本發(fā)明涉及磁控濺射工藝，尤其涉及一種基于磁控濺射的NiO電致變色薄膜生產(chǎn)工藝及利用該工藝制備的玻璃。

背景技術(shù)：

電致變色是指在外電場(chǎng)和電流的作用下發(fā)生可逆的色彩變化。電致變色薄膜在電色存儲(chǔ)器件、及建筑物、車輛、輪船和飛機(jī)、無(wú)眩反光鏡、智能窗，同時(shí)電致變色顯示在建筑節(jié)能、軍事防偽和信息顯示等領(lǐng)域都有十分誘人的應(yīng)用前景,如智能窗可以選擇性地吸收或反射外界熱輻射和阻止內(nèi)部熱擴(kuò)散,使建筑物在獲得最佳采光的同時(shí)又能最大限度地降低能耗,具有高效、低耗、綠色、無(wú)污染、智能化的特點(diǎn)。近年來(lái),隨著人們節(jié)能、環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng),各國(guó)對(duì)電致變色材料領(lǐng)域的研究都十分重視符合國(guó)民經(jīng)濟(jì)的可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的要求。

現(xiàn)有直流反應(yīng)磁控濺射、真空蒸鍍、溶膠-凝膠技術(shù)、化學(xué)沉積等方法制備NiO陽(yáng)極電致變色薄膜變色性能不穩(wěn)定、化學(xué)穩(wěn)定性差、制程良率和效率低，膜層不均勻，附著力差，不適用批量生產(chǎn)。目前常用純金屬鎳靶利用直流磁控反應(yīng)濺射NiO陽(yáng)極電致變色薄膜的方法中，由于純金屬鎳靶是很好的導(dǎo)磁材料，靶面磁場(chǎng)被消弱，同時(shí)由于是采用直流磁控反應(yīng)濺射靶面很容易出現(xiàn)靶中毒和陽(yáng)極消失，靶中毒的產(chǎn)生是在濺射過(guò)程中正離子堆積，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達(dá)陰極靶面時(shí)由于絕緣層的阻擋，不能直接進(jìn)入陰極靶面，而是堆積在靶面上，這是由于NiO介質(zhì)合成速度大于濺射產(chǎn)額，為了得到NiO陽(yáng)極電致變色薄膜必須通入足夠的氧化反應(yīng)氣體，這樣勢(shì)必造成導(dǎo)體靶材喪失導(dǎo)電能力，只有提高擊穿電壓，才能起輝，電壓過(guò)高容易發(fā)生弧光放電。靶電壓長(zhǎng)時(shí)間不能達(dá)到正常，一直處于低電壓運(yùn)行狀態(tài)，并伴有弧光放電。陽(yáng)極消失是在靶中毒時(shí)，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達(dá)陽(yáng)極的電子無(wú)法進(jìn)入陽(yáng)極，形成陽(yáng)極消失現(xiàn)象。造成直流反應(yīng)磁控陰極不能起弧，不能維持正常的輝光放電，磁控濺射將無(wú)法進(jìn)行。為了能夠繼續(xù)沉積NiO陽(yáng)極電致變色薄膜，只有頻繁破空清理濺射陰極靶面的氧化物和真空箱體中的各種擋板，勢(shì)必造成生產(chǎn)效率低下，成本非常高，不利于大規(guī)模連續(xù)生產(chǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種薄膜與基片附著力強(qiáng)、濺射所獲得的薄膜純度高、致密性和成膜均勻性好、濺射工藝可重復(fù)性高的基于磁控濺射的NiO電致變色薄膜生產(chǎn)工藝及玻璃。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案。

一種基于磁控濺射的NiO電致變色薄膜生產(chǎn)工藝，該工藝基于立式連續(xù)真空磁控濺射設(shè)備實(shí)現(xiàn)，所述工藝包括：在玻璃基板上先利用直流磁控濺射方式沉積ITO納米膜層，然后在ITO納米膜層上利用直流磁控濺射方式沉積NiO陽(yáng)極電致變色薄膜層。

優(yōu)選地，濺射沉積ITO納米膜層的過(guò)程中，選用的ITO靶材的化學(xué)組分為In2O3/SnO2在電致變色器件中做為離子存貯層，用于存貯和提供電致變色所需的離子。

