本揭示案廣泛地應(yīng)用于等離子體處理設(shè)備的領(lǐng)域。更具體而言，公開(kāi)了用于提供空間上一致的等離子體產(chǎn)物的系統(tǒng)及方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體處理通常利用等離子體處理來(lái)在半導(dǎo)體晶片上蝕刻、清潔或沉積材料。所有這樣的處理在受處理晶片的整個(gè)表面上最好是高度一致的。顯著地在這幾年，在特征尺寸已減少的同時(shí)晶片尺寸已增加，以致于每個(gè)受處理晶片可收獲更多的集成電路。一般的晶片直徑從1970年代的約2或3英寸增加到2010年代的12英寸或更多。在同一時(shí)間框架下，商務(wù)集成電路的一般最小特征尺寸從約5微米減少到約0.015微米。在晶片成長(zhǎng)得更大的同時(shí)處理較小的特征需要處理一致性上的顯著改良。晶片以外的工件的等離子體處理也可受益于改良的處理一致性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在一實(shí)施例中，一種用于供應(yīng)等離子體產(chǎn)物的裝置包括等離子體生成阻件，該等離子體生成阻件在其中定義環(huán)狀等離子體腔。該等離子體腔在環(huán)軸周?chē)緦?duì)稱(chēng)，且該環(huán)軸定義該等離子體生成阻件的第一軸向側(cè)及第二軸向側(cè)。磁構(gòu)件，相對(duì)于該環(huán)軸以一個(gè)方位位置至少部分地圍繞該等離子體生成阻件，使得該磁構(gòu)件內(nèi)的磁通量將相對(duì)應(yīng)電場(chǎng)誘發(fā)進(jìn)該等離子體腔，以從一個(gè)或更多個(gè)源氣體生成等離子體，該等離子體形成等離子體產(chǎn)物。該等離子體生成阻件通過(guò)多個(gè)輸出孔供應(yīng)該等離子體產(chǎn)物，該多個(gè)輸出孔是在該第一軸向側(cè)上由該等離子體生成阻件所定義。

在實(shí)施例中，一種用于供應(yīng)等離子體產(chǎn)物的裝置包括等離子體生成槽，該等離子體生成槽定義了等離子體腔。該等離子體腔在環(huán)軸周?chē)緦?duì)稱(chēng)。該等離子體生成槽包括：(1)等離子體生成阻件，在其徑向朝內(nèi)、徑向朝外及第二軸向側(cè)上約束該等離子體腔，且定義了一個(gè)或更多個(gè)孔，以供將一個(gè)或更多個(gè)源氣體引進(jìn)該等離子體腔；及(2)平板，安置于該等離子體腔的第一軸向側(cè)上，該平板通過(guò)該平板定義多個(gè)孔，該多個(gè)孔在方位上分布于該等離子體腔周?chē)?。該等離子體生成阻件的徑向朝內(nèi)及徑向朝外邊緣鄰接該平板以形成該等離子體生成槽，基本上圍住該等離子體腔。該裝置更包括第一及第二電感線(xiàn)圈、用于在該第一及第二電感線(xiàn)圈內(nèi)提供電流的電源，及第一及第二磁構(gòu)件，該第一及第二磁構(gòu)件至少部分地延伸于該等離子體生成阻件周?chē)?，且分別安置于該第一及第二電感線(xiàn)圈附近，以便該電流在該磁構(gòu)件內(nèi)誘發(fā)磁通量，且該磁構(gòu)件內(nèi)的該磁通量在該等離子體腔內(nèi)生成方位電場(chǎng)以從一個(gè)或更多個(gè)源氣體形成等離子體，形成等離子體產(chǎn)物。通過(guò)該平板的該孔對(duì)于該等離子體產(chǎn)物向相鄰區(qū)域提供流體連通，以用于等離子體處理中。

在一實(shí)施例中，一種用于提供等離子體產(chǎn)物的方法包括以下步驟：將源氣體流引進(jìn)等離子體生成阻件，該等離子體生成阻件在其中定義環(huán)狀等離子體腔。該等離子體腔在環(huán)軸周?chē)緦?duì)稱(chēng)。該等離子體生成阻件僅在其第一軸向側(cè)上相對(duì)于該環(huán)軸定義多個(gè)輸出孔。該輸出孔在方位上基本分布于該等離子體生成阻件周?chē)?。該方法也包括以下步驟：將電場(chǎng)誘發(fā)進(jìn)該等離子體腔，以從該源氣體流生成等離子體，該等離子體形成該等離子體產(chǎn)物，及將該等離子體產(chǎn)物穿過(guò)由該等離子體生成阻件所定義的該多個(gè)輸出孔。

附圖說(shuō)明

圖1示意性地繪示了依據(jù)實(shí)施例的等離子體處理系統(tǒng)的主要構(gòu)件。

圖2示意性地繪示了依據(jù)實(shí)施例的直接出口環(huán)狀等離子體源的受選構(gòu)件。

圖3示意性地繪示了依據(jù)實(shí)施例的直接出口環(huán)狀等離子體源的受選構(gòu)件。

圖4示意性地繪示了依據(jù)實(shí)施例的直接出口環(huán)狀等離子體源的受選構(gòu)件。

圖5示意性地繪示了依據(jù)實(shí)施例的直接出口環(huán)狀等離子體源的受選構(gòu)件。

圖6是圖5的斷線(xiàn)6-6處截取的直接出口環(huán)狀等離子體源的示意剖視圖。

圖7是圖5的斷線(xiàn)7-7處截取的直接出口環(huán)狀等離子體源的示意剖視圖。

圖8示意性地繪示了依據(jù)實(shí)施例的具有等離子體腔的直接出口環(huán)狀等離子體源，該等離子體腔通過(guò)在平板附近安置等離子體阻件來(lái)定義。

圖9示意性地繪示了依據(jù)實(shí)施例的具有等離子體腔的另一直接出口環(huán)狀等離子體源，該等離子體腔通過(guò)在平板附近安置等離子體阻件來(lái)定義。

圖10示意性地繪示了依據(jù)實(shí)施例的直接出口環(huán)狀等離子體源，圖示入口氣體歧管，該入口氣體歧管向其中的等離子體腔供應(yīng)源氣體。

圖11是沿圖10的線(xiàn)11-11的示意剖視圖。

圖12示意性地繪示了依據(jù)實(shí)施例的具有用于引入源氣體的進(jìn)線(xiàn)氣體注射接口的直接出口環(huán)狀等離子體源的等離子體阻件。

圖13示意性地繪示了依據(jù)實(shí)施例的具有用于引入源氣體的多個(gè)進(jìn)線(xiàn)氣體注射接口的直接出口環(huán)狀等離子體源的等離子體阻件。

