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一種平面式蒸發(fā)源以及蒸鍍裝置的制作方法

文檔序號:11768036閱讀:281來源:國知局
一種平面式蒸發(fā)源以及蒸鍍裝置的制作方法

本發(fā)明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種平面式蒸發(fā)源以及蒸鍍裝置。



背景技術:

隨著顯示技術的進步,電子顯示產(chǎn)品的屏幕越來越向著高分辨率發(fā)展,尤其是vr(虛擬現(xiàn)實)設備、ar(增強現(xiàn)實)設備,對高ppi(每英寸的像素數(shù)目)顯示屏幕的需求尤為強烈,而oled(有機發(fā)光二極管)顯示技術以其自發(fā)光、廣視角、幾乎無窮高的對比度、較低耗電、極高反應速度等優(yōu)點,被認為是下一代的顯示技術,故具有高ppi的oled顯示裝置具有較好的市場前景。

目前,對于oled顯示裝置,有機發(fā)光材料通過真空蒸鍍的方法在玻璃基板上成膜,對于全彩色的oled顯示器件(rgboled),發(fā)光層材料的蒸鍍需要使用到fmm(finemetalmask高精度金屬掩模板),如圖1所示,現(xiàn)有蒸鍍工藝中,蒸發(fā)源03通過加熱等手段使有機材料蒸發(fā),形成有機材料蒸汽04,經(jīng)過設有特定鏤空圖案的掩膜板02的遮蔽,在玻璃基板01上形成有機薄膜05。由于有機材料經(jīng)過加熱后從蒸發(fā)源03的噴嘴中蒸發(fā)出來,使得形成的有機材料蒸汽04是有一定的角度的;再加上掩膜板02的工藝所限,其鏤空位置并不能夠完全緊貼玻璃基板01,這就導致在玻璃基板01上形成的薄膜05是稍微大于掩膜板02的鏤空開口的,并且是邊緣較薄的;與掩膜板開口相比多出的這部分稱為陰影距離(shadowdistance)。陰影距離嚴重影響了蒸鍍薄膜的分辨率,導致發(fā)光子像素的大小受到一定限制;另外,陰影距離可能就會導致混色,漏光等現(xiàn)象,嚴重影響產(chǎn)品品質(zhì),不利于生產(chǎn)更高ppi的顯示產(chǎn)品。因此,設計一種能夠減小蒸鍍的陰影距離的蒸鍍裝置顯得尤為重要。



技術實現(xiàn)要素:

本發(fā)明提供一種平面式蒸發(fā)源以及蒸鍍裝置,該平面式蒸發(fā)源能夠減小蒸鍍的陰影距離,進而有利于提高分辨率。

為達到上述目的,本發(fā)明提供以下技術方案:

一種平面式蒸發(fā)源,包括基座、加熱模塊以及均熱平坦層,其中:

所述加熱模塊固定設置在所述基座上;

所述均熱平坦層設置在所述加熱模塊上,且所述均熱平坦層背離所述加熱模塊的一面形成用于承載有機材料薄膜的有機材料薄膜承載面,所述均熱平坦層用于在所述加熱模塊加熱時使有機材料薄膜受熱均勻以形成蒸發(fā)方向垂直于所述有機材料薄膜承載面的有機材料蒸汽。

在上述平面式蒸發(fā)源中,當將承載有有機材料薄膜的平面式蒸發(fā)源放入蒸鍍裝置的蒸鍍腔中時,均熱平坦層上的有機材料薄膜承載面朝向待蒸鍍的玻璃基板、且與待蒸鍍的玻璃基板以及位于玻璃基板上的掩膜版相平行,此時,位于基座上的加熱模塊開始加熱,熱量在傳導至均熱平坦層后進行均熱,提高了熱量的均勻性,使得整個平面的溫度具有較好的均一性,進而使得位于均熱平坦層上的有機材料薄膜承載面的有機材料薄膜受熱均勻,保證平面式蒸發(fā)源能均勻的將上方的有機薄膜垂直蒸發(fā)出去,進而形成蒸發(fā)方向垂直于有機材料薄膜承載面的有機材料蒸汽,而由于有機材料薄膜承載面與待蒸鍍的玻璃基板相平行,使得有機材料蒸汽與待蒸鍍的玻璃基板相垂直,保證了在玻璃基板上形成的蒸鍍薄膜厚度均一,可以減小蒸鍍的陰影距離,有利于提高分辨率,提高玻璃基板蒸鍍作業(yè)時的良率,進而提高有機發(fā)光器件的產(chǎn)品質(zhì)量。

