本發(fā)明屬于真空鍍膜技術(shù)的領(lǐng)域，尤其涉及集熱膜的真空鍍膜方法及真空鍍膜設(shè)備。

背景技術(shù)：

集熱類產(chǎn)品是一種能夠利用太陽(yáng)能進(jìn)行光熱轉(zhuǎn)換的產(chǎn)品，其一般包括基片箔膜及設(shè)于基片箔膜上的集熱膜。其中，集熱膜通常采用噴涂或者涂刷的方式設(shè)置于基片箔膜上。以基片箔膜上焊接有水管的集熱類產(chǎn)品為例，工作時(shí)，當(dāng)陽(yáng)光照射到集熱膜后，由于光熱轉(zhuǎn)換作用，集熱膜層獲得熱能，再傳遞給基片箔膜，使基片箔膜和水管溫度升高，水管內(nèi)的水將會(huì)帶走熱量，以完成熱交換。但是，該集熱類產(chǎn)品仍然存在這樣的問(wèn)題：集熱膜采用噴涂或涂刷的方式設(shè)于基片箔膜上，其集熱膜與基片箔膜的結(jié)合強(qiáng)度低，集熱膜于基片箔膜上的沉積速率低，集熱效率低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種集熱膜的真空鍍膜方法，旨在解決現(xiàn)有鍍膜方式所存在的集熱膜與基片箔膜的結(jié)合強(qiáng)度低、沉積速率低和集熱效率低的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種集熱膜的真空鍍膜方法，包括步驟：

S1、鍍膜前準(zhǔn)備：準(zhǔn)備基片箔膜，對(duì)所述基片箔膜清洗、烘干，再將所述基片箔膜繞卷于滾筒組上，所述滾筒組放置于密閉腔室內(nèi)，于所述腔室內(nèi)設(shè)置弧源，所述弧源包括陰極和陽(yáng)極，所述陰極上安裝有用于朝所述基片箔膜濺射金屬等離子體的靶材；

S2、膜層鍍制：

A、抽真空：采用抽空裝置對(duì)所述腔室抽真空，真空度為1×10-3Pa～5×10-3Pa；

B、通反應(yīng)氣：往所述腔室內(nèi)通入氬氣、氧氣及氮?dú)獾幕旌蠚怏w，所述氬氣的流量為600～1000mL/min，所述氧氣的流量為200～500mL/min，所述氮?dú)獾牧髁繛?～300mL/min，通氣后，所述腔室內(nèi)的氣壓為0.1Pa～10Pa；

C、控速：驅(qū)使所述滾筒組勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，使得所述基片箔膜的移動(dòng)線速度為200～280mm/min；

D、通電：所述弧源的電流為30～50A，給所述基片箔膜施加負(fù)偏電壓，所述負(fù)偏電壓為40～120V。

進(jìn)一步地，所述步驟S1中，所述靶材的材料為鎳鉻；所述步驟S2中，所述氬氣的流量為800mL/min，所述氧氣的流量為300mL/min，所述氮?dú)獾牧髁繛?mL/min，所述基片箔膜的移動(dòng)線速度為260mm/min，所述弧源的電流為33A，所述負(fù)偏電壓為80V。

進(jìn)一步地，所述步驟S1中，所述滾筒組包括放料筒、收料筒及設(shè)于所述放料筒和所述收料筒之間的中間卷筒，所述基片箔膜依序沿所述放料筒、所述中間卷筒及所述收料筒卷繞傳動(dòng)。

進(jìn)一步地，所述步驟S2中，還包括E、均勻度調(diào)節(jié)：所述基片箔膜具有卷繞于所述中間卷筒的弧段，與所述弧段相對(duì)的位置上設(shè)有用于產(chǎn)生磁場(chǎng)以使所述金屬等離子體均勻?yàn)R射于所述弧段上的磁性元件。