圖14示意性地繪示了依據(jù)實(shí)施例的直接出口環(huán)狀等離子體源的等離子體阻件，圖示可如何相對(duì)于平板的表面法線(xiàn)以多個(gè)角度定義出口孔，該平板形成其一個(gè)軸向側(cè)(axialside)。

圖15a是依據(jù)實(shí)施例的示意底視圖，繪示直接出口環(huán)狀等離子體源，在該直接出口環(huán)狀等離子體源中定義了四個(gè)出口孔。

圖15b是依據(jù)實(shí)施例的示意底視圖，繪示直接出口環(huán)狀等離子體源，在該直接出口環(huán)狀等離子體源中定義了六個(gè)出口孔。

圖16以橫截面圖示意性地繪示了依據(jù)實(shí)施例的等離子體晶片處理系統(tǒng)，該等離子體晶片處理系統(tǒng)包括兩個(gè)直接出口環(huán)狀等離子體源。

圖17a示意性地繪示了圖16的等離子體處理系統(tǒng)的頂面的面朝上的示意平面圖，其中兩個(gè)直接環(huán)狀等離子體源的底板特征是可見(jiàn)的。

圖17b示意性地繪示了圖16的等離子體處理系統(tǒng)的擴(kuò)散板的面朝上的示意平面圖。

圖18以橫截面圖示意性地繪示了依據(jù)實(shí)施例的等離子體晶片處理系統(tǒng)，該等離子體晶片處理系統(tǒng)包括兩個(gè)直接出口環(huán)狀等離子體源。

具體實(shí)施方式

可通過(guò)結(jié)合采用以下所述的繪圖來(lái)參照以下的詳細(xì)說(shuō)明來(lái)了解本揭示案，其中類(lèi)似的參考標(biāo)號(hào)是在若干繪圖各處用以指類(lèi)似的組件。注意的是，為了清楚說(shuō)明的目的，繪圖中的某些構(gòu)件可不按比例繪制。可通過(guò)使用括號(hào)中的標(biāo)號(hào)來(lái)指示項(xiàng)目的特定示例(例如等離子體阻件210(1)、210(2)等等)，同時(shí)不具括號(hào)的標(biāo)號(hào)指任何這樣的項(xiàng)目(例如等離子體阻件210)。為了清楚說(shuō)明，在示出多個(gè)項(xiàng)目示例的示例中，只有示例中的某些部分可被標(biāo)示。

圖1示意性地繪示了依據(jù)實(shí)施例的等離子體處理系統(tǒng)100的主要構(gòu)件。系統(tǒng)100是描繪為單一晶片、半導(dǎo)體晶片等離子體處理系統(tǒng)，但對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是明確的是，本文中的技術(shù)及原理可適用于任何類(lèi)型的等離子體生成系統(tǒng)(例如并不一定處理晶片或半導(dǎo)體的系統(tǒng))。也應(yīng)了解的是，圖1是簡(jiǎn)化圖，僅繪示系統(tǒng)100的受選的、主要的構(gòu)件；因而實(shí)際處理系統(tǒng)與系統(tǒng)100相比較看起來(lái)不同且很可能包含額外的構(gòu)件。

處理系統(tǒng)100包括用于晶片接口115、用戶(hù)接口120、等離子體處理單元130、控制器140及一個(gè)或更多個(gè)電源150的外殼110。處理系統(tǒng)100由各種設(shè)施所支持，該設(shè)施可包括氣體(或多種)155、電源170、真空160及可選的其他物。為了清楚說(shuō)明，未示出處理系統(tǒng)100內(nèi)的內(nèi)部管道及電性連接。

處理系統(tǒng)100是繪示為所謂的間接(或遠(yuǎn)程)等離子體處理系統(tǒng)，其在第一位置處生成等離子體，且將等離子體和/或等離子體產(chǎn)物(例如離子、分子碎體、自由基、受激物種及類(lèi)似物)引導(dǎo)至處理步驟所發(fā)生的第二位置。因此，在圖1中，等離子體處理單元130包括遠(yuǎn)程等離子體源132，該遠(yuǎn)程等離子體源132供應(yīng)處理腔室134的等離子體和/或等離子體產(chǎn)物。處理腔室134包括一個(gè)或更多個(gè)晶片基座135，晶片接口115在其上放置工件50以供處理。工件50例如是半導(dǎo)體晶片，但任何其他類(lèi)型的工件也可經(jīng)受等離子體處理。操作時(shí)，氣體(或多種)155被引進(jìn)等離子體源132，且射頻生成器(rfgen)165供應(yīng)電力以點(diǎn)燃等離子體源132內(nèi)的等離子體。等離子體和/或等離子體產(chǎn)物從等離子體源132傳到處理腔室134，在該處理腔室134處，工件50被處理。典型的現(xiàn)今系統(tǒng)例如可通過(guò)噴嘴133和/或擴(kuò)散板137來(lái)傳輸?shù)入x子體和/或等離子體產(chǎn)物，以試圖將它們一致地散播及施用。實(shí)際的等離子體系統(tǒng)可包括許多其他可選特征或子系統(tǒng)，通過(guò)該系統(tǒng)，等離子體、等離子體產(chǎn)物和/或載體或額外處理氣體在等離子體源132及處理腔室134之間流動(dòng)和/或混合。

繪示為系統(tǒng)100的部分的構(gòu)件通過(guò)示例的方式來(lái)列出，且并非詳盡的。也可包括許多其他可能的構(gòu)件(例如：壓力和/或流動(dòng)控制器；氣體或等離子體歧管或分布裝置；離子抑制板；電極、磁心和/或其他電磁裝置；機(jī)械、壓力、溫度、化學(xué)、光學(xué)和/或電子傳感器；晶片或其他工件的處理機(jī)制；檢視和/或其他存取接口；及類(lèi)似物)，但為了清楚說(shuō)明并未示出。影響處理腔室134中的狀況的各種控制方案是可能的。例如，可通過(guò)監(jiān)測(cè)處理腔室134中的壓力及向上或向下調(diào)整所有氣體流動(dòng)直到所測(cè)量的壓力是在所需壓力的某容忍度內(nèi)為止來(lái)維持壓力?？赏ㄟ^(guò)增加加熱器及溫度傳感器來(lái)控制溫度。光學(xué)傳感器可在生成時(shí)和/或在等離子體與工件作用時(shí)檢測(cè)等離子體發(fā)射尖峰。

