1.一種不銹鋼AF涂層工藝，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一：將不銹鋼基材先在磁控濺射設(shè)備上用磁控濺射的方法沉積PVD涂層；
步驟二：用AF鍍膜機(jī)進(jìn)行輝光清洗；
步驟三：沉積氧化鋁和二氧化硅，形成過渡層；
步驟四：沉積AF膜；
步驟五：冷卻出爐。
2.如權(quán)利要求1所述的不銹鋼AF涂層工藝，其特征在于，所述的沉積PVD涂層的參數(shù)如下：時(shí)間為3-5小時(shí)；真空度為0.5Pa；氣體采用氬氣和乙炔，氬氣的體積流量為100sccm，乙炔的體積流量為100-1000sccm；偏壓為80-150V；光柵為85度。
3.如權(quán)利要求1所述的不銹鋼AF涂層工藝，其特征在于，所述的步驟一的操作流程為：抽真空到5*10-3Pa，沖入氬氣100sccm，真空度上升到0.5Pa，啟動(dòng)偏壓電源，設(shè)定偏壓為80-150V，靶功率為10-20KW，沖入乙炔100-1000sccm，時(shí)長3-5小時(shí)。
4.如權(quán)利要求1所述的不銹鋼AF涂層工藝，其特征在于，所述的輝光清洗的參數(shù)如下：時(shí)間為3-10分鐘；真空度為2.1Pa；氣體采用氬氣，體積流量為1000sccm；偏壓功率為1KW；光柵為85度。
5.如權(quán)利要求1所述的不銹鋼AF涂層工藝，其特征在于，所述的步驟二的操作流程為：關(guān)高閥1，進(jìn)入鍍膜系統(tǒng)，沖入氬氣1000sccm，啟動(dòng)偏壓電源，設(shè)定偏壓功率為1KW，時(shí)長3-10分鐘。
6.如權(quán)利要求1所述的不銹鋼AF涂層工藝，其特征在于，所述的沉積氧化鋁的參數(shù)為：時(shí)間為3-10分鐘；真空度為0.41Pa；氣體采用氬氣和氧氣，氬氣的體積流量為60sccm，氧氣的體積流量為330sccm；光柵為85度。
7.如權(quán)利要求1所述的不銹鋼AF涂層工藝，其特征在于，所述的沉積二氧化硅的參數(shù)為：時(shí)間為1-5分鐘；真空度為0.41Pa；氣體采用氬氣和氧氣，氬氣的體積流量為60sccm，氧氣的體積流量為330sccm；光柵為85度。
8.如權(quán)利要求1所述的不銹鋼AF涂層工藝，其特征在于，所述的沉積氧化鋁的步驟為：開高閥1，沖入氬氣60sccm，氧氣330sccm，開鋁靶機(jī)電源，設(shè)定靶電源功率為0.5-2KW，時(shí)長3-10分鐘；所述的沉積二氧化硅的步驟為：開高閥1，沖入氬氣60sccm，氧氣330sccm，開硅靶機(jī)電源，設(shè)定靶電源功率為0.5-2KW，時(shí)長1-5分鐘。
9.如權(quán)利要求1所述的不銹鋼AF涂層工藝，其特征在于，所述的沉積AF膜的參數(shù)為：時(shí)間為10-20分鐘；真空度為7*10-3Pa以下；不充氣；光柵為0度。
10.如權(quán)利要求1所述的不銹鋼AF涂層工藝，其特征在于，所述的沉積AF膜的步驟為：調(diào)整光柵角度為0度，設(shè)定蒸發(fā)電源電壓為1-5V，時(shí)長為10-20分鐘。