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捕集裝置和使用該捕集裝置的排氣系統(tǒng)、基板處理裝置的制作方法

文檔序號:11272304閱讀:166來源:國知局
捕集裝置和使用該捕集裝置的排氣系統(tǒng)、基板處理裝置的制造方法

本發(fā)明涉及捕集裝置和使用了該捕集裝置的排氣系統(tǒng)、以及基板處理裝置。



背景技術(shù):

以往以來,公知有設(shè)置于對基板實施成膜的成膜裝置的排氣系統(tǒng)而對排氣中所含有的反應(yīng)副生成物進行捕獲的捕集裝置(參照例如專利文獻1)。

例如,專利文獻1所記載的捕集裝置構(gòu)成為,具有氣體導(dǎo)入口和氣體排出口而殼體夾設(shè)于排氣系統(tǒng),設(shè)置有將殼體內(nèi)分隔成多個室的分隔板,并且,以排氣在多個室內(nèi)依次流動的方式在分隔板形成有氣體流通口,為了捕獲反應(yīng)副生成物,該捕集裝置具備收容于各室內(nèi)的捕集機構(gòu)。并且,通過使排氣經(jīng)由各室依次流動,將反應(yīng)副生成物高效地去除。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1:日本特開平10-140357號公報



技術(shù)實現(xiàn)要素:

發(fā)明要解決的問題

然而,在專利文獻1所記載的捕集裝置中,為了將捕集到的反應(yīng)副生成物去除,需要這樣的裝卸作業(yè):使工藝裝置停止而將捕集裝置拆卸,從捕集裝置將反應(yīng)副生成物去除,并且對捕集裝置進行清洗,再次設(shè)置捕集裝置。由于該裝卸作業(yè),裝置運轉(zhuǎn)率降低,生產(chǎn)率降低,因此,不設(shè)置捕集裝置,而定期地對排氣系統(tǒng)的配管進行定期的分解清洗或使清潔用氣體(氟系氣體、以下稱為“f系氣體”。)相對于排氣系統(tǒng)配管進行通氣,不需裝置分解而將副生成物去除,從而維持了裝置運轉(zhuǎn)環(huán)境。

在使用例如teos(四乙氧基硅烷,テトラエトキシン)等的cvd(化學(xué)氣相沉積,chemicalvapordeposition)裝置中,大量的副生成物附著于反應(yīng)爐的排氣系統(tǒng)的真空配管,但以那樣的方法維持了裝置運轉(zhuǎn)環(huán)境。

然而,由f系氣體通氣進行的生成物去除與分解清洗相比,存在裝置停止期間較短的特征,但f系氣體只到達生成物的表面,因此,若生成物堆積較厚,則不能完全去除。另外,若附著到真空配管的上表面的生成物由于重力剝離而堆積于真空配管的下表面,則存在產(chǎn)生配管堵塞的情況。因此,存在如下問題:需要以生成物不向配管的下表面落下的程度的頻度由f系氣體通氣進行生成物去除,該去除作業(yè)阻礙裝置運轉(zhuǎn)率的提高,使生產(chǎn)率降低。

因此,本發(fā)明的目的在于提供一種無需相對于排氣系統(tǒng)進行裝卸、且能夠延長用于恰當(dāng)?shù)乇3盅b置運轉(zhuǎn)環(huán)境的清潔周期的捕集裝置和使用了該捕集裝置的排氣系統(tǒng)、以及基板處理裝置。

用于解決問題的方案

為了達成上述目的,本發(fā)明的一技術(shù)方案的捕集裝置具有設(shè)置于配管內(nèi)的流路的捕集部,其中,所述捕集部具有相對于所述配管內(nèi)的流路傾斜的傾斜面,在該傾斜面設(shè)置有多個開口。

本發(fā)明的其他技術(shù)方案的排氣系統(tǒng)具有:多個排氣系統(tǒng)配管,其借助凸緣連接起來;所述捕集裝置,其固定地設(shè)置于該凸緣。

