本申請是申請日為2014年2月4日、申請?zhí)枮?01480073071.2，題為“用于有機(jī)材料的蒸發(fā)源、具有用于有機(jī)材料的蒸發(fā)源的設(shè)備、具有帶有用于有機(jī)材料的蒸發(fā)源的蒸發(fā)沉積設(shè)備的系統(tǒng)以及用于操作用于有機(jī)材料的蒸發(fā)源的方法”的申請的分案申請。

本發(fā)明的實(shí)施例涉及有機(jī)材料的沉積、用于沉積材料(例如，有機(jī)材料)的系統(tǒng)、用于有機(jī)材料的源以及用于有機(jī)材料的沉積設(shè)備。本發(fā)明的實(shí)施例尤其涉及：用于制造器件(特別地，在其中包含有機(jī)材料的器件)的制造系統(tǒng)；用于在由載具支撐的基板上沉積一層或多層(特別地，在其中包含有機(jī)材料的層)的系統(tǒng)；在用于制造器件(特別地，包含有機(jī)材料的器件)的制造系統(tǒng)中制造器件的方法；以及在用于在由載具支撐的基板上沉積一層或多層(特別地，在其中包含有機(jī)材料的層)的系統(tǒng)中沉積一層或多層的方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)蒸發(fā)器是一種用于有機(jī)發(fā)光二極管(oled)的生產(chǎn)的工具。oled是一種特殊類型的發(fā)光二極管，其中發(fā)射層包括某些有機(jī)化合物的薄膜。有機(jī)發(fā)光二極管(oleds)用在電視屏幕、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、移動電話、其他手持裝置等的制造以用于顯示信息。oled也可用于一般的空間照明。由于oled像素直接發(fā)射光且不要求背光，oled顯示器可能的顏色、亮度和視角的范圍大于傳統(tǒng)lcd顯示器的范圍。因此，oled顯示器的能耗大幅低于傳統(tǒng)lcd顯示器的能耗。此外，oled可被制造在柔性基板上的事實(shí)帶來了進(jìn)一步的應(yīng)用。例如，典型的oled顯示器可包含位于兩個(gè)電極之間的多個(gè)有機(jī)材料層，所述多個(gè)有機(jī)材料層以形成具有可獨(dú)立供能的像素的矩陣顯示面板的方式而全都沉積在基板上。oled一般被放置在兩個(gè)玻璃面板之間，并且密封所述玻璃面板的邊緣以將oled封裝于其中。

在這類顯示器裝置的制造中遇到很多挑戰(zhàn)。在一個(gè)示例中，具有將oled封裝在兩個(gè)玻璃面板之間來防止可能的裝置污染所需的許多勞動密集型步驟。在另一個(gè)示例中，不同尺寸顯示器屏幕以及由此產(chǎn)生的不同尺寸的玻璃面板可能要求基本上重新配置用于形成顯示器裝置的工藝和工藝硬件?？傮w上，存在對在大面積基板上制造oled裝置的期望。

在大規(guī)模oled顯示器的制造中，帶來各種挑戰(zhàn)的一個(gè)步驟是對基板的掩模，例如用于沉積圖案化的層。另外，已知的系統(tǒng)典型地具有小的總材料利用率，例如小于50％。

因此，對于用于形成諸如oled顯示器裝置的新的、改進(jìn)的系統(tǒng)、設(shè)備和方法，存在持續(xù)的需要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述內(nèi)容，提供一種用于在由載具支撐的基板上沉積一層或多層(特別地，在其中包含有機(jī)材料的層)的改進(jìn)的系統(tǒng)、以及一種在用于在由載具支撐的基板上沉積一層或多層(特別地，在其中包含有機(jī)材料的層)的系統(tǒng)中沉積一層或多層的改進(jìn)的方法。通過從屬權(quán)利要求、說明書和附圖，本發(fā)明的實(shí)施例的進(jìn)一步的方面、優(yōu)點(diǎn)和特征是顯而易見的。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，提供一種用于在由載具支撐的基板上沉積一層或多層(特別地，在其中包含有機(jī)材料的層)的系統(tǒng)。所述系統(tǒng)包含：裝載鎖定腔室，用于裝載待處理的基板；傳遞腔室，用于傳送所述基板；真空擺動模塊，在裝載鎖定腔室和傳遞腔室之間提供；至少一個(gè)沉積設(shè)備，用于在至少一個(gè)沉積腔室的真空腔室中沉積材料，其中所述至少一個(gè)沉積設(shè)備連接至所述傳遞腔室；進(jìn)一步的裝載鎖定腔室，用于卸載已處理的基板；進(jìn)一步的傳遞腔室，用于傳送所述基板；進(jìn)一步的真空擺動模塊，在所述進(jìn)一步的裝載鎖定腔室和所述進(jìn)一步的傳遞腔室之間提供；以及載具返回軌道，從所述進(jìn)一步的真空擺動模塊通往所述真空擺動模塊，其中所述載具返回軌道配置成在真空條件下和/或在受控的惰性氣氛下傳送載具。

根據(jù)另一實(shí)施例，提供一種在用于在由載具支撐的基板上沉積一層或多層(特別地，在其中包含有機(jī)材料的層)的系統(tǒng)中沉積一層或多層的方法。所述方法包含以下步驟：以水平取向?qū)⒒逖b載在系統(tǒng)中；在真空擺動模塊中將所述基板裝載到載具上；在所述真空擺動模塊中將所述基板旋轉(zhuǎn)為處于豎直取向；在真空條件下，移送帶有被裝載的基板的載具通過所述系統(tǒng)，并且將所述載具入傳進(jìn)和傳出至少一個(gè)沉積腔室；在進(jìn)一步的真空擺動模塊中將載具旋轉(zhuǎn)為處于水平取向；在所述進(jìn)一步的真空擺動模塊中以所述水平取向從所述載具卸載所述基板；以及在真空條件下和/或在受控的惰性氣氛下，將空載具從所述進(jìn)一步的真空擺動模塊返回到所述真空擺動模塊。

根據(jù)又一實(shí)施例，提供一種用于在由載具支撐的基板上沉積一層或多層(特別地，在其中包含有機(jī)材料的層)的系統(tǒng)。所述系統(tǒng)包含：裝載鎖定腔室，用于以水平取向裝載待處理的基板；傳遞腔室，用于傳送所述基板；真空擺動模塊，在所述裝載鎖定腔室和所述傳遞腔室之間提供，其中所述真空擺動模塊配置成將所述基板從所述水平取向旋轉(zhuǎn)到豎直取向；至少一個(gè)沉積設(shè)備，用于在至少一個(gè)沉積腔室的真空腔室中沉積材料，其中所述至少一個(gè)沉積設(shè)備連接至所述傳遞腔室；進(jìn)一步的裝載鎖定腔室，用于以水平取向卸載已處理的基板；進(jìn)一步的傳遞腔室，用于傳送所述基板；進(jìn)一步的真空擺動模塊，在所述進(jìn)一步的裝載鎖定腔室和所述進(jìn)一步的傳遞腔室之間提供，其中所述真空擺動模塊配置成將所述基板從所述豎直取向旋轉(zhuǎn)到所述水平取向以便于以所述水平取向進(jìn)行卸載；以及載具返回軌道，從所述進(jìn)一步的真空擺動模塊通往所述真空擺動模塊，其中所述載具返回軌道配置成在真空條件下和/或在受控的惰性氣氛下傳送所述載具。

附圖說明

因此，為了能夠詳細(xì)地理解本發(fā)明上述特征的方式，可通過參照各實(shí)施例對上文中簡要概述的本發(fā)明作出更具體的描述。附圖有關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施例并且描述如下：

圖1a至1d示出描繪根據(jù)本文所述的實(shí)施例的用于有機(jī)材料的蒸發(fā)源的示意圖，該蒸發(fā)源處于根據(jù)本文所述的更進(jìn)一步的實(shí)施例的沉積設(shè)備的真空腔室中的不同沉積位置處；

圖2示出根據(jù)本文所述的實(shí)施例的用于在真空腔室中沉積有機(jī)材料的沉積設(shè)備的示意性俯視圖；

圖3示出根據(jù)本文所述的實(shí)施例的用于在真空腔室中沉積有機(jī)材料的另一沉積設(shè)備的示意性俯視圖；

圖4a和4b示出根據(jù)本文所述的實(shí)施例的用于在真空腔室中沉積有機(jī)材料的沉積設(shè)備以及處于真空腔室中的不同沉積位置處的根據(jù)本文所述的實(shí)施例的用于有機(jī)材料的蒸發(fā)的蒸發(fā)源示意性側(cè)視圖；

圖5a和5b示出根據(jù)本文所述的實(shí)施例的用于在真空腔室中沉積有機(jī)材料的沉積設(shè)備以及處于真空腔室中的不同位置處的根據(jù)本文所述的實(shí)施例的用于有機(jī)材料的蒸發(fā)的多個(gè)蒸發(fā)源的示意圖；

圖6示出根據(jù)本文所述的實(shí)施例的具有至少兩個(gè)沉積設(shè)備和用于有機(jī)材料的蒸發(fā)的蒸發(fā)源的系統(tǒng)的示意圖；

圖7a和7b示出根據(jù)本文所述的實(shí)施例的蒸發(fā)源的多個(gè)部分的示意圖；

圖7c示出根據(jù)本文所述的實(shí)施例的另一蒸發(fā)源的示意圖；

圖8a和8b示出根據(jù)本文所述的實(shí)施例的用于在真空腔室中沉積有機(jī)材料的沉積設(shè)備以及處于真空腔室中的不同沉積位置處的根據(jù)本文所述的實(shí)施例的用于有機(jī)材料的蒸發(fā)的多個(gè)蒸發(fā)源示意圖；

圖9示出根據(jù)本文所述的實(shí)施例的用于在一真空腔室中沉積有機(jī)材料的另一沉積設(shè)備的示意圖；

圖10示出描繪根據(jù)本文所述的實(shí)施例的用于蒸發(fā)有機(jī)材料的方法的流程圖；

圖11示出根據(jù)本文所述的實(shí)施例的具有群集系統(tǒng)部分(clustersystemportion)、真空擺動模塊、傳遞腔室、進(jìn)一步的傳遞腔室、進(jìn)一步的真空擺動模塊以及進(jìn)一步的群集系統(tǒng)部分的制造系統(tǒng)；

圖12a示出可在根據(jù)本文所述的實(shí)施例的制造系統(tǒng)中使用的真空擺動模塊；

圖12b示出具有基板支撐于其中的載具在參照圖12a所述的真空擺動模塊中的旋轉(zhuǎn)；

圖13a至圖13c描繪可在根據(jù)本文所述的一些實(shí)施例的傳遞腔室中提供的雙軌道傳送布置，其中進(jìn)一步提供載具返回軌道；

圖14示出具有群集系統(tǒng)部分、真空擺動模塊、傳遞腔室、進(jìn)一步的傳遞腔室、進(jìn)一步的真空擺動模塊以及進(jìn)一步的群集系統(tǒng)部分的進(jìn)一步的制造系統(tǒng)，其中提供根據(jù)本文所述的一些實(shí)施例的直列式(in-line)沉積系統(tǒng)部分和載具返回軌道；

圖15a和圖15b示出根據(jù)本文所述的實(shí)施例的具有與圖14類似的直列式沉積系統(tǒng)部分和獨(dú)立載具返回軌道的更進(jìn)一步的制造系統(tǒng)；

圖16示出更進(jìn)一步的制造系統(tǒng)，其中組合了具有環(huán)形軌道和/或源列配置(source-trainconfiguration)的沉積設(shè)備與具有線性移動的并且可旋轉(zhuǎn)的蒸發(fā)源的沉積設(shè)備；

圖17示出更進(jìn)一步的制造系統(tǒng)，其中組合了具有環(huán)形軌道和/或源列配置的沉積設(shè)備與具有線性移動的并且可旋轉(zhuǎn)的蒸發(fā)源的沉積設(shè)備；以及

圖18示出描繪根據(jù)本文所述的實(shí)施例的制造系統(tǒng)的操作方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的各種實(shí)施例，這些實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)示例在附圖中描繪。在以下對于附圖的描述中，相同的參考數(shù)字用來指示相同的部件?？傮w上，僅描述相對于單獨(dú)實(shí)施例的區(qū)別。每個(gè)示例通過解釋本發(fā)明的方式來提供并且不意味著作為本發(fā)明的限制。另外，描繪或描述為一個(gè)實(shí)施例的部分的特征可被用在其他實(shí)施例上或與其他實(shí)施例結(jié)合使用以產(chǎn)生又進(jìn)一步的實(shí)施例。本描述意在包含這樣的修改和變型。

圖1a至1d示出位于真空腔室110中的各個(gè)位置處的蒸發(fā)源100。不同位置之間的運(yùn)動由箭頭101b、101c和101d所指示。根據(jù)本文所述的實(shí)施例，蒸發(fā)源配置成用于平移運(yùn)動和繞軸旋轉(zhuǎn)。圖1a至1d示出具有蒸發(fā)坩鍋104和分布管106的蒸發(fā)源100。分布管106由支撐件102來支撐。另外，根據(jù)一些實(shí)施例，蒸發(fā)坩鍋104也可由支撐件102來支撐。兩個(gè)基板121被提供在真空腔室110中。典型地，用于對基板上的層沉積的進(jìn)行掩模的掩模132可被提供在基板與蒸發(fā)源100之間。如圖1a至1d圖所示，有機(jī)材料從分布管106蒸發(fā)。這由參考數(shù)字10來指示。

在圖1a中，蒸發(fā)源100示出為在第一位置。如圖1b所示，通過如箭頭101b所指示的蒸發(fā)源的平移運(yùn)動，真空腔室110中的左基板被沉積有機(jī)材料層。當(dāng)左基板121被沉積了此有機(jī)材料層時(shí)，可交換第二基板，例如圖1a至1d中的右手側(cè)上的基板。圖1b示出用于基板的傳送軌道124。在左基板121已被沉積有機(jī)材料層之后，如圖1c中的箭頭101c所指示旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)源的分布管106。當(dāng)在第一基板(圖1b中左手側(cè)上的基板)上沉積有機(jī)材料期間，已相對于掩模132定位并對準(zhǔn)第二基板。因此，在圖1c中示出的旋轉(zhuǎn)之后，右手側(cè)上的基板(即第二基板121)可如箭頭101d所指示般被涂覆有機(jī)材料層。當(dāng)?shù)诙?21被涂覆有機(jī)材料時(shí)，第一基板可被移出真空腔室110。圖1d示出在第一基板的位置(圖1d中的左手側(cè))處的傳送軌道124。

根據(jù)本文所述的實(shí)施例，基板在基本上豎直的位置中被涂覆有機(jī)材料。也就是說，在圖1a至1d中示出的視圖是包含蒸發(fā)源100的設(shè)備的俯視圖。典型地，分布管是蒸氣分布噴頭，特別是線性蒸氣分布噴頭。由此，分布管提供基本上豎直地延伸的線源(linesource)。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的本文所述的實(shí)施例，尤其在提到基板取向時(shí)，基本上豎直要理解成允許與豎直方向偏差10°或更小。因?yàn)榫哂信c豎直取向的某個(gè)偏差的基板支撐件可帶來更穩(wěn)定的基板位置，所以可提供此偏差。而且，在有機(jī)材料的沉積期間的基板取向被視為基本上豎直的，這被視為與水平的基板取向不同。由此通過在對應(yīng)于一個(gè)基板維度的一個(gè)方向上延伸的線源以及沿著對應(yīng)于另一基板維度的另一方向的平移運(yùn)動來涂覆基板的表面。

