本發(fā)明涉及一種立式磁控濺射真空鍍膜防繞鍍方法及基片夾具，它屬于電子器件和LED用陶瓷基板材料的真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

普通的立式連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，在對尺寸較小的陶瓷片做單面金屬濺射鍍膜時，不可避免對存在非鍍膜面(同一陶瓷片的另一面)的繞鍍現(xiàn)象；因為陶瓷基板尺寸很多，針對不同尺寸制作各式各樣的防擾鍍基片架，所需費用相當(dāng)巨大，且轉(zhuǎn)產(chǎn)更換基片架又很耗時耗力，成本較高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
：

本發(fā)明的目的在于提供一種操作簡單，基片更換容易，無繞鍍鍍膜的立式磁控濺射真空鍍膜防繞鍍方法及基片夾具。

本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的：

一種真空鍍膜基片夾具，其特征在于它是一個下部設(shè)置有開口向下的下卡槽，上部設(shè)置有三個開口向上的上卡槽的線性夾具。

所述的下卡槽為矩形卡槽。

所述的線性夾具的三個上卡槽，其中一個是位于線性夾具上表面中間位置的中間上卡槽，另外兩個上卡槽是位于線性夾具上 表面的兩個側(cè)邊邊緣部位的邊上卡槽。

所述的線性夾具上部的截面為等腰三角形結(jié)構(gòu)，所述的中間上卡槽位于等腰三角形的頂角位置，另外兩個邊上卡槽位于等腰三角形的底邊角的位置。

所述的線性夾具上部的截面結(jié)構(gòu)為矩形結(jié)構(gòu)，所述的三個開口向上的上卡槽的均勻分布在所述的線性夾具上部的表面。

一種立式磁控濺射真空鍍膜防繞鍍方法，其特征在于它包括如下的步驟：

a、選擇立式磁控濺射平板鍍膜線的雙面真空鍍膜設(shè)備，選擇上基片架為帶有兩個卡槽的上基片架；

b、將清洗后的需要進行鍍膜的兩片鍍膜基板的非鍍膜面背靠背迭齊，其下端一并卡入真空鍍膜基片夾具中兩個邊上卡槽中；然后再將位于鍍膜設(shè)備下端的基片架橫桿卡入真空鍍膜基片夾具的下卡槽中，用螺絲固定；兩片鍍膜基板的上端卡入帶有兩個卡槽的上基片架中；

c、依據(jù)鍍膜基板的性質(zhì)和鍍膜的要求調(diào)整真空室兩面溫度至同一濺射溫度；

d、同時開啟真空室兩對面的磁控濺射陰極，對固定在基片架橫桿上的疊放的兩片鍍膜基板同時沉積鍍膜；

e、兩片疊放的鍍膜基板在鍍膜完成后同時從上基片架和基片架橫桿之間卸下，分開檢查后墊紙包裝。

一種立式磁控濺射真空鍍膜防繞鍍方法，其特征在于它包括 如下的步驟：

a、使用立式磁控濺射平板鍍膜線的真空鍍膜設(shè)備，選擇上基片架為帶有兩個卡槽的上基片架；

b、將清洗后的單片鍍膜基板的下端一并卡入真空鍍膜基片夾具的中間上卡槽中；然后再將位于鍍膜設(shè)備下端的基片架橫桿卡入真空鍍膜基片夾具的下卡槽中，用螺絲固定；單片鍍膜基板的上端卡入帶有兩個卡槽的上基片架的其中一個卡槽中；

c、依據(jù)鍍膜基板的性質(zhì)和鍍膜的要求調(diào)整真空室兩面溫度至同一濺射溫度；

d、同時開啟真空室兩對面的磁控濺射陰極，對固定在基片架橫桿上的單片鍍膜基片進行沉積鍍膜；

e、在鍍膜完成后，從上基片架和基片架橫桿之間卸下已經(jīng)完成鍍膜的鍍膜基片，并檢查后墊紙包裝。

一種立式磁控濺射真空鍍膜防繞鍍方法，其特征在于它包括如下的步驟：

a、使用立式磁控濺射平板鍍膜線的單面真空鍍膜設(shè)備，選擇上基片架為帶有一個卡槽的上基片架；

b、將清洗后的單片鍍膜基板和一個與單片鍍膜基板大小相同的阻擋片疊加在一起，然后將其下端卡入真空鍍膜基片夾具的中間上卡槽中，并使得待鍍膜面暴露在濺鍍陰極面；然后再將位于鍍膜設(shè)備下端的基片架橫桿卡入真空鍍膜基片夾具的下卡槽中，用螺絲固定；將疊加在一起的單片鍍膜基板和阻擋片的上端 卡入上基片架的卡槽中；