本發(fā)明的其他技術(shù)方案的基板處理裝置具有:處理室;處理氣體供給部件,其向該處理室供給處理氣體;排氣泵,其用于對該處理室進行排氣;所述排氣系統(tǒng),其以與所述處理室和所述排氣泵連接的方式設(shè)置于所述處理室與所述排氣泵之間。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明,能夠使維持裝置運轉(zhuǎn)環(huán)境所需的配管的清潔周期延長。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的實施方式的捕集裝置的一個例子的剖視圖。

圖2是表示將本實施方式的捕集裝置設(shè)置于配管的情況下的捕集狀態(tài)的一個例子的圖。

圖3是表示沒有設(shè)置捕集裝置的以往的清潔方法的圖。圖3的(a)是表示進行清潔之前的配管內(nèi)的狀態(tài)的圖。圖3的(b)是表示進行了清潔之后、或清潔過程中的配管內(nèi)的狀態(tài)的圖。

圖4是更詳細地表示本發(fā)明的實施方式的捕集裝置的一個例子的結(jié)構(gòu)的圖。圖4的(a)是本發(fā)明的實施方式的捕集裝置的從下底側(cè)觀察的主視圖。圖4的(b)是本發(fā)明的實施方式的捕集裝置的仰視圖。圖4的(c)是發(fā)明的實施方式的捕集裝置的從上底側(cè)觀察的主視圖。圖4的(d)是將圖4的(b)的a-a剖視圖和側(cè)視圖組合而成的圖。圖4的(e)是圖4的(d)的部分b的放大圖。

圖5是表示本發(fā)明的實施方式的排氣系統(tǒng)的一個例子的圖。

圖6是表示與圖5不同的排氣系統(tǒng)的一個例子的圖。

圖7是表示本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置的一個例子的圖。

附圖標(biāo)記說明

10、捕集部;11、開口;12、12a、上底;13、下底;20、支承部;21、底面支承部;30、固定構(gòu)件;50、51、捕集裝置;60、60a、配管;61、流路;62、62a、內(nèi)周面;63、凸緣;64、凸緣面;70、o形密封圈;80、夾具;90、反應(yīng)副生成物;100、101、102、排氣系統(tǒng);110、處理室;130、處理氣體供給部件;150、真空泵;200、基板處理裝置。

具體實施方式

以下,參照附圖進行用于實施本發(fā)明的形態(tài)的說明。

圖1是表示本發(fā)明的實施方式的捕集裝置的一個例子的剖視圖。捕集裝置50具有捕集部10、支承部20以及固定構(gòu)件30。捕集裝置50中的、捕集部10和支承部20設(shè)置于配管60的流路61內(nèi),固定構(gòu)件30以被凸緣63的凸緣面64夾著的方式設(shè)置。此外,在圖1中,配管60僅示出1個,但在使用多個配管60而沿著長度方向連結(jié)的情況下,相鄰的配管60的凸緣面64彼此緊固而結(jié)合,構(gòu)成較長的配管60。因而,在那樣的情況下,固定構(gòu)件30以夾入相鄰的配管60的凸緣面64彼此之間的方式被固定。

捕集部10是用于捕集或捕獲在配管60內(nèi)生成的副生成物的部分,構(gòu)成為呈相對于配管60的流路61傾斜的傾斜面。此外,流路61沿著配管60的內(nèi)周面62,因此,捕集部10也呈相對于配管60的內(nèi)周面62傾斜的傾斜面。

在圖1中雖未圖示,但在捕集部10設(shè)置有多個開口。并且,多個開口的合計的開口面積比捕集部10的沒有形成開口的部分的非開口面積大。因而,捕集部10構(gòu)成為開口部分比非開口部分寬的多孔板。另外,捕集部10優(yōu)選構(gòu)成為網(wǎng)格狀。通過使捕集部10構(gòu)成為網(wǎng)格狀,妨礙在配管60中流動的氣體的流動的擔(dān)心變得非常少,不使通氣性能降低,就可將捕集部10配置于配管60內(nèi)。此外,配管60既可以是用于各種用途的配管60,也可以是例如排氣用的配管60。一般而言,在基板處理裝置等的排氣系統(tǒng)配管,生成很多處理氣體的反應(yīng)所致的反應(yīng)副生成物,需要捕集該反應(yīng)副生成物的情況較多。因而,配管60也可以構(gòu)成為排氣系統(tǒng)配管。在該情況下,通氣性能意味著排氣性能。

