技術(shù)編號(hào)：12415788
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及原子層沉積技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種可變電場(chǎng)調(diào)制的遠(yuǎn)程等離子體原子層沉積系統(tǒng)。背景技術(shù)原子層沉積生長(zhǎng)技術(shù)(ALD)是一種單原子逐層生長(zhǎng)的方法，與化學(xué)沉積相比具有先天的優(yōu)勢(shì)，它充分利用表面飽和反應(yīng)，在原子層沉積過程中，新一層原子的化學(xué)反應(yīng)與前一層直接關(guān)聯(lián)，使每次反應(yīng)只沉積一層原子，具有原子級(jí)別的高精度的可控性。ALD技術(shù)還具有高保形性的特點(diǎn)，逐漸成為微電子信息科學(xué)領(lǐng)域不可或缺的一種薄膜沉積技術(shù)。附加了遠(yuǎn)程等離子體源控制的ALD(PEALD)系統(tǒng)，增加了反應(yīng)源的活性，擴(kuò)展了反應(yīng)源和沉積薄膜的種...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。