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一種掩膜條的接合方法、接合裝置、掩膜版與流程

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一種掩膜條的接合方法、接合裝置、掩膜版與流程

本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種掩膜條的接合方法、接合裝置、掩膜版。



背景技術(shù):

精細(xì)金屬掩膜(fmmmask)模式是通過(guò)蒸鍍方式將有機(jī)發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode,oled)的紅、綠、藍(lán)等有機(jī)物材料按照預(yù)定程序蒸鍍到低溫多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon,ltps)背板上,利用fmm上的圖形,使得紅、綠、藍(lán)等有機(jī)物材料蒸鍍到規(guī)定位置上。

流水作業(yè)生產(chǎn)oled顯示面板時(shí),如圖1所示,一般是先形成具有完整層結(jié)構(gòu)的顯示面板母板1,之后對(duì)顯示面板母板1進(jìn)行切割得到各個(gè)子顯示面板2。在顯示面板母板1制作過(guò)程中,多個(gè)子顯示面板2產(chǎn)品通常采用同步的工藝形成,這樣節(jié)省工藝步驟,成本低。因此,顯示面板母板1制作過(guò)程中需要將每個(gè)子顯示面板2對(duì)應(yīng)的掩膜條焊接成一個(gè)整張的掩膜版。焊接的多個(gè)掩膜條的位置精度直接影響產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。

現(xiàn)有技術(shù)中掩膜條每次焊接之前都需要進(jìn)行掩膜條框架的對(duì)位,使得掩膜條框架的實(shí)際位置與目標(biāo)位置的差異保持在±aμm范圍內(nèi),a可以根據(jù)產(chǎn)品尺寸進(jìn)行設(shè)定調(diào)整。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問(wèn)題:若將a設(shè)定值降低,例如設(shè)置成a=0.2μm,由于工藝限制,會(huì)使對(duì)位過(guò)程、焊接過(guò)程耗時(shí)較長(zhǎng),甚至進(jìn)入死循環(huán),影響有效的工藝時(shí)間,降低生產(chǎn)效率;若設(shè)定a=0.5μm,則第一次焊接時(shí)若a=-0.5μm,第二次焊接時(shí)a=+0.5μm,這樣會(huì)導(dǎo)致后面的掩膜條的實(shí)際位置精度整體差異達(dá)到1μm,影響整張掩膜版的焊接精度。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有的由掩膜條焊接成的整張掩膜版對(duì)位過(guò)程耗時(shí)長(zhǎng)、對(duì)位精度低的問(wèn)題,提供一種掩膜條的接合方法、接合裝置、掩膜版。

解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:

一種掩膜條的接合方法,包括以下步驟:

s1、對(duì)本級(jí)掩膜條的框架進(jìn)行對(duì)位,并檢測(cè)對(duì)位后框架的位置偏差以獲得第一補(bǔ)償數(shù)據(jù);

s2、根據(jù)所述第一補(bǔ)償數(shù)據(jù)調(diào)整本級(jí)掩膜條的像素坐標(biāo)基準(zhǔn);

s3、根據(jù)所述像素坐標(biāo)基準(zhǔn)將本級(jí)掩膜條固接至框架上。

優(yōu)選的是,在步驟s2之前還包括根據(jù)已固接的掩膜條的像素位置偏差的均值獲得本級(jí)掩膜條像素坐標(biāo)基準(zhǔn)的第二補(bǔ)償數(shù)據(jù)的步驟;

其中,步驟s2所述調(diào)整本級(jí)掩膜條的像素坐標(biāo)基準(zhǔn)是根據(jù)所述第一補(bǔ)償數(shù)據(jù)和第二補(bǔ)償數(shù)據(jù)調(diào)整本級(jí)掩膜條的像素坐標(biāo)基準(zhǔn)。

優(yōu)選的是,在步驟s3所述將本級(jí)掩膜條固接至框架上后還包括檢測(cè)本級(jí)掩膜條的像素位置偏差的步驟。

優(yōu)選的是,所述根據(jù)所述第一補(bǔ)償數(shù)據(jù)和第二補(bǔ)償數(shù)據(jù)調(diào)整本級(jí)掩膜條的像素坐標(biāo)基準(zhǔn)包括將所述第一補(bǔ)償數(shù)據(jù)和第二補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行同向相加異向相減的運(yùn)算后計(jì)算本級(jí)掩膜條像素坐標(biāo)基準(zhǔn)需要調(diào)整的距離。