在捕集部10設(shè)置有多個開口,通過例如將捕集部10構(gòu)成為網(wǎng)格狀,在配管60的流路61內(nèi)流動的氣體能夠與捕集部10的實體部分(非開口部分)長期接觸。即,若捕集部10是沒有開口的板狀,則于在圖1中存在從左向右的氣體的流動的情況下,氣體僅碰到捕集部10的內(nèi)側(cè)的面,捕集部10的外側(cè)的面(與配管60的內(nèi)周面62相對的面)就隱藏在內(nèi)側(cè)的面的影子里,捕集部10的與氣體接觸的接觸面積成為與單面相應(yīng)的面積。然而,若在捕集部10設(shè)置有開口,則氣體能夠經(jīng)由開口在捕集部10的兩面往來,能夠使氣體與捕集部10的兩面接觸。這樣一來,氣體更多地碰到捕集部10的實體部分,能夠使被捕集的反應(yīng)副生成物增加。

另外,通過捕集部10形成有傾斜面,氣體在捕集部10的左端碰到捕集部10后直到向右側(cè)移動到捕集部10的右端為止始終與捕集部10持續(xù)接觸,能夠使長度方向上的與捕集部10接觸的接觸面積增加。也就是說,若捕集部10與流路61平行地設(shè)置,則氣體只與捕集部10的左端接觸,接觸面積極小。另一方面,若將捕集部10與流路61垂直地設(shè)置,則氣體與捕集部10接觸的面積在捕集部10所存在的部位能夠獲得最大面積,但捕集部10成為長度方向上的點的存在,因此,通過了捕集部10的氣體不會再與捕集部10接觸。也就是說,氣體與捕集部10之間的接觸一瞬間就結(jié)束。

另一方面,若使捕集部10相對于配管60的流路61傾斜地設(shè)置,則在捕集部10的左端碰到捕集部10的傾斜面的氣體沿著配管60的長度方向,氣體可接觸的面較長地存在、且氣體經(jīng)由開口可與捕集部10的兩面接觸,因此,氣體較長地持續(xù)受到捕集部10對行進路線的阻礙,能夠使副生成物效率良好地堆積于捕集部10的兩面。

另外,優(yōu)選捕集部10具有錐臺狀,進一步優(yōu)選具有圓錐臺的形狀。通過將捕集部10的傾斜面構(gòu)成為錐臺狀,能夠構(gòu)成相對于圓筒形或圓柱形的流路61呈360°回旋的傾斜面,能夠使捕集部10的與氣體接觸的接觸面積增加。此外,三棱錐臺、四棱錐臺、五棱錐臺、六棱錐臺這樣的形狀也能夠在各側(cè)面的整個面構(gòu)成傾斜面,因此是與氣體接觸的接觸效率較高的形狀,但圓錐臺的所有側(cè)面構(gòu)成在360°的范圍內(nèi)連續(xù)地相對于流路61傾斜的傾斜面,因此,圓錐臺是與氣體接觸的接觸效率最高的形狀。因而,最優(yōu)選捕集部10具有圓錐臺的形狀而構(gòu)成。

此外,優(yōu)選不是圓錐、棱錐等具有頂點的錐形,而是錐臺狀,是因為優(yōu)選在錐臺狀的上底12形成開口。在捕集部10構(gòu)成為例如網(wǎng)格狀的情況下,最初幾乎不妨礙配管60的流路61的氣體的流動,但隨著將反應(yīng)副生成物捕捉于捕集部10,設(shè)置于傾斜面的開口逐漸被堵塞,產(chǎn)生妨礙氣體的流動的風(fēng)險。若是圓錐、棱錐的形狀,則若生成物被捕集到捕集部10的頂端,則大幅度地堵塞流路61的中心,有可能妨礙氣體的流動。另一方面,若是錐臺狀,則能夠在上底12預(yù)先設(shè)置較大的開口,即使捕集部10捕集生成物,氣體也能夠通過上底12的開口,因此,不會大幅度地妨礙氣體的流動。

