用新型所述的多基片濺射真空電子束蒸鍍裝置采用水蒸氣作為催化劑，能夠顯著地提高薄膜的沉積速率，而且通過加入反應(yīng)氣體，能夠快速氧化靶材金屬，并迅速地氧化新粘附的原子，發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成氧化物薄膜，提高了成膜質(zhì)量，避免了薄膜脫落。另外，通過設(shè)置多基片支座以及基片機(jī)械臂，能夠同時(shí)為多個(gè)基片鍍膜并且基片更換方便，提高了工作效率。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型所述的多基片濺射真空電子束蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不用來限制本實(shí)用新型的范圍。

如圖1所示，本實(shí)用新型所述的多基片濺射真空電子束蒸鍍裝置包括真空濺射室506、布置在真空濺射室506底部118上的陽極108和環(huán)狀陰極靶材510，布置在真空濺射室506頂部的多基片支座512，多基片支座512的下方固定設(shè)置有多個(gè)基片102，多個(gè)基片102與環(huán)狀陰極靶材510相對布置；環(huán)狀陰極靶材510的中心設(shè)置有惰性氣體入口管520，惰性氣體入口管520與設(shè)置在真空濺射室506的外部的水箱530連接，水箱530中裝有水，水箱530的底部與氫氣瓶或臭氧源536連接；所述的惰性氣體入口管520還與設(shè)置在真空濺射室506的外部的氬氣瓶連接；多基片支座512的一側(cè)設(shè)置有基片機(jī)械臂534；基片機(jī)械臂534的末端插在真空濺射室506內(nèi)部；真空濺射室506的一側(cè)設(shè)置有基片儲存盒532；基片儲存盒532內(nèi)設(shè)置有多個(gè)新基片102A；基片儲存盒532通過其側(cè)壁上的門550與真空濺射室506連通；真空濺射室506的底部還設(shè)置有渦輪泵522。

所述的多基片支座512的底部設(shè)置有圓形基片裝載盤，多個(gè)基片固定設(shè)置在圓形基片裝載盤的下表面上。

所述的惰性氣體入口管520向真空濺射室506中輸入的氣體的分壓力為5×10^-6托和5×10^-4托之間的范圍內(nèi)。

所述環(huán)狀陰極靶材510上施加有直流電壓、脈沖直流電壓、交流電壓、或射頻電壓。

本實(shí)用新型所述的多基片濺射真空電子束蒸鍍裝置在運(yùn)行時(shí)，將多個(gè)基片102夾在多基片支座512底部的圓形基片裝載盤中，關(guān)閉門550，激活渦輪泵522，抽出真空濺射室506中的空氣。通過所述惰性氣體入口管520來注射惰性氣體(氬氣)，在真空濺射室506內(nèi)達(dá)到預(yù)定義的壓力。氫氣瓶或臭氧源536向水箱530中通入氫氣或臭氧，氫氣或臭氧與水箱中的水接觸，攜帶水蒸氣進(jìn)入惰性氣體入口管520，并通過惰性氣體入口管520進(jìn)入真空濺射室506。向環(huán)狀硅陰極靶材510施加直流電壓、脈沖直流電壓、交流電壓、或射頻電壓，引起氬氣的電離。在施加交流電壓的情況下，通常使用兩個(gè)環(huán)狀陰極靶材510，而不需要使用陽極108。帶正電荷的氬離子(Ar+)轟擊陰極靶材510，使得陰極靶材510的原子朝向基片102飛行，并粘附到基片102上。氫氣或臭氧與粘附到基片102上的原子起氧化反應(yīng)，使得在基片102上形成氧化物薄膜層。在環(huán)狀陰極靶材510和基片102之間的氣相中也會發(fā)生這種氧化。

在真空濺射室506中，氫氣或臭氧攜帶的水蒸氣作為催化劑，會提高薄膜層的沉積速率。

沉積完成后，打開門550，由基片機(jī)械臂534取下已經(jīng)粘附了薄膜的基片102并放入，并將基片儲存盒中，同時(shí)從基片儲存盒中取出新基片102A并將其安裝到多基片支座512底部的圓形基片裝載盤的下表面上。

雖然，上文中已經(jīng)用一般性說明及具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作了詳盡的描述，但在本實(shí)用新型基礎(chǔ)上，可以對之作一些修改或改進(jìn)，這對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。因此，在不偏離本實(shí)用新型精神的基礎(chǔ)上所做的這些修改或改進(jìn)，均屬于本實(shí)用新型要求保護(hù)的范圍。