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納米顆粒TiC增強(qiáng)高熵合金基復(fù)合材料的微波合成方法與流程

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納米顆粒TiC增強(qiáng)高熵合金基復(fù)合材料的微波合成方法與流程

本發(fā)明涉及一種高熵合金基復(fù)合材料的微波合成方法,具體涉及一種納米顆粒tic增強(qiáng)高熵合金基復(fù)合材料的微波合成方法,屬于材料制備領(lǐng)域。



背景技術(shù):

微波燒結(jié)合成高熵合金基復(fù)合材料是指用微波加熱壓坯試樣并反應(yīng)生成增強(qiáng)體,該方法反應(yīng)溫度低,生成的增強(qiáng)體分布均勻,基體結(jié)合緊密。微波合成法制備的材料性能優(yōu)越,成型能力強(qiáng)。

高熵合金基復(fù)合材料因其具有高硬度、高耐磨性、耐氧化能力和耐高溫軟化能力,受到廣泛關(guān)注。首先,由于加入的合金元素的原子半徑一般會(huì)與高熵合金中的原子半徑有較大差別,導(dǎo)致高熵合金中排列較為規(guī)則的簡(jiǎn)單晶體結(jié)構(gòu)被合金原子擠壓產(chǎn)生彈性畸變,再加上高熵合金本身的晶格畸變效應(yīng),產(chǎn)生了很強(qiáng)的固溶強(qiáng)化效果。高混合熵能可以大大降低gibbs自由能,也有可能減少電負(fù)性差,抑制化合物的形成,從而穩(wěn)定地生成fcc、bcc等簡(jiǎn)單相。同時(shí)在凝固冷卻過程中,高熵合金的遲滯擴(kuò)散效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致形核和長(zhǎng)大的延遲,并傾向于導(dǎo)致納米相形成,增強(qiáng)高熵合金的熱學(xué)、電化學(xué)、力學(xué)性能以及物理性能,顯著提高其硬度和韌性。高熵合金基復(fù)合材料在耐磨擦件的制備上應(yīng)用廣泛,除此之外在耐高溫元件以及抗沖擊元件的制備中也有少量應(yīng)用。

不少研究合成含有增強(qiáng)體的高熵合金基復(fù)合材料,取得一定成果。文獻(xiàn)1(盧素華,原位自生高熵合金基復(fù)合材料組織及性能的研究[d].哈爾濱,哈爾濱工業(yè)大學(xué),2008.)利用非自耗真空熔煉爐與感應(yīng)熔煉相結(jié)合,通過自蔓延方法(shs)制備了不同合金元素等摩爾比的原位自生的高熵合金基復(fù)合材料,但難以避免增強(qiáng)體在基體中分布不均勻,界面結(jié)合性能較差的缺點(diǎn),雖然耐磨性能有所提高,但屈服強(qiáng)度有所下降。文獻(xiàn)2(盛洪飛,alxcocrcufeni系高熵合金及其復(fù)合材料的制備、微結(jié)構(gòu)與性能研究[d].合肥,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué),2014.)利用真空電磁感應(yīng)熔煉合成了alxcocrcufeni(x=0.5,1.0,1.5)六主元高熵合金,同時(shí),為進(jìn)一步提高多主元高熵合金的綜合性能,通過原位自生合成反應(yīng)制備了tic顆粒增強(qiáng)體,但耗時(shí)較長(zhǎng),能耗較高,對(duì)原料的熔煉要求高。迄今為止還未發(fā)現(xiàn)應(yīng)用微波燒結(jié)合成納米顆粒增強(qiáng)體高熵合金基復(fù)合材料的報(bào)道。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明目的在于提供一種納米顆粒tic增強(qiáng)高熵合金基復(fù)合材料的微波合成方法。

實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案為:

納米顆粒tic增強(qiáng)高熵合金基復(fù)合材料的微波合成方法,包括以下步驟:

步驟1,將高純的fe、ni、ti、cr、co、cu和c粉混合后球磨,其中基體元素fe、ni、cr、co、cu的摩爾比為1:1;

步驟2,將球磨后的粉體擠壓成坯樣;

