技術(shù)總結(jié)
本實用新型提供一種噴淋頭，其用于半導體等離子體處理裝置，所述半導體等離子體處理裝置包括反應腔及設(shè)置于所述反應腔中的載物臺，所述載物臺用以承載襯底，所述噴淋頭相對于所述載物臺設(shè)置于所述反應腔中，用以將反應氣體沿著所述襯底的方向噴淋，所述噴淋頭包括噴淋頭通孔以將所述反應氣體通入所述反應腔，所述噴淋頭通孔包括第一通孔與第二通孔，所述第一通孔具有第一流阻，所述第二通孔具有第二流阻，所述第一通孔在噴淋頭中所形成的區(qū)域位置及區(qū)域形狀不同于所述第二通孔在噴淋頭中所形成的區(qū)域位置及區(qū)域形狀以均勻所述反應氣體在所述襯底上的沉積速率。本實用新型的噴淋頭及等離子體處理裝置有效提高了反應氣體在所述襯底上的沉積速率均勻性。

技術(shù)研發(fā)人員：劉憶軍;戚艷麗;柴智;王卓
受保護的技術(shù)使用者：沈陽拓荊科技有限公司
文檔號碼：201620468469
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.19
技術(shù)公布日：2017.03.22