1.一種熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的方法，包括：
將制品定位在封閉室內(nèi)；
在第一溫度范圍內(nèi)官能化該制品第一段時(shí)間；然后
在第二溫度范圍內(nèi)進(jìn)一步官能化該制品第二段時(shí)間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的方法，其中第一溫度范圍不同于第二溫度范圍，并且第一段時(shí)間不同于第二段時(shí)間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的方法，其中第一段時(shí)間是至少4小時(shí)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的方法，其中第二段時(shí)間是至少2小時(shí)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的方法，其中第一溫度范圍和第二溫度范圍均在400℃至500℃的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的方法，其中在第一壓力范圍內(nèi)官能化，并且在第二壓力范圍內(nèi)進(jìn)一步官能化，第一壓力范圍不同于第二壓力范圍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的方法，其中在第一壓力范圍內(nèi)官能化，在第二壓力范圍內(nèi)進(jìn)一步官能化，第一壓力范圍大于第二壓力范圍。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的方法，其中在第一壓力范圍內(nèi)官能化，在第二壓力范圍內(nèi)進(jìn)一步官能化，第一壓力范圍與第二壓力范圍相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的方法，還包括表面官能化所述制品。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的方法，其中表面官能化通過將所述制品暴露于三甲基硅烷進(jìn)行。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的方法，其中官能化針對(duì)管的內(nèi)部。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的方法，其中所述制品的官能化是針對(duì)預(yù)先施加在所述制品基材上的表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的方法，其中所述表面是金屬或金屬性基材。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的方法，其中所述表面是陶瓷基材。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的方法，其中所述制品的官能化是針對(duì)所述制品的基材。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的方法，其中所述基材是金屬或金屬性基材。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的方法，還包括在封閉室內(nèi)氧化所述制品。
18.根據(jù)權(quán)利要求1的熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的方法，還包括在高于二甲基硅烷分解條件的條件下將所述制品暴露于二甲基硅烷中。
19.一種熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的方法，包括：
將制品定位在封閉室內(nèi)；
在高于二甲基硅烷分解條件的條件下將所述制品暴露于二甲基硅烷中，以產(chǎn)生表面；
在封閉室內(nèi)氧化所述制品以產(chǎn)生氧化表面；
使所述氧化表面暴露于三甲基硅烷，以在第一溫度范圍內(nèi)官能化第一段時(shí)間；然后
在第二溫度范圍內(nèi)進(jìn)一步官能化第二段時(shí)間；
其中第一溫度范圍和第二溫度范圍在400℃和500℃的范圍內(nèi)。
20.一種熱化學(xué)氣相沉積分離官能化的產(chǎn)品，包括：
在第一溫度范圍內(nèi)官能化第一段時(shí)間的官能作用；和
在第二溫度范圍內(nèi)進(jìn)一步官能化第二段時(shí)間的進(jìn)一步官能作用。