同樣地,通過在捕集部10的錐臺狀的下底13的部分也預(yù)先設(shè)置有開口,能夠不妨礙氣體的流動地捕集反應(yīng)副生成物。在氣體從左側(cè)朝向右側(cè)流動的情況下,捕集部10的從下底13的開口到上底12的開口的傾斜面成為氣體最初所接觸的面,因此,優(yōu)選該傾斜面的傾斜角度恰當(dāng)?shù)卦O(shè)定。傾斜角度也受到配管60內(nèi)的流路61的尺寸、流動的氣體的種類的影響,因此,優(yōu)選根據(jù)用途而恰當(dāng)?shù)卦O(shè)定。

另外,對于形成于捕集部10的開口的大小等,也優(yōu)選考慮上述的流路61和氣體的種類等而恰當(dāng)?shù)卦O(shè)定。

捕集部10的下底13的部分優(yōu)選以與配管60的內(nèi)周面62之間具有間隔的方式設(shè)置。如上所述,若反應(yīng)副生成物堆積于捕集部10,則流路61堵塞,有可能妨礙氣體的流動。若在捕集部10的傾斜面的外側(cè)也設(shè)置有間隔,則氣體能夠通過外側(cè)的環(huán)狀的間隔,不會較大程度地妨礙氣體的流動。

捕集部10構(gòu)成為錐臺狀,在配管60是直線的配管的情況下,優(yōu)選錐臺狀的頂點與配管60的流路61的中心一致。由此,即使在反應(yīng)副生成物堆積到捕集部10的情況下,也能夠形成關(guān)于配管60的流路61的中心對稱的氣體的流動。此外,錐臺狀并不存在頂點,但錐臺狀的形成是從圓錐、棱錐等錐形將頂端去除而成的形狀,因此,也可以將通過原本的錐形的頂點的位置認為是錐臺狀的頂點。只要上底12和下底13是圓或正多邊形,該頂點的位置就與它們的重心的位置一致,因此,也可以掌握上底12和下底13的重心。此外,對于配管60不是直線形狀的情況隨后論述。

另外,對于捕集部10的下底13的部分與配管60的內(nèi)周面62之間的間隔,優(yōu)選考慮流路61的尺寸、所流動的氣體的種類等而適當(dāng)設(shè)定成恰當(dāng)?shù)闹怠?/p>

捕集部10可以由各種材料形成,但也可以由例如不銹鋼等金屬材料形成。對于構(gòu)成捕集部10的材料,也可以考慮用途等而使用恰當(dāng)?shù)牟牧稀?/p>

支承部20是用于將捕集部10固定支承于配管60的流路61內(nèi)的預(yù)定位置的支承構(gòu)件。如圖1所示,支承部20也可以構(gòu)成為接合于例如捕集部10的下底13附近的內(nèi)周面來支承捕集部10。支承部20具有例如可支承捕集部10的強度而構(gòu)成為棒狀,構(gòu)成為在多點支承捕集部10。在圖1中,支承部20從固定地設(shè)置于凸緣面64的固定構(gòu)件30向配管60的流路61內(nèi)延伸,與捕集部10的內(nèi)周面的兩點接合,支承著整個捕集部10。支承部20只要能夠?qū)⒉都?0支承于流路61內(nèi)的預(yù)定位置,可以設(shè)為各種結(jié)構(gòu),但出于不妨礙氣體的流動的觀點考慮,與捕集部10相反地,優(yōu)選與氣體之間的接觸面積較小的形狀。因而,相比以較大的面積具有與氣體的流動垂直的面,優(yōu)選的是:如圖1所示那樣具有棒狀的形狀,或即使是板狀,也構(gòu)成為面配置成與氣體的流動平行的形狀。

