一種壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法及表面改性設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法及表面改性設(shè)備，制備方法包括：將葉片裝入表面改性設(shè)備的真空腔室中并抽真空，真空腔室上連接有第一弧源、第二弧源、MEVVA離子源、考夫曼離子源和氮氣源；用考夫曼離子源對葉片表面進(jìn)行清洗；用MEVVA離子源對葉片表面進(jìn)行離子注入；用第一弧源和第二弧源在葉片表面上鍍Ta-Cr-Al膜；用第一弧源、第二弧源以及氮氣源在葉片表面上鍍(Ta，Cr，Al)×N膜；依次重復(fù)完成鍍膜。本發(fā)明通過采用陰極磁過濾和等離子體增強技術(shù)，改善了葉片復(fù)雜結(jié)構(gòu)膜層沉積均勻性差的問題，同時采用新型的摻雜Al的Ta-Cr-N納米多層膜提高葉片表面的耐高溫腐蝕和沖蝕能力。
【專利說明】一種壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法及表面改性設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種多工況耦合防護(hù)方法，特別是涉及一種采用陰極磁過濾和等離子體增強技術(shù)，在壓氣機(jī)葉片上鍍制摻雜Al的Ta-Cr-N納米多層膜的制備方法及表面改性設(shè)備，屬于真空鍍膜【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0002]葉片是壓氣機(jī)結(jié)構(gòu)件中的關(guān)鍵零部件之一，也是壓氣機(jī)使用和實驗中故障率最高的零部件之一。究其原因，除其擁有高速旋轉(zhuǎn)、數(shù)量多、形體單薄、載荷狀況嚴(yán)酷等特點外，還因其一直暴露于大氣環(huán)境中，從而經(jīng)受大氣環(huán)境的腐蝕作用。工作時，氣流中的腐蝕介質(zhì)高速沖刷葉片表面,在表面造成沖蝕損傷；停放時,腐蝕性的大氣環(huán)境也會對其表面造成腐蝕損傷。因此，壓氣機(jī)葉片需要在其表面進(jìn)行耐高溫腐蝕和沖蝕防護(hù)。
[0003]目前，壓氣機(jī)葉片一般采用表面涂覆有機(jī)涂料的防護(hù)方式，但該種膜層主要是以抗腐蝕為主，耐磨和抗沖蝕性能很差；而現(xiàn)有的利用PVD沉積的TiN和CrN涂層，雖然在耐沖蝕性能方面有很大提高，但在耐腐蝕性能方面仍存在缺陷，在較高的溫度環(huán)境下，該種缺陷表現(xiàn)的更為明顯。其它采用PVD方法制備的涂層，亦存在功能較單一，主要以抗沖蝕為主，沒有綜合考慮耐高溫、耐腐蝕的性能的問題。就國內(nèi)而言，多弧離子鍍以及磁控濺射是常見的葉片涂層制備方法，磁控濺射的膜基結(jié)合力比較差，多弧離子鍍的大顆粒比較多，表面粗糙度大。
[0004]因此，現(xiàn)有的葉片鍍膜工藝存在鍍膜均勻性能差，葉片表面的綜合防護(hù)性能不夠的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有壓片機(jī)葉片鍍膜工藝的鍍膜均勻性能差以及葉片表面的綜合防護(hù)性能不夠的問題，提供一種壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法及表面改性設(shè)備，可提高壓氣機(jī)葉片表面的綜合防護(hù)性能。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法，包括如下步驟:
[0007]S10,準(zhǔn)備一表面改性設(shè)備，所述表面改性設(shè)備具有真空腔室，所述真空腔室上連接有一第一弧源、一第二弧源、一 MEVVA離子源、一考夫曼離子源和氮氣源，所述第一弧源采用鉻鋁合金靶，所述第二弧源采用鉭靶，所述MEVVA離子源采用鉻陰極；
[0008]S20,將一葉片裝入所述真空腔室中，所述真空腔室抽真空至6.0X 10_4Pa至7.0XKT4Pa ；
[0009]S30，用所述考夫曼離子源對所述葉片表面進(jìn)行清洗；
[0010]S40，用所述MEVVA離子源對所述葉片表面進(jìn)行離子注入；