如圖1c所示，分布管106的旋轉(zhuǎn)(即從第一基板121至第二基板121的旋轉(zhuǎn))可以是180°。當(dāng)已如圖1d所示對第二基板沉積之后，分布管106可被往回旋轉(zhuǎn)180°或者可以在如圖1c中所指示的相同方向上旋轉(zhuǎn)。由此，基板總共旋轉(zhuǎn)360°。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的本文所述的實(shí)施例，例如，在由參考數(shù)字10所指示的蒸發(fā)線圈(evaporationcoil)未被提供成垂直于基板121的表面情況下，分布管106最少旋轉(zhuǎn)160°。然而，基板典型地旋轉(zhuǎn)180°或至少360°。

根據(jù)本文所述的實(shí)施例，線源(例如線性蒸氣分布噴頭)的平移運(yùn)動和線源(例如線性蒸氣分布噴頭)的旋轉(zhuǎn)的結(jié)合允許oled顯示器制造的高蒸發(fā)源效率和高材料利用率，其中期望對基板的高精確度的掩模。由于基板和掩?？杀３朱o止，源的平移運(yùn)動允許高掩模精確度。旋轉(zhuǎn)運(yùn)動允許當(dāng)另一基板被涂覆有機(jī)材料時(shí)對一個(gè)基板的交換。這顯著地改善了材料利用率，因?yàn)轱@著地減小了空閑時(shí)間(即蒸發(fā)源蒸發(fā)有機(jī)材料而不涂覆基板期間的時(shí)間)。

本文所述的實(shí)施例尤其涉及例如用于oled顯示器制造的并且在大面積基板上的有機(jī)材料的沉積。根據(jù)一些實(shí)施例，大面積基板或支撐一個(gè)或多個(gè)基板的載具(即大面積載具)可具有至少0.174平方米的尺寸。典型地，載具的尺寸可以是約1.4平方米至約8平方米，更典型地約2平方米至約9平方米，或甚至達(dá)到12平方米。典型地，針對其提供了根據(jù)本文描述的實(shí)施例的固持布置、設(shè)備和方法的矩形區(qū)域(基板被支撐在此矩形區(qū)域中)是具有本文描述的大面積基板的載具。例如，對應(yīng)于單一個(gè)大面積基板的區(qū)域的大面積載具可以是對應(yīng)于約1.4平方米基板(1.1米×1.3米)的第5代、對應(yīng)于約4.29平方米基板(1.95米×2.2米)的第7.5代、對應(yīng)于約5.7平方米基板(2.2米×2.5米)的第8.5代、或甚至對應(yīng)于約8.7平方米基板(2.85米×3.05米)的第10代?？梢灶愃频貙?shí)現(xiàn)諸如第11代和第12代之類的甚至更高的世代以及對應(yīng)的基板面積。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的典型實(shí)施例，基板厚度可以從0.1至1.8毫米，并且固持布置(特別是固持裝置)可適用于這樣的基板厚度。然而，具體地，基板厚度可以為約0.9毫米或更小，諸如0.5毫米或0.3毫米，且固持布置(特別是固持裝置)適用于這樣的基板厚度。典型地，基板可由適合于材料沉積的任何材料制造而成。例如，基板可由從下列各項(xiàng)構(gòu)成的群組中選擇的材料制造而成：玻璃(例如鈉鈣玻璃(soda-limeglass)、硼硅玻璃(borosilicateglass)等等)、金屬、聚合物、陶瓷、化合物材料、碳纖維材料、或可由沉積工藝涂覆的任何其他材料或材料的組合。

為了實(shí)現(xiàn)良好的可靠性和良率(yieldrate)，本文所述的實(shí)施例在有機(jī)材料的沉積期間保持掩模和基板靜止。提供用于大面積基板的均勻涂覆的可移動線性源。與在每次沉積之后需要交換基板的操作(包含掩模和基板相對于彼此的新對準(zhǔn)步驟)相比，減少了空閑時(shí)間。在空閑時(shí)間期間，源在浪費(fèi)材料。因此，使第二基板位于沉積位置并相對于掩模容易地對準(zhǔn)減少空閑時(shí)間并增加材料利用率。

圖2描繪用于在真空腔室110中沉積有機(jī)材料的沉積設(shè)備200的實(shí)施例。蒸發(fā)源100被提供在真空腔室110中的軌道或線性引導(dǎo)件220上。線性引導(dǎo)件220配置成用于蒸發(fā)源100的平移運(yùn)動。從而，根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的不同實(shí)施例，可在蒸發(fā)源100中、軌道或線性引導(dǎo)件220處、在真空腔室110內(nèi)或上述位置的組合中提供用于平移運(yùn)動的驅(qū)動器(drive)。圖2示出閥205，例如閘閥(gatevalve)。閥205允許對相鄰真空腔室(未在圖2中示出)的真空密封。閥可被開啟以用于將基板121或掩模132傳送至真空腔室110中或傳送出真空腔室110。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，鄰近真空腔室110提供進(jìn)一步的真空腔室，諸如維護(hù)真空腔室210處。進(jìn)而利用閥207將真空腔室110和維護(hù)真空腔室210連接。閥207配置成用于開啟和關(guān)閉真空腔室110和維護(hù)真空腔室210之間的真空密封。當(dāng)閥207在開啟狀態(tài)時(shí)，蒸發(fā)源100可被移送至維護(hù)真空腔室210。之后，閥可被關(guān)閉以提供真空腔室110和維護(hù)真空腔室210之間的真空密封。如果閥207被關(guān)閉，那么維護(hù)真空腔室210可破真空(vent)并且開啟，以便在不破壞真空腔室110中的真空的情況下維護(hù)蒸發(fā)源100。

兩個(gè)基板121被支撐在真空腔室110內(nèi)的相應(yīng)傳送軌道上。另外，提供用于提供掩模132于其上的兩個(gè)軌道。從而，可由相應(yīng)的掩模132對基板121的涂層掩模。根據(jù)典型的實(shí)施例，掩模132(即對應(yīng)于第一基板121的第一掩模132和對應(yīng)于第二基板121的第二掩模132)被提供在掩?？?31中以將掩模132固持在預(yù)定位置。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，基板121可由基板支撐件126來支撐，基板支撐件126連接至對準(zhǔn)單元112。對準(zhǔn)單元112可調(diào)整基板121相對于掩模132的位置。圖2描繪基板支撐件126連接至對準(zhǔn)單元112的實(shí)施例。因此，相對于掩模132移動基板以在有機(jī)材料的沉積期間提供基板和掩模之間的正確對準(zhǔn)。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的進(jìn)一步實(shí)施例，替代性地或者附加地，掩模132和/或固持掩模132的掩模框131可連接至對準(zhǔn)單元112。由此，可相對于基板121定位掩模，或者掩模132和基板121兩者皆可相對于彼此定位。配置成用于相對于彼此地調(diào)整基板121和掩模132之間的相對位置的對準(zhǔn)單元112，允許在沉積工藝期間正確地對準(zhǔn)掩模，這對于高質(zhì)量或者led顯示器制造是有益的。

掩模和基板相對于彼此的對準(zhǔn)的示例包含對準(zhǔn)單元，對準(zhǔn)單元允許在定義平面的至少兩個(gè)方向上的相對對準(zhǔn)，該平面基本上平行于基板的平面和掩模的平面。例如，可至少在x方向和y方向(即，定義上述平行平面的兩個(gè)笛卡爾方向(cartesiandirection))上進(jìn)行對準(zhǔn)。典型地，掩模和基板可基本上平行于彼此。特別地，對可進(jìn)一步在基本上垂直于基板的平面和掩模的平面的方向上進(jìn)行對準(zhǔn)。如此，對準(zhǔn)單元配置成至少用于掩模和基板相對于彼此的x-y對準(zhǔn)，特別地，用于x-y-z對準(zhǔn)?？膳c本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一個(gè)特定示例是可在x方向、y方向和z方向中將基板與掩模對準(zhǔn)，可在真空腔室110中保持掩模靜止。

如圖2所示，線性引導(dǎo)件220提供蒸發(fā)源100的平移運(yùn)動的方向。在蒸發(fā)源100的兩側(cè)上提供掩模132。掩模132進(jìn)而可以基本上平行于平移運(yùn)動的方向而延伸。另外，在蒸發(fā)源100的相對側(cè)的基板121也可以基本上平行于平移運(yùn)動的方向而延伸。根據(jù)典型的實(shí)施例，可通過閥205將基板121移動至真空腔室110中以及移出真空腔室110。從而，沉積設(shè)備200可包含用于基板121的每一個(gè)的傳送的相應(yīng)傳送軌道。例如，傳送軌道可以平行于圖2所示的基板位置而延伸，并進(jìn)入至真空腔室110中以及離開真空腔室110。

典型地，提供進(jìn)一步的軌道用于支撐掩?？?31并且由此支撐掩模132。因此，可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例可在真空腔室110內(nèi)包含四個(gè)軌道。為了將掩模132中的一者移出腔室(例如為了掩模的清洗)，可將掩模框131并進(jìn)而可將掩模移動至基板121的傳送軌道上。隨后，相應(yīng)的掩?？蚩稍谟糜诨宓膫魉蛙壍郎想x開或進(jìn)入真空腔室110。即使有可能為掩?？?31提供進(jìn)出真空腔室110的單獨(dú)傳送軌道，但如果僅兩個(gè)軌道(即用于基板的傳送軌道)延伸進(jìn)出真空腔室110，并且此外可通過適當(dāng)?shù)闹聞悠骰驒C(jī)器人將掩?？?31移動至用于基板的傳送軌道中的相應(yīng)一個(gè)，則可減小沉積設(shè)備200的擁有成本。

圖2描繪蒸發(fā)源100的另一示例性實(shí)施例。蒸發(fā)源100包含支撐件102。支撐件102配置成沿著線性引導(dǎo)件220平移運(yùn)動。支撐件102支撐蒸發(fā)坩鍋104和提供在蒸發(fā)坩鍋104上方的分布管106。從而，在蒸發(fā)坩鍋中產(chǎn)生的蒸氣可向上移動并從分布管的一個(gè)或多個(gè)出口離開。根據(jù)本文所述的實(shí)施例，分布管106也可被視為蒸氣分布噴頭，例如線性蒸氣分布噴頭。

該一個(gè)或多個(gè)出口可以是一個(gè)或多個(gè)開口或一個(gè)或多個(gè)噴嘴，它們例如可提供在噴頭或另一蒸氣分布系統(tǒng)中。蒸發(fā)源可包含蒸氣分布噴頭，例如具有多個(gè)噴嘴或開口的線性蒸氣分布噴頭。在本文中，噴頭可被理解成包含具有開口的外罩，如此使得噴頭內(nèi)的壓力比噴頭外部要高，例如高至少一個(gè)數(shù)量級。

圖2還描繪具有至少一個(gè)防護(hù)罩202的防護(hù)罩組件。典型地，如圖2所示，實(shí)施例可包含兩個(gè)防護(hù)罩202，例如側(cè)面防護(hù)罩。由此，有機(jī)材料的蒸發(fā)可被限定在朝向基板的方向上?？杀苊饣騼H在空閑模式中使用相對于分布管的側(cè)向(即在例如垂直于正常蒸發(fā)方向的方向)上的蒸發(fā)?？紤]到與切斷有機(jī)材料的蒸氣束相比，阻擋有機(jī)材料的蒸氣束可更容易的事實(shí)，也可朝著側(cè)面防護(hù)罩202中的一者旋轉(zhuǎn)分布管106，以在不期望蒸氣發(fā)射的操作模式期間避免蒸氣離開蒸發(fā)源100。

根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施例結(jié)合的本文所述的實(shí)施例，可通過蒸發(fā)器控制外殼(controlhousing)的旋轉(zhuǎn)來提供分布管的旋轉(zhuǎn)，至少分布管安裝在該蒸發(fā)器控制外殼上。典型地，蒸發(fā)坩鍋也安裝在蒸發(fā)器控制外殼上。因此，蒸發(fā)源至少包含要被可旋轉(zhuǎn)地安裝的分布管，特別地，包含兩者(即一起)將被可旋轉(zhuǎn)地安裝的分布管和蒸發(fā)坩鍋，更特別地，包含要一起被可旋轉(zhuǎn)地安裝的控制外殼、分布管和蒸發(fā)坩鍋。典型地，一個(gè)或多個(gè)側(cè)面防護(hù)罩可被固定地安裝，以使得它們不隨分布管一起旋轉(zhuǎn)。根據(jù)典型的示例，如圖2和3所示，可提供側(cè)面防護(hù)罩，使得蒸氣出口開口被提供在蒸發(fā)源的兩側(cè)上，其中該兩側(cè)分別面對兩個(gè)基板中的一個(gè)。因此，固定的側(cè)面防護(hù)罩相對于分布管繞著軸的旋轉(zhuǎn)是靜止的。然而，側(cè)面防護(hù)罩跟隨平移運(yùn)動，并相對于此平移運(yùn)動是可移動的。

圖3描繪可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的更進(jìn)一步的修改。由此，為了易于引用，將省略參照圖2描述的細(xì)節(jié)、方面和特征。與圖2相比，圖3所示的蒸發(fā)源100包含三個(gè)蒸發(fā)坩鍋104和三個(gè)分布管106。為了以有機(jī)材料層涂覆基板，可蒸發(fā)一種有機(jī)材料或者可蒸發(fā)兩種或更多種有機(jī)材料以沉積一層有機(jī)材料。從而，這兩種或更多種有機(jī)材料在蒸氣狀態(tài)中和/或在基板的表面上混和并形成一層有機(jī)材料。有鑒于此，根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，兩個(gè)或更多個(gè)蒸發(fā)坩鍋104和兩個(gè)或更多個(gè)分布管106可由支撐件102來支撐。如上所述，分布管可提供線源(例如作為線性分布噴頭)，此外，支撐件102沿著線性引導(dǎo)件220移動以在基板121上沉積有機(jī)材料。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的更進(jìn)一步的實(shí)施例，可通過線性引導(dǎo)件220的延長部分提供蒸發(fā)源100在維護(hù)真空腔室210中的移送。從而，進(jìn)一步的線性引導(dǎo)件320被提供在維護(hù)真空腔室210中。又更進(jìn)一步地，第二蒸發(fā)源100可被提供在維護(hù)真空腔室210中的等待位置中。圖3示出位于維護(hù)真空腔室的左側(cè)上的等待位置中的進(jìn)一步的蒸發(fā)源100。根據(jù)操作沉積設(shè)備200的一些實(shí)施例，例如當(dāng)期望維護(hù)時(shí)，真空腔室110中示出的蒸發(fā)源100可被移動至維護(hù)真空腔室210中。為了此移動，可開啟閥207?？蓪⒋诉M(jìn)一步的蒸發(fā)源100移動到真空腔室中，該進(jìn)一步的蒸發(fā)源在圖3中示出在等待位置中并處于準(zhǔn)備好要操作的狀態(tài)。隨后，可關(guān)閉閥207，并且維護(hù)真空腔室210可以被破真空并開啟以維護(hù)剛被移動至維護(hù)真空腔室中的等待位置中的第一蒸發(fā)源100。由此，蒸發(fā)源的快速交換是可能的。沉積設(shè)備200由此具有減少的停機(jī)時(shí)間，停機(jī)時(shí)間產(chǎn)生如先前所知的沉積設(shè)備的擁有成本的顯著部分。