另外,支承部20只要能夠恰當(dāng)?shù)刂С胁都?0,就不管其個數(shù)如何,既可以是1個,也可以是多個。另外,對于構(gòu)成支承部20的材料也沒有特別限定,也可以由例如不銹鋼等金屬材料構(gòu)成。

固定構(gòu)件30是用于對支承部20進行固定支承的構(gòu)件。對于固定構(gòu)件30,為了對支承部20進行固定支承,也可以設(shè)置專用的固定構(gòu)件30,但在本實施方式中,兼用了用于保持o形密封圈70的被稱為內(nèi)環(huán)的構(gòu)件。即,固定構(gòu)件30原本不是為了固定支承部20而設(shè)置的構(gòu)件,是為了將o形密封圈70保持在凸緣面64彼此之間而設(shè)置的已有的構(gòu)件。只要將支承部20固定于該原本存在的固定構(gòu)件30,不追加任何新的零部件,另外,不對配管60施加改造,就能夠?qū)χС胁?0進行固定支承,借助支承部20對捕集部10進行固定支承。

此外,o形密封圈70是設(shè)置于凸緣面64彼此之間的密封構(gòu)件的一個例子,也可以使用其他密封構(gòu)件,即使是該情況下,只要將保持密封構(gòu)件的構(gòu)件用作用于對支承部20進行固定支承的固定構(gòu)件30,不追加新的零部件,就能夠固定支承部20。

這樣,通過將以往以來設(shè)置于凸緣面64彼此之間的構(gòu)件用作支承部20的固定構(gòu)件30,能夠防止成本增加,并且無需重新設(shè)置設(shè)置空間,能夠?qū)⒉都b置50容易地裝入而設(shè)置。

此外,由內(nèi)環(huán)等構(gòu)成的固定構(gòu)件30也可以由例如不銹鋼等金屬材料形成。

如以上說明那樣,本發(fā)明的實施方式的捕集裝置50能夠?qū)⒐潭?gòu)件30固定于配管60的凸緣面64,借助固定構(gòu)件30所固定的支承部20而將與氣體之間的接觸面積較大的捕集部10設(shè)置于配管60內(nèi)的流路61,能夠容易地將捕集效果較大的捕集部10配置于配管60的流路61內(nèi)。

圖2是表示將本實施方式的捕集裝置50設(shè)置于配管60的情況下的捕集狀態(tài)的一個例子的圖。如圖2所示,反應(yīng)副生成物90被捕集部10的兩面捕集。反應(yīng)副生成物90也附著于配管60的內(nèi)周面62,但反應(yīng)副生成物90被設(shè)置于流路61內(nèi)的捕集部10的兩面捕集,所以反應(yīng)副生成物90的大多能夠由捕集部10捕集,能夠使附著于配管60的內(nèi)周面62的反應(yīng)副生成物90的量減少。由此,能夠使反應(yīng)副生成物90的附著分散于配管60的內(nèi)周面62和捕集部10的所有的面,能夠減薄各反應(yīng)副生成物90的厚度。因而,在使f系氣體流動而進行將反應(yīng)副生成物90去除的清潔之際,能夠?qū)缀跛械姆磻?yīng)副生成物90去除,能夠防止f系氣體不到達反應(yīng)副生成物90的內(nèi)底這樣的事態(tài)的產(chǎn)生。

圖3是表示沒有設(shè)置捕集裝置50的以往的清潔方法的圖。圖3的(a)是表示進行清潔之前的配管60內(nèi)的狀態(tài)的圖。捕集部10不存在,因此,反應(yīng)副生成物90較厚地附著于配管60的內(nèi)周面62上。