優(yōu)選地，所述ITO納米膜層的物理厚度為1200nm～1300nm。

優(yōu)選地，所述NiO陽(yáng)極電致變色薄膜層的物理厚度為150nm～180nm。

優(yōu)選地，所述立式連續(xù)真空磁控濺射設(shè)備采用兩種磁控濺射靶材實(shí)現(xiàn)有效隔離。

優(yōu)選地，兩種磁控濺射靶材包括ITO靶材和Ni靶材。

優(yōu)選地，還包括清洗步驟：在鍍膜前采用超聲波潔凈技術(shù)對(duì)玻璃基板進(jìn)行超純水清洗，超純水的水質(zhì)為20MΩ.cm，震蕩頻率為25KHz～40KHz。

優(yōu)選地，所述立式連續(xù)真空磁控濺射設(shè)備包括有18個(gè)真空箱體以及由15個(gè)清洗槽組成的超聲波清洗機(jī)。

一種基于NiO電致變色薄膜的玻璃，其包括有玻璃基板，所述玻璃基板上通過(guò)直流磁控濺射沉積方式形成有ITO納米膜層，所述ITO納米膜層上通過(guò)直流磁控濺射沉積方式形成有NiO陽(yáng)極電致變色薄膜層。

本發(fā)明公開(kāi)的基于磁控濺射的NiO電致變色薄膜生產(chǎn)工藝，其采用中頻反應(yīng)磁控濺射沉積NiO陽(yáng)極層電致變色納米膜，克服了直流磁控濺射NiO陽(yáng)極電致變色薄膜的中毒和打火現(xiàn)象。采用40KHz中頻電源替代直流電源,孿生磁控雙靶替代磁控單靶，對(duì)置安裝的兩個(gè)陰極磁控靶尺寸和結(jié)構(gòu)完全一致的孿生靶，兩個(gè)靶周期性輪流作為陰極和陽(yáng)極，當(dāng)濺射靶面處于電壓的負(fù)半周期時(shí)，靶面被正離子轟擊濺射沉積NiO陽(yáng)極電致變色納米薄膜，靶面處于正半周期時(shí)，等離子體中的電子被加速到達(dá)靶面，以達(dá)到中靶面絕緣層上累積的大量正電荷，從而有效抑制和消除了濺射靶面的中毒和打火。中頻反應(yīng)磁控濺射所獲得的NiO陽(yáng)極層電致變色納米膜與底層ITO導(dǎo)電納米膜的附著力強(qiáng)，濺射所獲得的薄膜純度高、致密性和成膜均勻性好，濺射工藝可重復(fù)性高，同時(shí)生產(chǎn)線各工序均設(shè)有光電行程開(kāi)關(guān)，自動(dòng)控制基片的運(yùn)行狀態(tài)?；倪\(yùn)行快慢、節(jié)奏均由調(diào)頻調(diào)速電機(jī)進(jìn)行調(diào)節(jié)。各真空室均設(shè)有各種參數(shù)控制裝置以分別調(diào)節(jié)工藝參數(shù)?？梢栽诖竺娣e基片上獲得厚度均勻的NiO陽(yáng)極電致變色納米薄膜。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明基于NiO電致變色薄膜的玻璃的結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作更加詳細(xì)的描述。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于磁控濺射的NiO電致變色薄膜生產(chǎn)工藝，如圖1所示，該工藝基于立式連續(xù)真空磁控濺射設(shè)備實(shí)現(xiàn)，所述工藝包括：在玻璃基板1上先利用直流磁控濺射方式沉積ITO納米膜層2，然后在ITO納米膜層2上利用直流磁控濺射方式沉積NiO陽(yáng)極電致變色薄膜層3。

作為一種優(yōu)選方式，濺射沉積ITO納米膜層2的過(guò)程中，選用的ITO靶材的化學(xué)組分為In2O3/SnO290/10比例)，純度>99.99％，相對(duì)密度≥95％，電阻率≤1.8×10-4Ω.cm。