步驟3,將坯樣放入真空微波爐中,抽真空至10-4~10-3pa,控制升溫速率為70~185k/min,升溫至1100~1200℃,保溫反應(yīng),反應(yīng)結(jié)束后,冷卻至室溫,打磨除去表面氧化層,清洗干燥即得fe-ni-ti-cr-co-cu-c系高熵合金基復(fù)合材料,其中,tic的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%~20%。

優(yōu)選地,步驟1中,球粉質(zhì)量比為5:1,球磨轉(zhuǎn)速為250~300rpm,球磨時(shí)間為2~8h,進(jìn)一步優(yōu)選為4h。

優(yōu)選地,步驟2中,擠壓壓力為180~200mpa。

優(yōu)選地,步驟3中,所述的保溫時(shí)間為30~60min。

優(yōu)選地,步驟3中,所述的tic的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%。

優(yōu)選地,步驟3中,干燥溫度為110~120℃,干燥時(shí)間為2~3h。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):

(1)本發(fā)明采用微波合成方法,活化能低于常規(guī)加熱方式,反應(yīng)溫度較低,工藝操作簡(jiǎn)單、安全可靠、節(jié)能省時(shí)、環(huán)境友好、轉(zhuǎn)化效率高,可控性強(qiáng),可以高效地制備納米材料;

(2)本發(fā)明方法升溫速率快,反應(yīng)過程短,抑制組織粗化,顯著細(xì)化組織,同時(shí)由于反應(yīng)集中,反應(yīng)產(chǎn)生的高熱可有效凈化基體,改善材料的性能;

(3)本發(fā)明方法合成的高熵合金基體相發(fā)生調(diào)幅分解和晶格扭曲效應(yīng),有效阻礙材料由于晶格移動(dòng)發(fā)生的應(yīng)力松弛變形;

(4)本發(fā)明方法合成的高熵合金基復(fù)合材料成單一的面心立方、體心立方結(jié)構(gòu),組織結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單未生成復(fù)雜的金屬間化合物相,組織成規(guī)則單相或雙相固溶體結(jié)構(gòu)。

附圖說明

圖1是實(shí)施例2的高熵合金基復(fù)合材料的xrd衍射圖。

圖2是實(shí)施例2的高熵合金基復(fù)合材料的sem掃描圖。

圖3是實(shí)施例2的高熵合金基復(fù)合材料的sem掃描圖對(duì)應(yīng)的能譜圖。

圖4是實(shí)施例2和對(duì)比例2的高熵合金基復(fù)合材料的微波加熱升溫曲線。

圖5是對(duì)比例3中不同升溫速度下合成的高熵合金基復(fù)合材料的dsc曲線。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳述。

納米顆粒tic增強(qiáng)高熵合金基復(fù)合材料的微波合成方法,具體包括以下步驟:

(1)制反應(yīng)試樣:選定反應(yīng)體系fe-ni-ti-cr-co-cu-c,因微波反應(yīng)體系內(nèi)外同時(shí)升溫,試樣溫度梯度較小,燒結(jié)溫度低,伴隨劇烈的放熱反應(yīng)。將fe、ni、ti、cr、co、cu、c粉混合后球磨,其中ti和c的摩爾比根據(jù)化學(xué)反應(yīng)式:ti+c→tic,并以反應(yīng)產(chǎn)物(tic)為增強(qiáng)體、其他元素作為基體相,剩余元素的摩爾比為1:1,增強(qiáng)體tic的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%~20%,反應(yīng)生成的金屬間化合物相在高溫下會(huì)分解生成固溶體,經(jīng)過計(jì)算最終基體相組成粉末按照摩爾比稱重,球粉比為5:1,轉(zhuǎn)速為250~300rpm,球磨時(shí)間為2~8h,再將球磨后的粉體擠壓成坯,制成反應(yīng)試樣;

(2)裝樣抽真空:將壓坯試樣裝入反應(yīng)裝置,保證頂部監(jiān)視孔清晰觀察反應(yīng)的全過程,將反應(yīng)裝置置入真空爐后,抽真空到10-4~10-3pa;

(3)反應(yīng)合成:調(diào)整輸入功率,獲得70~185k/min的升溫速率,通過監(jiān)視孔觀察試樣顏色在預(yù)熱過程中的變化過程;