優(yōu)選地,所述加熱模塊包括至少一個加熱單元,所述加熱單元采用基于正方形分形的希爾伯特-皮亞諾曲線形狀制成。

進一步地,所述加熱模塊與所述均熱平坦層相接觸的表面為正方形平面,每一個所述加熱單元采用至少三階的希爾伯特-皮亞諾曲線形狀制成。

更進一步地,所述加熱單元采用四階或五階或六階的希爾伯特-皮亞諾曲線形狀制成。

優(yōu)選地,所述加熱模塊與所述均熱平坦層相接觸的表面為非正方形平面,所述加熱模塊可以由至少兩個采用希爾伯特-皮亞諾曲線形狀制成的加熱單元組合而成。

進一步地,所述用于形成所述希爾伯特-皮亞諾曲線的中心點所在的小正方向形的邊長為所述加熱單元整體正方形平面邊長的1/960~1/120。

優(yōu)選地,所述加熱模塊的采用基于長方形分形的希爾伯特-皮亞諾曲線形狀制成。

優(yōu)選地,還包括冷卻單元和熱反射單元,所述熱反射單元設置在所述加熱模塊背離所述均熱平坦層的一側,所述冷卻單元設置在所述熱反射單元和所述基座之間。

另外,本發(fā)明還提供一種蒸鍍裝置,包括有機材料薄膜,還包括如上任一技術方案所述的所述平面式蒸發(fā)源,所述有機材料薄膜設置在所述有機材料薄膜承載面上,所述有機材料薄膜承載面與待蒸鍍的玻璃基板相平行。

由于該平面式蒸發(fā)源能夠減小蒸鍍的陰影距離,有利于提高分辨率,提高玻璃基板蒸鍍作業(yè)時的良率,進而提高有機發(fā)光器件的產(chǎn)品質(zhì)量,因此,具有該平面式蒸發(fā)源的蒸鍍裝置能夠提高蒸鍍良率,進一步提高有機發(fā)光器件的產(chǎn)品質(zhì)量。

附圖說明

圖1為本發(fā)明背景技術提供的一種蒸鍍裝置的結構示意圖;

圖2為本發(fā)明提供的一種蒸鍍裝置的結構示意圖;

圖3為本發(fā)明提供的一種平面式蒸發(fā)源的結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。

如圖2、圖3所示,一種平面式蒸發(fā)源3,包括基座31、加熱模塊34以及均熱平坦層35,其中:

加熱模塊34固定設置在基座31上;

均熱平坦層35設置在加熱模塊34上,且均熱平坦層35背離加熱模塊34的一面形成用于承載有機材料薄膜6的有機材料薄膜承載面,均熱平坦層35用于在加熱模塊34加熱時使有機材料薄膜6受熱均勻以形成蒸發(fā)方向垂直于有機材料薄膜承載面的有機材料蒸汽4。