圖3的(b)是表示在進行了清潔之后、或清潔過程中的配管60內(nèi)的狀態(tài)的圖。若進行清潔,則f系氣體進入配管60的內(nèi)周面62與反應(yīng)副生成物90之間,從而產(chǎn)生附著到配管60的內(nèi)周面62的上表面的反應(yīng)副生成物90向下表面落下的現(xiàn)象。也就是說,由于f系氣體的供給,使反應(yīng)副生成物90蝕刻而變得松動的結(jié)果,上表面的反應(yīng)副生成物90的一部分在重力的作用下就落下。

若成為這樣的狀態(tài),則成為在配管60的內(nèi)周面62的下表面上堆積了較厚的反應(yīng)副生成物90的狀態(tài),若其厚度過厚,則憑f系氣體的供給就無法去除。這樣一來,即使進行清潔,反應(yīng)副生成物90的一部分也殘留于配管60內(nèi),無法獲得充分的清潔效果。另外,為了防止這樣的反應(yīng)副生成物90從上表面的落下,需要在反應(yīng)副生成物90的厚度并不怎么厚的階段進行清潔,不得不使清潔的頻度變高,生產(chǎn)率就降低。

針對這一點,如在圖1、2中進行了說明那樣,根據(jù)本實施方式的捕集裝置50,能夠利用捕集部10的兩面捕集反應(yīng)副生成物90,因此,能夠使附著于配管60的內(nèi)周面62的反應(yīng)副生成物90的厚度減薄。因而,只要使f系氣體流向流路61,反應(yīng)副生成物90的去除可變得容易,因此,可延長清潔周期。

圖4是更詳細地表示本發(fā)明的實施方式的捕集裝置的一個例子的結(jié)構(gòu)的圖。圖4的(a)是本發(fā)明的實施方式的捕集裝置的從下底側(cè)(左側(cè))觀察的主視圖,圖4的(b)是本發(fā)明的實施方式的捕集裝置的仰視圖。圖4的(c)是發(fā)明的實施方式的捕集裝置的從上底側(cè)觀察的主視圖,圖4的(d)是將圖4的(b)的a-a剖視圖和側(cè)視圖組合而成的圖。圖4的(e)是圖4的(d)的部分b的放大圖。

如圖4的(b)所示,捕集部10整體上具有圓錐臺狀,并且其面構(gòu)成為網(wǎng)格狀。因而,捕集部10具有很多格子狀的實體部分和進入格子狀的實體部分的大致正方形的開口11。整體上具有細長的沿著長度方向延伸的圓錐臺狀,在圓錐臺的上底12的部分和下底13的部分分別形成有圓形的開口。

在比下底13進一步靠左側(cè)的位置,支承部20沿著長度方向延伸。在圖4中,示出了設(shè)置有3根支承部20的例子。另外,3根支承部20接合于固定構(gòu)件30。而且,捕集部10的下底13的寬度(直徑)比固定構(gòu)件30的寬度(直徑)小,成為在配管60的內(nèi)周面62與下底13之間形成有間隙的結(jié)構(gòu)。

如圖4的(a)所示那樣,支承部20以120°的間隔設(shè)置有3根。也可以如此以等間隔設(shè)置3根以上的支承部20。由此,能夠平衡良好地使載荷分配于多個支承部20來支承捕集部10。

如圖4的(b)所示那樣,在底面的比上底12稍靠根部的部分設(shè)置有底面支承部21。底面支承部21是為了從底面支承上底12附近的頂端部分而設(shè)置的第2支承部。如圖4的(b)所示,在捕集部10細長地構(gòu)成的情況下,僅憑根部側(cè)的支承部20有可能頂端部的支承也變得不充分,因此,也可以根據(jù)需要將底面支承部21設(shè)置于上底12附近。此外,如圖4的(b)、(d)所示那樣,底面支承部21具有板狀的形狀。上底12的直徑比下底13的直徑小(寬度較窄),因此,即使將底面支承部21構(gòu)成為與流路61垂直的板狀,也不會妨礙流路61。

如圖4的(c)所示那樣,在上底12的底面的下方突出地設(shè)置有底面支承部21。底面支承部21的上端21a以沿著上底12的底面的方式形成為圓弧狀。另外,底面支承部21的下端21b也以沿著配管60的內(nèi)周面62的方式形成為圓弧狀。