(4)保溫:當(dāng)反應(yīng)試樣的顏色發(fā)生驟變,升溫到1100~1200℃保溫,減小輸入功率進(jìn)行保溫,保溫30~60min后停止功率輸入;

(5)出爐:爐冷后取出反應(yīng)試樣,打磨除去表面氧化層,清洗干燥,得到高熵合金基復(fù)合材料塊體材料。

實(shí)施例1:nicrcofecu/tic(wt:5%)

(1)制反應(yīng)試樣cu粉、ni粉、cr粉、co粉、fe粉的摩爾比為1:1:1:1:1,增強(qiáng)體tic的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%,然后將它們置入球磨罐中,以質(zhì)量比5:1的球粉比,300rpm轉(zhuǎn)速球磨混合2h,再以180mpa壓力擠壓成坯,制成壓坯試樣;

(2)裝樣抽真空將壓坯試樣置入微波真空反應(yīng)爐,抽真空至10-4~10-3pa;

(3)反應(yīng)合成調(diào)節(jié)輸入功率3kw,以升溫速率102k/min升溫至1100℃,壓坯試樣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成增強(qiáng)體相;

(4)保溫繼續(xù)升溫至1100℃,調(diào)低輸入功率,保溫10min后,停止功率輸入。

(5)降溫出爐爐冷至室溫時(shí)后開爐取樣,打磨除去表面氧化層,清洗干燥,得到高熵合金基復(fù)合材料塊體材料。

實(shí)施例2:nicrcofecu/tic(wt:15%)

(1)制反應(yīng)試樣cu粉、ni粉、cr粉、co粉、fe粉的摩爾比為1:1:1:1:1,增強(qiáng)體tic的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%,然后將它們置入球磨罐中,以5:1的球粉比,250rpm轉(zhuǎn)速球磨混合8h,再以190mpa壓力擠壓成坯,制成壓坯試樣;

(2)裝樣抽真空將壓坯試樣置入真空反應(yīng)爐,抽真空至10-4~10-3pa;

(3)反應(yīng)合成調(diào)節(jié)輸入功率3kw,以升溫速率70k/min升溫至1100℃,壓坯試樣發(fā)生化學(xué)反應(yīng);

(4)保溫繼續(xù)升溫至1100℃,調(diào)低輸入功率,保溫10min后,停止功率輸入。

(5)降溫出爐爐冷至室溫時(shí)后開爐取樣,打磨除去表面氧化層,清洗干燥,得到高熵合金基復(fù)合材料塊體材料。

將實(shí)施例得到的高熵合金基復(fù)合材料進(jìn)行xrd衍射表征,結(jié)果如圖1所示,sem掃描分析如圖2所示。由圖1可知,高熵合金基復(fù)合材料的基體相均為面心立方相與體心立方相混合固溶體,而且以面心立方為主。另外,從x射線衍射圖中可發(fā)現(xiàn)tic的特征峰,證明反應(yīng)自發(fā)進(jìn)行產(chǎn)生了tic增強(qiáng)體。由圖2可知,結(jié)合sem照片和其中對(duì)應(yīng)相的eds能譜圖,可以得知a相為tic顆粒和偏聚在晶界區(qū)域的tic,b相為高熵合金基體,c相為cr元素偏析區(qū)。圖3表明微波加熱合成高熵合金基復(fù)合材料活化能較低(ea=113.3kj/mol)。

實(shí)施例3:nicrcofecu/tic(wt:20%)

(1)制反應(yīng)試樣cu粉、ni粉、cr粉、co粉、fe粉的摩爾比為1:1:1:1:1,增強(qiáng)體tic的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%,然后將它們置入球磨罐中,以質(zhì)量比5:1的球粉比,280rpm轉(zhuǎn)速球磨混合4h,再以200mpa壓力擠壓成坯,制成壓坯試樣;

(2)裝樣抽真空將壓坯試樣置入微波真空反應(yīng)爐,抽真空至10-4~10-3pa;

(3)反應(yīng)合成調(diào)節(jié)輸入功率3kw,以升溫速率185k/min升溫至1200℃,壓坯試樣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成增強(qiáng)體相;

