技術(shù)編號(hào)：11418878
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型屬于LPCVD系統(tǒng)，具體涉及一種LPCVD系統(tǒng)冷阱裝置。背景技術(shù)目前，市場(chǎng)上的高壓半導(dǎo)體分立器件均通過LPCVD系統(tǒng)(LPCVD--LowPressureChemicalVaporDeposition，低壓力化學(xué)氣相沉積法，被廣泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅沉積)在晶片表面形成一層表面鈍化薄膜來進(jìn)行保護(hù)。LPCVD系統(tǒng)在運(yùn)行過程中使用的氣體，在其反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)并產(chǎn)生氣態(tài)副產(chǎn)物，這部分氣態(tài)副產(chǎn)物隨氣流方向進(jìn)入真空管道和真空泵。一些特殊的氣態(tài)副產(chǎn)物會(huì)因應(yīng)為溫度的變化凝華為固體，凝華物不...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。