本實(shí)用新型涉及一種鋁鍍膜原料加熱裝置，具體的說(shuō)，涉及了一種用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜。

背景技術(shù)：

壓腔熱床爐鏜作為真空卷繞鍍膜機(jī)的重要組成部分，用于加熱鋁絲使之汽化，形成鋁分子蒸汽以便完成鍍膜工藝?，F(xiàn)有的壓腔熱床爐鏜大多采用開放式結(jié)構(gòu)，同時(shí)間隔設(shè)置加熱帶進(jìn)行加熱，由于加熱帶直接溫度變化導(dǎo)致加熱產(chǎn)生的蒸氣流局部紊亂、金屬蒸氣濃度下降、有效利用極低，非自由區(qū)的二次污染，鍍層金屬在薄膜上的沉積結(jié)合度、均勻度極差。

為了解決以上存在的問(wèn)題，人們一直在尋求一種理想的技術(shù)解決方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，從而提供一種設(shè)計(jì)科學(xué)、實(shí)用性強(qiáng)、結(jié)構(gòu)合理、鋁分子利用率高、鋁分子揮發(fā)效果好和生產(chǎn)質(zhì)量高的用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是：一種用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜，它包括半導(dǎo)體加熱爐體，所述半導(dǎo)體加熱爐體兩端分別安裝有正導(dǎo)電電極和負(fù)導(dǎo)電電極，所述半導(dǎo)體加熱爐體上側(cè)開設(shè)有鋁分子蒸汽揮發(fā)口，所述半導(dǎo)體加熱爐體下側(cè)開設(shè)有多個(gè)原料進(jìn)口。

基于上述，多個(gè)所述原料進(jìn)口成排狀設(shè)置在所述半導(dǎo)體加熱爐體上。

基于上述，所述半導(dǎo)體加熱爐體是柱狀中空爐體，所述正導(dǎo)電電極和所述負(fù)導(dǎo)電電極分別是環(huán)狀電極，所述環(huán)狀電極壓接在所述柱狀中空爐體的兩側(cè)。

基于上述，所述柱狀中空爐體一側(cè)開設(shè)有檢修口，所述檢修口處鎖閉有檢修門。

基于上述，所述鋁分子蒸汽揮發(fā)口處設(shè)置有鋁分子蒸汽穩(wěn)壓管。

基于上述，所述鋁分子蒸汽揮發(fā)口開設(shè)在所述柱狀中空爐體的上方，多個(gè)所述原料進(jìn)口成排狀設(shè)置在所述柱狀中空爐體的軸心線上。

本實(shí)用新型相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)具有實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和進(jìn)步，具體的說(shuō)，本實(shí)用新型利用所述正導(dǎo)電電極和所述負(fù)導(dǎo)電電極對(duì)所述半導(dǎo)體加熱爐體進(jìn)行加熱，使得爐體內(nèi)溫度均勻，進(jìn)而使得產(chǎn)生的鋁分子蒸汽均勻上升，防止局部蒸汽流紊亂的問(wèn)題，進(jìn)而保證鍍膜的均勻性和一致性，其具有設(shè)計(jì)科學(xué)、實(shí)用性強(qiáng)、結(jié)構(gòu)合理、鋁分子利用率高、鋁分子揮發(fā)效果好和生產(chǎn)質(zhì)量高的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1. 半導(dǎo)體加熱爐體；2. 正導(dǎo)電電極；3. 負(fù)導(dǎo)電電極；4. 鋁分子蒸汽揮發(fā)口；5. 原料進(jìn)口；6. 鋁分子蒸汽穩(wěn)壓管。