也為了清楚說(shuō)明而未示出系統(tǒng)100內(nèi)所繪示的構(gòu)件的內(nèi)部連接及協(xié)作。除了rf生成器165及氣體155以外，諸如真空160和/或一般用途電源170的其他代表性的設(shè)施可與系統(tǒng)100連接。類(lèi)似于系統(tǒng)100中所繪示的構(gòu)件，繪示為與系統(tǒng)100連接的設(shè)施要是為說(shuō)明性而非詳盡的；諸如加熱或冷卻流體、加壓空氣、網(wǎng)絡(luò)性能、廢料處理系統(tǒng)及類(lèi)似物的其他類(lèi)型的設(shè)施也可與系統(tǒng)100連接，但為了清楚說(shuō)明而未示出。類(lèi)似地，雖然以上說(shuō)明提及到等離子體在遠(yuǎn)程等離子體源132內(nèi)被點(diǎn)燃，但以下所討論的原理可同樣適用于所謂的“直接”等離子體系統(tǒng)，該系統(tǒng)在實(shí)際的工件處理位置中生成等離子體。

雖然間接等離子體處理系統(tǒng)繪示于圖1中及此揭示案的其他處，但對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)是清楚的是，本文中所公開(kāi)的技術(shù)、裝置及方法也可適用于直接等離子體處理系統(tǒng)(例如在其中，等離子體是于工件(或多個(gè))的位置處點(diǎn)燃)。類(lèi)似地，在實(shí)施例中，可重新組織、重新分布和/或復(fù)制處理系統(tǒng)100的組件，例如：(1)提供具有多個(gè)處理腔室的單一處理系統(tǒng)；(2)對(duì)單一處理腔室提供多個(gè)遠(yuǎn)程等離子體源；(3)在單一處理腔室內(nèi)提供多個(gè)工件夾具(例如，晶片基座135)；(4)利用單一遠(yuǎn)程等離子體源來(lái)向多個(gè)處理腔室供應(yīng)等離子體產(chǎn)物；和/或(5)以串行/并行的組合提供等離子體及氣體源，使得各種源氣體可被活化(例如，至少暫時(shí)作為等離子體的一部分)零、一、二或更多次，且在它們進(jìn)入處理腔室之前或之后與其他源氣體混合，及類(lèi)似物。還未作為等離子體的一部分的氣體在本文中有時(shí)稱(chēng)為“未活化”氣體。

圖2示意性地繪示了依據(jù)實(shí)施例的直接出口環(huán)狀等離子體源200的受選構(gòu)件。等離子體源200是遠(yuǎn)程等離子體源132(圖1)的示例。在本文中將使用以供描述圖2中及其他處所示的特征的有用坐標(biāo)系統(tǒng)將軸向位置定義為沿環(huán)軸1、將徑向方向2定義為標(biāo)示距環(huán)軸1的距離及將方位方向3定義為標(biāo)示圍繞環(huán)軸1的旋轉(zhuǎn)方向。本文中所公開(kāi)的等離子體源將被認(rèn)為是定義了環(huán)軸，該環(huán)軸經(jīng)過(guò)等離子體源的重心(不一定經(jīng)過(guò)等離子體源的實(shí)體特征)，其中等離子體源的等離子體生成腔相對(duì)于環(huán)軸大致為環(huán)狀、徑向?qū)ΨQ(chēng)，且在垂直于環(huán)軸的平面中延伸于環(huán)軸周?chē)?。環(huán)狀構(gòu)件的主要圓周21是定義為在其外邊界處在方位上延伸于環(huán)軸周?chē)?，如?duì)于以下的等離子體阻件210(1)所示的；為了清楚說(shuō)明，主要圓周21并不圖示為在圖2中的等離子體阻件210(1)的周?chē)恢毖由?。次要圓周相對(duì)于環(huán)軸1以單一方位位置延伸于構(gòu)件(例如電漿阻件210(1))周?chē)?，例如，如次要圓周22(圖2)所示。

等離子體源200包括等離子體阻件210(1)、磁構(gòu)件220(1)及電感線(xiàn)圈230。磁構(gòu)件220(1)至少部分地延伸于等離子體阻件210(1)周?chē)?，且電感線(xiàn)圈230至少部分地纏繞于磁構(gòu)件220(1)周?chē)ｋm然磁構(gòu)件220(1)是以環(huán)狀圖示，磁構(gòu)件220不一定要是環(huán)狀的、具有圓形橫截面或完全延伸于等離子體阻件210周?chē)?。等離子體阻件210(1)可被抽空，且等離子體源氣體可引進(jìn)等離子體阻件210(1)。在等離子體源氣體在等離子體阻件210(1)內(nèi)的情況下，電流通過(guò)電感線(xiàn)圈230，在磁構(gòu)件220(1)內(nèi)誘發(fā)磁通量，這反過(guò)來(lái)在等離子體阻件210(1)內(nèi)誘發(fā)了電流，點(diǎn)燃等離子體。

等離子體源200可因此看作類(lèi)似于變壓器，其中主要電流流過(guò)電感線(xiàn)圈230且次要電流在等離子體阻件210(1)內(nèi)流動(dòng)。有益地，等離子體源200將次要電流約束在等離子體阻件210(1)內(nèi)所點(diǎn)燃的氣體和/或等離子體內(nèi)，因此，有益地，等離子體阻件210(1)并不以定義完整方位電路的導(dǎo)體所形成。在某些實(shí)施例中，等離子體阻件210(1)是以介電材料制造，然而，如以下所討論的，鋁通常是一個(gè)用以制作等離子體阻件210(1)的至少一部分的便利材料。當(dāng)?shù)入x子體阻件210(1)是以鋁或另一基本導(dǎo)電的材料制作時(shí)，外場(chǎng)可被耦合進(jìn)等離子體阻件210(1)，且可通過(guò)包括一個(gè)或更多個(gè)介電斷路器240來(lái)中斷方位電路路徑，該介電斷路器延伸于等離子體阻件210(1)的次要圓周的周?chē)?/p>

等離子體阻件210(1)在多個(gè)方位位置處(但在其單一軸向側(cè)上)定義了多個(gè)輸出孔，等離子體產(chǎn)物通過(guò)該輸出孔分布，以用于等離子體處理中。例如，在圖2中，輸出孔是不可見(jiàn)的，但與出口250連接以沿所示的箭頭方向來(lái)分布等離子體產(chǎn)物。通過(guò)在等離子體阻件210(1)的一個(gè)軸向側(cè)的周?chē)诙鄠€(gè)方位位置處提供輸出口，等離子體源200有益地提供出口250的圓形分布，使得其中所提供的等離子體產(chǎn)物距生成它們的等離子體是等距的。這允許直接將等離子體產(chǎn)物的圓形圖樣耦合至處理腔室，使得等離子體產(chǎn)物以圓形及空間上寬廣的圖樣到達(dá)處理腔室，同時(shí)該圖樣的所有點(diǎn)距離等離子體基本上是等距的。