進(jìn)一步地，所述均勻度調(diào)節(jié)中，所述磁性元件成對(duì)設(shè)置于所述弧段兩側(cè)且位于所述弧段的中心線上。

本發(fā)明提供的集熱膜的真空鍍膜方法的有益效果：

上述集熱膜的真空鍍膜方法包括鍍膜前準(zhǔn)備和膜層鍍制，鍍膜前準(zhǔn)備時(shí)，將基片箔膜、滾筒組和弧源設(shè)置于密閉腔室內(nèi)，弧源包括陰極和陽(yáng)極，并將靶材安裝于陰極上，弧源通過(guò)陰極和陽(yáng)極之間的弧光放電，促使陰極上的靶材熔 化，并濺射金屬等離子體。膜層鍍制時(shí)，先采用抽空裝置對(duì)腔室抽真空，真空度為1×10-3Pa～5×10-3Pa，以確保腔室呈真空狀態(tài)；接著，往腔室內(nèi)通入氬氣、氧氣及氮?dú)獾幕旌蠚怏w，氬氣的流量為600～1000mL/min，氧氣的流量為200～500mL/min，氮?dú)獾牧髁繛?～300mL/min；通氣后，腔室內(nèi)的氣壓為0.1Pa～10Pa；然后，驅(qū)使?jié)L筒組勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，使得基片箔膜的移動(dòng)線速度為200～280mm/min；最后，給弧源通電，弧源的電流為30～50A，并給基片箔膜施加負(fù)偏電壓，負(fù)偏電壓為40～120V。

綜上所述，在密閉腔室內(nèi)，將靶材設(shè)置于弧源的陰極上，使靶材朝基片箔膜濺射金屬等離子體，并對(duì)腔室內(nèi)金屬等離子體的濺射條件進(jìn)行調(diào)節(jié)，例如，對(duì)腔室內(nèi)氬氣、氧氣及氮?dú)獾幕旌蠚怏w流量、基片箔膜的移動(dòng)線速度、弧源的電流和基片箔膜的負(fù)偏電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，使得金屬等離子體于基片箔膜上均勻沉積，并形成集熱膜。因此，采用上述集熱膜的真空鍍膜方法，于基片箔膜上鍍制集熱膜，其集熱膜與基片箔膜的結(jié)合強(qiáng)度高，集熱膜于基片箔膜上的沉積速率高，集熱效率高。

本發(fā)明另一目的在于提供真空鍍膜設(shè)備，包括腔體，所述腔體具有密閉腔室，所述腔室中設(shè)有滾筒組、卷繞于所述滾筒組上的基片箔膜以及與所述基片箔膜相對(duì)設(shè)置的弧源，所述弧源包括陰極和陽(yáng)極，所述陰極上設(shè)有用于朝所述基片箔膜濺射金屬等離子體的靶材，所述腔室連接有用于控制所述弧源電流的控制箱、用于對(duì)所述腔室抽真空的抽空裝置和用于往所述腔室內(nèi)通入氬氣、氧氣及氮?dú)獾幕旌蠚怏w的儲(chǔ)氣裝置。

進(jìn)一步地，所述滾筒組包括放料筒、收料筒及設(shè)于所述放料筒和所述收料筒之間的中間卷筒，所述基片箔膜依序沿所述放料筒、所述中間卷筒及所述收料筒卷繞傳動(dòng)。

進(jìn)一步地，所述基片箔膜具有卷繞于所述中間卷筒的弧段，與所述弧段相對(duì)的位置上設(shè)有用于產(chǎn)生磁場(chǎng)以使所述金屬等離子體均勻?yàn)R射于所述弧段上的磁性元件。

進(jìn)一步地，所述磁性元件成對(duì)設(shè)置于所述弧段兩側(cè)且位于所述弧段的中心線上。

進(jìn)一步地，所述靶材與所述弧段相對(duì)設(shè)置且位于所述弧段的中心線上。

本發(fā)明提供的顯示裝置的有益效果：

上述真空鍍膜設(shè)備，將基片箔膜、滾筒組和弧源設(shè)置于密閉腔室內(nèi)?；≡窗帢O和陽(yáng)極，將靶材安裝于陰極上?；≡赐ㄟ^(guò)陰極和陽(yáng)極之間的弧光放電，促使陰極上的靶材熔化，并濺射金屬等離子體。膜層鍍制時(shí)，先采用抽空裝置對(duì)腔室抽真空，以確保腔室呈真空狀態(tài)，接著，往腔室內(nèi)通入氬氣、氧氣及氮?dú)獾幕旌蠚怏w，通氣后，驅(qū)使?jié)L筒組勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，使得基片箔膜勻速傳動(dòng)，最后，給弧源通電，并給基片箔膜施加負(fù)偏電壓，至此，完成膜層的鍍制。