(4)保溫繼續(xù)升溫至1100℃可調(diào)低輸入功率,保溫10min后,停止功率輸入。

(5)降溫出爐爐冷至室溫時(shí)后開爐取樣,打磨除去表面氧化層,清洗干燥,得到高熵合金基復(fù)合材料塊體材料。

對(duì)比例1:nicrcofecu/tic(元素fe、ni、cr、co、cu的質(zhì)量比為1:1)

(1)制反應(yīng)試樣cu粉、ni粉、cr粉、co粉、fe粉的質(zhì)量比為1:1:1:1:1,增強(qiáng)體tic的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%,然后將它們置入球磨罐中,以質(zhì)量比5:1的球粉比,280rpm轉(zhuǎn)速球磨混合,再以180mpa壓力擠壓成坯,制成壓坯試樣;

(2)裝樣抽真空將壓坯試樣置入微波真空反應(yīng)爐,抽真空至10-4~10-3pa;

(3)反應(yīng)合成調(diào)節(jié)輸入功率3kw,以升溫速率102k/min升溫至1100℃,壓坯試樣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成增強(qiáng)體相;

(4)保溫繼續(xù)升溫至1100℃,調(diào)低輸入功率,保溫10min后,停止功率輸入。

(5)降溫出爐爐冷至室溫時(shí)后開爐取樣,打磨除去表面氧化層,清洗干燥,得到高熵合金基復(fù)合材料塊體材料。

觀察得到的高熵合金基復(fù)合材料塊體材料,有大量肉眼可見的孔隙,致密性極差。故等質(zhì)量比的高熵合金基體不適合做復(fù)合材料。

對(duì)比例2:nicrcofecu/tic(wt:15%)

(1)制反應(yīng)試樣cu粉、ni粉、cr粉、co粉、fe粉的摩爾比為1:1:1:1:1,增強(qiáng)體tic的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%,然后將它們置入球磨罐中,以質(zhì)量比5:1的球粉比,280rpm轉(zhuǎn)速球磨混合,再以180mpa壓力擠壓成坯,制成壓坯試樣;

(2)裝樣抽真空將壓坯試樣置入微波真空反應(yīng)爐,抽真空至10-4~10-3pa;

(3)反應(yīng)合成調(diào)節(jié)輸入功率3kw,以升溫速率51k/min升溫至1100℃;

(4)保溫調(diào)低輸入功率,保溫10min后,停止功率輸入。

(5)降溫出爐爐冷至室溫時(shí)后開爐取樣,打磨除去表面氧化層,清洗干燥,得到塊體材料。

其微波加熱升溫曲線如圖4所示,從圖中可以看出,基本上沒有反應(yīng)峰,說明升溫速率太慢,反應(yīng)基本上不發(fā)生。因此,要保證足夠大的升溫速率,才能生成tic增強(qiáng)的高熵合金基復(fù)合材料塊體材料。

對(duì)比例3:nicrcofecu/tic(wt:15%)

(1)制反應(yīng)試樣cu粉、ni粉、cr粉、co粉、fe粉的摩爾比為1:1:1:1:1,增強(qiáng)體tic的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%,然后將它們置入球磨罐中,以質(zhì)量比5:1的球粉比,280rpm轉(zhuǎn)速球磨混合,再以180mpa壓力擠壓成片,制成片狀試樣;

(2)裝樣抽真空將壓坯試樣置入dsc儀中,抽真空至10-4~10-3pa;

(3)測(cè)定dsc曲線設(shè)定升溫速率15k/min,25k/min,30k/min分別測(cè)定dsc曲線;

傳統(tǒng)熱傳導(dǎo)加熱方式進(jìn)行測(cè)定的dsc曲線,如圖5所示,從圖中可以發(fā)現(xiàn)隨著升溫速率的提高,峰值溫度略微向高溫方向偏移,升溫速率太小導(dǎo)致反應(yīng)峰也變小??筛鶕?jù)kissinger方程計(jì)算反應(yīng)的活化能(ea=4641.2kj/mol)??梢钥闯鑫⒉Y(jié)技術(shù)的反應(yīng)活化能遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)的加熱方式的反應(yīng)活化能。

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