1.一種基于磁控濺射的NiO電致變色薄膜生產(chǎn)工藝，其特征在于，該工藝基于立式連續(xù)真空磁控濺射設(shè)備實(shí)現(xiàn)，所述工藝包括：在玻璃基板(1)上先利用直流磁控濺射方式沉積ITO納米膜層(2)，然后在ITO納米膜層(2)上利用直流磁控濺射方式沉積NiO陽極電致變色薄膜層(3)。
2.如權(quán)利要求1所述的基于磁控濺射的NiO電致變色薄膜生產(chǎn)工藝，其特征在于，濺射沉積ITO納米膜層(2)的過程中，選用的ITO靶材的化學(xué)組分為In2O3/SnO2(90/10比例)，純度>99.99％，相對密度≥95％，電阻率≤1.8×10-4Ω.cm。
3.如權(quán)利要求1所述的基于磁控濺射的NiO電致變色薄膜生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述NiO陽極電致變色薄膜層(3)在電致變色器件中做為離子存貯層，用于存貯和提供電致變色所需的離子。
4.如權(quán)利要求1所述的基于磁控濺射的NiO電致變色薄膜生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述ITO納米膜層(2)的物理厚度為1200nm～1300nm。
5.如權(quán)利要求1所述的基于磁控濺射的NiO電致變色薄膜生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述NiO陽極電致變色薄膜層(3)的物理厚度為150nm～180nm。
6.如權(quán)利要求1所述的基于磁控濺射的NiO電致變色薄膜生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述立式連續(xù)真空磁控濺射設(shè)備采用兩種磁控濺射靶材實(shí)現(xiàn)有效隔離。
7.如權(quán)利要求6所述的基于磁控濺射的NiO電致變色薄膜生產(chǎn)工藝，其特征在于，兩種磁控濺射靶材包括ITO靶材和Ni靶材。
8.如權(quán)利要求1所述的基于磁控濺射的NiO電致變色薄膜生產(chǎn)工藝，其特征在于，還包括清洗步驟：在鍍膜前采用超聲波潔凈技術(shù)對玻璃基板進(jìn)行超純水清洗，超純水的水質(zhì)為20MΩ.cm，震蕩頻率為25KHz～40KHz。
9.如權(quán)利要求8所述的基于磁控濺射的NiO電致變色薄膜生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述立式連續(xù)真空磁控濺射設(shè)備包括有18個真空箱體以及由15個清洗槽組成的超聲波清洗機(jī)。
10.一種基于NiO電致變色薄膜的玻璃，其特征在于，包括有玻璃基板(1)，所述玻璃基板(1)上通過直流磁控濺射沉積方式形成有ITO納米膜層(2)，所述ITO納米膜層(2)上通過直流磁控濺射沉積方式形成有NiO陽極電致變色薄膜層(3)。