在上述平面式蒸發(fā)源3中,當將承載有有機材料薄膜6的平面式蒸發(fā)源3放入蒸鍍裝置的蒸鍍腔中時,均熱平坦層35上的有機材料薄膜承載面朝向待蒸鍍的玻璃基板1、且與待蒸鍍的玻璃基板1以及位于玻璃基板上的掩膜版2相平行,此時,位于基座31上的加熱模塊34開始加熱,熱量在傳導至均熱平坦層35后進行均熱,提高了熱量的均勻性,使得整個平面的溫度具有較好的均一性,進而使得位于均熱平坦層35上的有機材料薄膜承載面的有機材料薄膜6受熱均勻,保證平面式蒸發(fā)源3能均勻的將上方的有機薄膜垂直蒸發(fā)出去,進而形成蒸發(fā)方向垂直于有機材料薄膜承載面的有機材料蒸汽4,而由于有機材料薄膜承載面與待蒸鍍的玻璃基板1相平行,使得有機材料蒸汽4與待蒸鍍的玻璃基板1相垂直,保證了在玻璃基板1上形成的蒸鍍薄膜5厚度均一,可以減小蒸鍍的陰影距離,有利于提高分辨率,提高玻璃基板1蒸鍍作業(yè)時的良率,進而提高有機發(fā)光器件的產(chǎn)品質(zhì)量。

在上述平面式蒸發(fā)源3的基礎上,為了提高加熱的均勻性,一種優(yōu)選的實施方式,加熱模塊34包括至少一個加熱單元,加熱單元采用基于正方形分形的希爾伯特-皮亞諾曲線形狀制成。

希爾伯特-皮亞諾曲線是一種分形圖形,它可以畫得無限復雜,它的初始圖元是正方形,在迭代生成的過程中,不斷細化出小的正方形,圖中的線段其實是用于連接各正方形的連線。由于希爾伯特-皮亞諾曲線能夠經(jīng)過平面上某一正方形區(qū)域內(nèi)所有的點,只要恰當選擇函數(shù),畫出一條連續(xù)的參數(shù)曲線,當參數(shù)t在0,1區(qū)間取值時,曲線將遍歷單位正方形中所有的點,得到一條充滿空間的曲線。

在上述平面式蒸發(fā)源3中,加熱單元采用基于正方形分形的希爾伯特-皮亞諾曲線形狀制成能夠保證加熱單元具有較好的加熱均勻性,而由至少一個加熱單元組成的加熱模塊34同樣具有較好的加熱均勻性,使得加熱單元加熱時提供的均勻的熱量,而這些均勻的熱量在傳導至均熱平坦層35后再經(jīng)過均熱平坦層35的作用進行均熱,提高了熱量的均勻性,使得整個平面的溫度具有較好的均一性,有利于該平面蒸發(fā)裝置將表面的有機材料薄膜6均勻垂直的蒸發(fā)出去,可以減小蒸鍍的陰影距離,有利于提高分辨率。

在上述平面式蒸發(fā)源3的基礎上,為了提高加熱模塊34加熱的均勻性,具體地,加熱模塊34與均熱平坦層35相接觸的表面為正方形平面,每一個加熱單元采用至少三階的希爾伯特-皮亞諾曲線形狀制成。

對于希爾伯特-皮亞諾曲線,通過把一個正方形分成4個小正方形,再把小正方形的中心點連接起來得到的曲線,稱為一階希爾伯特-皮亞諾曲線,將第一次分成的4個小正方形,每個都再分成4個小正方形,再把小正方形的中心點連接起來得到第二次分裂的二階希爾伯特-皮亞諾曲線;依次類推可以得到三階、四階等曲線,由于一階、二階的希爾伯特-皮亞諾曲線曲線形狀較為簡單,歷經(jīng)的點較少,為了獲得較好的加熱均勻性,每一個加熱單元采用三階及其以上的希爾伯特-皮亞諾曲線形狀制成,此時加熱的點較多,加熱區(qū)域較為均勻,整個加熱模塊34的加熱的均勻性較好。

更具體地,加熱單元采用四階或五階或六階的希爾伯特-皮亞諾曲線形狀制成。

在上述平面式蒸發(fā)源3中,根據(jù)加熱模塊34加熱尺寸的不同,加熱單元可以采用四階希爾伯特-皮亞諾曲線形狀制成,也可以采用五階希爾伯特-皮亞諾曲線形狀制成,還可以采用六階希爾伯特-皮亞諾曲線形狀制成,希爾伯特-皮亞諾曲線的階數(shù)可以根據(jù)加熱模塊34加熱尺寸以及平面式蒸發(fā)源3的具體實際情況進行選擇。