另外，本文所述的實(shí)施例允許穩(wěn)定的蒸發(fā)速率，例如在一星期或更長的時(shí)間尺度上約±5％或更小的蒸發(fā)速率。這特別可由改良的維護(hù)條件來提供。不過，又進(jìn)一步根據(jù)操作有機(jī)材料的方法，在不破壞真空的情況下并且甚至在不停止沉積設(shè)備的蒸發(fā)的情況下可進(jìn)行蒸發(fā)坩鍋中的有機(jī)材料的重新填充。一個(gè)蒸發(fā)源的維護(hù)和重新填充可獨(dú)立于另一個(gè)源的操作來進(jìn)行。這改善了擁有成本(costofownership，coo)，由于源維護(hù)和它的重新填充是許多其他oled制造系統(tǒng)中的瓶頸。換而言之，通過在例行維護(hù)期間或在掩模交換期間不需要破真空基板搬運(yùn)腔室或沉積腔室而達(dá)成的高的系統(tǒng)正常工作時(shí)間(uptime)可顯著地改善擁有成本coo。如上所述，此改善的一個(gè)原因是維護(hù)真空腔室和/或與本文所述的維護(hù)真空腔室相關(guān)的其他部件，其中提供了對可排空的單獨(dú)腔室(即，維護(hù)真空腔室或另一源存儲腔室)中的一個(gè)或多個(gè)蒸發(fā)源的維護(hù)和預(yù)調(diào)節(jié)。

圖4a和4b示出用于沉積有機(jī)材料的沉積設(shè)備200的示意性剖面?zhèn)纫晥D。由此，圖4a示出其中真空腔室110中的左基板121被涂覆有機(jī)材料的操作條件。圖4b示出其中在已旋轉(zhuǎn)分布管106(可在圖4a和4b中看到的兩個(gè)分布管)之后，真空腔室110中的右基板121被涂覆有機(jī)材料的操作條件。

圖4a和4b示出用于第一基板121的第一傳送軌道和用于第二基板121的第二傳送軌道。第一輥組件被示出在真空腔室110的一側(cè)，且第二輥組件被示出在真空腔室的另一側(cè)。在圖4a和4b中，示出第一輥組件和第二輥組件的相應(yīng)輥424。輥可繞著軸425旋轉(zhuǎn)并由驅(qū)動器系統(tǒng)驅(qū)動。典型地，多個(gè)輥由一個(gè)電機(jī)來旋轉(zhuǎn)。基板121支撐在載具421中。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，載具421具有在其下側(cè)的桿，該桿可與輥嚙合(engage)。因此，根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的典型實(shí)施例，提供用于第一基板的第一傳送軌道和用于一第二基板的第二傳送軌道。例如由相應(yīng)的輥組件提供兩個(gè)進(jìn)一步的軌道。圖4a和4b示出真空腔室110的兩側(cè)上的一個(gè)輥403。該進(jìn)一步的軌道配置成用于支撐掩模132，掩模132可被支撐在掩?？?31中。根據(jù)示例性實(shí)施例，掩?？?31可在其下側(cè)具有桿431以與相應(yīng)的輥組件的輥403嚙合。

根據(jù)一些可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的實(shí)施例，適用于在處理系統(tǒng)中使用的載具包含電極組件和支撐基座。電極組件配置成產(chǎn)生靜電夾持力以將基板固定至基板載具。根據(jù)又進(jìn)一步的附加或替代性的修改，支撐基座具有形成在其中的加熱儲存庫/冷卻儲存庫。電極組件和支撐基座形成配置成用于在處理系統(tǒng)內(nèi)的傳送的單一主體。載具可以是可連接的以在處理系統(tǒng)中供應(yīng)介質(zhì)?？焖贁嚅_器(quickdisconnect)可耦接至所述主體并配置成在主體從熱調(diào)節(jié)介質(zhì)的源去耦時(shí)來捕捉加熱儲存庫/冷卻儲存庫中的熱調(diào)節(jié)媒介?？神罱涌焖贁嚅_器以施加夾持電荷。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，致動器或機(jī)器人被提供在真空腔室110中以將掩模框131從輥403移動至輥424。由此，在提供傳送軌道的輥組件上提供掩?？虿⒂纱颂峁┭谀！Ｒ虼?，可沿著由用于基板的輥組件所提供的傳送軌道將掩?？?31移動至真空腔室110中以及移出真空腔室。

在圖4a中，左手側(cè)上的基板121被涂覆有機(jī)材料。這由參考數(shù)字10指示，描繪了從分布管106中的多個(gè)出口開口或噴嘴中被引導(dǎo)的有機(jī)材料的蒸氣。在圖4a中以虛線示出真空腔室110右手側(cè)上的基板和載具。虛線指示基板正在傳送至真空腔室110中或離開真空腔室110，或者指示基板和掩模132目前相對于彼此對準(zhǔn)。典型地，有機(jī)材料在左手側(cè)上的基板上的沉積完成之前，完成待涂覆有機(jī)材料的基板的傳送和掩模對準(zhǔn)。由此，蒸發(fā)源100可立即從左手側(cè)上的基板的沉積位置旋轉(zhuǎn)至右手側(cè)上的基板的沉積位置，這在圖4b中示出。

蒸發(fā)源100包含致動器108，例如扭矩電機(jī)、電轉(zhuǎn)子或氣動轉(zhuǎn)子。致動器108可經(jīng)由真空旋轉(zhuǎn)饋通件(feed-through)109(例如鐵磁流體饋通件)提供扭矩。致動器108配置成繞著基本上豎直的軸至少旋轉(zhuǎn)分布管106。蒸發(fā)源包含支撐件102，支撐件102例如可容納致動器108和饋通件109。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，蒸發(fā)源100還包含蒸發(fā)器控制外殼402。蒸發(fā)器控制外殼402可以是大氣壓盒(atmosphericbox)，即一種配置成即使在將真空腔室110抽真空至技術(shù)真空時(shí)也在其中維持大氣壓的盒。例如，可在蒸發(fā)器控制外殼402中提供選自由下列各項(xiàng)構(gòu)成的組的至少一個(gè)元件：開關(guān)、閥、控制器、冷卻單元以及冷卻控制單元。支撐件102還支撐蒸發(fā)坩鍋104和分布管106。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，以與線性引導(dǎo)件433嚙合的方式提供支撐件102?？赏ㄟ^在線性引導(dǎo)件433內(nèi)移動支撐件102或?qū)⒅渭?02移動到線性引導(dǎo)件433上來提供蒸發(fā)源的平移運(yùn)動。由此，致動器、驅(qū)動器、電機(jī)、驅(qū)動帶和/或驅(qū)動鏈可被提供在線性引導(dǎo)件中或支撐件102中。根據(jù)又進(jìn)一步的替代方案，致動器、驅(qū)動器、電機(jī)、驅(qū)動帶和/或驅(qū)動鏈的相應(yīng)部分可被提供在線性引導(dǎo)件和支撐件兩者中。

在已將分布管已從真空腔室110中左手側(cè)上的基板121被涂覆的涂覆位置(見圖1a)旋轉(zhuǎn)至真空腔室110中右手側(cè)上的基板121被涂覆有機(jī)材料的位置(見圖4b)之后，通過沿著線性引導(dǎo)件433的平移運(yùn)動來移動蒸發(fā)源100以用于沉積真空腔室110中右手側(cè)上的基板121。如圖4b中左手側(cè)上的虛線所指示，先前被涂覆有機(jī)材料的第一基板現(xiàn)在被移出真空腔室110。新的基板被提供在真空腔室110中左手側(cè)上的處理區(qū)域中，且掩模132和基板121相對于彼此對準(zhǔn)。因此，在右手側(cè)上的基板121已被涂覆有機(jī)材料層之后，分布管106可由致動器108來旋轉(zhuǎn)以再次在左手側(cè)上的新基板121上沉積有機(jī)材料。

如上所述，本文所述的實(shí)施例包含提供線源的至少一個(gè)氣體分布管沿著基板121的一個(gè)維度的平移運(yùn)動以及該至少一個(gè)分布管從第一處理區(qū)域至第二處理區(qū)域的旋轉(zhuǎn)，其中第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域中的每一個(gè)配置成具有支撐于其中的基板。例如，處理區(qū)域中的基板被支撐在載具中，該載具進(jìn)而被提供在傳送軌道和/或用于基板位置對準(zhǔn)的致動器上。典型地，形成線源的至少一個(gè)分布管106在基本上豎直的方向上延伸，即定義線源的線在基本上豎直的方向上延伸，且該至少一個(gè)分布管106的旋轉(zhuǎn)軸也在基本上豎直的方向上延伸。至少一個(gè)分布管106配置成在操作期間旋轉(zhuǎn)。例如關(guān)于圖4a和4b可見，形成線源的方向和旋轉(zhuǎn)軸的方向可以是平行的。

根據(jù)一些實(shí)施例，蒸發(fā)源可包含至例如具有滑動觸點(diǎn)(slidingcontact)的源的機(jī)械信號和/或電力傳輸。例如，對于至蒸發(fā)源的信號和/或電力傳輸，可提供線性驅(qū)動器、真空旋轉(zhuǎn)單元和/或滑動觸點(diǎn)的組合。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的更進(jìn)一步的實(shí)施例，蒸發(fā)源可包含感性(inductive)電力傳輸和/或感性信號傳輸。圖4a和4b示出在蒸發(fā)源100(例如在支撐件102)處的第一線圈布置452以及在真空腔室110中的第二線圈布置453。由此，能以感性方式將電力和/或控制信號從真空腔室110內(nèi)傳輸至蒸發(fā)源100。例如，線圈布置453可在真空腔室中延伸，使得無論平移運(yùn)動的位置如何都可提供電力和/或信號傳輸。根據(jù)不同的實(shí)施方式，可由線圈布置的組合來提供以下各項(xiàng)中的至少一者：用于蒸發(fā)坩鍋的電力(即蒸發(fā)有機(jī)材料的電力)、用于致動器108(即分布管的旋轉(zhuǎn))的電力、用于蒸發(fā)的控制的控制信號、用于分布管的旋轉(zhuǎn)的控制的控制信號以及用于平移運(yùn)動的控制信號。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的典型實(shí)施例，蒸發(fā)源包含至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋以及至少一個(gè)分布管(例如至少一個(gè)線性蒸氣分布噴頭)。然而，蒸發(fā)源可包含兩個(gè)或三個(gè)、最后甚至是四個(gè)或五個(gè)蒸發(fā)坩鍋以及對應(yīng)的分布管。由此，可在若干坩鍋中的至少兩者中蒸發(fā)不同的有機(jī)材料，如此使得不同的有機(jī)材料在基板上形成一個(gè)有機(jī)層。附加地或者替代性地，可在若干坩鍋中的至少兩者中蒸發(fā)類似的有機(jī)材料，使得可增加沉積速率。這是特別真實(shí)的，由于有機(jī)材料通常僅可在相對小的溫度范圍(例如20℃或甚至更小)中蒸發(fā)，因此不可通過增加坩鍋中的溫度來大幅增加蒸發(fā)速率。

根據(jù)本文所述的實(shí)施例，蒸發(fā)源、沉積設(shè)備、操作蒸發(fā)源和/或沉積設(shè)備的方法以及制造蒸發(fā)源和/或沉積設(shè)備的方法配置成用于豎直沉積，即在層沉積期間以基本上豎直的取向(例如豎直方向±10°)支撐基板。另外，線源、平移運(yùn)動以及蒸發(fā)方向的旋轉(zhuǎn)(特別是繞著基本上豎直(例如平行于基板取向和/或線源的線延伸的方向)的軸的旋轉(zhuǎn))的組合允許約80％或更高的高材料利用率。這與其他系統(tǒng)相比是至少30％的改進(jìn)。

位于工藝腔室(即用于在其中的層沉積的真空腔室)內(nèi)的可移動且可轉(zhuǎn)向的蒸發(fā)源允許以高材料利用率連續(xù)的或幾乎連續(xù)的涂覆。一般來說，本文所述的實(shí)施例通過使用具有180°轉(zhuǎn)向機(jī)構(gòu)的掃描源方法以交替地涂覆兩個(gè)基板來允許高的蒸發(fā)源效率(>85％)和高的材料利用率(至少50％或更高)。由此，源效率考慮了由于蒸氣束延伸超過大面積基板的尺寸以允許待涂覆基板的整體面積的均勻涂覆的事實(shí)所造成的材料損失。材料利用率附加地考慮到蒸發(fā)源的空閑時(shí)間(即其中蒸發(fā)源不能將被蒸發(fā)的材料沉積在基板上的時(shí)間)期間所造成的損失。

更進(jìn)一步地，本文所述的并關(guān)于豎直基板取向的實(shí)施例允許沉積設(shè)備、特別是包含用于在基板上涂覆若干有機(jī)材料層的若干沉積設(shè)備的沉積系統(tǒng)的小占地面積。由此，可認(rèn)為本文所述的設(shè)備配置成用于大面積基板的處理或在大面積載具中的多個(gè)基板的處理。豎直取向進(jìn)一步允許對于當(dāng)前和未來的基板尺寸世代(即目前和未來的玻璃尺寸)的良好可縮放性。

圖5a和5b示出沉積設(shè)備500的更進(jìn)一步的實(shí)施例。圖5a示出沉積設(shè)備500的示意性俯視圖。圖5b示出沉積設(shè)備500的示意性剖面?zhèn)纫晥D。沉積設(shè)備500包含真空腔室110。閥205(例如閘閥)允許對于相鄰真空腔室的真空密封。閥可被打開以將基板121或掩模132傳送至真空腔室110中或傳送出真空腔室110。兩個(gè)或更多個(gè)蒸發(fā)源100被提供在真空腔室110中。圖5a中所示的示例示出七個(gè)蒸發(fā)源。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的典型實(shí)施例，可有益地提供兩個(gè)蒸發(fā)源、三個(gè)蒸發(fā)源或四個(gè)蒸發(fā)源。與也可以根據(jù)一些實(shí)施例提供的更高數(shù)目的蒸發(fā)源相比，有限數(shù)目的蒸發(fā)源(例如二至四個(gè))的維護(hù)的后勤可能較為容易。因此，對于這樣的系統(tǒng)，擁有成本可能較佳。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例并且例如圖5a所示，可提供環(huán)形軌道530。環(huán)形軌道530可包含直線部分534和彎曲部分533。環(huán)形軌道530提供蒸發(fā)源的平移運(yùn)動和蒸發(fā)源的旋轉(zhuǎn)。如上所述，蒸發(fā)源可典型地為線源，例如線性蒸氣分布噴頭。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，環(huán)形軌道包含軌或軌布置、輥布置或磁性引導(dǎo)件，以沿著環(huán)形軌道移動一個(gè)或多個(gè)蒸發(fā)源。

基于環(huán)形軌道530，一列源可以隨著平移運(yùn)動沿著基板121移動，該基板121典型地由掩模132來掩模。環(huán)形軌道530的彎曲部分533提供蒸發(fā)源100的旋轉(zhuǎn)。另外，彎曲部分533可提供在第二基板121前方的蒸發(fā)源的定位。環(huán)形軌道530的進(jìn)一步的直線部分534提供沿著進(jìn)一步的基板121的進(jìn)一步的平移運(yùn)動。由此，如上所述，根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，基板121和掩模132在沉積期間基本上保持靜止。沿著靜止的基板移動提供線源(例如具有基本上豎直的線取向的線源)的蒸發(fā)源。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，在真空腔室110中示出的基板121可由具有輥403和424的基板支撐件支撐，進(jìn)一步，在靜止的沉積位置由連接至對準(zhǔn)單元112的基板支撐件126支撐。對準(zhǔn)單元112可相對于掩模132調(diào)整基板121的位置。因此，可相對于掩模132移動基板以在有機(jī)材料的沉積期間提供基板和掩模之間的正確對準(zhǔn)。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的進(jìn)一步的實(shí)施例，替代性地或另外，掩模132和/或固持掩模132的掩模框131可被連接至對準(zhǔn)單元112。從而，可相對于基板121定位掩模，或者掩模132和基板121兩者可相對于彼此而定位。

