本實(shí)用新型涉及濺射鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種濺射真空電子束蒸鍍裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，為了在基片上沉積薄膜，需要將基片放置在真空室里，真空室中填充著處于低壓的濺射氣體，在基片附近設(shè)置靶材，靶材與負(fù)極或陰極電連接。在真空室中，還設(shè)置有正極或者陽極。向陰極施加-100伏特和-1000伏特之間的高負(fù)電壓，引起了濺射氣體的電離，在陰極靶材上方形成等離子體放電。帶正電荷的濺射氣體離子轟擊帶負(fù)電荷的陰極靶材，引起靶材的原子被濺射在空間中，朝向基片飛行，并粘附在基片上?，F(xiàn)有技術(shù)中的這種濺射方式存在缺陷，最突出的問題是形成的薄膜表面疏松，高低不平，在顯微鏡下能觀察到針孔結(jié)構(gòu)，容易造成薄膜脫落。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種濺射真空電子束蒸鍍裝置，所要解決的技術(shù)問題是如何提高成膜質(zhì)量，避免薄膜脫落。

本實(shí)用新型所述的濺射真空電子束蒸鍍裝置包括真空濺射室、布置在真空濺射室內(nèi)的陽極和陰極靶材，布置在真空濺射室內(nèi)的基片支座，基片支座的下方固定設(shè)置有基片，基片與陰極靶材相對(duì)布置；真空濺射室的底部上設(shè)置有惰性氣體入口管和水蒸氣入口管，反應(yīng)氣體噴嘴設(shè)置在基片與陰極靶材之間的區(qū)域的一側(cè)；真空濺射室的側(cè)壁上設(shè)置有真空泵。

所述的反應(yīng)氣體噴嘴與設(shè)置在真空濺射室的外部的氧氣瓶連接。

所述的惰性氣體入口管與設(shè)置在真空濺射室的外部的氬氣瓶連接。

所述的水蒸氣入口管向真空濺射室中輸入的水蒸氣的分壓力為5×10^-6托和5×10^-4托之間的范圍內(nèi)。

所述陰極靶材上施加有直流電壓、脈沖直流電壓、交流電壓、或射頻電壓。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)：

本實(shí)用新型所述的濺射真空電子束蒸鍍裝置采用水蒸氣作為催化劑，能夠顯著地提高薄膜的沉積速率，而且通過加入反應(yīng)氣體，能夠快速氧化靶材金屬，并迅速地氧化新粘附的原子，發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成氧化物薄膜，提高了成膜質(zhì)量，避免了薄膜脫落。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型所述的濺射真空電子束蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不用來限制本實(shí)用新型的范圍。

如圖1所示，本實(shí)用新型所述的濺射真空電子束蒸鍍裝置包括真空濺射室106、布置在真空濺射室106內(nèi)的陽極108和陰極靶材110，布置在真空濺射室106內(nèi)的基片支座112，基片支座112的下方固定設(shè)置有基片102，基片102與陰極靶材110相對(duì)布置；真空濺射室106的底部118上設(shè)置有惰性氣體入口管114和水蒸氣入口管116，反應(yīng)氣體噴嘴120設(shè)置在基片102與陰極靶材110之間的區(qū)域的一側(cè)；真空濺射室106的側(cè)壁上設(shè)置有真空泵122。

所述的反應(yīng)氣體噴嘴120與設(shè)置在真空濺射室106的外部的氧氣瓶連接。

所述的惰性氣體入口管114與設(shè)置在真空濺射室106的外部的氬氣瓶連接。

所述的水蒸氣入口管116向真空濺射室106中輸入的水蒸氣的分壓力為5×10^-6托和5×10^-4托之間的范圍內(nèi)。

所述陰極靶材110上施加有直流電壓、脈沖直流電壓、交流電壓、或射頻電壓。

本實(shí)用新型所述的濺射真空電子束蒸鍍裝置在運(yùn)行時(shí)，將基片102夾在基片支座112中，激活真空泵122，以便如箭頭124所示抽出空氣。通過所述惰性氣體入口管114來注射惰性氣體(氬氣)，在真空濺射室106內(nèi)達(dá)到預(yù)定義的壓力。向反應(yīng)氣體噴嘴120提供氧氣。陰極靶材110在本實(shí)施例中為硅。向硅陰極靶材110施加直流電壓、脈沖直流電壓、交流電壓、或射頻電壓，引起氬氣的電離。在施加交流電壓的情況下，通常使用兩個(gè)陰極靶材110，而不需要使用陽極108。帶正電荷的氬離子(Ar+)如點(diǎn)線125所示地轟擊陰極靶材110，使得陰極靶材110的硅原子如虛線126所示地朝向基片102飛行，并粘附到基片102上。所述反應(yīng)氣體噴嘴120釋放處于預(yù)定義的壓力水平的氧氣。氧氣與粘附到基片102上的硅原子起反應(yīng)，使得在基片102上形成二氧化硅薄膜層104。在陰極靶材110和基片102之間的氣相中也會(huì)發(fā)生這種氧化。

通過向真空濺射室106添加水蒸氣作為催化劑，會(huì)提高二氧化硅薄膜層104的沉積速率。雖然，上文中已經(jīng)用一般性說明及具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作了詳盡的描述，但在本實(shí)用新型基礎(chǔ)上，可以對(duì)之作一些修改或改進(jìn)，這對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。因此，在不偏離本實(shí)用新型精神的基礎(chǔ)上所做的這些修改或改進(jìn)，均屬于本實(shí)用新型要求保護(hù)的范圍。