本實(shí)用新型涉及二氧化硅蒸鍍技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種具有離子和電子定向部件的二氧化硅蒸鍍裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，二氧化硅蒸鍍裝置利用電子束蒸發(fā)裝置使二氧化硅蒸發(fā)并沉積在基片上形成薄膜，但是這樣沉積的膜的結(jié)構(gòu)疏松，成膜質(zhì)量差，無法滿足正常的生產(chǎn)需求。另外，在蒸鍍過程中，蒸發(fā)的二氧化硅容易附著在蒸鍍裝置的內(nèi)壁上，造成原料浪費(fèi)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種具有離子和電子定向部件的二氧化硅蒸鍍裝置，所要解決的技術(shù)問題是如何提高成膜的質(zhì)量，使薄膜致密化，同時避免浪費(fèi)原料。

本實(shí)用新型所述的具有離子和電子定向部件的二氧化硅蒸鍍裝置包括真空室，真空室的內(nèi)壁圍成真空腔，真空腔的頂部設(shè)置有基片支架，基片支架的底部設(shè)置有多個基片，真空室的側(cè)面設(shè)置有側(cè)孔，該側(cè)孔中設(shè)置有電子釋放裝置；真空腔的底部設(shè)置有第一電子束蒸發(fā)裝置、電離裝置和第二電子束蒸發(fā)裝置，第一電子束蒸發(fā)裝置的上方設(shè)置有第一擋板，電離裝置的上方設(shè)置有電離擋板，第二電子束蒸發(fā)裝置的上方設(shè)置有第二擋板；在電離擋板的上方設(shè)置有筒狀的離子定向部件；在電子釋放裝置的前方設(shè)置有筒狀的電子定向部件。

所述的基片支架的底部呈弧狀圓盤形，基片支架的中心設(shè)置有帶動基片支架旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)軸。

所述的基片支架的中心還設(shè)置有膜厚檢測探頭，該膜厚檢測探頭與設(shè)置在真空室外部的膜厚監(jiān)測裝置電連接。

所述的基片支架上還設(shè)置有對基片進(jìn)行加熱的加熱裝置。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)：

本實(shí)用新型所述的具有離子和電子定向部件的二氧化硅蒸鍍裝置利用電離裝置釋放帶電的離子，并將帶電的離子加速射向基片，使附著在基片上的蒸發(fā)物質(zhì)致密化，同時利用電子釋放裝置釋放電子，中和附著在基片表面和蒸鍍裝置內(nèi)壁上的離子，從而提高了成膜的質(zhì)量，同時避免了原料的浪費(fèi)。另外，由于設(shè)置有離子定向部件，使得電離裝置釋放的帶電離子的密度變大，有效地提高了蒸發(fā)物質(zhì)致密化的效果；由于設(shè)置有電子定向部件，向目標(biāo)方向釋放的電子數(shù)量變多，偏離目標(biāo)方向的散逸電子的數(shù)量減少，提高了中和效果。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型所述的具有離子和電子定向部件的二氧化硅蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不用來限制本實(shí)用新型的范圍。

如圖1所示，本實(shí)用新型所述的具有離子和電子定向部件的二氧化硅蒸鍍裝置包括真空室10，真空室10的內(nèi)壁30圍成真空腔，真空腔的頂部設(shè)置有基片支架12，基片支架12的底部設(shè)置有多個基片14，真空室的側(cè)面設(shè)置有側(cè)孔31，該側(cè)孔31中設(shè)置有電子釋放裝置40；真空腔的底部設(shè)置有第一電子束蒸發(fā)裝置36、電離裝置38和第二電子束蒸發(fā)裝置34，第一電子束蒸發(fā)裝置36的上方設(shè)置有第一擋板36a，電離裝置38的上方設(shè)置有電離擋板38a，第二電子束蒸發(fā)裝置34的上方設(shè)置有第二擋板34a；在電離擋板38a的上方設(shè)置有筒狀的離子定向部件50；在電子釋放裝置40的前方設(shè)置有筒狀的電子定向部件52。

筒狀的離子定向部件50和筒狀的電子定向部件52均為不銹鋼制成的筒狀部件。

所述的基片支架12的底部呈弧狀圓盤形，基片支架12的中心設(shè)置有帶動基片支架12旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)軸。

所述的基片支架12的中心還設(shè)置有膜厚檢測探頭18，該膜厚檢測探頭18與設(shè)置在真空室外部的膜厚監(jiān)測裝置19電連接。

所述的基片支架12上還設(shè)置有對基片進(jìn)行加熱的加熱裝置。

本實(shí)用新型所述的具有離子和電子定向部件的二氧化硅蒸鍍裝置在運(yùn)行時，首先，在真空室10內(nèi)的基片支架12上安放基片14，使真空室10內(nèi)的壓力維持在規(guī)定的范圍內(nèi)。使基片支架12以規(guī)定的轉(zhuǎn)數(shù)旋轉(zhuǎn)，同時利用未圖示的電加熱器將基片14的溫度加熱到規(guī)定溫度。真空室10內(nèi)事先充滿氬氣。

接下來，電離裝置38使氬氣電離，釋放出帶電的氬離子，通過加速電壓加速射向基片，第一電子束蒸發(fā)裝置36和第二電子束蒸發(fā)裝置34通過電子束加熱的方式對二氧化硅進(jìn)行加熱使其蒸發(fā)，交替地打開和關(guān)閉第一擋板36a、電離擋板38a和第二擋板34a，使蒸發(fā)的二氧化硅交替地朝向基片14放出。在放出蒸發(fā)的二氧化硅的期間，電離擋板38a的打開釋放出的帶電的氬離子與基片14發(fā)生碰撞，從而使附著在基片14上的二氧化硅薄膜致密化。通過反復(fù)打開和關(guān)閉第一擋板36a、電離擋板38a和第二擋板34a，進(jìn)行規(guī)定的次數(shù)而在基片14上形成多層膜。

由于帶電的氬離子與基片14發(fā)生碰撞，在基片支架上會發(fā)生電荷的偏移。本實(shí)用新型所述的具有離子和電子定向部件的二氧化硅蒸鍍裝置利用電子釋放裝置40釋放電子，中和附著在基片支架、基片表面和蒸鍍裝置內(nèi)壁上的離子，避免蒸發(fā)的二氧化硅附著在蒸鍍裝置的內(nèi)壁上，也避免基片支架、基片表面和蒸鍍裝置內(nèi)壁上發(fā)生電位結(jié)構(gòu)變化，影響成膜質(zhì)量。

由于設(shè)置有離子定向部件，使得電離裝置釋放的帶電離子的密度變大，有效地提高了二氧化硅薄膜致密化的效果；由于設(shè)置有電子定向部件，向目標(biāo)方向釋放的電子數(shù)量變多，偏離目標(biāo)方向的散逸電子的數(shù)量減少，提高了中和效果。

膜厚檢測探頭18隨著表面附著的膜的厚度變化而使共振頻率發(fā)生變化，根據(jù)共振頻率的變化可以在膜厚監(jiān)測裝置上顯示出物理膜厚。

雖然，上文中已經(jīng)用一般性說明及具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作了詳盡的描述，但在本實(shí)用新型基礎(chǔ)上，可以對之作一些修改或改進(jìn)，這對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。因此，在不偏離本實(shí)用新型精神的基礎(chǔ)上所做的這些修改或改進(jìn)，均屬于本實(shí)用新型要求保護(hù)的范圍。