c、依據(jù)鍍膜基板的性質(zhì)和鍍膜的要求調(diào)整真空室的濺射溫度；

d、開啟真空室的磁控濺射陰極，對固定在基片架橫桿上的單片鍍膜基片進行沉積鍍膜；

e、在鍍膜完成后，從上基片架和基片架橫桿之間卸下已經(jīng)完成鍍膜的單面鍍膜基片和阻擋片，并將單面鍍膜基片和阻擋片分離，檢查后將已經(jīng)的單面鍍膜基片墊紙包裝。

本發(fā)明利用簡單的基片夾具，實現(xiàn)了基片更換的簡單化和快速化，并且在可以直接利用現(xiàn)有的立式連續(xù)磁控濺射真空鍍膜線即可進行對陶瓷片非鍍膜面的無繞鍍鍍膜，操作簡單，節(jié)省基片更換時間，大大的提高了鍍膜效率，同時也降低了鍍膜成本。

附圖說明：

圖1為本發(fā)明的真空鍍膜基片夾具結(jié)構(gòu)示意圖

圖2為本發(fā)明的真空鍍膜基片夾具截面結(jié)構(gòu)示意圖

圖3為本發(fā)明的真空鍍膜基片夾具的結(jié)構(gòu)簡圖之一

圖4為本發(fā)明的真空鍍膜基片夾具使用狀態(tài)下的結(jié)構(gòu)簡圖之二

圖5為本發(fā)明實施例2的真空鍍膜基片夾具結(jié)構(gòu)示意圖

圖6為本發(fā)明的單面鍍膜的方法示意圖

圖7為本發(fā)明的雙面鍍膜的方法示意圖

圖8為本發(fā)明的針對單面真空鍍膜設(shè)備的單面鍍膜基片的安裝方式圖示

具體實施方式：

下面結(jié)合圖1、圖2、圖3、圖4、圖5、圖6、圖7和圖8對本發(fā)明進行進一步的說明：

實施例1，如圖1、圖2、圖4和圖6中所示：

在本實施例中，為了實現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明被設(shè)計成為一個下部設(shè)置有開口向下的下卡槽，上部設(shè)置有三個開口向上的上卡槽的線性夾具1，如圖1中所示。

為了配合現(xiàn)有的立式磁控濺射ITO鍍膜線玻璃基片的鍍膜設(shè)備，將本發(fā)明牢固的安裝在鍍膜設(shè)備的基片架橫桿5和上基片架51之間，所述的下卡槽為矩形卡槽2。利用螺絲和設(shè)置在矩形卡槽2上的螺絲孔10，將基片架橫桿5固定在矩形卡槽2中。

為了滿足單面鍍膜和雙面鍍膜的基片的在線更換，所述的線性夾具的三個上卡槽，其中一個是位于線性夾具1上表面中間位置的中間上卡槽3，另外兩個上卡槽是位于線性夾具1上表面的兩個側(cè)邊邊緣部位的邊上卡槽4。

如圖4中所示，當(dāng)需要進行單面鍍膜時，將兩塊單面鍍膜的基片9分別插入兩個側(cè)邊邊緣部位的邊上卡槽4中，并固定在基片架橫桿52和上基片架53之間，這樣兩個單面鍍膜的基片9相對應(yīng)的一面就不會面對濺射靶，從而不會被鍍膜，而兩個單面鍍膜的基片的對外的一面均面對著濺射靶，會被正常的鍍膜。

在本實施例中，所述的線性夾具1上部的截面為等腰三角形結(jié)構(gòu)，所述的中間上卡槽3位于等腰三角形的頂角位置，另 外兩個邊上卡槽4位于等腰三角形的底邊角的位置。

