本發(fā)明涉及PVD裝飾鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,特別地,涉及一種不銹鋼AF涂層工藝。
背景技術(shù):
傳統(tǒng)PVD涂層不具備防水、防指紋的效果,通過人工手動(dòng)噴AF油的方法,能夠起到很好的防水、防指紋效果,由于噴油的方法涂層太厚(10-15um),改變了貨品的外觀,導(dǎo)致外觀沙啞,人工成本非常高,成品率低。本發(fā)明所述的AF涂層,PVD后在其表面沉積AF涂層,起到防水防指紋,去除污漬方便的效果,提高了裝飾涂層的實(shí)用性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明目的在于提供一種不銹鋼AF(AF:Anti fingerprint,防指紋)涂層工藝,以解決技術(shù)問題。
一種不銹鋼AF涂層工藝,包括以下步驟:
步驟一:將不銹鋼基材先在磁控濺射設(shè)備上用磁控濺射的方法沉積PVD涂層;
步驟二:用AF鍍膜機(jī)進(jìn)行輝光清洗;
步驟三:沉積氧化鋁和二氧化硅,形成過渡層;
步驟四:沉積AF膜;
步驟五:冷卻出爐。
優(yōu)選的,所述的沉積PVD涂層的參數(shù)如下:時(shí)間為3-5小時(shí);真空度為0.5Pa;氣體采用氬氣和乙炔,氬氣的體積流量為100sccm,乙炔的體積流量為100-1000sccm;偏壓為80-150V;光柵為85度。
優(yōu)選的,所述的步驟一的操作流程為:抽真空到5*10-3Pa,沖入氬氣100sccm,真空度上升到0.5Pa,啟動(dòng)偏壓電源,設(shè)定偏壓為80-150V,靶功率為10-20KW,沖入乙炔100-1000sccm,時(shí)長3-5小時(shí)。
優(yōu)選的,所述的輝光清洗的參數(shù)如下:時(shí)間為3-10分鐘;真空度為2.1Pa;氣體采用氬氣,體積流量為1000sccm;偏壓功率為1KW;光柵為85度。
優(yōu)選的,所述的步驟二的操作流程為:關(guān)高閥1,進(jìn)入鍍膜系統(tǒng),沖入氬氣1000sccm,啟動(dòng)偏壓電源,設(shè)定偏壓功率為1KW,時(shí)長3-10分鐘。
優(yōu)選的,所述的沉積氧化鋁的參數(shù)為:時(shí)間為3-10分鐘;真空度為0.41Pa;氣體采用氬氣和氧氣,氬氣的體積流量為60sccm,氧氣的體積流量為330sccm;光柵為85度。
優(yōu)選的,所述的沉積氧化鋁的步驟為:開高閥1,沖入氬氣60sccm,氧氣330sccm,開鋁靶機(jī)電源,設(shè)定靶電源功率為0.5-2KW,時(shí)長3-10分鐘。
優(yōu)選的,所述的沉積二氧化硅的參數(shù)為:時(shí)間為1-5分鐘;真空度為0.41Pa;氣體采用氬氣和氧氣,氬氣的體積流量為60sccm,氧氣的體積流量為330sccm;光柵為85度。
優(yōu)選的,所述的沉積二氧化硅的步驟為:開高閥1,沖入氬氣60sccm,氧氣330sccm,開硅靶機(jī)電源,設(shè)定靶電源功率為0.5-2KW,時(shí)長1-5分鐘。
優(yōu)選的,所述的沉積AF膜的參數(shù)為:時(shí)間為10-20分鐘;真空度為7*10-3Pa以下;不充氣;光柵為0度。
優(yōu)選的,所述的沉積AF膜的步驟為:調(diào)整光柵角度為0度,設(shè)定蒸發(fā)電源電壓為1-5V,時(shí)長為10-20分鐘。
本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明的不銹鋼AF涂層工藝,采用PVD、輝光清洗、氧化鋁沉積、二氧化硅沉積和AF透明膜沉積的步驟進(jìn)行,在PVD鍍層表面上形成防止污染和指紋的鍍膜層,具有防止水和油的浸透,撥水撥油層保護(hù)產(chǎn)品的作用,除污染方便;表面光滑,不改變PVD后的原色,人工成本是原工藝的十分之一。