[0011]S50，用所述第一弧源和所述第二弧源在葉片表面上鍍Ta-Cr-Al膜；
[0012]S60，用所述第一弧源、所述第二弧源以及氮氣源在葉片表面上鍍(Ta，Cr，Al) XN膜；
[0013]S70,依次重復(fù)所述步驟S40、S50和S60兩到十次，同時進(jìn)行所述步驟S30 ；
[0014]S80，鍍膜結(jié)束后，冷卻，對所述真空腔室進(jìn)行充氣，取出完成鍍膜的所述葉片。
[0015]上述的壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法，其中，所述步驟SlO還包括如下步驟:
[0016]所述第一弧源中，鉻的重量百分比含量為90%，鋁的重量百分比含量為10%。
[0017]上述的壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法，其中，所述步驟S30還包括如下步驟:
[0018]所述考夫曼離子源的離子束能量由5kV增加至30kV,#i射時間為1min?30min。
[0019]上述的壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法，其中，所述步驟S40還包括如下步驟:
[0020]所述MEVVA離子源的觸發(fā)頻率為1Hz?15Hz，弧壓為-120V，注入能量分別為30kV、40kV 以及 50kV，注入時間為 1min 至 60min。
[0021]上述的壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法，其中，所述步驟S50還包括如下步驟:
[0022]所述第一弧源和所述第二弧源的具體控制參數(shù)為:偏轉(zhuǎn)電流控制在0.8A?1.6A，啟動彎管磁過濾聚焦正偏壓，穩(wěn)定值設(shè)置為24V，弧源電流為80A?110A，鍍膜工件靶流為200mA?1700mA，負(fù)壓為90V?150V，占空比為50%?90%，沉積時間為30min。
[0023]上述的壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法，其中，所述步驟S60還包括如下步驟:
[0024]所述第一弧源和所述第二弧源的具體控制參數(shù)為:偏轉(zhuǎn)電流控制在0.8A?1.6A，啟動彎管磁過濾聚焦正偏壓，穩(wěn)定值設(shè)置為24V，弧源電流為80A?110A，鍍膜工件靶流為200mA?1700mA，負(fù)壓為90V?150V，占空比為50%?90%，沉積時間為50min，所述氮氣源的氮氣流量為35sccm。
[0025]上述的壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法，其中，所述步驟S80中冷卻時間為60min。
[0026]上述的壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法，其中，所述步驟S50和所述步驟S60中，所述第一弧源和所述第二弧源同時進(jìn)行工作。
[0027]本發(fā)明還提供一種壓氣機(jī)葉片涂層的表面改性設(shè)備，對一葉片進(jìn)行覆膜，包括:
[0028]氮氣源；
[0029]真空腔室，所述氮氣源連接于所述真空腔室外，所述葉片設(shè)置于所述真空腔室內(nèi)，所述真空腔室包括側(cè)壁和底壁和頂壁；
[0030]第一弧源，連接于所述側(cè)壁上；
[0031]第二弧源，連接于所述側(cè)壁上；
[0032]MEVVA離子源，連接于所述側(cè)壁上；以及
[0033]考夫曼離子源，連接于所述底壁上；
[0034]其中，所述第一弧源采用鉻鋁合金靶，所述第二弧源采用鉭靶，所述MEVVA離子源采用鉻陰極，所述考夫曼離子源對所述葉片表面進(jìn)行清洗，所述MEVVA離子源、所述第一弧源、所述第二弧源和所述氮氣源對所述葉片表面進(jìn)行反復(fù)鍍膜。
[0035]上述的壓氣機(jī)葉片涂層的表面改性設(shè)備，其中，所述真空腔室包括工作臺，所述工作臺設(shè)置于所述真空腔室內(nèi)部，所述葉片設(shè)置于所述工作臺。