優(yōu)選的是,所述將本級(jí)掩膜條固接至框架上包括將本級(jí)掩膜條焊接至框架上

優(yōu)選的是,所述本級(jí)掩膜條的框架的對(duì)位精度的閾值范圍為-1.2μm~+1.2μm。

本發(fā)明還提供一種掩膜條的接合裝置,包括:

對(duì)位單元,用于對(duì)本級(jí)掩膜條的框架進(jìn)行對(duì)位;

與所述對(duì)位單元連接的第一檢測(cè)單元,用于檢測(cè)對(duì)位后框架的位置偏差以獲得第一補(bǔ)償數(shù)據(jù);

與所述第一檢測(cè)單元連接的調(diào)整單元,用于根據(jù)所述第一補(bǔ)償數(shù)據(jù)調(diào)整本級(jí)掩膜條的像素坐標(biāo)基準(zhǔn);

接合單元,用于將本級(jí)掩膜條固接至框架上。

優(yōu)選的是,所述接合裝置還包括與所述調(diào)整單元連接的第二檢測(cè)單元,用于檢測(cè)已固接的掩膜條的像素位置偏差,并根據(jù)已固接的掩膜條的像素位置偏差的均值獲得本級(jí)掩膜條像素坐標(biāo)基準(zhǔn)的第二補(bǔ)償數(shù)據(jù);

所述調(diào)整單元,用于根據(jù)所述第一補(bǔ)償數(shù)據(jù)和第二補(bǔ)償數(shù)據(jù)調(diào)整本級(jí)掩膜條的像素坐標(biāo)基準(zhǔn)。

優(yōu)選的是,所述接合單元包括焊接部件。

本發(fā)明還提供一種掩膜版,由多個(gè)掩膜條逐一接合形成,其中,所述掩膜條逐一接合采用上述的掩膜條的接合方法進(jìn)行。

本發(fā)明的掩膜條的接合方法中將對(duì)位后框架的位置偏差作為第一補(bǔ)償數(shù)據(jù)補(bǔ)償至了像素坐標(biāo)基準(zhǔn),因此掩膜條框架的實(shí)際位置與目標(biāo)位置的差異可以設(shè)置為較大范圍,這樣可以在較短時(shí)間內(nèi),使得本級(jí)掩膜條框架落入對(duì)位精度的閾值范圍,大大降低對(duì)位時(shí)間,避免進(jìn)入死循環(huán),提高生產(chǎn)效率的同時(shí)不影響掩膜版多個(gè)掩膜條的固接精度。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2、圖3為本發(fā)明的實(shí)施例1的掩膜條的接合裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖4為本發(fā)明的實(shí)施例2的掩膜條的接合方法流程圖;

圖5為本發(fā)明的實(shí)施例3的掩膜條的接合方法流程圖;

其中,附圖標(biāo)記為:1、顯示面板母板;2、子顯示面板;30、對(duì)位單元;31、第一檢測(cè)單元;32、第二檢測(cè)單元;33、調(diào)整單元;34、接合單元。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案,下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

實(shí)施例1:

本實(shí)施例提供一種掩膜條的接合裝置,如圖2所示,包括對(duì)位單元30、第一檢測(cè)單元31、調(diào)整單元33和接合單元34;其中,對(duì)位單元30用于對(duì)本級(jí)掩膜條的框架進(jìn)行對(duì)位;第一檢測(cè)單元31與所述對(duì)位單元連接,用于檢測(cè)對(duì)位后框架的位置偏差以獲得第一補(bǔ)償數(shù)據(jù);調(diào)整單元33與所述第一檢測(cè)單元連接,用于根據(jù)所述第一補(bǔ)償數(shù)據(jù)調(diào)整本級(jí)掩膜條的像素坐標(biāo)基準(zhǔn);接合單元34用于將本級(jí)掩膜條固接至框架上。

本實(shí)施例的掩膜條的接合裝置中,與所述對(duì)位單元30連接的第一檢測(cè)單元31獲取對(duì)位后框架的位置偏差作為第一補(bǔ)償數(shù)據(jù),調(diào)整單元33根據(jù)第一補(bǔ)償數(shù)據(jù)調(diào)整本級(jí)掩膜條的像素坐標(biāo)基準(zhǔn),接合單元34根據(jù)上述調(diào)整后的新的像素坐標(biāo)基準(zhǔn)將本級(jí)掩膜條固接至框架上。由于將對(duì)位后框架的位置偏差補(bǔ)償至了像素坐標(biāo)基準(zhǔn),因此掩膜條框架的實(shí)際位置與目標(biāo)位置的差異設(shè)定±aμm可以設(shè)置為較大范圍,這樣可以在較短時(shí)間內(nèi),使得本級(jí)掩膜條框架落入對(duì)位精度的閾值范圍,可以大大降低對(duì)位時(shí)間,避免進(jìn)入死循環(huán),提高生產(chǎn)效率的同時(shí)不影響掩膜版多個(gè)掩膜條的固接精度。

