本實用新型屬于LPCVD系統(tǒng)，具體涉及一種LPCVD系統(tǒng)冷阱裝置。

背景技術(shù)：

目前，市場上的高壓半導(dǎo)體分立器件均通過LPCVD系統(tǒng)(LPCVD--Low Pressure Chemical Vapor Deposition，低壓力化學(xué)氣相沉積法，被廣泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅沉積)在晶片表面形成一層表面鈍化薄膜來進(jìn)行保護(hù)。

LPCVD系統(tǒng)在運行過程中使用的氣體，在其反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)并產(chǎn)生氣態(tài)副產(chǎn)物，這部分氣態(tài)副產(chǎn)物隨氣流方向進(jìn)入真空管道和真空泵。一些特殊的氣態(tài)副產(chǎn)物會因應(yīng)為溫度的變化凝華為固體，凝華物不斷積累會使真空管道口越來越小，最后導(dǎo)致堵塞；另外，真空泵因為凝華物的進(jìn)入而卡死。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種LPCVD系統(tǒng)冷阱裝置，保證了真空管道不被堵塞，同時也避免了真空泵卡死。

為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用如下的技術(shù)方案：

一種LPCVD系統(tǒng)冷阱裝置，包括套筒法蘭組件和盤管法蘭組件，套筒法蘭組件包括筒體、設(shè)于筒體一端的出氣口、設(shè)于筒體一側(cè)的進(jìn)氣口以及軸向設(shè)于筒體內(nèi)且一端與出氣口相連通的導(dǎo)流管，盤管法蘭組件包括法蘭盤，設(shè)于法蘭盤上的冷卻水進(jìn)、出口，分別與冷卻水進(jìn)、出口相連通的冷卻水盤管，法蘭盤與筒體另一端相對接密封，所述導(dǎo)流管套設(shè)于所述冷卻水盤管上。

所述冷卻水盤管盤成整體與導(dǎo)流管同軸的管狀結(jié)構(gòu)，且與導(dǎo)流管之間存在間隙。

所述冷卻水進(jìn)口連通有一沿冷卻水盤管整體軸向設(shè)置的進(jìn)水管，冷卻水進(jìn)口通過進(jìn)水管另一端與冷卻水盤管相連通。

所述冷卻水盤管與進(jìn)水管之間還設(shè)有冷凝機(jī)構(gòu)。

所述冷凝機(jī)構(gòu)包括依次排列的數(shù)層漏斗狀冷凝片。

所述冷凝片上開有冷凝孔。

所述進(jìn)氣口與出氣口分別與LPCVD系統(tǒng)反應(yīng)室和真空泵相連通。

采用本實用新型的LPCVD系統(tǒng)冷阱裝置具有以下幾個優(yōu)點：

1、由于導(dǎo)流管內(nèi)設(shè)有冷卻水盤管和冷凝片，氣體在通過導(dǎo)流管勢必與冷卻水盤管和冷凝片充分接觸，通過熱交換的方式使氣體溫度迅速降低，可凝華的氣體因為溫度降低成為固態(tài)，其它非凝華氣體通過冷阱進(jìn)入真空泵。

2、凝華生成的固態(tài)物質(zhì)沉淀留在冷阱內(nèi)，而冷阱內(nèi)部導(dǎo)流管管徑相比真空管道大大增加，故不易堵塞，且冷阱是方便拆卸下來進(jìn)行清理的，這樣既保證了真空管道不被堵塞，同時也避免真空泵因為凝華物的進(jìn)入而卡死。