進(jìn)一步地，本實(shí)施例在玻璃基板上先直流磁控濺射沉積ITO納米膜然后在ITO納米膜層上再沉積NiO陽(yáng)極電致變色薄膜層。由于ITO薄膜本身含有氧元素，直流濺射時(shí)的靶電壓越大，氧負(fù)離子轟擊膜層表面的能量也越大，那么造成這種結(jié)構(gòu)缺陷的幾率就越大，產(chǎn)生晶體結(jié)構(gòu)缺陷也越嚴(yán)重，為了有效解決ITO薄膜的缺陷問(wèn)題，本發(fā)明采取的是采用磁控陰極靶和直流電源之間增加一個(gè)脈沖電源基本參數(shù)設(shè)定為60Hz/5us(60赫茲5微秒)，能夠有效降低直流濺射電壓降到-200V，沉積的ITO薄膜電阻率有很大的降低，極大地提高了沉積ITO薄膜的質(zhì)量。本發(fā)明選用的ITO靶材的化學(xué)組分：In2O3/SnO290/10比例)，純度：>99.99％、相對(duì)密度：≥95％、電阻率：≤1.8×10-4Ω·cm。因?yàn)镮TO的透過(guò)率與Sn的含量有直接關(guān)系，因此采用In2O3/SnO290/10比例)的化學(xué)組分沉積出的ITO薄膜，具有良好的光學(xué)特性，在250nm～750nm可見(jiàn)光透過(guò)率大于80％以上，在1.0um～2.0um的紅外波段也有70％以上的透過(guò)率，做為電致變色的導(dǎo)電層是最佳選擇。

本實(shí)施例中，所述NiO陽(yáng)極電致變色薄膜層3在電致變色器件中做為離子存貯層，用于存貯和提供電致變色所需的離子。

具體是指，本實(shí)施例中的的陽(yáng)極電致變色NiO薄膜，在電致變色器件中做為離子存貯層又稱為對(duì)電極層，其作用是存貯和提供電致變色所需的離子。離子存貯膜的要求是有較高的離子存儲(chǔ)能力；具有混合傳導(dǎo)而不只是電子傳導(dǎo)；為了避免反電極限制電致變色器件的光學(xué)性質(zhì)以及循環(huán)壽命，離子存貯層也應(yīng)具有和電致變色層一樣可逆的氧化還原能力；在電致變色器件工作過(guò)程中，如果電致變色材料為陰極著色，則采用陽(yáng)極著色的對(duì)電極材料。在外加電壓的作用下，陰、陽(yáng)極將會(huì)同時(shí)著色或退色，從而加深著色態(tài)顏色而獲得更低的著色態(tài)透射率。這種互補(bǔ)型電致變色器件與普通單電致變色層的電致變色器件相比，達(dá)到相同的著色程度所需的電量較小，故能耗更低。氧化鎳由于具有相當(dāng)大的著色/漂白變色范圍,良好的循環(huán)壽命,大容量的Li+離子儲(chǔ)存能力,而且原料豐富,價(jià)格適宜等優(yōu)點(diǎn),成為最佳的陽(yáng)極致色材料。同時(shí),NiO陽(yáng)極電致變色薄膜在致色時(shí)呈現(xiàn)中性的灰褐色,適宜與WO3薄膜組成雙電致變色層器件,尤其適用于建筑玻璃上用的巧窗。NiO還可以和MnO2、CoO2、Nb2O5等構(gòu)成全堿性器件。其中，電化學(xué)反應(yīng)式為：Ni(OH)2+OH-＝NiOOH+H2O+e-。OH-作為插入/抽出的離子,NiO作為陽(yáng)極電致變色膜在褪色態(tài)時(shí)，透過(guò)率大于70％左右，著色時(shí)透過(guò)率為30％左右，變色時(shí)呈中灰色。和自然光明暗過(guò)程一致。特別是NiO陽(yáng)極電致變色薄膜因其價(jià)格低廉，電變色性能好，透射率的動(dòng)態(tài)可調(diào)范圍大，循環(huán)壽命較長(zhǎng)，是陽(yáng)極致色材料中最有發(fā)展前途的材料。

作為一種優(yōu)選方式，所述ITO納米膜層2的物理厚度為1200nm～1300nm。所述NiO陽(yáng)極電致變色薄膜層3的物理厚度為150nm～180nm。

