技術總結
本發(fā)明屬于原子層沉積技術領域，公開了一種可變電場調制的遠程等離子體原子層沉積系統(tǒng)，包括：腔體；石英管；絕緣陶瓷組件；上電極盤；下電極盤；絕緣墊；加熱盤；絕緣導熱層；電源；繼電器。解決了現(xiàn)有技術中薄膜沉積速率遠小于理論預期，原子層沉積所得薄膜的晶體取向存在隨機不可控性，所得薄膜多為存在較多缺陷的多晶薄膜的問題。通過在反應腔內引入大小和極性可任意設置的可變均勻電場，達到了增加襯底表面的吸附和化學反應活性位點，提高襯底表面的化學反應活性和薄膜覆蓋率，進而實現(xiàn)原子層沉積原子精度分辨率的層狀生長，調控薄膜的結晶和摻雜特性的技術效果。

技術研發(fā)人員：盧維爾;程嵩;夏洋;李楠
受保護的技術使用者：中國科學院微電子研究所
文檔號碼：201611227768
技術研發(fā)日：2016.12.27
技術公布日：2017.05.31