作為本實(shí)施例中的一種優(yōu)選實(shí)施方案,如圖3所示,所述接合裝置還包括與所述調(diào)整單元連接的第二檢測(cè)單元32,用于檢測(cè)已固接的掩膜條的像素位置偏差,并根據(jù)已固接的掩膜條的像素位置偏差的均值獲得本級(jí)掩膜條像素坐標(biāo)基準(zhǔn)的第二補(bǔ)償數(shù)據(jù);所述調(diào)整單元33,用于根據(jù)所述第一補(bǔ)償數(shù)據(jù)和第二補(bǔ)償數(shù)據(jù)調(diào)整本級(jí)掩膜條的像素坐標(biāo)基準(zhǔn)。

也就是說(shuō),參見(jiàn)圖3,該方案中除了將第一補(bǔ)償數(shù)據(jù)補(bǔ)償至像素坐標(biāo)基準(zhǔn)之外,還將已固接的掩膜條的像素位置偏差的均值作為第二補(bǔ)償數(shù)據(jù)補(bǔ)償至像素坐標(biāo)基準(zhǔn),這樣相當(dāng)于多個(gè)掩膜條在同一精度條件下逐一接合,從而提高整張掩膜版精度,實(shí)現(xiàn)掩膜版焊接精度的同步性。

優(yōu)選的是,所述接合單元34包括焊接部件。

也就是說(shuō),作為本實(shí)施例中的一種優(yōu)選實(shí)施方案,接合方式采用焊接,然而不同形狀、不同尺寸、不同材料的掩膜條,還可以采用其它方法進(jìn)行固接。

實(shí)施例2:

本實(shí)施例提供一種掩膜條的接合方法,如圖4所示,包括以下步驟:

s1、對(duì)本級(jí)掩膜條的框架進(jìn)行對(duì)位,并檢測(cè)對(duì)位后框架的位置偏差以獲得第一補(bǔ)償數(shù)據(jù);

s2、根據(jù)所述第一補(bǔ)償數(shù)據(jù)調(diào)整本級(jí)掩膜條的像素坐標(biāo)基準(zhǔn);

s3、根據(jù)所述像素坐標(biāo)基準(zhǔn)將本級(jí)掩膜條固接至框架上。

本實(shí)施例的掩膜條的接合方法中將對(duì)位后框架的位置偏差作為第一補(bǔ)償數(shù)據(jù)補(bǔ)償至了像素坐標(biāo)基準(zhǔn),因此掩膜條框架的實(shí)際位置與目標(biāo)位置的差異設(shè)定±aμm可以設(shè)置為較大范圍,這樣可以在較短時(shí)間內(nèi),使得本級(jí)掩膜條框架落入對(duì)位精度的閾值范圍,大大降低對(duì)位時(shí)間,避免進(jìn)入死循環(huán),提高生產(chǎn)效率的同時(shí)不影響掩膜版多個(gè)掩膜條的固接精度。

實(shí)施例3:

本實(shí)施例提供一種掩膜條的接合方法,采用實(shí)施例1的掩膜條的接合裝置進(jìn)行結(jié)合,如圖5所示,具體包括以下步驟:

s01a、對(duì)位單元30對(duì)本級(jí)掩膜條的框架進(jìn)行對(duì)位,第一檢測(cè)單元31檢測(cè)對(duì)位后框架的位置偏差以獲得第一補(bǔ)償數(shù)據(jù)。

s01b、第二檢測(cè)單元32根據(jù)已固接的掩膜條的像素位置偏差的均值獲得本級(jí)掩膜條框架的第二補(bǔ)償數(shù)據(jù)。

s02、調(diào)整單元33根據(jù)所述第一補(bǔ)償數(shù)據(jù)和第二補(bǔ)償數(shù)據(jù)調(diào)整本級(jí)掩膜條的像素坐標(biāo)基準(zhǔn)。

s03、接合單元34根據(jù)所述像素坐標(biāo)基準(zhǔn)將本級(jí)掩膜條固接至框架上。

也就是說(shuō),相較于實(shí)施例2,本實(shí)施例作為一種優(yōu)選實(shí)施方案,該方案中除了將第一補(bǔ)償數(shù)據(jù)補(bǔ)償至像素坐標(biāo)基準(zhǔn)之外,還將已固接的掩膜條的像素位置偏差的均值作為第二補(bǔ)償數(shù)據(jù)補(bǔ)償至像素坐標(biāo)基準(zhǔn),這樣相當(dāng)于降低了上一級(jí)的像素對(duì)位偏差對(duì)本級(jí)像素位置的調(diào)整的影響,逐級(jí)接合后,整張掩膜版的整體精度高。即多個(gè)掩膜條在同一精度條件下逐一接合,從而提高整張掩膜版精度,實(shí)現(xiàn)掩膜版焊接精度的同步性。

