本實用新型涉及真空鍍鋁薄膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種能夠提高附著力的真空薄膜鍍鋁裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，真空薄膜鍍鋁裝置利用電阻加熱法將待沉積的鋁加熱到熔融狀態(tài)，在熔融狀態(tài)的鋁發(fā)生蒸發(fā)，蒸發(fā)的鋁沉積在片狀基材上，形成真空鍍鋁薄膜，但是這種電阻加熱法需要耗費大量電能。另外，這種蒸鍍方法形成的薄膜多為多孔性結(jié)構(gòu)，蒸發(fā)的鋁蒸汽與片狀基材之間的粘著力較小，容易脫落。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種能夠提高附著力的真空薄膜鍍鋁裝置，所要解決的技術(shù)問題是如何提高成膜的質(zhì)量，使薄膜的粘著力增強，同時降低能耗。

本實用新型所述的能夠提高附著力的真空薄膜鍍鋁裝置包括真空室，真空室內(nèi)設(shè)置有開卷機、第一導向輥、第二導向輥、冷卻滾筒、收卷機和蒸鍍盤，蒸鍍盤設(shè)置在真空室的底部，蒸鍍盤內(nèi)設(shè)置有待沉積的鋁，冷卻滾筒設(shè)置在蒸鍍盤的上方；蒸鍍盤的上方還設(shè)置有石墨加熱器；開卷機設(shè)置在蒸鍍盤的一側(cè)；第一導向輥設(shè)置在開卷機的上方；開卷機和第一導向輥之間設(shè)置有等離子體發(fā)射裝置；第二導向輥設(shè)置在第一導向輥與冷卻滾筒之間；收卷機設(shè)置在真空室的頂部的一側(cè)。

所述的冷卻滾筒的溫度維持在-10℃至-15℃之間。

所述的冷卻滾筒的旋轉(zhuǎn)速度維持在300至900厘米/秒之間。

所述真空室內(nèi)的壓力維持在2.66×10^-5KPa至2.66×10^-6KPa之間。

所述開卷機、第一導向輥、第二導向輥、冷卻滾筒和收卷機組成傳動系統(tǒng)，該傳動系統(tǒng)上設(shè)置有片狀基材。

本實用新型的技術(shù)方案具有如下優(yōu)點：

本實用新型所述的能夠提高附著力的真空薄膜鍍鋁裝置利用等離子體轟擊片狀基材的表面，等離子體與片狀基材發(fā)生持續(xù)碰撞，去除片狀基材表面上吸附的氧氣、濕氣和任何其他低分子量的物質(zhì)。經(jīng)過等離子體轟擊的片狀基材表面被明顯粗糙化，能夠有效地提高鋁蒸汽與片狀基材表面之間的粘著力，避免鋁膜脫落。同時利用石墨加熱器加熱待沉積的鋁，使鋁蒸發(fā)或或升華成鋁蒸汽，減小了能耗。

附圖說明

圖1是本實用新型所述的能夠提高附著力的真空薄膜鍍鋁裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

以下實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。

如圖1所示，本實用新型所述的能夠提高附著力的真空薄膜鍍鋁裝置包括真空室11，真空室11內(nèi)設(shè)置有開卷機12、第一導向輥16、第二導向輥17、冷卻滾筒18、收卷機26和蒸鍍盤24，蒸鍍盤24設(shè)置在真空室11的底部，蒸鍍盤24內(nèi)設(shè)置有待沉積的鋁22，冷卻滾筒18設(shè)置在蒸鍍盤24的上方；蒸鍍盤24的上方還設(shè)置有石墨加熱器20；開卷機12設(shè)置在蒸鍍盤24的一側(cè)；第一導向輥16設(shè)置在開卷機12的上方；開卷機12和第一導向輥16之間設(shè)置有等離子體發(fā)射裝置4；第二導向輥17設(shè)置在第一導向輥16與冷卻滾筒18之間；收卷機26設(shè)置在真空室11的頂部的一側(cè)。

所述的冷卻滾筒18的溫度維持在-10℃至-15℃之間。

所述的冷卻滾筒18的旋轉(zhuǎn)速度維持在300至900厘米/秒之間。

所述真空室111內(nèi)的壓力維持在2.66×10^-5KPa至2.66×10^-6KPa之間。

所述開卷機12、第一導向輥16、第二導向輥17、冷卻滾筒18和收卷機26組成傳動系統(tǒng)，該傳動系統(tǒng)上設(shè)置有片狀基材13。

本實用新型所述的能夠提高附著力的真空薄膜鍍鋁裝置在運行時，開卷機12旋轉(zhuǎn)帶動片狀基材13沿著第一導向輥16、第二導向輥17、冷卻滾筒18和收卷機26組成的傳動系統(tǒng)運動，等離子體發(fā)射裝置4發(fā)射的等離子體5轟擊開卷機12和第一導向輥16之間的片狀基材13，去除片狀基材表面上吸附的氧氣、濕氣和任何其他低分子量的物質(zhì)。研究發(fā)現(xiàn)，片狀基材表面上吸附的氧氣、濕氣和任何其他低分子量的物質(zhì)是造成蒸發(fā)的鋁蒸汽與片狀基材之間的粘著力較小、容易脫落的重要原因，因此去除這些物質(zhì)之后能夠顯著提高鋁蒸汽與片狀基材之間的粘著力。而且經(jīng)過等離子體轟擊的片狀基材表面被明顯粗糙化，也能夠有效地提高鋁蒸汽與片狀基材表面之間的粘著力，避免鋁膜脫落。

石墨加熱器20加熱蒸鍍盤24內(nèi)的待沉積的鋁22，鋁被蒸發(fā)或升華成鋁蒸汽25，經(jīng)過等離子體轟擊的片狀基材運動到冷卻滾筒18的底部的時候，鋁蒸汽25沉積在冷卻滾筒18的底部的片狀基材上。冷卻滾筒18持續(xù)在旋轉(zhuǎn)，同時冷卻滾筒18冷卻到-10℃至-15℃，促進鋁蒸汽在片狀基材上的冷凝沉積。沉積了鋁膜的片狀基材變成復合基材19，由收卷機26收卷，纏繞成筒狀的復合基材。

雖然，上文中已經(jīng)用一般性說明及具體實施例對本實用新型作了詳盡的描述，但在本實用新型基礎(chǔ)上，可以對之作一些修改或改進，這對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。因此，在不偏離本實用新型精神的基礎(chǔ)上所做的這些修改或改進，均屬于本實用新型要求保護的范圍。