本文中的直接出口環(huán)狀等離子體源實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于跨寬廣及圓形對(duì)稱(chēng)的圖樣提供等離子體產(chǎn)物，在該圖樣中，所有點(diǎn)距離等離子體基本上是等距的。這最小化了重組效應(yīng)及壁效應(yīng)上的差異，該效應(yīng)在其他情況下會(huì)在不同的位置處影響處理結(jié)果。雖然典型的電感等離子體系統(tǒng)可利用環(huán)狀等離子體腔室來(lái)生成等離子體產(chǎn)物，這樣的系統(tǒng)一般通過(guò)單一接口或噴嘴來(lái)分布等離子體產(chǎn)物，該接口或噴嘴提供了從等離子體到工件上的各種位置的不同距離。

本文中的實(shí)施例的另一優(yōu)點(diǎn)在于，在沒(méi)有對(duì)于內(nèi)部表面過(guò)量濺射損害的情況下，以相對(duì)的高壓生成等離子體的能力，該濺射損害肇因于由高電場(chǎng)所加速的離子。本文中的實(shí)施例例如可操作在0.5托(torr)或更少到100托或更多的壓力狀態(tài)下。其他類(lèi)型的電感耦合等離子體源通常將等離子體暴露于高電場(chǎng)，這樣的場(chǎng)一般是從位于等離子體阻件附近的電感線(xiàn)圈所引起。經(jīng)歷如此場(chǎng)的等離子體中離子以場(chǎng)的方向加速，通常撞擊內(nèi)部等離子體阻件壁且濺射其材料。濺射損害造成了降低的設(shè)備壽命和/或過(guò)量的維護(hù)需求，導(dǎo)致勞動(dòng)及材料成本及工具停機(jī)時(shí)間。相較之下，除了沿環(huán)狀等離子體腔的方向，本文中的設(shè)計(jì)最小化了等離子體阻件對(duì)于電場(chǎng)的暴露，使得由磁構(gòu)件所操控的磁通量在等離子體本身內(nèi)生成次要電流，而不引發(fā)會(huì)造成等離子體阻件表面的濺射的電場(chǎng)。這反過(guò)來(lái)允許本文中的至少某些實(shí)施例相較于更昂貴的材料使用主要以具有未處理表面的鋁或具有特殊處理表面的鋁而制作的等離子體阻件。受處理表面仍是個(gè)選項(xiàng)。

本文中的磁構(gòu)件220一般以鐵磁體形成。電感線(xiàn)圈230一般以銅形成，可選地為了減少外表皮的電阻率而鍍以銀。磁構(gòu)件220及電感線(xiàn)圈230及等離子體阻件210的某些區(qū)域或部分兩者可包括用于冷卻氣體或流體的通道(如本文中進(jìn)一步討論的)，以移除由操作期間的電及磁損失所生成的熱。如上所述，等離子體阻件210可以具有未處理表面或具有表面處理(例如陽(yáng)極化、或氧化鋁、氮化鋁或氧化釔涂料)的鋁來(lái)制造。其他材料選擇也是可能的，且可通過(guò)考慮成本、可加工性、導(dǎo)電性、熱膨脹、熱散逸特性及與所要的氣體及等離子體產(chǎn)物的兼容性作出該選擇。

圖3示意性地繪示直接出口環(huán)狀等離子體源300的受選構(gòu)件。等離子體源300與等離子體源200(圖2)共享許多相同構(gòu)件，但包括等離子體阻件210(2)、具有各別的電感線(xiàn)圈230的兩個(gè)磁構(gòu)件220(1)。環(huán)軸1、徑向方向2及方位方向3再次圖示于圖3中以供參考。為了進(jìn)行對(duì)稱(chēng)及有效的等離子體生產(chǎn)，磁構(gòu)件220(1)方位上是彼此相反地位于等離子體阻件210(2)周?chē)?。并且，等離子體源300的等離子體阻件210(2)包括四個(gè)介電斷路器240；兩個(gè)介電斷路器240位于磁構(gòu)件220(1)附近，同時(shí)其他兩個(gè)從磁構(gòu)件220(1)以90度間隔位于等離子體阻件210(2)的圓周周?chē)?/p>

圖4示意性地繪示直接出口環(huán)狀等離子體源400的受選構(gòu)件。等離子體源400與等離子體源200及300共享許多相同構(gòu)件，但包括兩個(gè)磁構(gòu)件220(2)，該磁構(gòu)件220(2)是u或馬蹄形的而非環(huán)狀的。使用u或馬蹄形磁構(gòu)件幫助利用直接出口環(huán)狀等離子體源的某些構(gòu)造，如以下所進(jìn)一步描述的。

圖5示意性地繪示直接出口環(huán)狀等離子體源500的受選構(gòu)件。為了清楚說(shuō)明，環(huán)軸1、徑向方向2及方位方向3并不再次圖示于圖5中，但仍如圖2中所定義的。等離子體源500與等離子體源200、300及400共享許多相同構(gòu)件。等離子體阻件210(3)包括具有介電斷路器240(其中的兩者在圖5的視圖中被磁構(gòu)件220(3)所隱藏)的金屬區(qū)段245。等離子體阻件210(3)在軸向側(cè)211(1)(被標(biāo)示，但在圖5的視圖中隱藏)上是扁平的。等離子體阻件210(3)定義了區(qū)段245中的入口孔260。等離子體阻件210(3)也在軸向側(cè)211(2)上定義了出口孔270，如圖所示。圖5中所示的入口孔260及出口孔270的位置及數(shù)量?jī)H是說(shuō)明性的；為了清楚說(shuō)明，并非如此孔的所有示例皆被示出或標(biāo)示。在實(shí)踐中，入口孔260可被安置為提供將一致的源氣體引入等離子體阻件210(3)，但可以其他方式布置以方便與等離子體源500的其他組件整合。出口孔270一般較圖5中所示的更多，其經(jīng)布置以提供將一致的等離子體產(chǎn)物分布至相鄰的處理腔室，且可被定義于區(qū)段245或介電斷路器240中(參照?qǐng)D6及圖7)。斷線(xiàn)6-6及斷線(xiàn)7-7表示了用以采取圖6及圖7中所示的剖面圖的平面。

