技術(shù)編號：12920255
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及濺射鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種多基片濺射真空電子束蒸鍍裝置。背景技術(shù)現(xiàn)有技術(shù)中，為了在基片上沉積薄膜，需要將基片放置在真空室里，真空室中填充著處于低壓的濺射氣體，在基片附近設(shè)置靶材，靶材與負(fù)極或陰極電連接。在真空室中，還設(shè)置有正極或者陽極。向陰極施加-100伏特和-1000伏特之間的高負(fù)電壓，引起了濺射氣體的電離，在陰極靶材上方形成等離子體放電。帶正電荷的濺射氣體離子轟擊帶負(fù)電荷的陰極靶材，引起靶材的原子被濺射在空間中，朝向基片飛行，并粘附在基片上?，F(xiàn)有技術(shù)中的這種濺射方式存在缺陷...
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