在圖5a和5b中示出的實(shí)施例示出提供在真空腔室110中的兩個(gè)基板121。然而，特別是對于在真空腔室中包含一列蒸發(fā)源100的實(shí)施例，可提供至少三個(gè)基板或至少四個(gè)基板。從而，甚至對于具有較大數(shù)量的蒸發(fā)源因而具有較高產(chǎn)量的沉積設(shè)備500，可提供用于基板的交換(即將新的基板傳送至真空腔室中并將已處理的基板傳送出真空腔室)的足夠的時(shí)間。

圖5a和5b示出用于第一基板121的第一傳送軌道和用于第二基板121的第二傳送軌道。第一輥組件示出在真空腔室110的一側(cè)。第一輥組件包含輥424。另外，傳送系統(tǒng)包含磁性引導(dǎo)元件524。類似地，具有輥和磁性引導(dǎo)元件的第二傳送系統(tǒng)被提供在真空腔室的相反側(cè)上?？衫缦駞⒄請D4和4b所述那樣操作傳送系統(tǒng)。載具421的上部由磁性引導(dǎo)元件524引導(dǎo)。類似地，根據(jù)一些實(shí)施例，掩?？?31可由輥403和磁性引導(dǎo)元件503支撐。

圖5b示例性地示出分別提供在環(huán)形軌道530的相應(yīng)直線部分534上的兩個(gè)支撐件102。蒸發(fā)坩鍋104和分布管106由相應(yīng)的支撐件102支撐。由此，圖5b描繪由支撐件102支撐的兩個(gè)分布管106。支撐件102示出為被引導(dǎo)在環(huán)形軌道的直線部分534上。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，可提供致動器、驅(qū)動器、電機(jī)、驅(qū)動帶和/或驅(qū)動鏈以沿著環(huán)形軌道(即沿著環(huán)形軌道的直線部分534并沿著環(huán)形軌道的彎曲部分533(見圖5a))移動支撐件102。

圖6示出沉積系統(tǒng)600的實(shí)施例，所述沉積系統(tǒng)600具有第一沉積設(shè)備200和第二沉積設(shè)備200。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的本文所述的實(shí)施例，提供一個(gè)或多個(gè)傳遞腔室。圖6示例性地示出第一傳遞腔室610和第二傳遞腔室611。另外，示出部分的傳遞腔室609和612。如圖6所示，閘閥605被提供在傳遞腔室610和傳遞腔室609之間。閘閥605可關(guān)閉或開啟以提供傳遞腔室610和傳遞腔室609之間的真空密封。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，一個(gè)或多個(gè)閘閥可被提供在兩個(gè)相鄰的傳遞腔室之間。閘閥605的存在取決于沉積系統(tǒng)600的應(yīng)用，即取決于沉積在基板上的有機(jī)材料的層的種類、數(shù)目和/或順序。因此，一個(gè)或多個(gè)閘閥605可被提供在傳遞腔室之間。替代性地，沒有閘閥被提供在任何傳遞腔室之間。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，傳遞腔室中的一者或多者可被提供為真空旋轉(zhuǎn)腔室。在其中，可繞著中央軸(例如豎直的中央軸)旋轉(zhuǎn)基板121。從而，傳送軌道621的取向可變化。如在傳遞腔室611中所示，旋轉(zhuǎn)二個(gè)基板121。相對于從沉積設(shè)備200的傳送軌道621延伸的二個(gè)傳送軌道621旋轉(zhuǎn)基板121位于的二個(gè)傳送軌道621r。由此，傳送軌道621r上的兩個(gè)基板121分別被提供在待移送至相鄰傳遞腔室610或612的位置。

第一沉積設(shè)備200通過閥205連接至第一傳遞腔室610。如圖6所示并根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，傳送軌道621從真空腔室110延伸至傳遞腔室610中。由此，基板121的一者或多者可從真空腔室110移送至傳遞腔室610。從而，典型地開啟閥205以傳送一個(gè)或多個(gè)基板。進(jìn)一步的沉積設(shè)備200通過進(jìn)一步的閥205連接至第二傳遞腔室611。因此，基板可從一沉積設(shè)備被移送至傳遞腔室、從該傳遞腔室被移送至另一傳遞腔室、以及從該另一傳遞腔室被移送至另一沉積設(shè)備。由此，可在不將基板暴露于大氣和非真空條件和/或不期望的環(huán)境的情況下將若干有機(jī)材料層沉積在基板上。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的典型實(shí)施例，傳遞腔室是真空傳遞腔室，所述真空移動腔室例如配置成用于在真空條件和/或期望的環(huán)境下移送一個(gè)或多個(gè)基板。

圖6所示的沉積設(shè)備200可與參照圖3所描述的沉積設(shè)備相似或類似。為圖6中示例性示出的沉積系統(tǒng)600提供針對本文的位置設(shè)備所述的方面、細(xì)節(jié)和特征。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，蒸發(fā)源100’可被提供在沉積設(shè)備200中。蒸發(fā)源100’包含四個(gè)分布管，配置成在基板121上引導(dǎo)有機(jī)材料。由此，可以在四個(gè)坩鍋中的至少兩個(gè)中蒸發(fā)不同的有機(jī)材料，使得不同的有機(jī)材料在基板上形成一個(gè)有機(jī)層。附加地或者替代性地，可以在四個(gè)坩鍋中的至少二個(gè)中蒸發(fā)類似的有機(jī)材料，使得可增加沉積速率。通過在圖6中示出的四個(gè)分布管的相應(yīng)的一個(gè)分布管朝向基板121引導(dǎo)在四個(gè)蒸發(fā)坩鍋中蒸發(fā)的相應(yīng)材料。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的更進(jìn)一步實(shí)施例，根據(jù)一些實(shí)施例可省略例如圖2和圖3所示的側(cè)面防護(hù)罩。這示例性地針對蒸發(fā)源100’示出。

如上所述，根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，可沿第一方向?qū)⒒?21移出真空腔室110。由此，沿著基本上直線的路徑將基板121移動至相鄰的真空腔室(例如傳遞腔室)中。在傳遞腔室中，可旋轉(zhuǎn)基板以使得可沿著第二方向上的第二直線路徑移動基板，所述第二方向不同于所述第一方向。根據(jù)典型的實(shí)施例，第二方向基本上垂直于第一方向。這允許容易的沉積系統(tǒng)設(shè)計(jì)。為了基板在真空腔室110中的裝載，可沿著第二方向在傳遞腔室中移動基板并且可在傳遞腔室中旋轉(zhuǎn)該基板。之后，可沿著不同于第二方向的第一方向?qū)⒒逡苿又琳婵涨皇?10中。

圖7a至7c示出可根據(jù)本文所述的實(shí)施例利用的蒸發(fā)源的多個(gè)部分。蒸發(fā)源可包含分布管106和蒸發(fā)坩鍋104，如圖7a所示。由此，例如，該分布管可以是具有加熱單元715的細(xì)長立方體。蒸發(fā)坩鍋可以是用于將利用加熱單元725蒸發(fā)的有機(jī)材料的儲存庫。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的典型實(shí)施例，分布管106提供線源。例如，沿著至少一條線布置多個(gè)開口和/或噴嘴。根據(jù)替代的實(shí)施例，可提供沿著該至少一條線延伸的一個(gè)細(xì)長開口。例如，細(xì)長開口可以是狹縫。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，所述線基本上豎直地延伸。例如，分布管106的長度至少對應(yīng)于要在沉積設(shè)備中沉積的基板的高度。在許多情況中，分布管106的長度將比待沉積的基板的高度更長，至少長10％或甚至20％。由此，可提供在基板的上端和/或基板的下端處的均勻沉積。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，分布管的長度可以是1.3米或更長，例如2.5米或更長。根據(jù)一種配置，如圖7a所示，蒸發(fā)坩鍋104被提供在分布管106的下端。在蒸發(fā)坩鍋104中蒸發(fā)有機(jī)材料。有機(jī)材料的蒸氣在分布管的底部進(jìn)入分布管106并且基本上側(cè)向地被引導(dǎo)通過分布管中的多個(gè)開口，例如朝向基本上豎直的基板。出于說明性目的，蒸發(fā)坩鍋104和分布管106在圖7a中示出沒有熱防護(hù)罩。由此，可在圖7a所示的示意性透視圖中看見加熱單元715和加熱單元725。

圖7b示出蒸發(fā)源中分布管106連接至蒸發(fā)坩鍋104的部分的放大的示意圖。提供凸緣單元(flangeunit)703，配置成提供蒸發(fā)坩鍋104和分布管106之間的連接。例如，蒸發(fā)坩鍋和分布管被提供為分開的單元，所述分開的單元可在凸緣單元處被分開和連接或組裝，例如用于蒸發(fā)源的操作。

分布管106具有內(nèi)部中空空間710。提供加熱單元715以加熱分布管。因此，分布管106可被加熱至由蒸發(fā)坩鍋104所提供的有機(jī)材料的蒸氣不會在分布管106的壁的內(nèi)部冷凝的溫度。繞著分布管106的管子提供防護(hù)罩717。防護(hù)罩配置成將加熱單元715所提供的熱能往回反射到中空空間710。由此，由于防護(hù)罩717減少熱量損失，可以減少加熱分布管所需的能量(即提供至加熱單元715的能量)。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，防護(hù)罩717可包含一個(gè)熱防護(hù)層?；蛘?，二個(gè)或更多個(gè)熱防護(hù)層可被提供在熱防護(hù)罩717內(nèi)。

典型地，如圖7b所示，熱防護(hù)罩717包含在分布管106中的開口712的位置處的開口。在圖7b中示出的蒸發(fā)源的放大圖示出四個(gè)開口712。沿著基本上平行于分布管106的軸的線提供開口712。如本文所述，分布管106可被提供為線性分布噴頭，例如，具有設(shè)置在所述分布管106中的多個(gè)開口。從而，本文所理解的噴頭具有包圍空間、中空空間或管，可在所述包圍空間、中空空間或管中提供或引導(dǎo)例如來自蒸發(fā)坩鍋的材料。噴頭可具有多個(gè)開口(或細(xì)長狹縫)，使得噴頭內(nèi)的壓力比噴頭外要高。例如，噴頭內(nèi)的壓力可以比噴頭外部高至少一個(gè)數(shù)量級。

在操作期間，分布管106在凸緣單元703處連接至蒸發(fā)坩鍋104。蒸發(fā)坩鍋104配置成接收待蒸發(fā)的有機(jī)材料并蒸發(fā)有機(jī)材料。圖7b示出穿透蒸發(fā)坩鍋104的外殼的剖面。例如在蒸發(fā)坩鍋的上部提供再填充開口，所述重新填充開口可使用插塞722、蓋、遮蓋物等來封閉，以封閉蒸發(fā)坩鍋104的包圍空間。

外部加熱單元725被提供在蒸發(fā)坩鍋104的包圍空間內(nèi)。外部加熱元件可至少沿著蒸發(fā)坩鍋104的壁的一部份延伸。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，可附加地或替代性地提供一個(gè)或多個(gè)中央加熱元件726。圖7b示出兩個(gè)中央加熱元件726。中央加熱元件726可包含用于將電功率提供至中央加熱元件組件的導(dǎo)體729。根據(jù)一些實(shí)施方式，蒸發(fā)坩鍋104還可包含防護(hù)罩727。防護(hù)罩727可配置成將熱能往回反射到蒸發(fā)坩鍋104的包圍空間中，所述熱能由外部加熱單元725和中央加熱元件726(如果中央加熱元件726存在)提供。從而，可提供在蒸發(fā)坩鍋104內(nèi)的有機(jī)材料的有效加熱。

根據(jù)本文已經(jīng)描述的一些實(shí)施例，可為蒸發(fā)源提供熱防護(hù)罩(諸如防護(hù)罩717和防護(hù)罩727)。熱防護(hù)罩可減少蒸發(fā)源的能量損失。從而，可減少能量消耗。然而，作為進(jìn)一步的方面，特別是對于有機(jī)材料的沉積而言，可以減少源自蒸發(fā)源的熱輻射，特別是在沉積期間去往掩模和基板的熱輻射。特別對于有機(jī)材料在被掩模的基板上的沉積而言，更甚至對于顯示器制造而言，基板和掩模的溫度需要被精準(zhǔn)地控制。因此，可減少或避免源自蒸發(fā)源的熱輻射。因此，本文所述的一些實(shí)施例包含熱防護(hù)罩，諸如防護(hù)罩717和防護(hù)罩727。

這些防護(hù)罩可包含若干防護(hù)層以減少到蒸發(fā)源外部的熱輻射。作為進(jìn)一步的選項(xiàng)，熱防護(hù)罩可包含由流體(諸如空氣、氮?dú)?、水或其他適合的冷卻流體)主動冷卻的防護(hù)層。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的更進(jìn)一步的實(shí)施例，提供給蒸發(fā)源的一個(gè)或多個(gè)熱防護(hù)罩可包含環(huán)繞蒸發(fā)源的相應(yīng)部分(諸如分布管106和/或蒸發(fā)坩鍋104)的薄片金屬。例如，薄片金屬可具有0.1毫米至3毫米的厚度，可從選自由鐵金屬(ss)和非鐵金屬(cu、ti、al)構(gòu)成的組中的至少一個(gè)材料中選擇，和/或可相對于彼此間隔，例如0.1毫米或更大的間隙。

根據(jù)一些實(shí)施例，如參照圖7a至7b所示例性示出的，蒸發(fā)坩鍋104被提供在分布管106的下側(cè)。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的又一些實(shí)施例，可在分布管的中央部分或分布管的下端和分布管的上端之間的另一位置處將蒸氣導(dǎo)管732提供給分布管106。圖7c描繪蒸發(fā)源的示例，該蒸發(fā)源具有分布管106和提供在分布管的中央部分處的蒸氣導(dǎo)管732。有機(jī)材料的蒸氣在蒸發(fā)坩鍋104中產(chǎn)生并被引導(dǎo)通過蒸氣導(dǎo)管732而到達(dá)分布管106的中央部分。蒸氣通過多個(gè)開口712離開分布管106。分布管106由支撐件102支撐，如參照本文所述的其他實(shí)施例所述。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的更進(jìn)一步實(shí)施例，可在沿著分布管106的長度的不同位置處提供兩個(gè)或更多個(gè)蒸氣導(dǎo)管732。從而，蒸氣導(dǎo)管732可連接至一個(gè)蒸發(fā)坩鍋104或者可連接至若干蒸發(fā)坩鍋104。例如，每一個(gè)蒸氣導(dǎo)管732可具有對應(yīng)的蒸發(fā)坩鍋104?；蛘撸舭l(fā)坩鍋104可與連接至分布管106的兩個(gè)或更多個(gè)蒸氣導(dǎo)管732流體地連通。

如本文所述，分布管可以是中空的柱體。由此，可如一般所接受的那樣將術(shù)語柱體理解成具有圓形的底面形狀和圓形的頂面形狀以及連接上部圓形和小的下部圓形的彎曲表面區(qū)域或殼。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的進(jìn)一步的實(shí)施例，可進(jìn)一步在數(shù)學(xué)意義上將術(shù)語柱體理解成具有任意的底面形狀和完全相同的上部形狀以及連接上部形狀和下部形狀的彎曲表面區(qū)域或殼。因此，柱體不一定需要具有圓形的截面。相反，底表面和上表面可具有不同于圓形的形狀。

如參照圖5a和5b所述，具有一列蒸發(fā)源的實(shí)施例和/或具有用于蒸發(fā)源的平移和旋轉(zhuǎn)運(yùn)動的環(huán)形軌道的實(shí)施例可獲益于具有在真空腔室中提供的多于兩個(gè)的基板。在真空腔室110內(nèi)提供多于兩個(gè)基板的不同實(shí)施例在圖8a、8b和圖9中描繪。例如如圖8a所示，真空腔室110可包含四個(gè)位置或處理區(qū)域，在所述位置或處理區(qū)域中可處理基板121，例如在所述位置或處理區(qū)域中有機(jī)材料可被沉積在基板121上。從而，根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，可加快基板的交換以增加產(chǎn)量，特別是對于在其中提供多個(gè)蒸發(fā)源的沉積設(shè)備500而言。在圖8a中示出的沉積設(shè)備500包含兩個(gè)傳遞腔室810。傳遞腔室的每一個(gè)皆提供在鄰近真空腔室110處。例如，傳遞腔室810可經(jīng)由閥205連接至真空腔室110。如參照本文示出的其他實(shí)施例所述，可提供一個(gè)傳遞腔室，而不是圖8a中示出的兩個(gè)傳遞腔室810。

