1.一種銀-氧化錫電接觸材料的制備方法，其特征在于，該制備方法包括以下步驟：
(1)分別配制一定濃度的還原劑溶液、銀氨溶液和錫酸鈉溶液；
(2)將該銀氨溶液與該錫酸鈉溶液按一定比例混合，以構(gòu)成混合液，滴加乙酸于該混合液中，調(diào)節(jié)該混合液中的pH值，以形成含Ag+的Sn(OH)4溶膠或溶液；
(3)將還原劑溶液滴加入步驟(2)中所得的Sn(OH)4溶膠或溶液中，恒溫攪拌或超聲輔助反應(yīng)，靜置后去除上層清液，且清洗、干燥、冷卻后收集得到粉體；
(4)將步驟(3)中收集得到的粉體在非還原氣氛下進(jìn)行熱處理，制備得到Ag-SnO2復(fù)合粉體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀-氧化錫電接觸材料的制備方法，其特征在于，所述還原劑為甲醛、乙二醛、乙二胺、葡萄糖、酒石酸鉀鈉、檸檬酸鈉、水合肼、維生素C、硼氫化鈉或抗壞血酸中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀-氧化錫電接觸材料的制備方法，其特征在于，所述還原劑溶液的濃度、銀氨溶液的含銀濃度、錫酸鈉溶液的濃度分別為：10～2000ppm、10～2000ppm、10～2000ppm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀-氧化錫電接觸材料的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述的銀氨溶液與錫酸鈉溶液的混合比例以該銀氨溶液中的銀∶該錫酸鈉溶液中的二氧化錫的質(zhì)量比計為4～20:1，調(diào)節(jié)pH值為0.5～11。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀-氧化錫電接觸材料的制備方法，其特征在于，步驟(3)中所述的反應(yīng)溫度為10～40℃，時間為1～24h。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀-氧化錫電接觸材料的制備方法，其特征在于，所述非還原性氣氛包括惰性氣氛或氧化氣氛。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的銀-氧化錫電接觸材料的制備方法，其特征在于，該氧化氣氛為氧氣或空氣。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的銀-氧化錫電接觸材料的制備方法，其特征在于，所述惰性氣氛包含氮?dú)夂拖∮袣怏w。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的銀-氧化錫電接觸材料的制備方法，其特征在于，所述稀有氣體為氬氣、氦氣、氖氣中的至少一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀-氧化錫電接觸材料的制備方法，其特征在于，所述的熱處理過程為150～800℃焙燒1～12h。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀-氧化錫電接觸材料的制備方法，其特征在于，所述銀-氧化錫電接觸材料中銀的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為86～99.5％。
12.一種如權(quán)利要求1-11其中至少一項所述的銀-氧化錫電接觸材料的制備方法而制成的銀-氧化錫電接觸材料。
13.一種銀-氧化錫電接觸材料，其中該銀-氧化錫電接觸材料包含Ag顆粒和SnO2顆粒，其中該SnO2顆粒均勻地包覆在Ag顆粒表面，以得到均勻的Ag-SnO2復(fù)合粉體。
14.如權(quán)利要求13所述的銀-氧化錫電接觸材料，其中包覆在Ag顆粒周圍的SnO2呈棒狀和顆粒狀。
15.如權(quán)利要求13所述的銀-氧化錫電接觸材料，其中各個包覆有SnO2的Ag顆粒尺寸均勻。
16.如權(quán)利要求15所述的銀-氧化錫電接觸材料，其中所述SnO2為納米級尺寸。
17.如權(quán)利要求13所述的銀-氧化錫電接觸材料，其中該SnO2顆粒包覆在Ag顆粒表面的包覆率為10％～100％。
18.如權(quán)利要求13所述的銀-氧化錫電接觸材料，其中在該銀-氧化錫電接觸材料中，SnO2的含量為0.5％～14％。