本實(shí)施例是在玻璃基板上先直流磁控濺射沉積方塊電阻為15～20Ω/口，而其物理膜厚1200nm～1300nm的ITO納米膜，然后在ITO納米膜上中頻反應(yīng)磁控濺射沉積物理膜厚150nm～180nm的NiO電致變色納米薄膜工藝方法，是采用直線立式多個(gè)真空箱體組成的連續(xù)鍍膜設(shè)備生產(chǎn)線在線連讀一次完成的，成功實(shí)現(xiàn)了在玻璃基板上直流磁控濺射ITO膜與NiO陽(yáng)極電致變色納米薄膜在線聯(lián)鍍，在線實(shí)現(xiàn)ITO膜與NiO陽(yáng)極電致變色納米薄膜聯(lián)鍍，關(guān)鍵是ITO膜的制備工藝不是孤立地鍍制ITO膜，而應(yīng)該把ITO膜作為NiO陽(yáng)極電致變色薄膜玻璃中的一部分。要避免ITO鍍膜工序?qū)iO電致變色納米薄膜工藝的影響?？赡艹霈F(xiàn)的主要問(wèn)題是NiO鍍膜室的反應(yīng)氣體O2漂移到ITO鍍膜室造成對(duì)ITO工藝的影響。本發(fā)明采取的工藝方法是兩種磁控濺射靶材(ITO靶和Ni靶)的有效隔離和反應(yīng)氣體O2流量多少的精準(zhǔn)控制來(lái)實(shí)現(xiàn)在線連讀的。采取在濺射靶位之間垂直排列三個(gè)分子泵作為氣井同時(shí)Ni靶和ITO靶之間用多個(gè)真空室做為隔離，使通入的反應(yīng)氣體能夠有效進(jìn)行氣氛隔離，在濺射避免氣氛的互相干擾而影響成膜質(zhì)量。用等離子體反射光譜監(jiān)控法控制反應(yīng)氣體的O2流量，在中頻反應(yīng)磁控濺射NiO陽(yáng)極變色納米薄膜過(guò)程中，來(lái)自放電等離子體的靶材發(fā)射光譜強(qiáng)度，在一定條件下代表靶材的瞬間沉積速率，并與靶材的沉積速率成正比，表現(xiàn)為線性關(guān)系，等離子的發(fā)射光譜通過(guò)鍍膜室內(nèi)的準(zhǔn)直器獲得靶材的發(fā)射光譜強(qiáng)度，經(jīng)過(guò)光纖系統(tǒng)的傳輸、光學(xué)過(guò)濾、放大后輸入到PEM控制器上，與強(qiáng)度預(yù)設(shè)值比較，而后輸出信號(hào)到PCV25壓電閥來(lái)執(zhí)行閥的開(kāi)啟度，以實(shí)現(xiàn)控制輸入到真空濺射室內(nèi)的反應(yīng)氣體氧氣的流量，讓孿生磁控陰極濺射靶材的光譜強(qiáng)度持續(xù)穩(wěn)定，可沉積出結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的NiO陽(yáng)極電致變色納米薄膜。

實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，所述立式連續(xù)真空磁控濺射設(shè)備采用兩種磁控濺射靶材實(shí)現(xiàn)有效隔離。進(jìn)一步地，兩種磁控濺射靶材包括ITO靶材和Ni靶材。

本實(shí)施例采用工件垂直移動(dòng)的直線式多箱體連續(xù)鍍膜設(shè)備生產(chǎn)線，本底極限真空1.5E-5Pa、在連續(xù)磁控濺射成膜時(shí)的工作壓強(qiáng)2-5E-1Pa，在高真空室中充入所需要的惰性氣體，濺射氣體采用純度不小于99.99％的高純氬氣.反應(yīng)氣體的純度不小于99.999％的氧氣.第一層ITO膜采用直流磁控濺射方式。第二層NiO電致變色納米薄膜采用AE中頻電源,頻率40KHz,恒功率模式,功率施加逐漸調(diào)升到設(shè)定值.在每個(gè)孿生磁控陰極靶之間采用三個(gè)垂直均勻分布的分子泵形成氣體隔離帶,避免靶與靶之間的氣氛擾動(dòng)而產(chǎn)生膜厚不均勻現(xiàn)象，在保證中頻反應(yīng)磁控濺射過(guò)程中氧充分反映獲得NiO陽(yáng)極電致變色薄膜，同時(shí)又能保證批量生產(chǎn)工藝要求的沉積速率。

為了提高玻璃品質(zhì)，本實(shí)施例還包括清洗步驟：在鍍膜前采用超聲波潔凈技術(shù)對(duì)玻璃基板進(jìn)行超純水清洗，超純水的水質(zhì)為20MΩ.cm，震蕩頻率為25KHz～40KHz。

