1.一種噴淋頭，用于半導(dǎo)體等離子體處理裝置，所述半導(dǎo)體等離子體處理裝置包括反應(yīng)腔及設(shè)置于所述反應(yīng)腔中的載物臺，所述載物臺用以承載襯底，所述噴淋頭相對于所述載物臺設(shè)置于所述反應(yīng)腔中，用以將反應(yīng)氣體沿著所述襯底的方向噴淋，其特征在于，所述噴淋頭包括噴淋頭通孔以將所述反應(yīng)氣體通入所述反應(yīng)腔，所述噴淋頭通孔包括第一通孔與第二通孔，所述第一通孔具有第一流阻，所述第二通孔具有第二流阻，所述第一流阻不等于所述第二流阻，所述第一通孔在噴淋頭中所形成的區(qū)域位置及區(qū)域形狀不同于所述第二通孔在噴淋頭中所形成的區(qū)域位置及區(qū)域形狀以均勻所述反應(yīng)氣體在所述襯底上的沉積速率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴淋頭，其特征在于：所述噴淋頭通孔包括進氣端及與所述進氣端相連通的出氣口，所述進氣端沿著垂直氣體流向的方向具有進氣橫截面積，所述出氣口沿著垂直氣體流向的方向具有出氣橫截面積，所述進氣橫截面積大于所述出氣橫截面積，所述進氣橫截面積為0.00785-7.85平方毫米，所述出氣橫截面積為0.00785-0.785平方毫米，所述進氣端長度與出氣口長度之和為5-20mm，進氣端長度范圍為2-20mm，出氣口長度范圍為2-20mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的噴淋頭，其特征在于：所述第一通孔具有第一進氣端和第一出氣口，所述第一進氣端和所述第一出氣口相連通，所述第一進氣端沿著垂直氣體流向的方向具有第一進氣橫截面積，所述第一進氣端沿著垂直氣體流向的方向具有第一出氣橫截面積，所述第一進氣橫截面積大于所述第一出氣橫截面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的噴淋頭，其特征在于：所述第二通孔具有第二進氣端和第二出氣口，所述第二進氣端和所述第二出氣口相連通，所述第二進氣端沿著垂直氣體流向的方向具有第二進氣橫截面積，所述第二出氣口沿著垂直氣體流向的方向具有第二出氣橫截面積，所述第二進氣橫截面積大于所述第二出氣橫截面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的噴淋頭，其特征在于：所述第一出氣口的長度與所述第一通孔的長度具有第一長度比值，所述第二出氣口與所述第二通孔具有第二長度比值，所述第一長度比值不等于所述第二長度比值。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的噴淋頭，其特征在于：所述第一進氣橫截面積與所述第一出氣橫截面積具有第一面積比值，所述第二進氣橫截面積與所述第二出氣橫截面積具有第二面積比值，所述第一面積比值不等于所述第二面積比值。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的噴淋頭，其特征在于：所述噴淋頭還包括第三通孔，所述第三通孔具有第三進氣端和第三出氣口，所述第三進氣端和所述第三出氣口相連通，所述第三進氣端沿著垂直氣體流向的方向具有第三進氣橫截面積，所述第三出氣口沿著垂直氣體流向的方向具有第三出氣橫截面積，所述第三進氣橫截面積大于所述第三出氣橫截面積。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的噴淋頭，其特征在于：所述第三出氣口的長度與所述第三通孔的長度具有第三長度比值，所述第一出氣口的長度與所述第一通孔的長度具有第一長度比值，所述第二出氣口的長度與所述第二通孔的長度具有第二長度比值，所述第三長度比值、所述第一長度比值與所述第二長度比值互不相等。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的噴淋頭，其特征在于：所述第三進氣橫截面積與所述第三出氣橫截面積具有第三面積比值，所述第三面積比值、所述第一面積比值與所述第二面積比值互不相等。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的噴淋頭，其特征在于：所述噴淋頭具有圓形的出氣面，所述出氣面包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域，所述第一區(qū)域為第一內(nèi)嵌三角形面，所述第二區(qū)域為第二內(nèi)嵌三角形面，所述第三區(qū)域為第二內(nèi)嵌三角形外的弧面，所述第一通孔在所述出氣面上形成若干第一出氣口，所述第一出氣口形成于所述第一區(qū)域，所述第二通孔在所述出氣面上形成若干第二出氣口，所述第二出氣口形成于所述第二區(qū)域，所述第三通孔在所述出氣面上形成若干第三出氣口，所述第三出氣口形成于所述第三區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的噴淋頭，其特征在于：所述噴淋頭具有圓形的出氣面，所述出氣面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域為內(nèi)嵌三角形面，所述第二區(qū)域為內(nèi)嵌三角形外的弧面，所述第一通孔在所述出氣面上形成若干第一出氣口，所述第一出氣口形成于所述第一區(qū)域，所述第二通孔在所述出氣面上形成若干第二出氣口，所述第二出氣口形成于所述第二區(qū)域。
12.一種設(shè)置有如權(quán)利要求1-11中任一項所述的噴淋頭的等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子體處理裝置用于以化學(xué)氣相沉積的方法在所述襯底上沉積薄膜，所述襯底為硅片。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子體處理裝置，其特征在于，還包括：設(shè)置在所述反應(yīng)腔下方的排氣系統(tǒng)，所述排氣系統(tǒng)包括控壓單元和排氣泵，所述控壓單元用以控制所述反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓，所述的反應(yīng)腔具有側(cè)壁，所述側(cè)壁設(shè)置有反應(yīng)腔閥門，所述反應(yīng)腔閥門與傳輸腔相連接，用以將傳輸腔內(nèi)的襯底經(jīng)由所述反應(yīng)閥門傳輸至所述反應(yīng)腔內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理裝置，其特征在于：在所述噴淋頭和所述載物臺間施加電壓形成等離子體，用于對所述襯底進行等離子體處理。