圖6及圖7是分別于圖5的斷線(xiàn)6-6及斷線(xiàn)7-7處所截取的直接出口環(huán)狀等離子體源500的示意剖面圖。圖6圖示通過(guò)介電斷路器240(在圖5的視圖中隱藏在磁構(gòu)件220(3)下)中的一者所采取的剖面。環(huán)軸1及徑向方向2是再次圖示于圖6及7中以供參考；方位方向彎進(jìn)或彎出圖6及圖7的平面，從環(huán)軸1的左邊到右邊改變符號(hào)。某些出口孔270是由等離子體阻件210(3)的軸向側(cè)211(2)上的介電斷路器240所定義，如圖所示。也圖示了等離子體腔280及形成于其中的等離子體299。圖7圖示通過(guò)金屬區(qū)段245中的一者而采取的剖面。某些出口孔270是由等離子體阻件210(3)的軸向側(cè)211(2)上的介電斷路器240所定義，如圖所示。也圖示了等離子體腔280及形成于其中的等離子體299。

圖6及圖7也圖示了通過(guò)磁構(gòu)件220(3)的冷卻管275。冷卻管275可提供氣體或流體的流體連接，以移除由磁構(gòu)件220(3)所耗散的熱；對(duì)于本文中所述的任何磁構(gòu)件考慮提供冷卻通道的特征，雖然為了清楚說(shuō)明而在許多情況下不圖示。類(lèi)似地，可在電感線(xiàn)圈230和/或各種其他等離子體源組件中提供冷卻管；為了清楚說(shuō)明，在本文中圖示及描述了某些這樣的布置同時(shí)不圖示及描述其他的布置。

圖8示意性地繪示直接出口環(huán)狀等離子體源600的部分，其中等離子體腔280是通過(guò)在平板610附近安置等離子體阻件210(4)所定義。環(huán)軸方向10及徑向方向2是再次圖示于圖8中以供參考。實(shí)際環(huán)軸經(jīng)過(guò)等離子體腔280的重心(在圖8的視圖外面)；方位方向彎進(jìn)或彎出圖8的平面。為了可制造性及維護(hù)的目的，提供由可輕易加工及替換的組件所定義的等離子體腔可能是有益的。等離子體源600因此通過(guò)將等離子體阻件210(4)提供為相對(duì)簡(jiǎn)單的形狀來(lái)定義等離子體腔280，具有將等離子體阻件210(4)密封至平板610的能力，該平板610在其中定義出口孔270。將等離子體阻件210(4)密封至平板610的能力是由平板610中的溝槽615所提供，該溝槽615接納一個(gè)或更多個(gè)o型環(huán)620。當(dāng)?shù)入x子體腔280被抽空時(shí)，外部大氣壓力針對(duì)o型環(huán)620壓制等離子體阻件210(4)以形成密封。在圖8中所示的實(shí)施例中，平板610是以介電材料形成。平板610以及介電斷路器240的合適材料包括陶瓷，特別是氮化鋁或氧化鋁，或熔凝石英。形成介電材料的平板610允許等離子體阻件210(4)的介電斷路器240中斷方位電流，以便等離子體299可形成；也就是說(shuō)，若平板610曾以金屬形成且電耦合至等離子體阻件210(4)，則由磁構(gòu)件所誘發(fā)的電流僅會(huì)在所因此形成的方位電路周?chē)焖僖苿?dòng)，減少了將電場(chǎng)耦合進(jìn)等離子體腔280的步驟。介電斷路器240在本文中完全延伸于等離子體阻件210的次要圓周周?chē)?；在方位方向上，介電斷路?40需要具有充足的寬度以抑制等離子體阻件210的鄰近金屬段生成電弧，例如約四分之一英寸對(duì)一英寸。

圖9示意性地繪示直接出口環(huán)狀等離子體源700，其具有通過(guò)在平板710附近安置等離子體阻件210(5)來(lái)定義的等離子體腔280。環(huán)軸方向10及徑向方向2是再次圖示于圖9中以供參考；方位方向彎進(jìn)及彎出圖9的平面。平面710是以導(dǎo)體形成，且在其接觸等離子體阻件210(5)的表面處包括介電障壁720。介電障壁720因此使等離子體阻件210(5)相對(duì)于形成平板710的導(dǎo)體的短路現(xiàn)象失效，以中斷在其他情況下會(huì)形成方位電流。等離子體源700因此通過(guò)將等離子體阻件210(5)提供為相對(duì)簡(jiǎn)單的形狀來(lái)定義等離子體腔280，具有將等離子體阻件210(5)密封至平板710的能力，該平板710在其中定義出口孔270。將等離子體阻件210(4)密封至平板710的能力是由等離子體阻件210(5)中的溝槽715所提供，該溝槽715接納一個(gè)或更多個(gè)o型環(huán)620。當(dāng)?shù)入x子體腔280被抽空時(shí)，外部大氣壓力針對(duì)o型環(huán)620壓制平板710以形成密封。圖9中所繪示的設(shè)計(jì)允許等離子體阻件210(5)及平板710被保持在不同電位；這允許控制通過(guò)輸出孔270朝處理位置所發(fā)射的等離子體產(chǎn)物內(nèi)自由基對(duì)離子的比率。圖9也圖示冷卻管775，該冷卻管775提供平板710的氣體或流體冷卻。冷卻管775可被提供于本文中的其他組件(例如等離子體阻件、等離子體源或等離子體腔室的頂或底板、或等離子體腔室的側(cè)壁)中。

圖10示意性地繪示直接出口環(huán)狀等離子體源800，圖示向本文中的等離子體腔供應(yīng)源氣體的入口氣體歧管810。徑向方向2及方位方向3圖示于圖10中以供參考；環(huán)軸1延伸出圖10的平面。圖10中所繪示的頂視圖在等離子體阻件210(6)的相反側(cè)上圖示磁構(gòu)件220(3)，在任一側(cè)上具有一對(duì)氣體歧管810。氣體歧管810中的各者通過(guò)一個(gè)或更多個(gè)入口820接收源氣體；雖然只有一個(gè)入口820繪示于圖10中，了解的是，入口820可在數(shù)量及位置上改變。氣體歧管810通過(guò)其中的孔將源氣體分布進(jìn)等離子體阻件210(6)，如現(xiàn)在討論的。斷線(xiàn)11-11指示等離子體源800的橫截面，其更詳細(xì)地繪示于圖11中。