綜上所述，上述真空鍍膜設(shè)備，在密閉腔室內(nèi)，將靶材設(shè)置于弧源的陰極上，使靶材朝基片箔膜濺射金屬等離子體，并對(duì)腔室內(nèi)金屬等離子體的濺射條件進(jìn)行調(diào)節(jié)，例如，對(duì)腔室內(nèi)氬氣、氧氣及氮?dú)獾幕旌蠚怏w流量、基片箔膜的移動(dòng)線速度、弧源的電流和基片箔膜的負(fù)偏電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，使得金屬等離子體于基片箔膜上均勻沉積，并形成集熱膜。因此，相比較現(xiàn)有技術(shù)而言，采用真空鍍膜設(shè)備，于基片箔膜上鍍制集熱膜，其集熱膜與基片箔膜的結(jié)合強(qiáng)度高，集熱膜于基片箔膜上的沉積速率高，集熱效率高。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的真空鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的真空鍍膜設(shè)備的另一結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

如圖1～2所示，為本發(fā)明提供的較佳實(shí)施例。

需要說(shuō)明的是，當(dāng)部件被稱為“固定于”或“設(shè)置于”另一個(gè)部件，它可以直接在另一個(gè)部件上或者可能同時(shí)存在居中部件。當(dāng)一個(gè)部件被稱為是“連接于”另一個(gè)部件，它可以是直接連接到另一個(gè)部件或者可能同時(shí)存在居中部件。

還需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中的左、右、上、下等方位用語(yǔ)，僅是互為相對(duì)概念或是以產(chǎn)品的正常使用狀態(tài)為參考的，而不應(yīng)該認(rèn)為是具有限制性的。

如圖1和圖2所示，本實(shí)施例提供的集熱膜的真空鍍膜方法，包括步驟

S1、鍍膜前準(zhǔn)備：準(zhǔn)備基片箔膜13，對(duì)基片箔膜13清洗、烘干，再將基片箔膜13繞卷于滾筒組12上，滾筒組12放置于密閉腔室111內(nèi)，于腔室111內(nèi)設(shè)置弧源14，弧源14包括陰極和陽(yáng)極，陰極上安裝有用于朝基片箔膜13濺射金屬等離子體的靶材15；

S2、膜層鍍制：

A、抽真空：采用抽空裝置17對(duì)腔室111抽真空，真空度為1×10-3Pa～5×10-3Pa；

B、通反應(yīng)氣：往腔室111內(nèi)通入氬氣、氧氣及氮?dú)獾幕旌蠚怏w，氬氣的流量為600～1000mL/min，氧氣的流量為200～500mL/min，氮?dú)獾牧髁繛?～300mL/min，通氣后，腔室111內(nèi)的氣壓為0.1Pa～10Pa；

C、控速：驅(qū)使?jié)L筒組12勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，使得基片箔膜13的移動(dòng)線速度為200～280mm/min；

D、通電：弧源14的電流為30～50A，給基片箔膜13施加負(fù)偏電壓19，負(fù)偏電壓19為40～120V。

如圖1和圖2所示，上述集熱膜的真空鍍膜方法包括鍍膜前準(zhǔn)備和膜層鍍制，鍍膜前準(zhǔn)備時(shí)，將基片箔膜13、滾筒組12和弧源14設(shè)置于密閉腔室111內(nèi)，弧源14包括陰極和陽(yáng)極，并將靶材15安裝于陰極上，弧源14通過(guò)陰極和陽(yáng)極之間的弧光放電，促使陰極上的靶材15熔化，并濺射金屬等離子體。膜層鍍制時(shí)，先采用抽空裝置17對(duì)腔室111抽真空，真空度為1×10-3Pa～5× 10-3Pa，以確保腔室111呈真空狀態(tài)；接著，往腔室111內(nèi)通入氬氣、氧氣及氮?dú)獾幕旌蠚怏w，氬氣的流量為600～1000mL/min，氧氣的流量為200～500mL/min，氮?dú)獾牧髁繛?～300mL/min；通氣后，腔室111內(nèi)的氣壓為0.1Pa～10Pa；然后，驅(qū)使?jié)L筒組12勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，使得基片箔膜13的移動(dòng)線速度為200～280mm/min；最后，給弧源14通電，弧源14的電流為30～50A，并給基片箔膜13施加負(fù)偏電壓19，負(fù)偏電壓19為40～120V。