傳送軌道621被提供在傳遞腔室810中。傳送軌道621延伸至真空腔室110中。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，可由輥的布置、磁性引導(dǎo)元件的布置和/或配置成用于基板和/或具有基板的載具的基本上線性的運(yùn)動的其他傳送元件來限定傳送軌道，其中基板典型地基本上豎直地取向。如圖8a所示，可例如通過支撐載具421來提供支撐基板的基板支撐件126，所述載具421具有設(shè)置在所述載具421中的基板。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，基板121可被提供在處理位置中，處理位置自然地與傳送軌道621偏離。例如，可在基本上垂直于傳送軌道621的方向的方向上移動基板121，以將基板定位至處理位置中或定位離開處理位置。

四個(gè)基板121被提供在真空腔室110中，其中可沿基本上平行于傳送軌道621的方向的線來定位兩個(gè)基板。因此，沿著第一線定位兩個(gè)基板，沿著第二線定位兩個(gè)基板。用于移動多個(gè)蒸發(fā)源100的環(huán)形軌道530被提供在第一線和第二線之間。根據(jù)一些實(shí)施例，環(huán)形軌道可包含兩個(gè)直線部分和兩個(gè)彎曲部分。兩個(gè)直線部分可以基本上平行于第一線和/或基本上平行于基板121。例如，對于線性分布噴頭，可沿著環(huán)形軌道530的直線部分移動蒸發(fā)源100，以提供用于有機(jī)材料在基板上的位置的平移運(yùn)動。通過蒸發(fā)源沿著環(huán)形軌道的彎曲部分的運(yùn)動來旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)源100。從而，由蒸發(fā)源的分布管引導(dǎo)的有機(jī)材料的蒸氣的方向旋轉(zhuǎn)例如180°。因此，蒸發(fā)源的分布管可旋轉(zhuǎn)至少160°。

根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，例如可由掩?？?31支撐的掩模132被分別提供在由基板位置所定義的第一線與環(huán)形軌道530之間或由進(jìn)一步的基板位置所定義的第二線與環(huán)形軌道530之間。環(huán)形軌道530允許多個(gè)蒸發(fā)源100沿著基板的平移運(yùn)動，所述基板由掩模132來掩模。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，兩個(gè)或更多個(gè)蒸發(fā)源100被提供在環(huán)形軌道530上。例如，圖8a示出提供在環(huán)形軌道530上的八個(gè)蒸發(fā)源100?？梢岳靡粋€(gè)接著一個(gè)的平移運(yùn)動、跨基板傳送兩個(gè)或更多個(gè)蒸發(fā)源。從而，例如，蒸發(fā)源100中的每一個(gè)可沉積一種有機(jī)材料層。因此，若干不同的有機(jī)材料層可被沉積在提供在處理位置中的基板上。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，蒸發(fā)源100中的兩個(gè)或更多個(gè)或甚至每個(gè)蒸發(fā)源可在基板上沉積不同的有機(jī)材料層。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的更進(jìn)一步的實(shí)施例，可提供維護(hù)真空腔室210。例如，維護(hù)真空腔室210可通過閥207與真空腔室110分開。閥207配置成用于開啟和關(guān)閉真空腔室110和維護(hù)真空腔室210之間的真空密封。蒸發(fā)源100可被移送至維護(hù)真空腔室210。之后，可以關(guān)閉閥以提供真空腔室110和維護(hù)真空腔室210之間的真空密封。因此，可在不破壞真空腔室110的真空的情況下破真空和開啟維護(hù)真空腔室。

進(jìn)一步的軌道820(例如進(jìn)一步的環(huán)形軌道)被提供在維護(hù)真空腔室210中。如在圖8a中示例性地示出，該進(jìn)一步的軌道820的彎曲部分可與環(huán)形軌道530的彎曲部分重疊。這允許蒸發(fā)源100從環(huán)形軌道530到進(jìn)一步的軌道820的移送。因此，可將蒸發(fā)源從環(huán)形軌道530移動至進(jìn)一步的軌道820，反之亦然。這允許了在維護(hù)真空腔室210中移動蒸發(fā)源，以用于蒸發(fā)源的維護(hù)并允許將維護(hù)好的蒸發(fā)源從維護(hù)真空腔室210移動至真空腔室110中。維護(hù)好的蒸發(fā)源可在真空腔室110中蒸發(fā)基板上的有機(jī)材料。

即使未在圖8a中示出，用于基板和掩模相對于彼此的對準(zhǔn)的一個(gè)或多個(gè)對準(zhǔn)單元可被提供在如圖8a所示的沉積設(shè)備500中。圖8a示出其中環(huán)形軌道530被提供在由兩個(gè)基板的處理位置所定義的第一線與由兩個(gè)進(jìn)一步的基板的處理位置所定義的第二線之間的實(shí)施例。

環(huán)形軌道530的替代性布置在圖8b中示出。從而，環(huán)形軌道530環(huán)繞至少一個(gè)基板，典型地環(huán)繞沿著由基板的處理位置定義的線所布置的兩個(gè)或更多個(gè)基板?？紤]到上述內(nèi)容，根據(jù)一種選項(xiàng)(見圖8a)，至少兩個(gè)基板可被定向以使得它們相應(yīng)的表面(其上沉積有機(jī)材料的表面)是彼此面對。根據(jù)另一種選項(xiàng)(見圖8b)，真空腔室110中的基板和它們相應(yīng)的表面(其上沉積有機(jī)材料的表面)被定向在相同的方向上。雖然在圖8a和8b中示出的沉積設(shè)備500描繪了配置成容納四個(gè)基板121的真空腔室110，但是也可提供配置成容納兩個(gè)基板121的真空腔室的相應(yīng)修改。能以與參照圖8a中所示的實(shí)施例所述的方式類似的方式、在圖8b中示出的實(shí)施例中實(shí)施進(jìn)一步的細(xì)節(jié)、方面和特征(例如關(guān)于維護(hù)真空腔室210、進(jìn)一步的軌道820、傳送軌道621、傳遞腔室810等)。

根據(jù)本文所述的實(shí)施例，沉積設(shè)備包含具有兩個(gè)或更多個(gè)基板(即基板處理區(qū)域)的腔室。當(dāng)正在處理一個(gè)基板時(shí)，另一基板被移動至腔室中或移出腔室。因此，可在一個(gè)基板處理區(qū)域中處理一個(gè)基板。另外，可移出位于第二基板處理區(qū)域中的基板，且可將新的基板移動至第二基板處理區(qū)域中。

如本文所述，一個(gè)或多個(gè)蒸發(fā)源可提供為一個(gè)或多個(gè)線源，其通過平移運(yùn)動掃描靜止的基板。特別是對于具有源列(sourcetrain)和/或環(huán)形軌道的實(shí)施例而言，可為每一個(gè)有機(jī)層提供至少一個(gè)線源。例如，在制造顯示器的情況中，可為發(fā)射層、空穴傳送層、空穴注入層等提供線源。

圖9描繪沉積設(shè)備500的更進(jìn)一步的實(shí)施例。沉積設(shè)備500包含如先前本文所述的實(shí)施例描述的傳遞腔室810、閥205、維護(hù)真空腔室210以及進(jìn)一步的軌道820。雖然圖9示出的實(shí)施例包含四個(gè)傳遞腔室810，以協(xié)助更好地將基板121交換至真空腔室中以在基板上沉積有機(jī)材料，類似地，傳送軌道被提供在傳遞腔室810中。傳送軌道延伸進(jìn)入真空旋轉(zhuǎn)隔室910中，以將基板移送至真空旋轉(zhuǎn)隔室中以及將基板移送出真空旋轉(zhuǎn)隔室。圖9示出四個(gè)真空旋轉(zhuǎn)隔室910連接至真空腔室110的示例。環(huán)形軌道530被提供在真空腔室110中。多個(gè)蒸發(fā)源100由環(huán)形軌道530支撐，因此可進(jìn)行沿著環(huán)形軌道的直線部分的平移運(yùn)動以及沿著環(huán)形軌道的彎曲部分的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動。

真空旋轉(zhuǎn)隔室910連接至真空腔室110，使得包含真空腔室110和真空旋轉(zhuǎn)隔室910的系統(tǒng)可被抽真空?；蛘?，可提供包含旋轉(zhuǎn)模塊的一個(gè)腔室。基板在真空旋轉(zhuǎn)隔室910內(nèi)的旋轉(zhuǎn)由參考標(biāo)記911指示的圓來指示。根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施例結(jié)合的典型實(shí)施例，真空旋轉(zhuǎn)隔室中的每一個(gè)包含一真空旋轉(zhuǎn)模塊，其中可在真空旋轉(zhuǎn)模塊的第一位置中裝載或卸載基板。從傳遞腔室810裝載的基板的例如180°的旋轉(zhuǎn)將基板121移動到處于處理位置中，在所述處理位置中，蒸發(fā)源沿著基板的表面掃描。根據(jù)更進(jìn)一步的替代方案，例如，如果以不同的方式布置真空腔室和隔室，則也可以提供用于將基板提供至處理位置中的不同于180°的角度的基板旋轉(zhuǎn)。然而，將基板從移送位置移動至處理位置的180°旋轉(zhuǎn)提供了可比較的小占地面積。

如圖9所示，例如，旋轉(zhuǎn)模塊可包含兩個(gè)對準(zhǔn)單元112，使得對于提供在旋轉(zhuǎn)模塊中的兩個(gè)基板位置中的每一個(gè)位置，基板121和掩模132可相對于彼此對準(zhǔn)。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，沉積設(shè)備可包含例如四個(gè)真空旋轉(zhuǎn)模塊和八個(gè)基板支撐位置。然而，根據(jù)可與本文所述的更進(jìn)一步的實(shí)施例結(jié)合的其他實(shí)施例，可提供不同數(shù)目的基板支撐位置和/或不同數(shù)目的真空旋轉(zhuǎn)模塊。例如，根據(jù)此本文所述的實(shí)施例，提供至少兩個(gè)基板處理位置?；逄幚砦恢糜纱瞬贾贸稍试S至少通過蒸發(fā)源的分布管的旋轉(zhuǎn)來處理基板。作為另一個(gè)示例，可提供至少兩個(gè)旋轉(zhuǎn)模塊、至少兩個(gè)基板處理位置以及至少四個(gè)基板支撐位置(其中兩個(gè)也是基板處理位置)。

圖10示出描繪根據(jù)本文所述的實(shí)施例的蒸發(fā)有機(jī)材料的方法的流程圖。一般來說，提供兩個(gè)基板位置以改善材料利用率。這與蒸發(fā)源(特別是諸如線性分布噴淋頭之類的線源)的平移運(yùn)動和旋轉(zhuǎn)運(yùn)動相結(jié)合。在步驟802中，將以基本上垂直的取向上提供的第一基板移動到第一處理位置中。蒸發(fā)源至少利用平移運(yùn)動、沿著定位在第一處理位置中的第一基板移動，例如掃描第一基板，其中在步驟804中，在第一基板上沉積有機(jī)材料。當(dāng)處理第一基板時(shí)，可準(zhǔn)備第二處理位置以在其中處理第二基板。例如，在步驟806中，可將第二基板移動到不同于第一處理位置的第二處理位置中。更進(jìn)一步的，第二基板的準(zhǔn)備可包含將先前處理好的基板從第二處理位置中移除和/或掩模與第二基板相對于彼此對準(zhǔn)。在步驟808中，至少旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)源的分布管以便隨后將其向第二處理位置引導(dǎo)。如本文所述，所述旋轉(zhuǎn)可繞著基本上豎直的軸進(jìn)行，典型地繞著線源沿著其延伸的軸進(jìn)行。在步驟809中，蒸發(fā)源至少利用平移運(yùn)動、沿著定位在第二處理位置中的第二基板移動，例如是掃描第二基板，其中在第二基板上沉積有機(jī)材料。

鑒于上述內(nèi)容，本文提供用于蒸發(fā)有機(jī)材料的蒸發(fā)系統(tǒng)、沉積設(shè)備和方法的各種實(shí)施例，這些實(shí)施例可與本文其他實(shí)施例結(jié)合，尤其可在本文所述的任何制造系統(tǒng)中使用這些實(shí)施例。這些實(shí)施例是：

<實(shí)施例1>一種用于有機(jī)材料的蒸發(fā)源，包含：蒸發(fā)坩鍋，其中所述蒸發(fā)坩鍋配置成蒸發(fā)所述有機(jī)材料；分布管，具有一個(gè)或多個(gè)出口，其中所述分布管與所述蒸發(fā)坩鍋流體地連通，并且其中所述分布管在蒸發(fā)期間可繞軸旋轉(zhuǎn)；以及支撐件，用于分布管，其中所述支撐件可連接至第一驅(qū)動器或包含所述第一驅(qū)動器，其中所述第一驅(qū)動器配置成用于所述支撐件和所述分布管的平移運(yùn)動。

<實(shí)施例2>根據(jù)實(shí)施例1的蒸發(fā)源，其中所述分布管是包含所述一個(gè)或多個(gè)出口的蒸氣分布噴頭，其中特別地，所述蒸氣分布噴頭是線性的蒸氣分布噴頭。

<實(shí)施例3>根據(jù)實(shí)施例1至2中的任一者的蒸發(fā)源，其中所述分布管提供基本上豎直地延伸的線源，和/或其中旋轉(zhuǎn)所述分布管的軸基本上豎直地延伸

<實(shí)施例4>根據(jù)實(shí)施例1至3中的任一者的蒸發(fā)源，其中所述分布管可旋轉(zhuǎn)至少160°，特別地，可旋轉(zhuǎn)180°或至少360°。

<實(shí)施例5>根據(jù)實(shí)施例1至4中的任一者的蒸發(fā)源，其中所述分布管通過第二驅(qū)動器可繞所述軸旋轉(zhuǎn)，所述第二驅(qū)動器相對于所述支撐件旋轉(zhuǎn)所述分布管，并且特別地，所述第二驅(qū)動器還相對于所述支撐件旋轉(zhuǎn)所述蒸發(fā)坩鍋。

<實(shí)施例6>根據(jù)實(shí)施例5的蒸發(fā)源，其中所述支撐件包含支撐件外殼，所述支撐外殼配置成維持所述支撐件外殼中的大氣壓力，并且其中所述支撐件經(jīng)由可旋轉(zhuǎn)的真空饋通件支撐所述分布管，所述真空饋通件特別是鐵磁流體饋通件。

<實(shí)施例7>根據(jù)實(shí)施例1至4中的任一者的蒸發(fā)源，其中所述分布管通過沿環(huán)形軌道行進(jìn)而可繞所述軸旋轉(zhuǎn)。

<實(shí)施例8>根據(jù)實(shí)施例1至7中的任一者的蒸發(fā)源，進(jìn)一步包含：蒸發(fā)器控制外殼，配置成維持所述蒸發(fā)器外殼中的大氣壓力，其中所述外殼由所述支撐件支撐，并且配置成容納選自下列各項(xiàng)構(gòu)成的組的至少一個(gè)元件：開關(guān)、閥、控制器、冷卻單元以及冷卻控制單元。

