本發(fā)明涉及氣浮導(dǎo)軌領(lǐng)域，尤其涉及一種氣浮導(dǎo)軌的表面處理方法。
背景技術(shù)：
氣浮導(dǎo)軌基于氣體動(dòng)靜壓效應(yīng)實(shí)現(xiàn)無(wú)摩擦和無(wú)振動(dòng)的平滑移動(dòng)，其具有運(yùn)動(dòng)精度高、清潔無(wú)污染等特點(diǎn)。因其誤差均化作用，可用比較低的制造精度來(lái)獲得較高的導(dǎo)向精度，通常與伺服驅(qū)動(dòng)，傳感器組成閉環(huán)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)高精度位移定位。因此，目前氣浮導(dǎo)軌在測(cè)量?jī)x器、精密機(jī)械如數(shù)控機(jī)床中得到廣泛應(yīng)用。而氣浮導(dǎo)軌的精密度與其清潔度息息相關(guān)，為了保證精密度，定期清洗顯得十分重要。
傳統(tǒng)的氣浮導(dǎo)軌的表面清洗方法是將清洗液加入水池，利用超聲波振動(dòng)來(lái)清洗氣浮導(dǎo)軌，此法可有效提高氣浮導(dǎo)軌的清潔度。然而，經(jīng)清洗后的氣浮導(dǎo)軌表面會(huì)存在清洗液殘留(往往是有機(jī)物殘留)，這些有機(jī)物殘留會(huì)帶來(lái)高速軸承的振動(dòng)、噪聲、異響，從而降低工作穩(wěn)定性，降低機(jī)械如數(shù)控設(shè)備的精密度，縮短使用壽命。
故此，亟需一種改進(jìn)的處理方法以克服上述的缺陷。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種氣浮導(dǎo)軌的表面處理方法，其能高效清洗氣浮導(dǎo)軌表面的有機(jī)殘留物，從而保證表面光滑潔凈，降低摩擦力，以提高工作穩(wěn)定性及精密度并延長(zhǎng)使用壽命。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的氣浮導(dǎo)軌的表面處理方法，包括：
將氣浮導(dǎo)軌置于等離子體反應(yīng)腔；
調(diào)節(jié)所述等離子體反應(yīng)腔內(nèi)的壓強(qiáng)至第一值；
向所述等離子體反應(yīng)腔通入氧氣及氬氣；
控制所述等離子體反應(yīng)腔的陽(yáng)極射頻頻率為50～100KHz，陰極射頻頻率為20～30MHz，以實(shí)現(xiàn)第一次輝光放電。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的氣浮導(dǎo)軌表面處理方法，通過(guò)給等離子體反應(yīng)腔內(nèi)的陰陽(yáng)電極施加高頻高壓，從而發(fā)生輝光放電，生成的氬等離子體、氧等離子體轟擊氣浮導(dǎo)軌的表面，從而使氣浮導(dǎo)軌表面的有機(jī)污物脫落、氧化、分解，進(jìn)而保證表面光滑潔凈，降低摩擦力，以提高工作穩(wěn)定性及精密度并延長(zhǎng)使用壽命。
較佳地，控制所述第一次輝光放電的時(shí)間為600～700秒。
較佳地，所述第一值為400～500pa。
較佳地，所述氧氣的流量為50～100sccm。
較佳地，所述氬氣的流量為400～500sccm。
作為一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，還包括第二次輝光放電，具體包括：
調(diào)節(jié)所述等離子體反應(yīng)腔內(nèi)的壓強(qiáng)至第二值，所述第二值大于所述第一值；
向所述等離子體反應(yīng)腔通入氧氣及氬氣，所述氧氣及所述氬氣的流量均小于所述第一次輝光放電時(shí)的流量；
控制所述等離子體反應(yīng)腔的陽(yáng)極射頻頻率為10～15MHz，陰極射頻頻率為2～5GHz。
較佳地，所述第二次輝光放電中所述氧氣的流量為40～60sccm，所述氬氣的流量為300～350sccm。
較佳地，控制所述第二次輝光放電的時(shí)間為600～700秒。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明氣浮導(dǎo)軌的表面處理方法作進(jìn)一步說(shuō)明，但不因此限制本發(fā)明。
本發(fā)明的氣浮導(dǎo)軌的表面處理方法在氣浮導(dǎo)軌經(jīng)過(guò)清洗(例如超聲波振動(dòng)清洗)后進(jìn)行，可有效去除表面的有機(jī)物殘留并提高工作穩(wěn)定性。
本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例包括兩次輝光放電處理，第一次輝光放電處理目的是清除表面殘留的有機(jī)物，第二次輝光放電處理目的是降低氣浮導(dǎo)軌表面的粗糙度以提高工作穩(wěn)定性。
具體地，第一次輝光放電包括以下步驟：
將氣浮導(dǎo)軌置于等離子體反應(yīng)腔；
調(diào)節(jié)等離子體反應(yīng)腔內(nèi)的壓強(qiáng)至第一值；
向等離子體反應(yīng)腔通入氧氣及氬氣；
控制等離子體反應(yīng)腔的陽(yáng)極射頻頻率為50～100KHz，陰極射頻頻率為20～30MHz。
具體地，通過(guò)連接真空泵調(diào)節(jié)等離子體反應(yīng)腔內(nèi)的壓強(qiáng)至400～500pa，例如當(dāng)真空度在450pa時(shí)通入氬氣和氧氣，其中氧氣的流量為50～100sccm，氬氣的流量為400～500sccm。繼而控制等離子體反應(yīng)腔的陽(yáng)極射頻頻率為50～100KHz，例如80KHz為佳，陰極射頻頻率為20～30MHz，例如27.12MHz為佳。保持射頻輝光時(shí)間為600～700秒。由此，經(jīng)過(guò)第一次射頻輝光放電處理的氣浮導(dǎo)軌，其表面的有機(jī)物可被氧化、分解從而脫落。
第二次輝光放電包括以下步驟：
調(diào)節(jié)等離子體反應(yīng)腔內(nèi)的壓強(qiáng)至第二值，所述第二值大于所述第一值；
向等離子體反應(yīng)腔通入氧氣及氬氣，所述氧氣及所述氬氣的流量均小于所述第一次輝光放電時(shí)的流量；
控制所述等離子體反應(yīng)腔的陽(yáng)極射頻頻率為10～15MHz，陰極射頻頻率為2～5GHz。
具體地，調(diào)節(jié)反應(yīng)腔的真空度在800pa，并減小氧氣及氬氣的流量，其中氧氣的流量為40～60sccm，氬氣的流量為300～350sccm。在本實(shí)施例中，陽(yáng)極射頻頻率為13.56MHz，陽(yáng)極射頻頻率為2.45GHz。保持射頻輝光時(shí)間為600～700秒。氣浮導(dǎo)軌的表面經(jīng)過(guò)第二次射頻輝光放電處理后，變得更加光滑潔凈，摩擦力減少，從而提高工作穩(wěn)定性。
綜上，本發(fā)明的氣浮導(dǎo)軌表面處理方法，通過(guò)給等離子體反應(yīng)腔內(nèi)的陰陽(yáng)電極施加高頻高壓，從而發(fā)生輝光放電，生成的氬等離子體、氧等離子體轟擊氣浮導(dǎo)軌的表面，從而使氣浮導(dǎo)軌表面的有機(jī)污物脫落、氧化、分解，進(jìn)而保證表面光滑潔凈，降低摩擦力，以提高工作穩(wěn)定性及精密度并延長(zhǎng)使用壽命。
以上所揭露的僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。