具體實(shí)施方式

下面通過(guò)具體實(shí)施方式，對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

如圖1所示，一種用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜，該爐鏜屬于真空卷繞鍍膜機(jī)的一部分，整個(gè)爐鏜設(shè)置在真空環(huán)境內(nèi)，能夠?qū)X絲汽化進(jìn)行提供鋁分子蒸汽，配合上下游設(shè)備完成鍍膜工藝。該用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜包括半導(dǎo)體加熱爐體1，所述半導(dǎo)體加熱爐體1采用SiC等半導(dǎo)體采集制成，滿足高溫加熱需求即可。所述半導(dǎo)體加熱爐體1兩側(cè)分別安裝有正導(dǎo)電電極2和負(fù)導(dǎo)電電極3，通過(guò)電極外加加熱電路進(jìn)行爐鏜溫度的控制。所述半導(dǎo)體加熱爐1體上側(cè)開設(shè)有鋁分子蒸汽揮發(fā)口4，在所述半導(dǎo)體加熱爐體1加熱的鋁絲變?yōu)殇X分子蒸汽后通過(guò)該鋁分子蒸汽揮發(fā)口4進(jìn)入下游設(shè)備完成鍍膜。為了便于原料鋁絲的進(jìn)入，所述半導(dǎo)體加熱爐體1下側(cè)開設(shè)有多個(gè)原料進(jìn)口5。

為了便于輸送原料鋁絲所述原料進(jìn)口5設(shè)置鋁絲輸送盤，該鋁絲輸送盤采用現(xiàn)有技術(shù)以便鋁絲的自動(dòng)化輸送。為了保證鋁絲加熱的均勻性，多個(gè)所述原料進(jìn)口5成排狀設(shè)置在所述半導(dǎo)體加熱爐體1上。

本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體加熱爐體1是柱狀中空爐體，所述正導(dǎo)電電極2和所述負(fù)導(dǎo)電電極3分別是環(huán)狀電極，所述環(huán)狀電極壓接在所述柱狀中空爐體的兩側(cè)。配合該柱狀中空爐體，所述鋁分子蒸汽揮發(fā)口4開設(shè)在所述柱狀中空爐體的上方，多個(gè)所述原料進(jìn)口5成排狀設(shè)置在所述柱狀中空爐體的軸心線上。

采用柱狀中空爐體便于安裝，便于設(shè)置電極、原料進(jìn)口5等的位置，同時(shí)保證加熱的均勻性，使得所述半導(dǎo)體加熱爐體1產(chǎn)生均勻的鋁分子蒸汽流，以此保證鍍膜質(zhì)量。

為了便于檢修，所述柱狀中空爐體一側(cè)開設(shè)有檢修口，所述檢修口處鎖閉有檢修門。生產(chǎn)時(shí)閉合所述檢修門，使得所述柱狀中空爐體形成密閉空間，保證鋁分子蒸汽流通過(guò)所述鋁分子蒸汽揮發(fā)口4均勻揮發(fā)處。

為了便于導(dǎo)向蒸汽流，所述鋁分子蒸汽揮發(fā)口4處設(shè)置有鋁分子蒸汽穩(wěn)壓管6，以此保證鋁分子蒸汽流向的穩(wěn)定性。

該用于鍍鋁膜的壓腔熱床爐鏜整合鋁分子蒸汽流的流向，增大蒸氣區(qū)域金屬分子濃度及壓力，使得金屬分子類轟擊基材薄膜，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)金屬分子有效沉積，形成導(dǎo)電、耐蝕的高性能金屬鍍層；并且由于鋁分子蒸氣濃度高、方向性好，在基膜上的沉積速度加快，膜材經(jīng)過(guò)高溫沉積區(qū)的時(shí)間短，基膜受損減小，耐壓提高。

所述柱狀中空爐體結(jié)構(gòu)形成的鋁分子揮發(fā)高壓源，在類轟擊作用下消除柱狀晶體，代之而形成的是均勻的顆粒狀晶體，提高了金屬膜層壓應(yīng)力及金屬材料的疲勞壽命，蒸氣分子束對(duì)膜層的轟擊作用影響到膜的形態(tài)、結(jié)晶組分、物理性能和許多其他特性。

最后應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是:以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非對(duì)其限制；盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：依然可以對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式進(jìn)行修改或者對(duì)部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的精神，其均應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型請(qǐng)求保護(hù)的技術(shù)方案范圍當(dāng)中。