一種優(yōu)選的實施方式,加熱模塊34與均熱平坦層35相接觸的表面為非正方形平面,加熱模塊34可以由至少兩個采用希爾伯特-皮亞諾曲線形狀制成的加熱單元組合而成。

在上述平面式蒸發(fā)源3中,根據(jù)加熱模塊34加熱尺寸的不同,加熱模塊34與均熱平坦層35相接觸的表面可以為非正方形平面,在加熱模塊34為非正方形平面時,可以采用多個希爾伯特-皮亞諾曲線形狀制成的加熱單元組合而成,如長方形的加熱模塊34,可以由兩個五階加熱單元組合而成;另外,根據(jù)平面式蒸發(fā)源3邊緣部分散熱情況的不同,還可以采用不同階希爾伯特-皮亞諾曲線形狀制成的加熱單元進行組合。

具體地,用于形成希爾伯特-皮亞諾曲線的中心點所在的小正方向形的邊長為加熱單元整體正方形平面邊長的1/960~1/120。

在上述平面式蒸發(fā)源3中,加熱單元的寬度根據(jù)實際平面式蒸發(fā)源3尺寸不同進行優(yōu)化,為了保證加熱單元加熱的均勻性,用于形成希爾伯特-皮亞諾曲線的中心點所在的小正方向形的邊長與加熱單元整體正方形平面邊長之間的比值可以為1/960、1/720、1/600、1/480、1/360、1/240、1/120,用于形成希爾伯特-皮亞諾曲線的中心點所在的小正方向形的邊長與加熱單元整體正方形平面邊長之間的比值可以根據(jù)加熱單元的加熱尺寸以及平面式蒸發(fā)源3的具體實際情況進行選擇。

一種優(yōu)選的實施方式,加熱模塊34的采用基于長方形分形的希爾伯特-皮亞諾曲線形狀制成。

在上述平面式蒸發(fā)源3中,加熱單元也可以不采用正方形的分形方式,即可以采用長方形、菱形等其他形狀;也可以采用希爾伯特-皮亞諾曲線的其他變種曲線,比如將各階希爾伯特-皮亞諾曲線的直角部分改為圓弧形或橢圓弧形,均在保護之列。

為了提高加熱模塊34的利用率,保證更多的熱量傳導至均熱平坦層35,一種優(yōu)選的實施方式,平面式蒸發(fā)源3還包括冷卻單元32和熱反射單元33,熱反射單元33設置在加熱模塊34背離均熱平坦層35的一側,冷卻單元32設置在熱反射單元33和基座31之間。

在上述平面式蒸發(fā)源3中,熱反射單元33將大多數(shù)加熱模塊34加熱時向背離均熱平坦層35的一側傳導的熱量反射回熱反射單元33朝向加熱模塊34的一側,以使更多的熱量傳導至均熱平坦層35,而冷卻單元32設置在熱反射單元33和基座31之間,能夠對吸收小部分未被熱反射單元33反射回熱反射單元33朝向加熱模塊34的一側的熱量,避免對基座31做成影響。

另外,如圖2所示,本發(fā)明還提供了一種蒸鍍裝置,包括有機材料薄膜6,還包括如上任一技術方案中的平面式蒸發(fā)源3,有機材料薄膜6設置在有機材料薄膜承載面上,有機材料薄膜承載面與待蒸鍍的玻璃基板1相平行。

由于該平面式蒸發(fā)源3能夠減小蒸鍍的陰影距離,有利于提高分辨率,提高玻璃基板1蒸鍍作業(yè)時的良率,進而提高有機發(fā)光器件的產(chǎn)品質(zhì)量,因此,具有該平面式蒸發(fā)源3的蒸鍍裝置能夠提高蒸鍍良率,進一步提高有機發(fā)光器件的產(chǎn)品質(zhì)量。

顯然,本領域的技術人員可以對本發(fā)明實施例進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內(nèi),則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。

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