圖11是沿圖10的斷線(xiàn)11-11的示意剖面圖，繪示直接出口環(huán)狀等離子體源800。環(huán)軸1及徑向方向2再次圖示于圖11中以供參考；方位方向彎進(jìn)或彎出圖11的平面，從環(huán)軸1的左邊到右邊改變符號(hào)。入口氣流是通過(guò)入口孔820引進(jìn)氣體歧管810，接著通過(guò)由等離子體阻件210(6)所定義的孔830傳進(jìn)等離子體腔280。入口孔820在圖11的視圖中是圖示為垂直的(例如與環(huán)軸1平行)，但可以其他角度來(lái)定義以在等離子體腔280中促進(jìn)混合或其他效果(同樣參照?qǐng)D12及13)。氣體歧管810可經(jīng)建構(gòu)以?xún)H包含小的氣體容積，以便源氣體流(例如由上游閥或其他氣體管理設(shè)備所引入的)中的改變快速地傳進(jìn)等離子體腔280。氣體歧管810可包括壓力傳感器，以提供關(guān)于其中的壓力的信息，以促進(jìn)了解影響等離子體處理的因素。氣體歧管810的材料選擇對(duì)于與其相關(guān)聯(lián)的等離子體阻件210而言是相同的；例如金屬(例如鋁)(具有或不具經(jīng)處理表面)、或電介質(zhì)(例如氧化鋁、氮化鋁)及其他陶瓷是可能的選擇。當(dāng)氣體歧管810及其相關(guān)聯(lián)的等離子體阻件210皆以金屬制作時(shí)，可能需要從等離子體阻件210隔離氣體歧管810和/或在氣體歧管810中提供介電斷路器，以避免完成方位電路，如以上所討論的。

圖12示意性地繪示直接出口環(huán)狀等離子體源的等離子體阻件210(7)，該等離子體阻件210(7)具有進(jìn)線(xiàn)氣體入口孔850以供引入源氣體。環(huán)軸1、徑向方向2及方位方向3再次圖示于圖12中以供參考。進(jìn)線(xiàn)氣體入口孔850基本上與等離子體腔280方位對(duì)準(zhǔn)，如圖所示。通過(guò)氣體入口孔850引入源氣體流給予受注入氣體方位速度，以促進(jìn)在等離子體阻件210(7)內(nèi)各處進(jìn)行混合。在實(shí)施例中，進(jìn)線(xiàn)氣體入口孔850可準(zhǔn)確地方位對(duì)準(zhǔn)，如圖12中所示的，然而在其他實(shí)施例中，進(jìn)線(xiàn)氣體入口孔可僅部分對(duì)準(zhǔn)，例如在其與等離子體腔280相交處定義角度。以任何相對(duì)于環(huán)軸具有非零方位分量的角度經(jīng)過(guò)進(jìn)線(xiàn)氣體入口孔850的源氣體將在其被引進(jìn)等離子體腔280時(shí)在氣體中產(chǎn)生至少某些方位速度。

圖13示意性地繪示具有多個(gè)進(jìn)線(xiàn)氣體入口孔850的直接出口環(huán)狀等離子體源的等離子體阻件210(8)。環(huán)軸1、徑向方向2及方位方向3再次圖示于圖13中以供參考。可預(yù)期的是，可利用任何數(shù)量的進(jìn)線(xiàn)氣體入口孔850，且進(jìn)線(xiàn)氣體入口孔850可以其他角度與氣體入口孔和/或與氣體歧管810的變體結(jié)合使用，如圖10及圖11中所示。

圖14示意性地繪示直接出口環(huán)狀等離子體源900的等離子體阻件210(9)，圖示出口孔270可如何相對(duì)于形成其一軸向側(cè)的平板910的表面法線(xiàn)以多個(gè)角度920定義。環(huán)軸方向10及徑向方向2再次圖示于圖14中以供參考；方位方向彎進(jìn)及彎出圖14的平面。以多個(gè)角度形成出口孔270可幫助將等離子體產(chǎn)物廣泛地分布進(jìn)相鄰等離子體處理裝置，以促進(jìn)一致的處理。

圖15a是直接出口環(huán)狀等離子體源1000的示意底視圖說(shuō)明，其中定義了四個(gè)出口孔270。圖15的視圖示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源1000的底板，其中該平板的另一側(cè)上的等離子體阻件的大概邊界由斷線(xiàn)所暗示。即使僅使用四個(gè)出口孔270，相較于僅從一個(gè)孔抽取輸出的先前技術(shù)的遠(yuǎn)程等離子體源，等離子體源1000可提供顯著更多的一致處理。環(huán)軸1延伸進(jìn)圖15a及15b的平面；徑向方向2及方位方向3是圖示于圖15a中以供參考，但為了清楚說(shuō)明而在圖15b中被省略。圖15b是直接出口環(huán)狀等離子體源1100的示意底視圖說(shuō)明，其中定義了超過(guò)六個(gè)出口孔270。圖15b的視圖示意性地描繪直接出口環(huán)狀等離子體源1100的底板，其中該平板的另一側(cè)上的等離子體阻件的大概邊界由斷線(xiàn)所表明。相對(duì)應(yīng)等離子體阻件的幾何形狀及材料、磁構(gòu)件及電感線(xiàn)圈的數(shù)量及放置可經(jīng)優(yōu)化，以在等離子體阻件內(nèi)生成一致的等離子體分布，使得通過(guò)出口孔270所抽取的等離子體產(chǎn)物空間上跨等離子體源1100一致。在實(shí)施例中，直接環(huán)狀等離子體源可包括數(shù)百或數(shù)千個(gè)出口孔270。

圖16以橫截圖示意性地繪示等離子體晶片處理系統(tǒng)1200，其包括兩個(gè)直接出口環(huán)狀等離子體源1201及1202。為了清楚說(shuō)明，僅標(biāo)示處理系統(tǒng)1200的代表組件，且圖16非按比例繪制。環(huán)軸1及徑向方向2再次圖示于圖16中以供參考；方位方向彎進(jìn)或彎出圖16的平面，從環(huán)軸1的左邊到右邊改變符號(hào)。等離子體晶片處理系統(tǒng)定義處理腔室1234，該處理腔室1234在環(huán)軸1周?chē)鷱较驅(qū)ΨQ(chēng)；因此等離子體源1201可被視為外等離子體源，同時(shí)等離子體源1202可被視為內(nèi)等離子體源，其中等離子體源1201及1202的環(huán)軸及等離子體腔室1234的對(duì)稱(chēng)軸皆重合。再次地，雖然圖16是針對(duì)晶片處理的實(shí)施例，了解的是，其他實(shí)施例可利用相同的原理來(lái)處理其他工件。

等離子體晶片處理系統(tǒng)1200利用等離子體源1201及1202以生成等離子體產(chǎn)物，且配置以供在等離子體產(chǎn)物從等離子體的位置移動(dòng)至正被處理的工件50時(shí)與未活化氣體可選地混合等離子體產(chǎn)物。等離子體晶片處理系統(tǒng)1200定義處理腔室1234，在該處理腔室1234中，基座1235將工件50定位于處置位置處，如圖所示。在腔室1234的表面1232的頂上，等離子體源1201形成外環(huán)形，且等離子體源1202形成內(nèi)環(huán)形。等離子體源1201及1202可在具有或不具有氣體歧管810(如圖10及11中所示)的情況下從入口孔260或830接收源氣體(如分別于圖5及11中所示的)；這樣的結(jié)構(gòu)在圖16的視圖中未被示出。等離子體源1201及1202中的各者包括各別的等離子體阻件210(10)或210(11)，且利用電感線(xiàn)圈230及磁構(gòu)件220(3)來(lái)從其中的源氣體生成等離子體。等離子體源1201及1202共享共同的底板1210，該共同底板1210定義孔270以供向處理腔室1234分布等離子體產(chǎn)物。