綜上所述，在密閉腔室111內(nèi)，將靶材15設(shè)置于弧源14的陰極上，使靶材15朝基片箔膜13濺射金屬等離子體，并對(duì)腔室111內(nèi)金屬等離子體的濺射條件進(jìn)行調(diào)節(jié)，例如，對(duì)腔室111內(nèi)氬氣、氧氣及氮?dú)獾幕旌蠚怏w流量、基片箔膜13的移動(dòng)線速度、弧源14的電流和基片箔膜13的負(fù)偏電壓19進(jìn)行調(diào)節(jié)，使得金屬等離子體于基片箔膜13上均勻沉積，并形成集熱膜。因此，采用上述集熱膜的真空鍍膜方法，于基片箔膜13上鍍制集熱膜，其集熱膜與基片箔膜13的結(jié)合強(qiáng)度高，集熱膜于基片箔膜13上的沉積速率高，集熱效率高。

當(dāng)基片箔膜13的移動(dòng)線速度、弧源14的電流和基片箔膜13的負(fù)偏電壓19一定時(shí)，步驟S2中，氬氣的流量為800mL/min，氧氣的流量為300mL/min，氮?dú)獾牧髁繛?mL/min。在該混合氣體流量下，由鎳鉻濺射的金屬等離子體于基片箔膜13上的沉積具有較高的速率，集熱膜的集熱效率較高。

當(dāng)腔室111內(nèi)混合氣體的流量、弧源14的電流和基片箔膜13的負(fù)偏電壓19一定時(shí)，步驟S2中，基片箔膜13的移動(dòng)線速度為260mm/min。在該移動(dòng)線速度下，由鎳鉻濺射的金屬等離子體于基片箔膜13上的沉積具有較高的速率，集熱膜的集熱效率較高。

當(dāng)腔室111內(nèi)混合氣體的流量、基片箔膜13的移動(dòng)線速度和弧源14的電流一定時(shí)，步驟S2中，弧源14的電流為33A，負(fù)偏電壓19為80V。在該弧源14電流和負(fù)偏電壓19下，由鎳鉻濺射的金屬等離子體于基片箔膜13上的沉積具有較高的速率，集熱膜的集熱效率較高。

當(dāng)然，優(yōu)選地，當(dāng)步驟S1中，靶材15的材料為鎳鉻時(shí)，步驟S2中，氬 氣的流量為800mL/min，氧氣的流量為300mL/min，氮?dú)獾牧髁繛?mL/min，基片箔膜13的移動(dòng)線速度為260mm/min，弧源14的電流為33A，負(fù)偏電壓19為80V。在該混合氣體流量、移動(dòng)線速度、弧源14電流和負(fù)偏電壓19下，由鎳鉻濺射的金屬等離子體于基片箔膜13上的沉積具有較高的速率，集熱膜的集熱效率具有最優(yōu)的效果。

關(guān)于滾筒組12具體結(jié)構(gòu)的優(yōu)選實(shí)施方式，如圖1和圖2所示，步驟S1中，滾筒組12包括放料筒121、收料筒122及設(shè)于放料筒121和收料筒122之間的中間卷筒123，基片箔膜13依序沿放料筒121、中間卷筒123及收料筒122卷繞傳動(dòng)。這樣，傳動(dòng)時(shí)，先將基片箔膜13卷繞于放料筒121上，由放料筒121轉(zhuǎn)動(dòng)釋放，經(jīng)中間卷筒123傳動(dòng)，收卷于收料筒122。

如圖1和圖2所示，為了使得金屬等離子體于基片箔膜13上的濺射均勻，步驟S2中，還包括E、均勻度調(diào)節(jié)：基片箔膜13具有卷繞于中間卷筒123的弧段131，與弧段131相對(duì)的位置上設(shè)有用于產(chǎn)生磁場(chǎng)以使金屬等離子體均勻?yàn)R射于弧段131上的磁性元件20。細(xì)化地，靶材15與該弧段131相對(duì)設(shè)置，這樣，利于靶材15濺射的金屬等離子體往弧段131上沉積。