優(yōu)選的是,所述本級(jí)掩膜條的框架的對(duì)位精度的閾值范圍為-1.2μm~+1.2μm。

也就是說(shuō),現(xiàn)有技術(shù)中為了保證位置精度,難免使得對(duì)位過(guò)程、焊接過(guò)程耗時(shí)較長(zhǎng),甚至進(jìn)入死循環(huán),影響有效的工藝時(shí)間;而本實(shí)施例中由于將第一補(bǔ)償數(shù)據(jù)和第二補(bǔ)償數(shù)據(jù)補(bǔ)償至了像素坐標(biāo)基準(zhǔn),因此可以將±aμm設(shè)定為較大范圍,大大降低對(duì)位時(shí)間,避免進(jìn)入死循環(huán)??梢岳斫獾氖牵?.2μm僅僅是例舉,±1.0μm、±0.8μm等預(yù)設(shè)值也是可行的。

優(yōu)選的是,接合單元34將本級(jí)掩膜條焊接至框架上。

也就是說(shuō),本實(shí)施例中s03步驟中將本級(jí)掩膜條固接是采用焊接的方式將其固接,可以理解的是,針對(duì)不同形狀、不同尺寸、不同材料的掩膜條,還可以采用其它方法進(jìn)行固接,在此不再一一例舉。

s04、第二檢測(cè)單元32檢測(cè)本級(jí)掩膜條的像素對(duì)位偏差,并反饋至調(diào)整單元33,用于計(jì)算下一級(jí)掩膜條的第二補(bǔ)償數(shù)據(jù)。

在此,以實(shí)際操作中一個(gè)實(shí)例進(jìn)行說(shuō)明:

設(shè)定掩膜條的框架的對(duì)位精度的閾值范圍為-1.2μm~+1.2μm。

a.對(duì)位單元30對(duì)本級(jí)掩膜條的框架進(jìn)行對(duì)位;

b.第一檢測(cè)單元31檢測(cè)對(duì)位后框架的位置偏差為-0.6μm,落入上述的-1.2μm~+1.2μm范圍內(nèi),因此無(wú)需再次調(diào)整,-0.6μm作為第一補(bǔ)償數(shù)據(jù),進(jìn)入下一步;

c.第二檢測(cè)單元32檢測(cè)已固接的本級(jí)掩膜條之前的全部掩膜條的像素位置偏差,并計(jì)算其均值作為本級(jí)掩膜條框架的第二補(bǔ)償數(shù)據(jù),第二補(bǔ)償數(shù)據(jù)為-0.5μm;

d.調(diào)整單元33將第一補(bǔ)償數(shù)據(jù)-0.6μm和第二補(bǔ)償數(shù)據(jù)-0.5μm進(jìn)行同性相加或異性相減的運(yùn)算,由于-0.6μm+-0.5μm=-1.1μm,調(diào)整單元33按-1.1μm調(diào)整本級(jí)掩膜條的像素坐標(biāo)基準(zhǔn);

e.接合單元34根據(jù)上述調(diào)整后的新的像素坐標(biāo)基準(zhǔn)將本級(jí)掩膜條固接至框架上。

f.檢測(cè)單元34檢測(cè)本級(jí)掩膜條的像素對(duì)位偏差0.2μm,并反饋至第二檢測(cè)單元32,用于計(jì)算下一級(jí)掩膜條的第二補(bǔ)償數(shù)據(jù),如此依次逐一結(jié)合。

顯然,上述各實(shí)施例的具體實(shí)施方式還可進(jìn)行許多變化;例如:掩膜條框架的對(duì)位精度的閾值范圍可以根據(jù)產(chǎn)品實(shí)際尺寸進(jìn)行調(diào)整,檢測(cè)數(shù)據(jù)的具體處理方式可以根據(jù)需要進(jìn)行選擇。

實(shí)施例4:

本實(shí)施例提供了一種掩膜版,由多個(gè)掩膜條逐一接合形成,其中,所述掩膜條逐一接合采用上述實(shí)施例的掩膜條的接合方法進(jìn)行。

可以理解的是,以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式,然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言,在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下,可以做出各種變型和改進(jìn),這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。

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