附圖說明

圖1是本實用新型的LPCVD系統(tǒng)冷阱裝置的在LPCVD系統(tǒng)中的安裝示意圖。

圖2是本實用新型的冷阱裝置的立體圖。

圖3是本實用新型的冷阱裝置的軸向剖視圖。

圖4是本實用新型的套筒法蘭組件的立體圖。

圖5是本實用新型的盤管法蘭組件的立體圖。

具體實施方式

本實用新型的一種LPCVD系統(tǒng)冷阱裝置2如圖1-圖5，其設(shè)于LPCVD系統(tǒng)反應(yīng)室1和真空泵4之間，主要包括套筒法蘭組件10和盤管法蘭組件20，套筒法蘭組件10包括筒體11、設(shè)于筒體11一端的出氣口12、設(shè)于筒體11一側(cè)的進(jìn)氣口13以及軸向設(shè)于筒體11內(nèi)且一端與出氣口12相連通的導(dǎo)流管14，盤管法蘭組件20包括法蘭盤21、設(shè)于法蘭盤21上的冷卻水進(jìn)、出口22、23、分別與冷卻水進(jìn)、出口22、23相連通的冷卻水盤管24，法蘭盤21與筒體11另一端通過法蘭密封圈相對接密封，導(dǎo)流管14另一端套設(shè)于冷卻水盤管24上，從而使筒法蘭組件3和盤管法蘭組件20相互嵌套成一個的腔體結(jié)構(gòu)。

作為一個實施例，所述冷卻水盤管24盤成整體與導(dǎo)流管14同軸的管狀結(jié)構(gòu)，冷卻水盤管24與導(dǎo)流管14相嵌套后，冷卻水盤管24貼近導(dǎo)流管14內(nèi)壁，但與導(dǎo)流管14之間還存在一定間隙。

作為一個實施例，所述冷卻水進(jìn)口連通有一沿冷卻水盤管24整體軸向設(shè)置的進(jìn)水管25，冷卻水進(jìn)口通過進(jìn)水管25另一端與冷卻水盤管24相連通。

作為一個實施例，所述冷卻水盤管24與進(jìn)水管25之間還設(shè)有冷凝機(jī)構(gòu)，所述冷凝機(jī)構(gòu)包括依次排列的數(shù)層漏斗狀冷凝片26，圖3中示為三層，類似寶塔狀，套設(shè)在進(jìn)水管25上，位于冷卻水盤管24與進(jìn)水管25之間，漏斗狀冷凝片26的大口261位于上端(即位于法蘭盤21的一側(cè))，小口262位于下端(即出氣口12的一側(cè))且與進(jìn)水管25焊接一起，且每層冷凝片26上均勻開有冷凝孔，大口261的口徑接近于冷卻水盤管24的內(nèi)徑，但與冷卻水盤管24的內(nèi)壁之間還保留間隙。

另外，進(jìn)氣口12與出氣口13可設(shè)計為法蘭接口，便于分別與LPCVD系統(tǒng)反應(yīng)室1和真空泵4相連接。

在實際使用時，將所述進(jìn)氣口12與出氣口13分別與LPCVD系統(tǒng)反應(yīng)室1和真空泵4相連通。在反應(yīng)室1內(nèi)產(chǎn)生氣態(tài)副產(chǎn)物經(jīng)過抽真空的方式進(jìn)入冷阱，氣體通過導(dǎo)流管14進(jìn)入真空泵4(圖3中的實線箭頭為氣體流經(jīng)路線)。由于導(dǎo)流管14內(nèi)設(shè)有冷卻水盤管24和冷凝片26，氣體在通過導(dǎo)流管14時，勢必與冷卻水盤管24和冷凝片26充分接觸(圖3中的虛線箭頭為冷卻水流經(jīng)路線)，通過熱交換的方式使得氣體溫度迅速降低，可凝華的氣體因為溫度降低成為固態(tài)，其它非凝華氣體通過冷阱進(jìn)入真空泵4。凝華生成的固態(tài)物質(zhì)沉淀留在冷阱內(nèi)，而冷阱內(nèi)部的導(dǎo)流管14直徑為101.6mm，真空管道直徑為38.1或50.8mm，相比真空管道直徑大大增加，故不易堵塞，且本實用新型的冷阱是方便拆卸下來進(jìn)行清理的，這樣既保證了真空管道3不被堵塞，同時也避免真空泵4因為凝華物的進(jìn)入而卡死。

但是，本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，以上的實施例僅是用來說明本實用新型，而并非用作為對本實用新型的限定，只要在本實用新型的實質(zhì)精神范圍內(nèi)，對以上所述實施例的變化、變型都將落在本實用新型的權(quán)利要求書范圍內(nèi)。