除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)之外,本發(fā)明還有其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。下面將對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
具體實(shí)施方式
以下對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明,但是本發(fā)明可以根據(jù)權(quán)利要求限定和覆蓋的多種不同方式實(shí)施。
實(shí)施例1
一種不銹鋼AF涂層工藝,包括以下步驟:
步驟一:將不銹鋼基材先在磁控濺射設(shè)備上用磁控濺射的方法沉積PVD涂層;
步驟二:用AF鍍膜機(jī)進(jìn)行輝光清洗;
步驟三:沉積氧化鋁和二氧化硅,形成過渡層;
步驟四:沉積AF膜;
步驟五:冷卻出爐。
所述的沉積PVD涂層的參數(shù)如下:時(shí)間為4小時(shí);真空度為0.5Pa;氣體采用氬氣和乙炔,氬氣的體積流量為100sccm,乙炔的體積流量為100-1000sccm;偏壓為120V;光柵為85度。
所述的PVD涂層為TiC涂層。
所述的步驟一的操作流程為:抽真空到5*10-3Pa,沖入氬氣100sccm,真空度上升到0.5Pa,啟動(dòng)偏壓電源,設(shè)定偏壓為120V,靶功率為15KW,沖入乙炔100-1000sccm,時(shí)長4小時(shí)。
所述的輝光清洗的參數(shù)如下:時(shí)間為7分鐘;真空度為2.1Pa;氣體采用氬氣,體積流量為1000sccm;偏壓功率為1KW;光柵為85度。
所述的步驟二的操作流程為:關(guān)高閥1,進(jìn)入鍍膜系統(tǒng),沖入氬氣1000sccm,啟動(dòng)偏壓電源,設(shè)定偏壓功率為1KW,時(shí)長7分鐘。
所述的沉積氧化鋁的參數(shù)為:時(shí)間為7分鐘;真空度為0.41Pa;氣體采用氬氣和氧氣,氬氣的體積流量為60sccm,氧氣的體積流量為330sccm;光柵為85度。
所述的沉積氧化鋁的步驟為:開高閥1,沖入氬氣60sccm,氧氣330sccm,開鋁靶機(jī)電源,設(shè)定靶電源功率為1.2KW,時(shí)長7分鐘。
所述的沉積二氧化硅的參數(shù)為:時(shí)間為2分鐘;真空度為0.41Pa;氣體采用氬氣和氧氣,氬氣的體積流量為60sccm,氧氣的體積流量為330sccm;光柵為85度。
所述的沉積二氧化硅的步驟為:開高閥1,沖入氬氣60sccm,氧氣330sccm,開硅靶機(jī)電源,設(shè)定靶電源功率為1KW,時(shí)長2分鐘。
所述的沉積AF膜的參數(shù)為:時(shí)間為15分鐘;真空度為7*10-3Pa以下;不充氣;光柵為0度。
所述的沉積AF膜的步驟為:調(diào)整光柵角度為0度,設(shè)定蒸發(fā)電源電壓為3V,時(shí)長為18分鐘。
實(shí)施例2
一種不銹鋼AF涂層工藝,包括以下步驟:
步驟一:將不銹鋼基材先在磁控濺射設(shè)備上用磁控濺射的方法沉積PVD涂層;
步驟二:用AF鍍膜機(jī)進(jìn)行輝光清洗;
步驟三:沉積氧化鋁和二氧化硅,形成過渡層;
步驟四:沉積AF膜;
步驟五:冷卻出爐。
所述的沉積PVD涂層的參數(shù)如下:時(shí)間為5小時(shí);真空度為0.5Pa;氣體采用氬氣和乙炔,氬氣的體積流量為100sccm,乙炔的體積流量為100-1000sccm;偏壓為150V;光柵為85度。
所述的PVD涂層為TiC涂層。
所述的步驟一的操作流程為:抽真空到5*10-3Pa,沖入氬氣100sccm,真空度上升到0.5Pa,啟動(dòng)偏壓電源,設(shè)定偏壓為150V,靶功率為20KW,沖入乙炔100-1000sccm,時(shí)長5小時(shí)。
所述的輝光清洗的參數(shù)如下:時(shí)間為3分鐘;真空度為2.1Pa;氣體采用氬氣,體積流量為1000sccm;偏壓功率為1KW;光柵為85度。
