1.一種真空鍍膜基片夾具，其特征在于它是一個(gè)下部設(shè)置有開(kāi)口向下的下卡槽，上部設(shè)置有三個(gè)開(kāi)口向上的上卡槽的線性?shī)A具。
2.如權(quán)利要求1中所述的真空鍍膜基片夾具，其特征在于所述的下卡槽為矩形卡槽(2)。
3.如權(quán)利要求1中所述的真空鍍膜基片夾具，其特征在于所述的線性?shī)A具的三個(gè)上卡槽，其中一個(gè)是位于線性?shī)A具(1)上表面中間位置的中間上卡槽(3)，另外兩個(gè)上卡槽是位于線性?shī)A具(1)上表面的兩個(gè)側(cè)邊邊緣部位的邊上卡槽(4)。
4.如權(quán)利要求3中所述的真空鍍膜基片夾具，其特征在于所述的線性?shī)A具(1)上部的截面為等腰三角形結(jié)構(gòu)，所述的中間上卡槽(3)位于等腰三角形的頂角位置，另外兩個(gè)邊上卡槽(4)位于等腰三角形的底邊角的位置。
5.如權(quán)利要求1中所述的真空鍍膜基片夾具，其特征在于所述的線性?shī)A具(1)上部的截面結(jié)構(gòu)為矩形結(jié)構(gòu)，所述的三個(gè)開(kāi)口向上的上卡槽的均勻分布在所述的線性?shī)A具(1)上部的表面。
6.一種立式磁控濺射真空鍍膜防繞鍍方法，其特征在于它包括如下的步驟：
a、選擇立式磁控濺射平板鍍膜線的雙面真空鍍膜設(shè)備，選擇上基片架為帶有兩個(gè)卡槽(54)的上基片架(51)；
b、將清洗后的需要進(jìn)行鍍膜的兩片鍍膜基板的非鍍膜面背靠背迭齊，其下端一并卡入真空鍍膜基片夾具中兩個(gè)邊上卡槽(4)中；然后再將位于鍍膜設(shè)備下端的基片架橫桿(5)卡入真空鍍膜基片夾具的下卡槽中，用螺絲固定；兩片鍍膜基板的上端卡入帶有兩個(gè)卡槽(54)的上基片架(51)中；
c、依據(jù)鍍膜基板的性質(zhì)和鍍膜的要求調(diào)整真空室兩面溫度至同一濺射溫度；
d、同時(shí)開(kāi)啟真空室兩對(duì)面的磁控濺射陰極，對(duì)固定在基片架橫桿(5)上的疊放的兩片鍍膜基板同時(shí)沉積鍍膜；e、兩片疊放的鍍膜基板在鍍膜完成后同時(shí)從上基片架(51)和基片架橫桿(5)之間卸下，分開(kāi)檢查后墊紙包裝。
7.一種立式磁控濺射真空鍍膜防繞鍍方法，其特征在于它包括如下的步驟：
a、使用立式磁控濺射平板鍍膜線的雙面真空鍍膜設(shè)備，選擇上基片架為帶有兩個(gè)卡槽(54)的上基片架(51)；
b、將清洗后的單片鍍膜基板的下端一并卡入真空鍍膜基片夾具的中間上卡槽(3)中；然后再將位于鍍膜設(shè)備下端的基片架橫桿(5)卡入真空鍍膜基片夾具的下卡槽中，用螺絲固定；單片鍍膜基板的上端卡入帶有兩個(gè)卡槽(54)的上基片架(51)的其中一個(gè)卡槽中；
c、依據(jù)鍍膜基板的性質(zhì)和鍍膜的要求調(diào)整真空室兩面溫度至同一濺射溫度；
d、同時(shí)開(kāi)啟真空室兩對(duì)面的磁控濺射陰極，對(duì)固定在基片架橫桿(5)上的單片鍍膜基片進(jìn)行沉積鍍膜；
e、在鍍膜完成后，從上基片架(51)和基片架橫桿(5)之間卸下已經(jīng)完成鍍膜的鍍膜基片，并檢查后墊紙包裝。
8.一種立式磁控濺射真空鍍膜防繞鍍方法，其特征在于它包括如下的步驟：
a、使用立式磁控濺射平板鍍膜線的單面真空鍍膜設(shè)備，選擇上基片架為帶有一個(gè)卡槽的上基片架；
b、將清洗后的單片鍍膜基板和一個(gè)與單片鍍膜基板大小相同的阻擋片疊加在一起，然后將其下端卡入真空鍍膜基片夾具的中間上卡槽中，并使得待鍍膜面暴露在濺鍍陰極面；然后再將位于鍍膜設(shè)備下端的基片架橫桿卡入真空鍍膜基片夾具的下卡槽中，用螺絲固定；將疊加在一起的單片鍍膜基板和阻擋片的上端卡入上基片架的卡槽中；
c、依據(jù)鍍膜基板的性質(zhì)和鍍膜的要求調(diào)整真空室的濺射溫度；
d、開(kāi)啟真空室的磁控濺射陰極，對(duì)固定在基片架橫桿上的單片鍍膜基片進(jìn)行沉積鍍膜；
e、在鍍膜完成后，從上基片架和基片架橫桿之間卸下已經(jīng)完成鍍膜的單面鍍膜基片和阻擋片，并將單面鍍膜基片和阻擋片分離，檢查后將已經(jīng)的單面鍍膜基片墊紙包裝。