[0036]上述的壓氣機(jī)葉片涂層的表面改性設(shè)備，其中，所述真空腔室包括頂壁，所述工作臺連接于所述頂壁，所述工作臺具有旋轉(zhuǎn)裝置。
[0037]上述的壓氣機(jī)葉片涂層的表面改性設(shè)備，其中，所述側(cè)壁包括左側(cè)壁、右側(cè)壁和后側(cè)壁，所述第一弧源連接于所述左側(cè)壁，所述第二弧源連接于所述右側(cè)壁，所述MEVVA離子源連接于所述后側(cè)壁。
[0038]上述的壓氣機(jī)葉片涂層的表面改性設(shè)備，其中，所述第一弧源與所述左側(cè)壁的接口的中心線、所述第二弧源與所述右側(cè)壁的接口的中心線以及所述MEVVA離子源與所述后側(cè)壁的接口的中心線處于同一水平面上。
[0039]上述的壓氣機(jī)葉片涂層的表面改性設(shè)備，其中，所述第一弧源與所述第二弧源相對所述真空腔室的中垂線對稱設(shè)置。
[0040]上述的壓氣機(jī)葉片涂層的表面改性設(shè)備，其中，所述第一弧源和所述第二弧源為帶有90°磁過濾管道的磁過濾弧源。
[0041]本發(fā)明通過采用陰極磁過濾和等離子體增強技術(shù)，改善了葉片復(fù)雜結(jié)構(gòu)膜層沉積均勻性差的問題，同時采用新型的摻雜Al的Ta-Cr-N納米多層膜提高葉片表面的耐高溫腐蝕和沖蝕能力。
[0042]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0043]圖1為本發(fā)明的壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法的流程圖；
[0044]圖2為本發(fā)明的壓氣機(jī)葉片涂層的表面改性設(shè)備的主視圖；
[0045]圖3為圖2的左視圖；
[0046]圖4為圖2的俯視圖。
[0047]其中，附圖標(biāo)記
[0048]100表面改性設(shè)備
[0049]110真空腔室
[0050]111 側(cè)壁
[0051]Illa 左側(cè)壁
[0052]Illb 右側(cè)壁
[0053]Illc 后側(cè)壁
[0054]112 底壁
[0055]113 頂壁
[0056]114工作臺
[0057]115 氮氣入口
[0058]120 第一弧源
[0059]130 第二弧源
[0060]140 MEVVA 離子源
[0061]150考夫曼離子源
[0062]200 葉片
[0063]P、M、N、L 中心線

【具體實施方式】
[0064]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的描述，以更進(jìn)一步了解本發(fā)明的目的、方案及功效，但并非作為本發(fā)明所附權(quán)利要求保護(hù)范圍的限制。
[0065]本發(fā)明的壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法如圖1所示。參閱圖2至圖4，圖2至圖4為本發(fā)明實現(xiàn)壓氣機(jī)葉片涂層制備的表面改性設(shè)備，以下首先對本發(fā)明的壓氣機(jī)葉片涂層的表面改性設(shè)備進(jìn)行說明。
[0066]本發(fā)明的壓氣機(jī)葉片涂層的表面改性設(shè)備100，用于對壓氣機(jī)葉片進(jìn)行覆膜。如圖所示，本發(fā)明的表面改性設(shè)備100包括真空腔室110、第一弧源120、第二弧源130、MEVVA離子源140、考夫曼離子源150和氮氣源。葉片200設(shè)置于真空腔室110內(nèi)，真空腔室110包括側(cè)壁111 (參閱圖4)和底壁112，第一弧源120、第二弧源130和MEVVA離子源140分別連接于側(cè)壁111上；考夫曼離子源150連接于底壁112上。
[0067]其中，第一弧源120采用鉻鋁合金靶，第二弧源130采用鉭靶，MEVVA離子源140采用鉻陰極，考夫曼離子源150對葉片200表面進(jìn)行清洗，MEVVA離子源140、第一弧源120、第二弧源130和氮氣源對葉片表面進(jìn)行反復(fù)鍍膜。詳細(xì)鍍膜方法參見下述。
[0068]如圖1所示，其中，第一弧源120與第二弧源130相對真空腔室110的中垂線P對稱設(shè)置。