<實(shí)施例9>根據(jù)實(shí)施例1至8中的任一者的蒸發(fā)源，進(jìn)一步包含：至少一個(gè)側(cè)面防護(hù)罩，特別是兩個(gè)側(cè)面防護(hù)罩，用于防護(hù)所述有機(jī)材料的蒸發(fā)。

<實(shí)施例10>根據(jù)實(shí)施例1至9中的任一者的蒸發(fā)源，進(jìn)一步包含：線圈，用于感性電力傳輸和感性信號傳輸中的至少一者。

<實(shí)施例11>根據(jù)實(shí)施例1至10中的任一者的蒸發(fā)源，進(jìn)一步包含：至少一個(gè)第二蒸發(fā)坩鍋，由所述支撐件支撐；以及至少一個(gè)第二分布管，由所述支撐件支撐，其中所述至少一個(gè)第二分布管與所述至少一個(gè)第二蒸發(fā)坩鍋流體地連通。

<實(shí)施例12>一種用于在真空腔室中沉積有機(jī)材料的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備包含：處理真空腔室；根據(jù)實(shí)施例1至11中的任一項(xiàng)所述的蒸發(fā)源，其中所述蒸發(fā)源在所述處理真空腔室中蒸發(fā)所述有機(jī)材料；以及基板支撐件系統(tǒng)，設(shè)置在所述真空腔室中并具有至少兩個(gè)軌道，其中所述基板支撐件系統(tǒng)的所述至少兩個(gè)軌道配置成用于在所述真空腔室中對所述基板或運(yùn)載所述基板的載具的基本上豎直的支撐。

<實(shí)施例13>根據(jù)實(shí)施例12的沉積設(shè)備，進(jìn)一步包含：維護(hù)真空腔室，與所述處理真空腔室連接；以及真空閥，用于開啟和關(guān)閉所述處理真空腔室與所述維護(hù)真空腔室之間的真空密封，其中所述蒸發(fā)源可從所述處理真空腔室被移送至所述維護(hù)真空腔室并且從所述維護(hù)真空腔室被移送至所述處理真空腔室。

<實(shí)施例14>一種用于蒸發(fā)有機(jī)材料的方法，所述方法包含以下步驟：將第一基板移動為處于基本上豎直的第一處理位置；當(dāng)蒸發(fā)源蒸發(fā)所述有機(jī)材料時(shí)，至少利用平移運(yùn)動、沿所述第一基板來移動所述蒸發(fā)源；將第二基板移動為處于基本上豎直的第二處理位置，所述第二處理位置與所述第一處理位置不同；在蒸發(fā)期間，繞軸旋轉(zhuǎn)所述蒸發(fā)源的分布管；以及當(dāng)所述蒸發(fā)源蒸發(fā)所述有機(jī)材料時(shí)，至少利用進(jìn)一步的平移運(yùn)動、沿所述第二基板來移動所述蒸發(fā)源。

<實(shí)施例15>根據(jù)實(shí)施例14的方法，其中當(dāng)沿所述第一基板移動所述蒸發(fā)源時(shí)，將所述第二基板移動為處于基本上豎直的第二處理位置。

圖11示出用于制造器件(具體地，在其中包含有機(jī)材料的器件)的系統(tǒng)1000。例如，所述器件可以是電子器件或半導(dǎo)體器件，諸如，光電器件并且尤其是顯示器。可提供大量生產(chǎn)系統(tǒng)的改進(jìn)的載具搬運(yùn)和/或掩模搬運(yùn)。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的典型實(shí)施例，這些改進(jìn)可有益地用于oled器件制造，并且因此可包含如參照圖1a至圖10所述的沉積設(shè)備、此沉積設(shè)備的部件和操作所述沉積設(shè)備的方法。然而，由如本文所述的各種腔室的布置的概念所提供的載具搬運(yùn)和/或掩模搬運(yùn)的改進(jìn)也可用于其他基板處理系統(tǒng)，所述其他基板處理系統(tǒng)例如包含蒸發(fā)源、濺射源(具體地，旋轉(zhuǎn)濺射靶材)、cvd沉積源(諸如，pecvd沉積源)或上述各項(xiàng)的組合的基板處理系統(tǒng)。參照oled制造系統(tǒng)描述了涉及制造系統(tǒng)(尤其對于大面積基板，例如，大面積玻璃基板)的本公開，因?yàn)檫@些oled制造系統(tǒng)尤其可受益于以下描述的概念。

本文所述的實(shí)施例尤其涉及例如用于顯示器制造并且在大面積基板上的材料的沉積。根據(jù)一些實(shí)施例，大面積基板或支撐一個(gè)或多個(gè)基板的載具(即，大面積載具)可具有至少0.174平方米的尺寸。典型地，載具的尺寸可以是約1.4平方米至約8平方米，更典型地約2平方米至約9平方米，或甚至達(dá)到12平方米。典型地，基板被支撐在其中且針對其提供了根據(jù)本文描述的實(shí)施例的固持布置、設(shè)備和方法的矩形區(qū)域是具有本文描述的大面積基板的尺寸的載具。例如，對應(yīng)于單個(gè)大面積基板的面積的大面積載具可以是對應(yīng)于約1.4平方米的基板(1.1米×1.3米)的第5代、對應(yīng)于約4.29平方米的基板(1.95米×2.2米)的第7.5代、對應(yīng)于約5.7平方米的基板(2.2米×2.5米)的第8.5代、或甚至對應(yīng)于約8.7平方米的基板(2.85米×3.05米)的第10代?？梢灶愃频貙?shí)現(xiàn)諸如第11代和第12代之類的甚至更高的世代以及對應(yīng)的基板面積。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的典型實(shí)施例，基板厚度可以從0.1至1.8毫米，并且固持布置(特別是固持裝置)可適用于此類基板厚度。然而，具體地，基板厚度可以為約0.9毫米或更小，例如0.5毫米或0.3毫米，且固持布置(特別是固持裝置)適用于此類基板厚度。典型地，基板可由適合于材料沉積的任何材料制造而成。例如，基板可由選自下列各項(xiàng)構(gòu)成的組中的材料制造而成：玻璃(例如，鈉鈣玻璃、硼硅玻璃，等等)、金屬、聚合物、陶瓷、化合物材料、碳纖維材料或可由沉積工藝涂覆的任何其他材料或材料的組合。

根據(jù)一些實(shí)施例的例如用于oled大量生產(chǎn)的涂覆機(jī)或沉積系統(tǒng)概念提供豎直的群集方式，使得例如可提供對所有腔室的“任意”接取。因此，通過提供增加期望數(shù)目的所需模塊的靈活性，此類概念對于rgb和cf(濾色片)上白光型(whiteoncf)沉積兩者是高效的。此類靈活性也可用于形成冗余。一般來說，對于oled顯示器的制造而言，可提供兩個(gè)概念。一方面，制造rgb(紅綠藍(lán))顯示器，此rgb顯示器具有紅光、綠光和藍(lán)光的發(fā)射。另一方面，制造cf上白光型顯示器，其中發(fā)射白光，并且由濾色片來生成顏色。即使cf上白光型顯示器要求用于制造此類器件的減少數(shù)量的腔室，這兩個(gè)概念都實(shí)際使用，并具有它們的優(yōu)缺點(diǎn)。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的本文所述的實(shí)施例，oled器件制造典型地包含對基板的掩模以進(jìn)行沉積。另外，大面積基板在對其的處理期間典型地由載具來支撐。掩模搬運(yùn)和載具搬運(yùn)兩者在溫度穩(wěn)定性、掩模和載具的潔凈性等方面對oled器件可能是特別關(guān)鍵的。因此，本文所述的實(shí)施例提供在真空條件下或在所定義的氣體氣氛(例如，保護(hù)性氣體)下的載具返回路徑以及用于載具和掩模的改進(jìn)的清潔選項(xiàng)。此外，可提供相對于參考圖1a至圖10所述的沉積設(shè)備布置而描述的改善的系統(tǒng)正常工作時(shí)間、改善的沉積源效率和/或改善的材料利用率。這些布置避免了在例行維護(hù)期間或掩模交換期間使基板搬運(yùn)腔室或沉積腔室破真空的需要。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的更進(jìn)一步的實(shí)施例，可例如由任選的等離子體清潔原位地(in-situ)提供掩模清潔，或者可通過提供掩模交換接口以允許在不使制造系統(tǒng)的處理腔室或傳遞腔室破真空的情況下進(jìn)行外部的掩模清潔破真空來提供掩模清潔。

圖11中示出的制造系統(tǒng)1000包含裝載鎖定腔室1120，所述裝載鎖定腔室1120連接至水平的基板搬運(yùn)腔室1100?？蓪⒒鍙牟ＡО徇\(yùn)腔室1102傳遞至真空擺動模塊1160，在此真空擺動模塊1160中，在載具上的水平位置中裝載基板。在以水平位置將基板裝載在載具上之后，真空擺動模塊1160將具有提供于其中的基板的載具旋轉(zhuǎn)為處于豎直或基本上豎直的取向。具有在其上提供基板的載具接著被傳遞通過具有豎直取向的第一傳遞腔室610和至少一個(gè)進(jìn)一步的傳遞腔室(611-615)。一個(gè)或多個(gè)沉積設(shè)備200可連接至傳遞腔室。另外，其他基板處理腔室或其他真空腔室可連接至傳遞腔室中的一者或多者。在對基板的處理之后，以豎直取向?qū)⑵渖暇哂谢宓妮d具從傳遞腔室615傳遞至進(jìn)一步的真空擺動模塊1161中。所述進(jìn)一步的真空擺動模塊1161將其上具有基板的載具從豎直取向旋轉(zhuǎn)至水平取向。此后，可將基板卸載到進(jìn)一步的水平玻璃搬運(yùn)腔室1101中。例如在薄膜封裝腔室1140或1141中的一個(gè)中封裝所制造的器件之后，可通過裝載鎖定腔室1121從處理系統(tǒng)1000卸載經(jīng)處理的基板。

在圖11中，提供第一傳遞腔室610、第二傳遞腔室611、第三傳遞腔室612、第四傳遞腔室613、第五傳遞腔室614以及第六傳遞腔室615。根據(jù)本文所述的實(shí)施例，至少兩個(gè)傳遞腔室被包含在制造系統(tǒng)中，典型地，二至八個(gè)傳遞腔室可被包含在制造系統(tǒng)中。提供若干沉積設(shè)備(例如，圖11中的九個(gè)沉積設(shè)備200)，每一個(gè)沉積設(shè)備具有真空腔室110，且每一個(gè)沉積設(shè)備示例性地連接至傳遞腔室中的一個(gè)。根據(jù)一些實(shí)施例，沉積設(shè)備的真空腔室中的一者或多者經(jīng)由閘閥205而連接至傳遞腔室。

可在真空室110處并根據(jù)參照圖1a至圖10所述的實(shí)施例中的任一者提供對準(zhǔn)單元112。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的更進(jìn)一步的實(shí)施例，維護(hù)真空腔室210可例如經(jīng)由閘閥207而連接至真空腔室110。維護(hù)真空腔室210允許對制造系統(tǒng)1000中的沉積源的維護(hù)。已參照圖1a至圖10描述并且可類似地為涉及制造系統(tǒng)的實(shí)施例提供維護(hù)真空腔室210的進(jìn)一步細(xì)節(jié)。

根據(jù)一些實(shí)施例，并且如圖11所示，沿線提供傳遞腔室610-615中的一個(gè)或多個(gè)以提供直列式傳送系統(tǒng)部分。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的本文所述的一些實(shí)施例，提供雙軌道傳送布置，其中傳遞腔室包含第一軌道1111和第二軌道1112，以便沿第一軌道和第二軌道中的至少一者傳遞載具(即，支撐基板的載具)。傳遞腔室中的第一軌道1111和第二軌道1112在制造系統(tǒng)1000中提供雙軌道傳送布置。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的更進(jìn)一步的實(shí)施例，傳遞腔室610-615中的一者或多者被提供作為真空旋轉(zhuǎn)模塊。第一軌道1111和第二軌道1112可旋轉(zhuǎn)至少90°，例如旋轉(zhuǎn)90°、180°或360°。在待傳遞到沉積設(shè)備200的真空腔室中的一個(gè)或以下描述的其他真空腔室中的一個(gè)的位置中旋轉(zhuǎn)軌道上的載具。傳遞腔室配置成旋轉(zhuǎn)豎直取向的載具和/或基板，其中，例如，繞豎直旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)傳遞腔室中的那些軌道。這由圖11中的箭頭指示。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，傳遞腔室是真空旋轉(zhuǎn)模塊以用于在低于10毫巴的壓力下旋轉(zhuǎn)基板。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的更進(jìn)一步的實(shí)施例，在兩個(gè)或更多個(gè)傳遞腔室(610-615)內(nèi)提供進(jìn)一步的軌道，其中提供載具返回軌道。根據(jù)典型的實(shí)施例，可在第一軌道1111與第二軌道1112之間提供載具返回軌道1125。載具返回軌道1125允許在真空條件下將空載具從進(jìn)一步的真空擺動模塊1161返回至真空擺動模塊1160。在真空條件下且任選地在受控的惰性氣氛(例如，ar、n2或它們的組合)下返回載具減少了載具對環(huán)境空氣的暴露?？蓽p少或避免對濕氣的接觸。因此，可減少在制造系統(tǒng)1000中的器件的制造期間載具的脫氣(outgassing)。這可改善所制造的器件的質(zhì)量和/或載具可處于操作中而無需被清潔達(dá)延長的時(shí)間。

圖11進(jìn)一步示出第一預(yù)處理腔室1130和第二預(yù)處理腔室1131?？稍诨灏徇\(yùn)腔室1100中提供機(jī)器人(未示出)或另一搬運(yùn)系統(tǒng)。機(jī)器人或另一搬運(yùn)系統(tǒng)可將基板從裝載鎖定腔室1120裝載在基板搬運(yùn)腔室1100中，并且將此基板傳遞到預(yù)處理腔室(1130、1131)中的一者或多者中。例如，預(yù)處理腔室可包含選自下列各項(xiàng)構(gòu)成的組的預(yù)處理工具：對基板的等離子體預(yù)處理、對基板的清潔、對基板的uv和/或臭氧處理、對基板的離子源處理、對基板的rf或微波等離子體處理以及上述各項(xiàng)的組合。在對基板的預(yù)處理之后，機(jī)器人或另一搬運(yùn)系統(tǒng)經(jīng)由基板搬運(yùn)腔室將基板傳出預(yù)處理腔室而傳入真空擺動模塊1160中。為了允許使裝載鎖定腔室1120破真空以便在大氣條件下在基板搬運(yùn)腔室1100中裝載基板和/或搬運(yùn)基板，在基板搬運(yùn)腔室1100與真空擺動模塊1160之間提供閘閥205。因此，在打開閘閥205并且將基板傳遞到真空擺動模塊1160之前，可排空基板搬運(yùn)腔室1100以及(如果希望的話)裝載鎖定腔室1120、第一預(yù)處理腔室1130和第二預(yù)處理腔室1131中的一者或多者。因此，在基板被裝載到真空擺動模塊1160中之前，可在大氣條件下進(jìn)行基板的裝載、處置和處理。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的本文所述的實(shí)施例，當(dāng)基板水平地取向或基本上水平地取向時(shí)，進(jìn)行可在基板被裝載到真空擺動模塊1160中之前進(jìn)行的對基板的裝載、處置和處理。如圖11所示且根據(jù)本文所述的更進(jìn)一步的實(shí)施例的制造系統(tǒng)1000組合了以下各項(xiàng)：水平取向的基板搬運(yùn)、基板在豎直取向中的旋轉(zhuǎn)、材料在豎直取向中向基板上的沉積、在材料沉積之后將基板在水平取向上的旋轉(zhuǎn)以及在水平取向上對基板的卸載。