更為細(xì)化地，均勻度調(diào)節(jié)中，磁性元件20成對(duì)設(shè)置于弧段131兩側(cè)，且位于弧段131的中心線上。這樣，金屬等離子體將從弧段131的中點(diǎn)往兩側(cè)均勻沉積。

為了更準(zhǔn)確調(diào)節(jié)均勻度，均勻度調(diào)節(jié)中，腔室111中設(shè)有視頻監(jiān)控器(圖中未示)。視頻監(jiān)控器用以監(jiān)視金屬等離子體于基片箔膜13上沉積的均勻度，并將均勻度反饋給控制系統(tǒng)，控制系統(tǒng)增加或減少磁性元件20的數(shù)量，即磁性元件20的數(shù)量設(shè)為多對(duì)。

進(jìn)一步地，均勻度調(diào)節(jié)中，腔室111中設(shè)有用于測(cè)量金屬等離子體于基片箔膜13上的附著厚度的臺(tái)階儀(圖中未示)。這樣，在視頻監(jiān)控器對(duì)基片箔膜13進(jìn)行外觀檢測(cè)的基礎(chǔ)上，結(jié)合臺(tái)階儀對(duì)金屬等離子體于基片箔膜13上附著厚度的測(cè)量，更為精確地將均勻度反饋給控制系統(tǒng)，使得控制系統(tǒng)準(zhǔn)確地增加 或減少磁性元件20的數(shù)量。

本實(shí)施例另一目的還提供了真空鍍膜設(shè)備10，包括腔體11，腔體11具有密閉腔室111，腔室111中設(shè)有滾筒組12、卷繞于滾筒組12上的基片箔膜13以及與基片箔膜13相對(duì)設(shè)置的弧源14，弧源14包括陰極和陽(yáng)極，陰極上設(shè)有用于朝基片箔膜13濺射金屬等離子體的靶材15，腔室111連接有用于控制弧源14電流的控制箱16、用于對(duì)腔室111抽真空的抽空裝置17和用于往腔室111內(nèi)通入氬氣、氧氣及氮?dú)獾幕旌蠚怏w的儲(chǔ)氣裝置18。

上述真空鍍膜設(shè)備10，將基片箔膜13、滾筒組12和弧源14設(shè)置于密閉腔室111內(nèi)?；≡?4包括陰極和陽(yáng)極，將靶材15安裝于陰極上?；≡?4通過(guò)陰極和陽(yáng)極之間的弧光放電，促使陰極上的靶材15熔化，并濺射金屬等離子體。膜層鍍制時(shí)，先采用抽空裝置17對(duì)腔室111抽真空，以確保腔室111呈真空狀態(tài)，接著，往腔室111內(nèi)通入氬氣、氧氣及氮?dú)獾幕旌蠚怏w，通氣后，驅(qū)使?jié)L筒組12勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，使得基片箔膜13勻速傳動(dòng)，最后，給弧源14通電，并給基片箔膜13施加負(fù)偏電壓19，至此，完成膜層的鍍制。

綜上所述，上述真空鍍膜設(shè)備10，在密閉腔室111內(nèi)，將靶材15設(shè)置于弧源14的陰極上，使靶材15朝基片箔膜13濺射金屬等離子體，并對(duì)腔室111內(nèi)金屬等離子體的濺射條件進(jìn)行調(diào)節(jié)，例如，對(duì)腔室111內(nèi)氬氣、氧氣及氮?dú)獾幕旌蠚怏w流量、基片箔膜13的移動(dòng)線速度、弧源14的電流和基片箔膜13的負(fù)偏電壓19進(jìn)行調(diào)節(jié)，使得金屬等離子體于基片箔膜13上均勻沉積，并形成集熱膜。因此，相比較現(xiàn)有技術(shù)而言，采用真空鍍膜設(shè)備10，于基片箔膜13上鍍制集熱膜，其集熱膜與基片箔膜13的結(jié)合強(qiáng)度高，集熱膜于基片箔膜13上的沉積速率高，集熱效率高。