本發(fā)明的具體防繞鍍方法步驟如下，如圖6中所示：

現(xiàn)有的立式磁控濺射ITO鍍膜線玻璃基片的鍍膜設(shè)備有兩種，一種是雙面鍍膜設(shè)備，另一種是單面鍍膜設(shè)備。本實施例中的防繞鍍方法四針對雙面鍍膜設(shè)備的。

a、選擇立式磁控濺射ITO鍍膜線玻璃基片的鍍膜設(shè)備，并且是可以實現(xiàn)雙面，選擇上基片架為帶有兩個卡槽54的上基片架51；

b、將清洗后的兩片電子陶瓷片非鍍膜面背靠背迭齊，其下端一并卡入真空鍍膜基片夾具中兩個邊上卡槽4中；然后再將位于鍍膜設(shè)備下端的基片架橫桿5卡入真空鍍膜基片夾具的下卡槽中，用螺絲固定；兩片電子陶瓷片的上端卡入帶有兩個卡槽54的上基片架51中；

c、調(diào)整真空室兩面溫度至同一濺射溫度；

d、同時開啟真空室兩對面的磁控濺射陰極，對固定在基片架橫桿(5)上的疊放的兩片電子陶瓷片同時沉積鍍膜；

e、兩片疊放的兩片電子陶瓷片在鍍膜完成后同時從上基片架51和基片架橫桿5之間卸下，分開檢查后墊紙包裝。

實施例2，如圖5中所示：

在本實施例中，所述的線性夾具1上部的截面結(jié)構(gòu)為矩形結(jié)構(gòu)，所述的三個開口向上的上卡槽的均勻分布在所述的線性夾具1上部的表面。通常在運行時，若加工單面鍍膜的基片，就 將單面鍍膜的基片插入靠外面的兩個上卡槽6中；如果加工的是雙面鍍膜的基片，就把雙面鍍膜的基片插入中間的上卡槽7中。

本實施例的其他部分與實施例1完全相同。

實施例3，如圖3和圖7中所示：

如圖3中當(dāng)需要安裝更換雙面鍍膜的基片8時，直接將該雙面鍍膜的基片8先插入線性夾具1的中間上卡槽3中，并固定在基片架橫桿5和上基片架51之間，這樣雙面鍍膜的基片的兩個被加工面都暴露在濺射靶下，隨著基片架橫桿5的移動，雙面鍍膜的基片8將移動至濺射室，從而完成鍍膜工序。

具體防繞鍍方法步驟如下：

a、選擇立式磁控濺射ITO鍍膜線玻璃基片的雙面鍍膜設(shè)備，與實施例1中相同，選擇上基片架為帶有兩個卡槽54的上基片架51；

b、將清洗后的單片電子陶瓷片的下端一并卡入真空鍍膜基片夾具的中間上卡槽3中；然后再將位于鍍膜設(shè)備下端的基片架橫桿5卡入真空鍍膜基片夾具的下卡槽中，用螺絲固定；單片電子陶瓷片的上端卡入帶有兩個卡槽54的上基片架51的其中一個卡槽中；

c、調(diào)整真空室兩面溫度至同一濺射溫度；

d、同時開啟真空室兩對面的磁控濺射陰極，對固定在基片架橫桿5上的單片電子陶瓷片同時沉積鍍膜；

e、在鍍膜完成后，從上基片架51和基片架橫桿5之間卸下，并檢查后墊紙包裝。

實施例4，如圖8所示：

本實施例主要是針對現(xiàn)有的立式磁控濺射ITO鍍膜線玻璃基片的單面鍍膜設(shè)備的防繞鍍方法，它包括如下的步驟：

a、使用立式磁控濺射平板鍍膜線的單面真空鍍膜設(shè)備，選擇上基片架為帶有一個卡槽的上基片架；

b、將清洗后的單片鍍膜基板81和一個與單片鍍膜基板大小相同的阻擋片82疊加在一起，然后將其下端卡入真空鍍膜基片夾具的中間上卡槽中，并使得待鍍膜面暴露在濺鍍陰極面；然后再將位于鍍膜設(shè)備下端的基片架橫桿卡入真空鍍膜基片夾具的下卡槽中，用螺絲固定；將疊加在一起的單片鍍膜基板和阻擋片的上端卡入上基片架的卡槽中；

c、依據(jù)鍍膜基板的性質(zhì)和鍍膜的要求調(diào)整真空室的濺射溫度；

d、開啟真空室的磁控濺射陰極，對固定在基片架橫桿上的單片鍍膜基片進行沉積鍍膜；

e、在鍍膜完成后，從上基片架和基片架橫桿之間卸下已經(jīng)完成鍍膜的單面鍍膜基片和阻擋片，并將單面鍍膜基片81和阻擋片82分離，檢查后將已經(jīng)的單面鍍膜基片墊紙包裝。

本實施例中的上基片架51和基片架橫桿5與實施例1中的相同，屬于現(xiàn)有技術(shù)。

本實施例中所使用的真空鍍膜基片夾具與實施例1中相同。