底板1210中的孔270提供一致的、軸向的方向(例如在環(huán)軸的方向上)及短的路徑，以供從等離子體產(chǎn)物起源處的等離子體將等離子體產(chǎn)物分布至正被處理的工件50。在等離子體源1201定義外環(huán)且等離子體源1202定義內(nèi)環(huán)的情況下使用兩個(gè)等離子體源1201及1202在對(duì)于工件50優(yōu)化處理步驟之中心至邊緣的一致性時(shí)提供了顯著的自由度?？赏ㄟ^(guò)變化特別是等離子體源1201及1202的處理參數(shù)及測(cè)量在系統(tǒng)1200中所處理的測(cè)試和/或產(chǎn)品晶片上的效果來(lái)優(yōu)化處理配方?？烧{(diào)整整體氣體流及提供至等離子體源1201和/或1202的rf能量，直到跨所處理的各工件50效果是一致的為止。在實(shí)施例中，等離子體源1201及1202相較于彼此可運(yùn)行不同的反應(yīng)氣體比率，和/或相較于彼此可利用完全不同的源氣體。

處理系統(tǒng)1200也提供通過(guò)底板1210及頂面1232的氣體入口1270，以供供應(yīng)要與等離子體產(chǎn)物混合的未活化氣體(也參照?qǐng)D17a)。圖16及17a中所示的孔270和/或氣體入口1270的數(shù)量及分布只是表示性的，且可在實(shí)施例間變化。

為了易于組裝部件及部件的可替換性，底板1210在實(shí)施例中從腔室1234的頂面1232分離(如所示的)。也就是說(shuō)，等離子體源1201及1202可與底板1210組裝，并且作為單一單元安裝或從頂面1232移除。然而，在實(shí)施例中，底板1210及頂面1232的特征可結(jié)合于單一平板中。

圖16也圖示了可選的擴(kuò)散板1237，該擴(kuò)散板1237定義孔1247，以供等離子體產(chǎn)物進(jìn)入處理腔室1234。擴(kuò)散板1237也可包括一個(gè)或更多個(gè)氣體通道1239，以傳導(dǎo)可與等離子體產(chǎn)物混合的未活化氣體。例如，如圖16中所示，氣體通道1239與輸出氣體孔1241連接，該輸出氣體孔1241定義于擴(kuò)散板1237的面向腔室的一側(cè)中(也參照?qǐng)D17b)。圖16及17b中所示的孔1247和/或輸出氣體孔1241的數(shù)量及分布僅為表示性的，且可在實(shí)施例間變化。

圖17a示意性地繪示等離子體處理系統(tǒng)1200(圖16)的頂面1232的朝上示意平面圖，其中直接環(huán)狀等離子體源1201及1202的底板1210的特征是可見(jiàn)的。為了清楚說(shuō)明，僅標(biāo)示頂面1232及底板1210的代表性組件，且圖17并非按比例繪制。環(huán)軸、徑向及方位方向未在圖17a及17b中示出，但可從其他繪圖中所示的那些方向確定。許多孔270從生成等離子體產(chǎn)物的等離子體向正被處理的工件提供了來(lái)自等離子體源1201及1202的等離子體產(chǎn)物的路徑(該路徑在長(zhǎng)度上非常短且一致)，跨腔室1234促進(jìn)了一致的處理。例如，在實(shí)施例中，從等離子體源1201和/或1202內(nèi)的等離子體到工件50上的任何位置的路徑可小于四英寸。提供與孔270穿插的氣體入口1270允許與等離子體產(chǎn)物混合未活化氣體。某些實(shí)施例在等離子體產(chǎn)物及未活化氣體從圖17a(也就是不包括擴(kuò)散器1237的處理系統(tǒng)1200)中所示的結(jié)構(gòu)生成時(shí)，有益地以等離子體產(chǎn)物及未活化氣體處理晶片。其他實(shí)施例可受益于由擴(kuò)散板1237所進(jìn)行的額外氣體及等離子體產(chǎn)物的混合步驟。

圖17b示意性地繪示擴(kuò)散器1237的朝上的示意平面圖。為了清楚說(shuō)明，僅標(biāo)示擴(kuò)散板1237的代表性特征，且圖17b非按比例繪制?？?247(繪示為開(kāi)口圓)一路延伸過(guò)擴(kuò)散板1237，同時(shí)出口氣體孔1241(繪示為點(diǎn))僅延伸進(jìn)擴(kuò)散板1237的底面，在該處，是從氣體通道1239將未活化氣體供應(yīng)給該出口氣體孔1241。擴(kuò)散器1237促進(jìn)進(jìn)一步混合及精細(xì)控制等離子體產(chǎn)物與未活化氣體的比率，這對(duì)于某些等離子體處理可能是有益的，但對(duì)于其他者可能是不必要的。

圖18以橫截圖示意性地繪示等離子體晶片處理系統(tǒng)1300，其包括兩個(gè)直接出口環(huán)狀等離子體源1301及1302。再次地，雖然圖18是針對(duì)晶片處理的實(shí)施例，了解的是，其他實(shí)施例可利用相同原理以供處理其他工件。處理系統(tǒng)1300的許多特征將被辨識(shí)為基本類(lèi)似于先前所述的系統(tǒng)且不再次描述。環(huán)軸1及徑向方向2再次圖示于圖18中以供參考；方位方向彎進(jìn)或彎出圖18的平面，從環(huán)軸1的左邊到右邊改變符號(hào)。等離子體晶片處理系統(tǒng)定義處理腔室1334，該處理腔室1334在環(huán)軸1周?chē)鷱较驅(qū)ΨQ(chēng)；因此等離子體源1301可被視為外等離子體源，同時(shí)等離子體源1302可被視為內(nèi)等離子體源，其中等離子體源1301及1302的環(huán)軸及等離子體腔室1334的對(duì)稱(chēng)軸皆重合。圖18繪示等離子體阻件210(12)及210(13)的額外特征，該額外特征是與下層空間開(kāi)放性流體連通，而不受底板所約束。圖18也繪示區(qū)域分隔器1360。