具體是指，由于玻璃基板存放的環(huán)境和時(shí)間的不同，受到環(huán)境溫濕的影響玻璃基板表面的潔凈程度也不同，玻璃表面會(huì)產(chǎn)生雜質(zhì)，甚至?xí)a(chǎn)生霉變，雜質(zhì)就是玻璃表面的所有外來(lái)物質(zhì)，這些物質(zhì)牢固地粘著在平板玻璃表面，有的牢固有的的牢固，但同樣都會(huì)對(duì)鍍膜產(chǎn)生損害，基片鍍膜前清洗效果對(duì)玻璃與ITO膜層和NiO膜層的附著力產(chǎn)生不利的影響，由于玻璃基板上殘留的雜質(zhì)或油跡、灰塵，將會(huì)在成膜過(guò)程中影響沉積原子與玻璃基板之間的結(jié)合力以及原子之間的結(jié)合力，甚至出現(xiàn)脫膜現(xiàn)象，薄膜表面產(chǎn)生針孔、雜點(diǎn)等缺陷。直接影響了ITO導(dǎo)電膜層和NiO陽(yáng)極電致變色膜層的物理和電化學(xué)性能。本發(fā)明在鍍膜前采用超聲波潔凈技術(shù)對(duì)玻璃基板進(jìn)行超純水清洗，超純水系統(tǒng)產(chǎn)出的水質(zhì)20MΩ.cm.震蕩頻率為25KHz～40KHz,采用有15個(gè)槽加后段潔凈隧道烘干爐連線的超聲波清洗工藝裝備，1～3槽為預(yù)清洗。4～5槽為加入2％～5％的堿性清洗劑，純水溫度控制55°左右,6～14槽為高純水的落差漂洗,15槽是慢提拉槽同時(shí)超純水溫度控制55°左右.在震蕩液體的氣蝕能量可以將雜質(zhì)從玻璃基本表面松動(dòng)下來(lái),使玻璃表面具有很高的潔凈度.完全達(dá)到了鍍膜的要求，極大地提高玻璃基板的表面活化性能,提高了玻璃基板與ITO膜層和NiO膜層的附著性,本發(fā)明采用超聲波清洗的4～5槽為加入2％～5％的堿性清洗劑是利用清洗介質(zhì)是化學(xué)作用，超聲波清洗是物理作用同時(shí)兩種作用相結(jié)合，以對(duì)玻璃基板表面進(jìn)行充分徹底的清洗。

優(yōu)選地，所述立式連續(xù)真空磁控濺射設(shè)備包括有18個(gè)真空箱體以及由15個(gè)清洗槽組成的超聲波清洗機(jī)。

關(guān)于設(shè)備組成結(jié)構(gòu)，直線式多箱體連續(xù)真空鍍膜設(shè)備生產(chǎn)線由18個(gè)真空箱體和15個(gè)清洗槽組成的超聲波清洗機(jī)組成，經(jīng)過(guò)超聲波清洗后的玻璃基板進(jìn)入潔凈百級(jí)間，并在百級(jí)潔凈間上片進(jìn)入第一真空鍍膜進(jìn)片室，載有玻璃基板的基片架依次進(jìn)入第二個(gè)真空過(guò)度室，第三個(gè)傳動(dòng)過(guò)度室，第四個(gè)緩沖室。然后進(jìn)入由第五、第六、第七、第八室組成的ITO鍍膜室，每一個(gè)ITO鍍膜室裝有兩個(gè)直流磁控濺射陰極靶位，綁定的靶材為ITO平面靶，總計(jì)8個(gè)直流磁控濺射陰極靶位，每個(gè)ITO直流靶的功率設(shè)定值為3KW，濺射工作壓強(qiáng)2-5E-1Pa，在兩個(gè)直流磁控濺射陰極靶位之間有三個(gè)分子泵作為隔絕氣井，隔氣性能良好，同時(shí)為了能夠直流磁控濺射沉積結(jié)晶態(tài)的ITO納米導(dǎo)電膜，在第二個(gè)真空室到第九個(gè)真空室設(shè)有加熱裝置，玻璃基板溫度控制在290°～350°之間。這樣沉積出的ITO納米膜沉積速度快，濺射所獲得的薄膜與基片附著力強(qiáng)，濺射所獲得的薄膜純度高、致密性和成膜均勻性好，濺射工藝可重復(fù)性高，可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜。在沉積ITO納米膜完成后載有玻璃基板的基片架進(jìn)入第九、第十、第十一中央隔離室，隔離室的作用是將在沉積NiO陽(yáng)極電致變色膜時(shí)的通入反應(yīng)氣體O2的阻隔，如果阻隔不好氧氣的擴(kuò)散和漂移將嚴(yán)重影響ITO的成膜結(jié)構(gòu)，ITO阻值范圍將不可控，離散性大，理化指標(biāo)達(dá)不到電致變色結(jié)構(gòu)件中作為透明導(dǎo)電層的基本要求，為了有效解決這一問(wèn)題，本發(fā)明除了用三個(gè)真空室作為隔離室外，在第九室與第十室之間和第十室與第十一室之間增加兩個(gè)隔離閥門(mén)，隔離閥門(mén)采用由汽缸驅(qū)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)閥門(mén)，隔氣性能良好，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，運(yùn)行可靠。根據(jù)工藝要求切換關(guān)閉或開(kāi)通，調(diào)節(jié)方便、密封性好。本發(fā)明采取的另一隔絕O2及其它殘余氣體的方法為在第九和第十一隔離室增設(shè)速循環(huán)水汽深冷泵系統(tǒng)PLOYCOLD,水汽是典型的最具反應(yīng)性的污染氣體，提高薄膜的附著力。Polycold快速循環(huán)水汽深冷泵能很快地捕捉真空系統(tǒng)中75％到95％的水蒸汽分子，由于水蒸汽分子的含量迅速降低，使鍍膜機(jī)的抽氣能力得到提高，一般抽真空時(shí)間可以減少30％左右，極限真空可以得到很大的提高，該系統(tǒng)可在高真空系統(tǒng)中抽吸水分和其它氣體雜質(zhì)，改善鍍層的質(zhì)量，為了中頻在沉積ITO納米膜完成后載有玻璃基板的基片架進(jìn)入第十二、第十三、第十四室，這三個(gè)連續(xù)的鍍膜室用來(lái)沉積NiO陽(yáng)極電致變色薄膜，沉積的物理膜厚為150nm～180nm。每個(gè)真空箱體配置一對(duì)中頻磁控靶，用金屬鎳材料做為濺射靶材。采用中頻雙靶反應(yīng)濺射，此靶在濺射室中懸浮安裝并與箱體絕緣，在濺射中兩個(gè)靶輪流作為陰極和陽(yáng)極，中頻反應(yīng)磁控濺射由于高的沉積速率和良好的工作穩(wěn)定性，在沉積NiO陽(yáng)極電致變色薄膜中做到了工業(yè)化生產(chǎn)。

