技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及真空鍍膜技術(shù)的領(lǐng)域，提供集熱膜的真空鍍膜方法，包括于密閉腔室內(nèi)設(shè)置弧源、靶材、基片箔膜、滾筒組；鍍膜時(shí)，對(duì)腔室抽真空，往腔室內(nèi)通入氬氣、氧氣及氮?dú)獾幕旌蠚怏w，通氣后，驅(qū)使?jié)L筒組勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，使基片箔膜勻速傳動(dòng)；給弧源通電，并給基片箔膜施加負(fù)偏電壓。上述集熱膜的真空鍍膜方法，通過(guò)對(duì)腔室內(nèi)氬氣、氧氣及氮?dú)獾幕旌蠚怏w流量、基片箔膜的移動(dòng)線速度、弧源的電流和基片箔膜的負(fù)偏電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，使金屬等離子體于基片箔膜上均勻沉積，并形成集熱膜。因此，其集熱膜與基片箔膜的結(jié)合強(qiáng)度高，沉積速率高，集熱效率高。

技術(shù)研發(fā)人員：陳五奎;劉強(qiáng);黃振華;李潔鳳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市拓日新能源科技股份有限公司
文檔號(hào)碼：201510981599
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.23
技術(shù)公布日：2017.06.30