圖4的(d)是以圖4的(b)的a-a截面將捕集裝置50剖切、并且直接表示從側(cè)面可辨認的部分的圖。此外,圖4的(b)是仰視圖,因此,在圖4的(d)中,在捕集裝置50向配管60內(nèi)設(shè)置時,上下翻轉(zhuǎn)。

如圖4的(d)所示,支承部20接合于捕集部10的根部側(cè)的內(nèi)周面,支承部20接合固定于圓環(huán)狀的固定構(gòu)件30的內(nèi)周面。另外,在捕集部10的頂端側(cè)設(shè)置有底面支承部21,支承著捕集部10的底面。捕集部10具有圓錐臺狀,因此,具有與圖4的(b)的仰視圖相同的形狀。

圖4的(e)是圖4的(d)的部分b的放大圖。如圖4的(e)所示,支承部20設(shè)置成頂端與捕集部10的內(nèi)周面接觸,根部端與固定構(gòu)件30的內(nèi)周面接觸。這些可利用例如焊接接合,支承部20與捕集部10的內(nèi)周面、以及支承部20與固定構(gòu)件30的內(nèi)周面分別利用焊接接合并固定。這樣,例如,也可以將各零部件利用焊接接合。此外,對于接合的方法,也可以根據(jù)用途選擇各種方法和手段。

圖5是表示本發(fā)明的實施方式的排氣系統(tǒng)的一個例子的圖。在圖5中,配管60以截面表示,捕集裝置50以側(cè)面表示。如圖5所示,捕集裝置50在相鄰的配管60的凸緣面64彼此之間配置有o形密封圈70,支承部20被接合固定于保持該o形密封圈70的內(nèi)環(huán)(固定構(gòu)件30)。此外,為了將相對的凸緣面64彼此固定,設(shè)置有夾具80,從外側(cè)將凸緣63夾入并固定。也就是說,內(nèi)環(huán)和夾具80協(xié)作而隔著o形密封圈70地將凸緣面64彼此固定。并且,通過將內(nèi)環(huán)作為固定構(gòu)件30來用作用于固定支承部20的構(gòu)件,能夠在凸緣63附近設(shè)置1個捕集裝置50。配管60彼此通過凸緣面64彼此接合而形成較長的配管60,因此,利用該結(jié)構(gòu),能夠在1個配管60設(shè)置1個捕集裝置50,能夠根據(jù)配管60的整體的長度設(shè)置捕集裝置50。如此構(gòu)成的較長的配管60能夠用于排氣系統(tǒng)的配管,能夠構(gòu)成為排氣系統(tǒng)100。

這樣,本實施方式的排氣系統(tǒng)100能夠根據(jù)所連接的配管60的個數(shù)來設(shè)置捕集裝置50,即使配管60較長,也能夠?qū)崿F(xiàn)較高的排氣性能。

圖6是表示與圖5不同的排氣系統(tǒng)的一個例子的圖。圖6所示的排氣系統(tǒng)101的配管60a不是構(gòu)成為直線狀而是構(gòu)成為曲線狀。在這樣的情況下,必然無法使捕集部10的圓錐臺狀的頂點(上底12和下底13的重心)與配管60a的中心軸線一致,但盡可能與配管60a的曲率相應(yīng)并以捕集部10不與配管60a的內(nèi)周面62a接觸的方式配置,從而能夠?qū)崿F(xiàn)適合于配管60a的形狀的可進行高效率的反應(yīng)副生成物90的捕集的捕集裝置51。此外,與這樣的曲率相應(yīng)的捕集部10的配置可通過對支承部20的配置、接合位置、長度等進行調(diào)整來構(gòu)成。