基于上述工藝，本發(fā)明還公開(kāi)了一種基于NiO電致變色薄膜的玻璃，其包括有玻璃基板1，所述玻璃基板1上通過(guò)直流磁控濺射沉積方式形成有ITO納米膜層2，所述ITO納米膜層2上通過(guò)直流磁控濺射沉積方式形成有NiO陽(yáng)極電致變色薄膜層3。

上述玻璃在沉積NiO陽(yáng)極電致變色薄膜中采用的是中頻反應(yīng)磁控濺射，共有三對(duì)中頻雙靶即孿生磁控靶。三對(duì)中頻雙靶位于第十二、第十三、第十四室，每個(gè)真空鍍膜之間在立式真空箱體的垂直方向裝有三臺(tái)島津公司生產(chǎn)的高真空分子泵，三對(duì)中頻雙靶位在中頻反應(yīng)磁控濺射NiO陽(yáng)極電致變色薄膜是相對(duì)獨(dú)立互補(bǔ)干擾。每個(gè)中頻雙靶的功率設(shè)定值為15KW，采用恒功率模式，濺射工作壓強(qiáng)2-5E-1Pa。中頻雙靶除了通過(guò)布?xì)怏w管道通如工作氣體氬氣Ar外，還要在通過(guò)分段布?xì)庋b置引入反應(yīng)氣體O2,為了更好地反應(yīng)氣體在中頻雙靶的靶面均勻布?xì)?，本專利采取了二元布?xì)庀到y(tǒng)，在這個(gè)系統(tǒng)中，每一個(gè)氣體噴嘴處于濺射反應(yīng)氣體的留阻都是一致的，在整個(gè)中頻雙靶陰極的兩側(cè)可以達(dá)到均衡的氣體比例和流量。經(jīng)過(guò)在玻璃基板上連讀鍍膜完ITO導(dǎo)電納米膜和NiO陽(yáng)極電致變色納米膜后，載有玻璃基板的基片架將進(jìn)入第十五和第十六兩個(gè)緩沖室并經(jīng)過(guò)第十七個(gè)真空過(guò)渡室和第十八個(gè)出片室，進(jìn)如千級(jí)凈化間進(jìn)行卸片，檢驗(yàn)、包裝。

以上所述只是本發(fā)明較佳的實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)所做的修改、等同替換或者改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明所保護(hù)的范圍內(nèi)。