類(lèi)似于等離子體源1201及1202的各別位置，等離子體源1301及1302在處理腔室1334頂上定義內(nèi)及外環(huán)形。等離子體源1301及1302可在具有或不具有氣體歧管810(如圖10及11中所示)的情況下從入口孔260或830接收源氣體(如分別于圖5及11中所示的)；這樣的結(jié)構(gòu)在圖18的視圖中未示出。在處理腔室1334內(nèi)，基座1335定位工件50以供處理。等離子體阻件210(12)和/或210(13)在其第一軸向側(cè)上形成基本方位性連續(xù)的開(kāi)口1370，也就是說(shuō)，等離子體源1301及1302在第一軸向側(cè)上基本上并不被約束，先前所討論的等離子體源1201、1202及其他者也是如此。開(kāi)口1370在它們通過(guò)頂板1332以方位方向顯著延伸的方面而言可以是基本方位性連續(xù)的，然而，在此背景下，“基本方位性連續(xù)”并不排除中斷開(kāi)口1370以對(duì)于頂板1332的徑向內(nèi)部分提供機(jī)械支持；開(kāi)口相對(duì)應(yīng)于任一等離子體源的主要圓周的至少約75％會(huì)被視為是基本方位性連續(xù)的。并且，等離子體阻件210(12)及210(13)兩者定義基本方位性連續(xù)的開(kāi)口并不是關(guān)鍵的；在實(shí)施例中，等離子體阻件210(12)及210(13)中的一者定義基本方位性連續(xù)的開(kāi)口同時(shí)另一者不是。因此，等離子體源1301及1302的等離子體腔是與在處理腔室1334的上部分中所形成的空間1355、1357流體連通，使得等離子體產(chǎn)物將通過(guò)開(kāi)口1370傳出等離子體阻件210(12)及210(13)而進(jìn)入空間1355及1357。從空間1355、1357，等離子體產(chǎn)物通過(guò)擴(kuò)散板1337傳進(jìn)處理腔室1334。

等離子體晶片處理系統(tǒng)1300當(dāng)然可包括用于向等離子體源1301及1302供應(yīng)源氣體的供給件(provision)(例如結(jié)合圖10-13所述的個(gè)別氣體入口孔和/或氣體歧管)及用于向等離子體產(chǎn)物增加進(jìn)一步氣體的供給件(例如圖16、17a及17b中所繪示的氣體入口1270和/或氣體通道1239)。

等離子體阻件210(12)及210(13)的開(kāi)口設(shè)計(jì)意味著，各等離子體阻件下的空間1355、1357中的各者中的壓力將基本由到各別等離子體阻件的輸入氣體流所決定。可因此通過(guò)使用區(qū)域分隔器1360來(lái)維持空間1355及1357的分離。區(qū)域分隔器1360是一圓形特征，該圓形特征在其完整圓周周?chē)佑|頂板1332及擴(kuò)散板1337兩者；圖18的橫截面圖僅圖示通過(guò)橫截平面的區(qū)域分隔器1360的兩個(gè)部分。區(qū)域分隔器1360一般是以介電材料形成，且強(qiáng)制實(shí)行供應(yīng)至處理腔室1334之中心區(qū)域及邊緣區(qū)域的等離子體產(chǎn)物之間的分離。在實(shí)施例中，此分離可用以在處理腔室1334中單獨(dú)控制中心及邊緣處理效果，且因此用以?xún)?yōu)化工件50處之中心至邊緣的處理一致性。

用于向等離子體源1301及1302供應(yīng)源氣體的供給件可獨(dú)立控制，以便處理腔室之中心區(qū)域及邊緣區(qū)域處(例如大約相對(duì)應(yīng)于分別最受等離子體源1302及1301影響的那些區(qū)域)的處理效果可為了最佳的處理一致性而被調(diào)整。對(duì)于等離子體源1301及1302的源氣體的獨(dú)立可控性無(wú)論區(qū)域分隔器1360是否存在可是有益的。

從前述說(shuō)明，應(yīng)清楚的是，一、二或更多個(gè)環(huán)狀等離子體源可用以通過(guò)沿到處理腔室的短傳播路徑從等離子體源的軸向側(cè)抽取等離子體產(chǎn)物，來(lái)向處理腔室提供等離子體產(chǎn)物的一致分布。多個(gè)環(huán)狀等離子體源可經(jīng)安置以具有構(gòu)件及到處理腔室的等離子體產(chǎn)物的最短傳播路徑，該構(gòu)件例如為各別的等離子體阻件、等離子體阻件的介電斷路器、磁構(gòu)件、電感線(xiàn)圈、冷卻裝置、輸出孔、入口氣體歧管及為了最佳的一致性而布置的其他相關(guān)聯(lián)構(gòu)件。

已描述若干實(shí)施例，將由本領(lǐng)域技術(shù)人員所辨識(shí)的是，可使用各種修改、替代結(jié)構(gòu)及等效物而不背離本發(fā)明的精神。此外，未描述許多熟知的處理及構(gòu)件，以避免不必要地模糊了本發(fā)明。據(jù)此，不應(yīng)將以上說(shuō)明當(dāng)作本發(fā)明的限制。

凡提供了值的范圍，則了解的是，也具體公開(kāi)了范圍的上及下限之間的各中間值(高達(dá)下限的單位的十倍，除非在其他情況下上下文清楚地指示)。包括任何經(jīng)陳述的值或經(jīng)陳述范圍中的中間值及該經(jīng)陳述范圍中的任何其他經(jīng)陳述或中間的值之間的各個(gè)較小范圍。這些較小范圍的上及下限可獨(dú)立地被包括或排除于范圍中，且包括任一限值、皆不包括該限值或皆包括該限值的各個(gè)范圍也包括在本發(fā)明中，受制于經(jīng)陳述范圍中的任何具體排除的限值。凡經(jīng)陳述的范圍包括該限值中的一者或兩者，則也包括排除該經(jīng)包括的限值中的任一者或兩者的范圍。

如本文中及所附權(quán)利要求中所使用的，單數(shù)形式“一個(gè)(a)”、“一個(gè)(an)”及“該(the)”包括了復(fù)數(shù)的指涉對(duì)象，除非在其他情況下上下文清楚指示。因此，例如，對(duì)于“處理”的指稱(chēng)包括了多個(gè)這樣的處理，且對(duì)于“電極”的指稱(chēng)包括了對(duì)于一個(gè)或更多個(gè)電極及其對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員是熟知的等效物的指稱(chēng)，以此類(lèi)推。并且，用字“包括(comprise)”、“包括(comprising)”、“包括(include)”、“包括(including)”及“包括(includes)”當(dāng)用在此說(shuō)明書(shū)中及以下權(quán)利要求中時(shí)，欲指定所陳述特征、整數(shù)、組件或步驟的存在，但它們并不排除一個(gè)或更多個(gè)其他特征、整數(shù)、組件、步驟、動(dòng)作或群組的存在或增加。