圖11中示出的制造系統(tǒng)1000以及本文所述的其他制造系統(tǒng)包含至少一個(gè)薄膜封裝腔室。圖11示出第一薄膜封裝腔室1140和第二薄膜封裝腔室1141。這一個(gè)或多個(gè)薄膜封裝腔室包含封裝設(shè)備，其中經(jīng)沉積的和/或經(jīng)處理的層(特別是具體地，oled材料)被封裝在(即，夾在)經(jīng)處理的基板與進(jìn)一步的基板之間以便保護(hù)經(jīng)沉積的和/或經(jīng)處理的材料免于暴露于環(huán)境空氣和/或大氣條件。典型地，可通過將材料夾在兩個(gè)基板(例如，玻璃基板)之間來提供薄膜封裝。然而，可由在薄膜封裝腔室中的一個(gè)中提供的封裝設(shè)備替代地應(yīng)用其他封裝方法，像是利用玻璃、聚合物或金屬片的層疊(lamination)或?qū)Ω采w玻璃的激光熔融。具體地，oled材料層可能遭受暴露于環(huán)境空氣和/或氧氣和濕氣。因此，例如圖11所示的制造系統(tǒng)1000可在經(jīng)由裝載鎖定腔室1121卸載經(jīng)處理的基板之前封裝薄膜。

圖11中示出的制造系統(tǒng)1000以及本文所述的其他制造系統(tǒng)可進(jìn)一步包含層檢查腔室1150?？稍趯訖z查腔室1150中提供層檢查工具(諸如，電子和/或離子層檢查工具)?？稍谔峁┯谥圃煜到y(tǒng)1000中的一個(gè)或多個(gè)沉積步驟或處理步驟之后進(jìn)行層檢查。因此，可將在其中具有基板的載具從沉積或處理腔室移動至傳遞腔室611，層檢查腔室1150經(jīng)由閘閥205連接至傳遞腔室611。待檢查的基板可被傳遞到層檢查腔室中，并且在制造系統(tǒng)內(nèi)進(jìn)行檢查，即，不需要從制造系統(tǒng)中移除基板?？稍诔练e步驟或處理步驟中的一者或多者之后提供在線層檢查，可在制造系統(tǒng)1000中進(jìn)行所述在線層檢查。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的更進(jìn)一步的實(shí)施例，制造系統(tǒng)可包含載具緩沖區(qū)1421。例如，載具緩沖區(qū)可連接至第一傳遞腔室610和/或最后一個(gè)傳遞腔室(即，第六傳遞腔室615)，所述第一傳遞腔室610連接到真空擺動模塊1160。例如，載具緩沖區(qū)可連接至傳遞腔室中連接到真空擺動模塊中的一個(gè)真空擺動模塊的一個(gè)傳遞腔室。由于在真空擺動模塊中裝載和卸載基板，因此如果載具緩沖區(qū)1421被提供成接近真空擺動模塊則是有益的。載具緩沖區(qū)配置成提供對一個(gè)或多個(gè)(例如5到30個(gè))載具的存儲。如果需要替換另一個(gè)載具(例如用于維護(hù)，諸如，清潔)，則可在制造系統(tǒng)的操作期間使用緩沖區(qū)中的載具。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的更進(jìn)一步的實(shí)施例，制造系統(tǒng)可進(jìn)一步包含掩模架1132，即，掩模緩沖區(qū)。掩模架1132配置成提供對替換掩模和/或需要為了特定沉積步驟而被儲存的掩模的存儲。根據(jù)操作制造系統(tǒng)1000的方法，可經(jīng)由具有第一軌道1111和第二軌道1112的雙軌道傳送布置來將掩模從掩模架1132傳遞至沉積設(shè)備200。因此，為了維護(hù)(諸如，清潔)或者為了沉積圖案的改變，可在不使沉積設(shè)備破真空、不使傳遞腔室破真空和/或不將掩模暴露至大氣壓的情況下交換沉積設(shè)備中的掩模。

圖11進(jìn)一步示出掩模清潔腔室1133。掩模清潔腔室1133經(jīng)由閘閥1205而連接至掩模架1132。因此，可在掩模架1132與用于清洗掩模的掩模清潔腔室1133之間提供真空緊密密封。根據(jù)不同的實(shí)施例，可由清潔工具(諸如，等離子體清潔工具)在制造系統(tǒng)1000內(nèi)清潔掩模?？稍谘谀Ｇ鍧嵡皇?133中提供等離子體清潔工具。附加地或者替代地，如圖11中所示，可在掩模清潔腔室1133處提供進(jìn)一步的閘閥1206。因此，可從制造系統(tǒng)1000卸載掩模，而僅需要使掩模清潔腔室1133破真空。通過從制造系統(tǒng)卸載掩模，可在制造系統(tǒng)繼續(xù)完全操作的同時(shí)提供外部的掩模清潔。圖11描繪相鄰于掩模架1132的掩模清潔腔室1133。也可鄰近載具緩沖區(qū)1421來提供對應(yīng)的或類似的清潔腔室(未示出)。通過提供相鄰于載具緩沖區(qū)1421的清潔腔室，可在制造系統(tǒng)1000內(nèi)清潔載具，或者可通過連接至清洗腔室的閘閥從制造系統(tǒng)卸載載具。

可按如下方式在圖11中所示的制造系統(tǒng)1000中制造諸如oled顯示器之類的器件。這僅是示例性的制造方法，并且可由其他的制造方法制造許多其他器件。可經(jīng)由裝載鎖定腔室1120而將基板裝載到基板搬運(yùn)腔室1100中。當(dāng)將基板裝載在真空擺動模塊1160中之前，可在預(yù)處理腔室1130和/或1131內(nèi)提供基板預(yù)處理?；灞谎b載在真空擺動模塊1160中的載具上，并且從水平取向被旋轉(zhuǎn)至豎直取向。此后，基板被傳遞通過傳遞腔室610而至615。旋轉(zhuǎn)在傳遞腔室615中提供的真空旋轉(zhuǎn)模塊，使得可將帶有基板的載具移動至在圖11中的傳遞腔室615的下側(cè)處提供的沉積設(shè)備。為了易于對根據(jù)本段的顯示器制造的描述中的引用，下文中省略了在傳遞腔室中的一者中的真空旋轉(zhuǎn)模塊中的一者的進(jìn)一步的旋轉(zhuǎn)步驟以及通過傳遞腔室中的一者或多者的傳遞步驟。在沉積設(shè)備中，進(jìn)行電極沉積以將器件的陽極沉積在基板上?？蓪⑤d具從電極沉積腔室移除，并且將此載具移動至連接到傳遞腔室610的沉積設(shè)備200中的一者，這兩者配置成用于沉積第一空穴注入層。例如，可交替地利用連接至傳遞腔室610的這兩個(gè)沉積設(shè)備以便在不同的基板上沉積空穴注入層。然后將載具傳遞至連接到傳遞腔室612的下方腔室(圖11中)，使得第一空穴傳送層可由圖11中在傳遞腔室612下方提供的沉積設(shè)備200來沉積。此后，可將載具傳遞至圖11中在傳遞腔室613下側(cè)提供的沉積設(shè)備200，使得藍(lán)光發(fā)射層可沉積在第一空穴傳送層上。然后可將載具傳遞至在傳遞腔室614的下端處連接的沉積設(shè)備以沉積第一電子傳送層。在后續(xù)的步驟中，當(dāng)可在圖11中的傳遞腔室612的上側(cè)處的沉積設(shè)備中提供紅光發(fā)射層以及在傳遞腔室614的上側(cè)處提供的沉積設(shè)備中沉積綠光發(fā)射層之前，可例如在圖11中在傳遞腔室611的下側(cè)處提供的沉積設(shè)備中沉積進(jìn)一步的空穴注入層。另外，可在發(fā)射層之間和/或發(fā)射層上方提供電子傳送層。在制造的最后，可在圖11中提供在傳遞腔室615下方的沉積設(shè)備中沉積陰極。根據(jù)又更進(jìn)一步的實(shí)施例，可在陽極與陰極之間附加地沉積一個(gè)或多個(gè)激子(exciton)阻擋層(或空穴阻擋層)或一個(gè)或多個(gè)電子注入層。在陰極的沉積之后，可將載具傳遞至進(jìn)一步的真空擺動模塊1161，在此真空擺動模塊1161中將帶有基板的載具從豎直取向旋轉(zhuǎn)至水平取向。此后，可在進(jìn)一步的基板搬運(yùn)腔室1101中將基板從載具卸載并將此基板傳遞至薄膜封裝腔室1140/1141中的一者，以便封裝經(jīng)沉積的層堆疊。此后，可通過裝載鎖定腔室1121卸載制造商器件。

圖第12a示出真空擺動模塊1160。其他真空擺動模塊(像是在圖11中示出的進(jìn)一步的真空擺動模塊1161)可包含類似的特征、細(xì)節(jié)和方面。真空擺動模塊1160包含真空腔室1261。真空腔室典型地具有一個(gè)或多個(gè)凸緣以用于將抽真空單元(例如，真空泵)連接至真空腔室。因此，真空腔室1261可被抽真空至技術(shù)真空，典型地在本文所述的制造系統(tǒng)的一個(gè)或多個(gè)腔室中提供所述技術(shù)真空，例如，10毫巴或更低。在真空腔室1261內(nèi)提供真空擺動模塊。擺動模塊包含基座1202?；?202配置成當(dāng)在豎直取向上或水平取向上支撐裝載在載具421上的基板121時(shí)來提供穩(wěn)定性。在圖12a中示出后一種取向。致動器1204(例如，轉(zhuǎn)矩電機(jī))可繞軸1207旋轉(zhuǎn)支撐件1206。因此，可將支撐件和/或連接至此支撐件的工作臺從水平取向旋轉(zhuǎn)至豎直取向，并且反之亦然。鑒于上述內(nèi)容，可在支撐件被提供為具有水平取向時(shí)將基板121裝載在載具421上。此后，可將支撐基板121的載具421從水平取向旋轉(zhuǎn)至豎直取向，并且當(dāng)此載具421處于豎直取向時(shí)、沿傳送路徑將此載具421移出真空腔室1261。在反向工藝中，可將載具在處于豎直取向時(shí)沿傳送路徑將此載具移動至真空腔室1261中?？捎烧婵涨皇?261內(nèi)的擺動模塊將支撐基板121的載具421從豎直取向旋轉(zhuǎn)至水平取向。此后，可將基板121從載具421卸載。

圖12b描繪將在載具421中提供的基板121從水平取向旋轉(zhuǎn)至豎直取向或反過來從豎直取向旋轉(zhuǎn)至水平取向的序列。從左至右，在載具421中提供基板121。可在載具421下方提供升舉銷1210，使得根據(jù)升舉銷1210的豎直運(yùn)動來相對于載具421升高或降低基板121。載具典型地包含基板接收部分、上引導(dǎo)部分1241以及下引導(dǎo)部分。上引導(dǎo)部分可包含一個(gè)或多個(gè)永久磁鐵以允許在傳送布置中對載具進(jìn)行磁性引導(dǎo)。下引導(dǎo)部分可包含桿，所述桿配置成被引導(dǎo)在一個(gè)或多個(gè)輥424上。多個(gè)輥424可形成傳送布置的下部。

當(dāng)將基板121裝載在載具421上之前，升舉銷1210豎直地移動至升高的位置。機(jī)器人或另一致動器可將基板裝載在真空擺動模塊中，并將此基板放置到升舉銷1210上。因此，升舉銷1210支撐著基板121。此后，可降低升舉銷1210，由此將基板121裝載至載具421上。此后，當(dāng)載具421的桿位于傳送系統(tǒng)的一個(gè)或多個(gè)輥424中時(shí)，可如圖12b所示的序列來旋轉(zhuǎn)載具421。當(dāng)已將載具(并且由此基板)升高至豎直位置之后，可沿制造系統(tǒng)的傳送路徑來移動此載具。

圖13a示出兩個(gè)相鄰的傳遞腔室1361的多個(gè)部分。在腔室中的每一個(gè)腔室中提供兩個(gè)支撐件1310。支撐件1310可彼此平行并且被配置成可一起繞共同的豎直旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。在支撐件1310的面對傳遞腔室1361的壁的相應(yīng)側(cè)處提供多個(gè)輥424。以此方式，沿支撐件1310中的每一個(gè)提供傳送軌道，并且提供雙軌道傳送系統(tǒng)。在支撐件1310中的一者的面對相應(yīng)的其他支撐件的一側(cè)上提供附加的輥組1342。這附加的輥組1342在傳遞腔室1361內(nèi)提供載具返回軌道。圖13a示出雙軌道傳送布置的下部，這在圖13c中更詳細(xì)地示出。圖13b示出傳送布置的一個(gè)軌道的上部。在傳送軌道的上部處提供磁性引導(dǎo)元件524。在磁鐵支撐元件1323的相應(yīng)的側(cè)部處提供第一磁鐵1324和第二磁鐵1325。磁鐵支撐元件1323可以是u形的支撐元件，使得可分別在載具421或載具的上引導(dǎo)部分1241的相反側(cè)上提供第一磁鐵1324和第二磁鐵1325。載具421的上引導(dǎo)部分1241包含永久磁鐵，使得在第一磁鐵1324與第二磁鐵1325之間無接觸情況下來引導(dǎo)載具。

圖13c示出傳送布置的一個(gè)軌道的下部。多個(gè)輥424可旋轉(zhuǎn)地安裝在相應(yīng)的軸425上。輥424具有彎曲的外表面(具體地，凹外表面)，使得可沿多個(gè)輥引導(dǎo)載具421的桿1321。根據(jù)不同的實(shí)施例，輥424的中一者或多者可由電機(jī)等驅(qū)動。例如，電機(jī)可連接至皮帶系統(tǒng)或驅(qū)動鏈，所述皮帶系統(tǒng)或驅(qū)動鏈進(jìn)而連接至輥中的兩者或更多者以便以共同的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)輥。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的更進(jìn)一步的實(shí)施例，也能以磁性方式使載具懸浮。根據(jù)此類實(shí)施例，可在雙道軌傳送系統(tǒng)的每一個(gè)軌道的下部提供對載具的磁性懸浮。此外，可在雙軌道傳送系統(tǒng)的每一個(gè)軌道的上部提供對載具的磁性引導(dǎo)。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，適于在處理系統(tǒng)中使用的載具包含電極組件和支撐基座。電極組件配置成用于生成靜電夾持力以用于將基板固定至基板載具。根據(jù)更進(jìn)一步的附加或替代性的修改，支撐基座具有形成在其中的加熱儲存庫/冷卻儲存庫。電極組件和支撐基座形成單一的主體，此單一的主體配置成用于在處理系統(tǒng)內(nèi)傳送。載具可連接至處理系統(tǒng)中的供應(yīng)介質(zhì)?？焖贁嚅_器可耦接至主體，并且配置成用于在主體從熱調(diào)節(jié)介質(zhì)的源去耦時(shí)將熱調(diào)節(jié)介質(zhì)陷捕在加熱儲存庫/冷卻儲存庫中?？焖贁嚅_器可耦接至主體，并且配置成用于在主體從熱調(diào)節(jié)介質(zhì)的源去耦時(shí)將熱調(diào)節(jié)介質(zhì)陷捕在加熱儲存庫/冷卻儲存庫中?？神罱涌焖贁嚅_器以施加夾持電荷。