所述的步驟二的操作流程為:關(guān)高閥1,進(jìn)入鍍膜系統(tǒng),沖入氬氣1000sccm,啟動(dòng)偏壓電源,設(shè)定偏壓功率為1KW,時(shí)長3分鐘。
所述的沉積氧化鋁的參數(shù)為:時(shí)間為10分鐘;真空度為0.41Pa;氣體采用氬氣和氧氣,氬氣的體積流量為60sccm,氧氣的體積流量為330sccm;光柵為85度。
所述的沉積氧化鋁的步驟為:開高閥1,沖入氬氣60sccm,氧氣330sccm,開鋁靶機(jī)電源,設(shè)定靶電源功率為2KW,時(shí)長3-10分鐘。
所述的沉積二氧化硅的參數(shù)為:時(shí)間為1分鐘;真空度為0.41Pa;氣體采用氬氣和氧氣,氬氣的體積流量為60sccm,氧氣的體積流量為330sccm;光柵為85度。
所述的沉積二氧化硅的步驟為:開高閥1,沖入氬氣60sccm,氧氣330sccm,開硅靶機(jī)電源,設(shè)定靶電源功率為0.5KW,時(shí)長1分鐘。
所述的沉積AF膜的參數(shù)為:時(shí)間為20分鐘;真空度為7*10-3Pa以下;不充氣;光柵為0度。
所述的沉積AF膜的步驟為:調(diào)整光柵角度為0度,設(shè)定蒸發(fā)電源電壓為5V,時(shí)長為20分鐘。
實(shí)施例3
一種不銹鋼AF涂層工藝,包括以下步驟:
步驟一:將不銹鋼基材先在磁控濺射設(shè)備上用磁控濺射的方法沉積PVD涂層;
步驟二:用AF鍍膜機(jī)進(jìn)行輝光清洗;
步驟三:沉積氧化鋁和二氧化硅,形成過渡層;
步驟四:沉積AF膜;
步驟五:冷卻出爐。
所述的沉積PVD涂層的參數(shù)如下:時(shí)間為3小時(shí);真空度為0.5Pa;氣體采用氬氣和乙炔,氬氣的體積流量為100sccm,乙炔的體積流量為100-1000sccm;偏壓為80-150V;光柵為85度。
所述的PVD涂層為TiN涂層。
所述的步驟一的操作流程為:抽真空到5*10-3Pa,沖入氬氣100sccm,真空度上升到0.5Pa,啟動(dòng)偏壓電源,設(shè)定偏壓為80-150V,靶功率為10-20KW,沖入乙炔100-1000sccm,時(shí)長3小時(shí)。
所述的輝光清洗的參數(shù)如下:時(shí)間為10分鐘;真空度為2.1Pa;氣體采用氬氣,體積流量為1000sccm;偏壓功率為1KW;光柵為85度。
所述的步驟二的操作流程為:關(guān)高閥1,進(jìn)入鍍膜系統(tǒng),沖入氬氣1000sccm,啟動(dòng)偏壓電源,設(shè)定偏壓功率為1KW,時(shí)長10分鐘。
所述的沉積氧化鋁的參數(shù)為:時(shí)間為3分鐘;真空度為0.41Pa;氣體采用氬氣和氧氣,氬氣的體積流量為60sccm,氧氣的體積流量為330sccm;光柵為85度。
所述的沉積氧化鋁的步驟為:開高閥1,沖入氬氣60sccm,氧氣330sccm,開鋁靶機(jī)電源,設(shè)定靶電源功率為0.5KW,時(shí)長3分鐘。
所述的沉積二氧化硅的參數(shù)為:時(shí)間為5分鐘;真空度為0.41Pa;氣體采用氬氣和氧氣,氬氣的體積流量為60sccm,氧氣的體積流量為330sccm;光柵為85度。
所述的沉積二氧化硅的步驟為:開高閥1,沖入氬氣60sccm,氧氣330sccm,開硅靶機(jī)電源,設(shè)定靶電源功率為2KW,時(shí)長5分鐘。
所述的沉積AF膜的參數(shù)為:時(shí)間為10分鐘;真空度為7*10-3Pa以下;不充氣;光柵為0度。
所述的沉積AF膜的步驟為:調(diào)整光柵角度為0度,設(shè)定蒸發(fā)電源電壓為1V,時(shí)長為10分鐘。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已,并不用于限制本發(fā)明,對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說,本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。