另外,在圖6中,捕集裝置50、51的上底12、12a成為彼此相對的配置。這樣,捕集裝置50、51無需配置成相同的朝向,能夠根據(jù)用途設(shè)為各種朝向的配置。在圖1中,列舉氣體以從下底13向上底12的朝向流動的例子來進行了說明,但氣體的流動即使是相反朝向,僅氣體最初所碰到的面成為捕集部10的外周面,之后的氣體的動作相同。也就是說,適當(dāng)通過開口11且一邊與捕集部10的傾斜面接觸一邊在兩面往來而沿著捕集部10的長度方向流動。氣體在捕集部10的兩面流動,因此,傾斜的朝向與氣體的流動之間的關(guān)系不對捕集的動作和捕集效率帶來任何影響。因而,也可在相同的配管60、60a內(nèi)以彼此相對的方式配置捕集裝置50、51。此外,在圖6中,配管60a的曲率較大,因此,準確而言,連接有3根配管,但只要是較長的配管,就可在1個配管60、60a內(nèi)使捕集部10相對配置。

這樣,排氣系統(tǒng)100、101能夠與配管60、60a的形狀相應(yīng)地效率良好地構(gòu)成和配置捕集裝置50、51。

圖7是表示本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置的一個例子的圖。本實施方式的基板處理裝置200具備排氣系統(tǒng)102、處理室110、基板載置臺120、處理氣體供給部件130、處理氣體供給源140、真空泵150以及壓力控制器160。

基板處理裝置200在處理室110內(nèi)將晶圓w等基板載置于基板載置臺120上,利用處理氣體供給部件130將從處理氣體供給源140供給的處理氣體向處理室110內(nèi)供給,對晶圓w實施基板處理。并且,處理室110內(nèi)利用經(jīng)由排氣系統(tǒng)102連接的真空泵150進行真空排氣。此外,排氣量可根據(jù)需要利用流量控制器160進行調(diào)整。此外,排氣系統(tǒng)102使用在圖5、6中進行了說明的排氣系統(tǒng)100、101等來構(gòu)成。即,是在配管60、60a內(nèi)具備捕集裝置50、51的排氣系統(tǒng)100、101。

在這樣的基板處理裝置中,在向晶圓w上供給處理氣體而進行了成膜、蝕刻等基板處理的情況下,在排氣系統(tǒng)102的配管60、60a內(nèi)生成反應(yīng)副生成物90,但通過設(shè)置本實施方式的捕集裝置50、51,能夠捕集反應(yīng)副生成物90。并且,反應(yīng)副生成物90的量一變多,就使用f系氣體對排氣系統(tǒng)102的配管60、60a進行清潔,但如在圖1、2中進行了說明那樣,能夠使清潔的周期長期化,能夠提高生產(chǎn)率。

此外,基板處理室200的結(jié)構(gòu)能夠根據(jù)基板處理的內(nèi)容設(shè)為各種結(jié)構(gòu)。例如,基板處理裝置200既可以是進行成膜的立式熱處理裝置,也可以是進行使用了ald(原子層沉積,atomiclayerdeposition)法的ald成膜的成膜裝置。另外,既可以是cvd成膜裝置,也可以是蝕刻裝置等。能夠適用于在排氣系統(tǒng)102的配管60、60a內(nèi)可產(chǎn)生反應(yīng)副生成物90的所有裝置。與此相伴,處理室、基板載置臺120、處理氣體供給部件130的結(jié)構(gòu)也可以根據(jù)用途設(shè)為各種結(jié)構(gòu)。例如,基板載置臺120既可以是沿著縱方向隔開間隔地保持多張晶圓的晶圓舟皿,也可以是將多個晶圓沿著周向配置于旋轉(zhuǎn)臺上的結(jié)構(gòu)。而且,處理氣體供給部件既可以是噴嘴狀的噴射器,也可以是噴頭等。另外,也可以根據(jù)需要設(shè)置等離子體產(chǎn)生器。

這樣,本實施方式的基板處理裝置200能夠用于各種用途。

以上,對本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式進行了詳細說明,但本發(fā)明并不限制于上述的實施方式,不脫離本發(fā)明的范圍,就能夠?qū)ι鲜龅膶嵤┓绞绞┘痈鞣N變形和置換。

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