根據(jù)更進(jìn)一步的實(shí)施例，可在傳遞腔室1361中的一者或多者中提供感性電力耦接元件，以便在雙軌道傳送布置的一個(gè)或多個(gè)軌道的下部和/或雙軌道傳送布置的一個(gè)或多個(gè)軌道的上部為靜電載具供電。例如，可在載具的下端和/或上端處提供一個(gè)或多個(gè)線圈(即，一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電回路)。例如，與提供給雙軌道傳送布置的軌道的進(jìn)一步的線圈布置相比，這些回路可以是更小的回路。雙軌道傳送布置的軌道可具有進(jìn)一步的線圈布置，例如，大回路。鑒于在載具處的一個(gè)或多個(gè)線圈以及在軌道處的進(jìn)一步的線圈布置，可提供感性電力傳輸。根據(jù)特定示例，在軌道處的大回路沿圖13a中示出的支撐件1310的長度延伸。此大回路沿支撐件1310的整個(gè)長度延伸至少50％(尤其沿所述整個(gè)長度延伸至少90％)是可能的。根據(jù)不同的或替代性實(shí)現(xiàn)方式，在沿傳遞腔室1361的軌道傳送載具時(shí)，可提供電接觸，即，滑動接點(diǎn)。

圖14示出根據(jù)本文所述的實(shí)施例的更進(jìn)一步的制造系統(tǒng)1000。當(dāng)參照圖14時(shí)，不再描述與參照圖11所述的實(shí)施例的制造系統(tǒng)類似的腔室、部件、特征、方面和元件。也就是說，僅描述相對于不同實(shí)施例的差異。圖14示出具有第一傳遞腔室610和第二傳遞腔室611的制造系統(tǒng)1000。在第一傳遞腔室610與第二傳遞腔室611之間提供一個(gè)或多個(gè)沉積設(shè)備200。圖14示出三個(gè)沉積設(shè)備作為示例，其中第二與第三沉積設(shè)備之間的點(diǎn)指示具有在第一傳遞腔室610與第二傳遞腔室611之間提供的甚至更多的沉積設(shè)備(即，沉積腔室)的選項(xiàng)。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，可在傳遞腔室之間提供例如三個(gè)、四個(gè)、五個(gè)、六個(gè)或七個(gè)沉積腔室(即，沉積設(shè)備)。制造系統(tǒng)1000的部分提供為直列式沉積系統(tǒng)部分。鑒于圖14中示出的制造系統(tǒng)1000的這個(gè)概念(即，具有直列式沉積系統(tǒng)部分)，與圖11相比，可減少沉積腔室或沉積設(shè)備200的數(shù)量。減少數(shù)量的沉積腔室可例如用于cf上白光型顯示器。

載具緩沖區(qū)1421經(jīng)由閘閥205而連接至第一傳遞腔室610，并且掩模架1132經(jīng)由閘閥205而連接至第二傳遞腔室611。可提供根據(jù)本文所述的各種實(shí)施例(具體地，參照圖1a至圖10)的沉積設(shè)備200，其中在沉積設(shè)備的真空腔室的一側(cè)處提供用于維護(hù)蒸發(fā)源100的一個(gè)或多個(gè)維護(hù)真空腔室，使得可提供載具從一個(gè)沉積設(shè)備至相鄰沉積設(shè)備的直列式傳送。

如在圖11和圖14中示例性地可見，實(shí)施例可涉及系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包含群集沉積系統(tǒng)部分(圖11)和/或直列式沉積系統(tǒng)部分以及一個(gè)或多個(gè)群集部分(例如，用于基板的裝載和預(yù)處理以及用于基板的卸載和后處理)。系統(tǒng)可以是介于直列式處理系統(tǒng)與群集處理系統(tǒng)之間的混合式系統(tǒng)。

如圖14所示，沉積設(shè)備200各自可將材料沉積到基板上。可沿雙軌傳送系統(tǒng)將兩個(gè)基板從傳遞腔室610傳送至進(jìn)一步的傳遞腔室611。

參照圖14所述的實(shí)施例通過若干載具返回腔室1410提供載具返回路徑。載具返回腔室1410可經(jīng)由閘閥1405而分別連接至傳遞腔室610和611中的每一個(gè)。連接至傳遞腔室的載具返回腔室中的一者或多者也可被提供作為裝載鎖定腔室(即，將被破真空和抽真空的腔室)。提供載具返回腔室作為裝載鎖定腔室允許補(bǔ)償傳遞腔室(例如，制造系統(tǒng)1000的傳遞腔室610或611)與相鄰腔室之間的壓力差，所述相鄰腔室(例如，真空旋轉(zhuǎn)模塊或另一載具返回腔室)隨后可例如利用惰性氣體氣氛在較高的壓力下操作。如圖14所示，提供兩個(gè)真空旋轉(zhuǎn)模塊1461。例如，它們也可經(jīng)由閘閥1405而連接至載具返回腔室1410。多個(gè)載具返回腔室1410沿制造系統(tǒng)1000的直列式沉積部分的延伸部分延伸。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，具有載具返回腔室的載具返回路徑可被配置成用于在真空條件下或在受控的惰性氣氛或具有所定義的氣體混合物(諸如，氬氣、氮?dú)?、它們的組合)的受控的氣體條件下返回到載具。鑒于此載具返回軌道，可避免載具對環(huán)境空氣的暴露。這可減少載具在制造系統(tǒng)1000中的脫氣。例如，惰性氣氛含有惰性氣體。惰性氣氛含有具有10ppm或更低(例如，1ppm或更低)的濃度的反應(yīng)性氣體(諸如，氧氣或濕氣)。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，載具返回腔室1410中的一者或多者可包含一個(gè)或多個(gè)維護(hù)接取端口1420。例如，具有維護(hù)接取端口的載具返回腔室1410可經(jīng)由閘閥1405而連接至相鄰的載具返回腔室。因此，閘閥可被關(guān)閉，并且具有維護(hù)接取端口的載具返回腔室可被破真空并開啟以接取載具。這可用于載具的裝載和卸載，例如用于維護(hù)(諸如，清洗)。

可參照圖15a和15b描述制造系統(tǒng)1000的更進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)方式。與圖14類似，提供直列式沉積系統(tǒng)部分。然而，在那個(gè)沉積設(shè)備200的真空腔室110下方提供載具返回路徑腔室1510。載具返回路徑腔室1510具有水平延伸的外殼1512，其中當(dāng)載具水平取向時(shí)，可將這些載具從進(jìn)一步的真空擺動模塊1161往回傳遞到真空擺動模塊1160。

根據(jù)更進(jìn)一步的實(shí)施例，制造系統(tǒng)1000可附加地或替代地修改為如參照圖16所解釋的那樣。圖16示出具有與圖11類似的群集沉積系統(tǒng)部分的制造系統(tǒng)1000?？稍诰哂袔в械谝卉壍?111和第二軌道1112的雙軌道傳送布置的一條線上提供兩個(gè)或更多個(gè)傳遞腔室，例如，圖16中所示的第一傳遞腔室610、第二傳遞腔室611、第三傳遞腔室612和第四傳遞腔室613。根據(jù)一些實(shí)施例，在第一軌道1111與第二軌道1112之間提供載具返回軌道1125。

參照圖16所述的制造系統(tǒng)1000具有連接至傳遞腔室610-613中的一者的若干沉積腔室或沉積設(shè)備。圖11描繪多個(gè)沉積設(shè)備200，并且根據(jù)參照圖1a至圖4b和圖6所述的實(shí)施例中的任一者。如圖16中示例性描繪，進(jìn)一步的實(shí)施例可包含一個(gè)或多個(gè)沉積設(shè)備500，參照圖5a、圖5b和圖8a至圖9描述了沉積設(shè)備500的實(shí)施例。根據(jù)更進(jìn)一步的實(shí)施例，制造系統(tǒng)可包含一個(gè)或多個(gè)沉積設(shè)備，這些沉積設(shè)備全都根據(jù)參照圖5a、圖5b和圖8a至圖9所述的實(shí)施例來提供。

在此類沉積設(shè)備500中，基于環(huán)形軌道，可利用沿基板的平移運(yùn)動來移動源列，所述基板典型地由掩模進(jìn)行掩模。環(huán)形軌道的彎曲部分提供蒸發(fā)源100的旋轉(zhuǎn)。另外，彎曲部分可提供將蒸發(fā)源定位在第二基板的前方。環(huán)形軌道的進(jìn)一步的直線部分提供沿進(jìn)一步的基板的進(jìn)一步的平移運(yùn)動。如前文所提及，根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，在沉積期間，基板和掩?；旧媳３朱o止。沿著靜止的基板移動提供線源(例如，具有基本上豎直取向的線的線源)的蒸發(fā)源。具有蒸發(fā)源列的實(shí)施例和/或具有用于蒸發(fā)源的平移和旋轉(zhuǎn)運(yùn)動的環(huán)形軌道的實(shí)施例可受益于具有在真空腔室中提供的多于兩個(gè)的基板。

例如，連接至進(jìn)一步的傳遞腔室613的沉積設(shè)備500配置成用于當(dāng)多個(gè)蒸發(fā)源100沿環(huán)形軌道530移動時(shí)在四個(gè)基板上的oled材料沉積。另外，可在用于蒸發(fā)源的維護(hù)的維護(hù)真空腔室中提供環(huán)形軌道820。連接至傳遞腔室610的沉積設(shè)備500配置成用于在兩個(gè)基板上的oled材料沉積。類似地，可沿用于提供平移和旋轉(zhuǎn)運(yùn)動的環(huán)形軌道移動多個(gè)蒸發(fā)源?？商峁└鶕?jù)本文描述的其他實(shí)施例提供其他列狀沉積源設(shè)備的進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)方式或修改。

參照圖17所示的制造系統(tǒng)1000示例性地描述的制造系統(tǒng)的更進(jìn)一步的實(shí)施例可包含如先前參照圖14所述的直列式沉積系統(tǒng)部分，其中沉積設(shè)備500將具有環(huán)形軌道的源的列配置包含為在直列式沉積系統(tǒng)部分中提供的一個(gè)或多個(gè)沉積腔室。

沉積設(shè)備500或那個(gè)相應(yīng)的沉積腔室連接至傳遞腔室610或連接至另一沉積設(shè)備。沉積設(shè)備500包含環(huán)形軌道(即，源列配置，其中示例性地，三個(gè)源100沿靜止的基板(例如，由靜止的掩模進(jìn)行掩模的靜止的基板)移動。在軌道或線性引導(dǎo)件220上的在真空腔室110中提供蒸發(fā)源100。線性引導(dǎo)件220配置成用于蒸發(fā)源100的平移運(yùn)動。此后，提供一個(gè)或多個(gè)進(jìn)一步的沉積設(shè)備200(在圖17中示出兩個(gè))，以便在直列式沉積系統(tǒng)部分中將載具從一個(gè)沉積設(shè)備傳送至相鄰的沉積設(shè)備。從而，進(jìn)一步的沉積設(shè)備200具有蒸發(fā)源100，在軌道或線性引導(dǎo)件220上的真空腔室110中提供此蒸發(fā)源100。線性引導(dǎo)件220配置成用于蒸發(fā)源100的平移運(yùn)動。另外，蒸發(fā)源的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動可通過電機(jī)或用于旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)源的另一手段來提供。圖17中示出的沉積設(shè)備500和200各自可將材料沉積到基板上。可沿雙軌道傳送系統(tǒng)將兩個(gè)基板從傳遞腔室610傳送至進(jìn)一步的傳遞腔室611。根據(jù)更進(jìn)一步的實(shí)施例，制造系統(tǒng)可包含一個(gè)或多個(gè)沉積設(shè)備，這些沉積設(shè)備全都根據(jù)參照圖5a、圖5b和圖8a至圖9所述的實(shí)施例來提供。

因此，圖17示出制造系統(tǒng)1000，此制造系統(tǒng)1000具有：先前所述的群集部分，所述群集部分具有基板搬運(yùn)腔室1100，其以在水平取向搬運(yùn)基板；真空擺動模塊1160；第一傳遞腔室和第二傳遞腔室；多個(gè)沉積設(shè)備，在第一傳遞腔室與第二傳遞腔室之間；進(jìn)一步的真空擺動模塊1161；以及具有基板搬運(yùn)腔室1101的群集部分，在基板搬運(yùn)腔室1101中，以水平取向搬運(yùn)基板。另外，如先前所描述，由多個(gè)載具返回腔室1410和一個(gè)或多個(gè)真空旋轉(zhuǎn)模塊1461提供載具返回軌道?？赏ㄟ^實(shí)現(xiàn)先前已描述的其他實(shí)施例來實(shí)現(xiàn)可被提供為圖17中所示的制造系統(tǒng)1000的修改的實(shí)施例的進(jìn)一步的細(xì)節(jié)、方面、特征。

圖18示出操作根據(jù)本文所述的實(shí)施例的制造器件的實(shí)施例的流程圖。將基板裝載到制造系統(tǒng)中并處于水平取向(見步驟1802)。可將基板裝載在水平取向的載具上，并且在步驟1804中，通過將載具從水平取向旋轉(zhuǎn)至歪斜的取向來旋轉(zhuǎn)基板。在步驟1806中，通過在豎直取向中傳遞帶有基板的載具來傳遞基板通過制造系統(tǒng)(即，一個(gè)或多個(gè)沉積或處理腔室)。此后，在步驟1808中，將在其上具有基板的載具從豎直取向旋轉(zhuǎn)至水平取向。在步驟1810中，以水平取向方向卸載基板。在步驟1812中，在在真空條件下和/或在所定義的氣體氣氛中返回載具，所述所定義的氣體氣氛例如，在具有在腔室中提供的氬氣、氮?dú)饣蛩鼈兊慕M合的一個(gè)或多個(gè)腔室中的所定義的或受控的惰性氣氛。例如，惰性氣氛含有惰性氣體。惰性氣氛含有10ppm或更低(例如，1ppm或更低)的濃度的反應(yīng)性氣體，諸如，氧氣或濕氣。

鑒于上述內(nèi)容，本文所述的實(shí)施例可提供多項(xiàng)改進(jìn)，具體地，下文所述的改進(jìn)中的至少一項(xiàng)或多項(xiàng)。對于使用豎直的群集方式的此類系統(tǒng)(即，具有群集沉積系統(tǒng)部分的系統(tǒng))，可提供對所有腔室的“任意”接取。通過在增加模塊(即，沉積設(shè)備)的數(shù)量方面提供靈活性，所述系統(tǒng)概念可實(shí)現(xiàn)用于rgb和cf上白光型沉積兩者。此靈活性也可用于形成冗余。通過在例行維護(hù)期間或在掩模交換期間減少或不需要使基板搬運(yùn)腔室或沉積腔室破真空，可提供高的系統(tǒng)正常工作時(shí)間?？赏ㄟ^任選的等離子體清潔來原位地提供掩模清潔，或者可通過提供掩模交換接口在外部提供掩模清潔。在一個(gè)真空腔室中，使用掃描源方式以及180°轉(zhuǎn)向機(jī)構(gòu)來交替地或同時(shí)地涂覆兩個(gè)或更多個(gè)基板(源列配置)，可提供高的沉積源效率(>85％)和高的材料利用率(>50％)。由于集成式載具返回軌道，載具停留在真空中或在受控的氣體環(huán)境下?？稍诜珠_的維護(hù)真空腔室或源存儲腔室中提供沉積源的維護(hù)和預(yù)調(diào)節(jié)。通過實(shí)現(xiàn)真空擺動模塊，使用制造系統(tǒng)的所有者的現(xiàn)有玻璃搬運(yùn)設(shè)備，可更加容易地適應(yīng)水平的玻璃搬運(yùn)(例如，水平大氣壓力玻璃搬運(yùn))。可提供至真空封裝系統(tǒng)的接口。增加用于基板檢查(在線層分析)、掩?；蜉d具存儲的模塊具有高靈活性。系統(tǒng)具有小的占地面積。另外，可提供對于目前和未來玻璃尺寸的良好的尺寸可縮放性。

雖然上述內(nèi)容針對本發(fā)明的實(shí)施例，但可設(shè)計(jì)本發(fā)明的其他和進(jìn)一步的實(shí)施例而不背離本發(fā)明的基本范圍，并且本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求書來確定。