當(dāng)然，腔體11的數(shù)量可設(shè)為多個(gè)，每個(gè)腔體11的腔室111內(nèi)都設(shè)有弧源14和靶材15，且與抽空裝置17和儲(chǔ)氣裝置18連接，基片箔膜13在滾筒組12的傳動(dòng)下，依次經(jīng)過(guò)每個(gè)腔室111，每個(gè)腔室111都可于基片箔膜13上鍍制一層膜，每個(gè)腔室111鍍制的膜層可以一樣，也可以不一樣。

關(guān)于滾筒組12具體結(jié)構(gòu)的優(yōu)選實(shí)施方式，如圖1和圖2所示，滾筒組12包括放料筒121、收料筒122及設(shè)于放料筒121和收料筒122之間的中間卷筒123，基片箔膜13依序沿放料筒121、中間卷筒123及收料筒122卷繞傳動(dòng)。這樣，傳動(dòng)時(shí)，先將基片箔膜13卷繞于放料筒121上，由放料筒121轉(zhuǎn)動(dòng)釋放，經(jīng)中間卷筒123傳動(dòng)，收卷于收料筒122。

如圖1和圖2所示，為了使得金屬等離子體于基片箔膜13上的濺射均勻，基片箔膜13具有卷繞于中間卷筒123的弧段131，與弧段131相對(duì)的位置上設(shè)有用于產(chǎn)生磁場(chǎng)以使金屬等離子體均勻?yàn)R射于弧段131上的磁性元件20。

細(xì)化地，靶材15與弧段131相對(duì)設(shè)置且位于弧段131的中心線上。這樣，利于靶材15濺射的金屬等離子體往弧段131上沉積。

更為細(xì)化地，磁性元件20成對(duì)設(shè)置于弧段131兩側(cè)且位于弧段131的中心線上。這樣，金屬等離子體將從弧段131的中點(diǎn)往兩側(cè)均勻沉積。

為了更準(zhǔn)確調(diào)節(jié)均勻度，腔室111中設(shè)有視頻監(jiān)控器(圖中未示)。視頻監(jiān)控器用以監(jiān)視金屬等離子體于基片箔膜13上沉積的均勻度，并將均勻度反饋給控制系統(tǒng)，控制系統(tǒng)增加或減少磁性元件20的數(shù)量，即磁性元件20的數(shù)量設(shè)為多對(duì)。

進(jìn)一步地，腔室111中設(shè)有用于測(cè)量金屬等離子體于基片箔膜13上的附著厚度的臺(tái)階儀(圖中未示)。這樣，在視頻監(jiān)控器對(duì)基片箔膜13進(jìn)行外觀檢測(cè)的基礎(chǔ)上，結(jié)合臺(tái)階儀對(duì)金屬等離子體于基片箔膜13上附著厚度的測(cè)量，更為精確地將均勻度反饋給控制系統(tǒng)，使得控制系統(tǒng)準(zhǔn)確地增加或減少磁性元件20的數(shù)量。

本實(shí)施例關(guān)于儲(chǔ)氣裝置18具體結(jié)構(gòu)的優(yōu)選實(shí)施方式，如圖1和圖2所示，儲(chǔ)氣裝置18包括用于儲(chǔ)存氬氣的第一儲(chǔ)氣罐181、用于儲(chǔ)存氧氣的第二儲(chǔ)氣罐182及用于儲(chǔ)存氮?dú)獾牡谌齼?chǔ)氣罐183，第一儲(chǔ)氣罐181、第二儲(chǔ)氣罐182及第三儲(chǔ)氣罐183分別通過(guò)管道與腔室111相通。這樣，可通過(guò)第一儲(chǔ)氣罐181獨(dú)立控制氬氣的氣體流量，通過(guò)第二儲(chǔ)氣罐182獨(dú)立控制氧氣的氣體流量，通過(guò) 第三儲(chǔ)氣罐183獨(dú)立控制氮?dú)獾臍怏w流量。

為了更加精確地控制通入腔室111內(nèi)的氬氣、氧氣及氮?dú)獾牧髁浚艿郎显O(shè)有氣體控制閥184。

本實(shí)施例關(guān)于抽空裝置17具體結(jié)構(gòu)的優(yōu)選實(shí)施方式，抽空裝置17為真空泵。

以上僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。