[0069]具體地，真空腔室110還包括頂壁113和工作臺114，工作臺114連接于頂壁113上，并且工作臺114設(shè)置于真空腔室110的內(nèi)部，葉片200設(shè)置于工作臺114。
[0070]工作臺114具有旋轉(zhuǎn)裝置(圖未示)，旋轉(zhuǎn)裝置使工作臺114能夠帶動葉片200自轉(zhuǎn)。
[0071]參閱圖4，真空腔室110的側(cè)壁111包括左側(cè)壁11 la、右側(cè)壁11 Ib和后側(cè)壁111c，第一弧源120連接于左側(cè)壁111a，第二弧源130連接于右側(cè)壁111b，MEVVA離子源140連接于后側(cè)壁111c。
[0072]如圖2和圖3所示，第一弧源120與左側(cè)壁Illa的接口具有中心線M，第二弧源130與右側(cè)壁Illb的接口具有中心線N，MEVVA離子源140與后側(cè)壁Illc的接口具有中心線L，中心線M、中心線N以及中心線L處于同一水平面上。
[0073]真空腔室110還具有氮氣入口 115，氮氣入口 115與氮氣源相連接，用于向真空腔室110內(nèi)通入氮氣。
[0074]上述的第一弧源120和第二弧源130為帶有90°磁過濾管道的磁過濾弧源。
[0075]本發(fā)明通過采用陰極磁過濾和等離子體增強技術(shù)，改善了葉片復(fù)雜結(jié)構(gòu)膜層沉積均勻性差的問題，同時采用新型的摻雜Al的Ta-Cr-N納米多層膜提高葉片表面的耐腐蝕和沖蝕能力。
[0076]參照圖1，以下以兩個具體實施例對本發(fā)明的壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法進(jìn)行說明。
[0077]實施例1:
[0078]步驟10，將待處理葉片裝入表面改性設(shè)備中。設(shè)備左側(cè)弧源采用鉻鋁合金靶，質(zhì)量百分比含量為鉻90 % -鋁10 %，純度為99.8 % ;設(shè)備右側(cè)弧源采用鉭靶，純度為99.8 % ;MEVVA離子注入源采用鉻陰極，純度是99.8%。
[0079]步驟20:關(guān)閉爐膛，開啟機(jī)械泵、分子泵，開啟循環(huán)水系統(tǒng)，抽真空至6.0X 10_4Pa，開始工藝。
[0080]步驟30，用考夫曼離子源對葉片表面進(jìn)行清洗。具體控制參數(shù)為:離子束能量由5kV增加至30kV，濺射時間lOmin。
[0081]步驟40，用MEVVA源對葉片表面進(jìn)行離子注入。具體控制參數(shù)為:金屬離子源觸發(fā)頻率10Hz，弧壓-120V，分別注入能量30kV、40kV和50kV，其中30kV注入時間為lOmin，40kV注入時間為15min，50kV注入時間為60min。
[0082]步驟50，在葉片表面上鍍Ta-Cr-Al膜。同時啟動左、右兩側(cè)的彎管，調(diào)整控制電源，具體控制參數(shù)為:偏轉(zhuǎn)電流控制在0.8A?1.6A，啟動彎管磁過濾聚焦正偏壓，穩(wěn)定值設(shè)置為24V?；≡措娏鳛?0?110A。鍍膜工件靶流為200mA，負(fù)壓為90V。占空比為50%，沉積時間為30min。
[0083]步驟60，在葉片表面上鍍(Ta，Cr，Al) XN膜。在步驟50的工藝參數(shù)下，將氮氣源的氮氣流量調(diào)整為35SCCm，其它參數(shù)不變，沉積時間為50min。
[0084]步驟70，重復(fù)步驟40、步驟50、步驟60兩次，同時進(jìn)行步驟30。
[0085]步驟80，鍍膜結(jié)束后，冷卻60min后，進(jìn)行真空腔室充氣，取出試樣，完成納米多層膜的制備。
[0086]實施例2:
[0087]步驟10，將待處理葉片裝入表面改性設(shè)備中。設(shè)備左側(cè)弧源采用鉻鋁合金靶，質(zhì)量百分比含量為鉻90 % -鋁10 %，純度為99.8 % ;設(shè)備右側(cè)弧源采用鉭靶，純度為99.8 % ;MEVVA離子注入源采用鉻陰極，純度是99.8%。
[0088]步驟20，關(guān)閉爐膛，開啟機(jī)械泵、分子泵，開啟循環(huán)水系統(tǒng)，抽真空至7.0X10_4Pa，開始工藝。
[0089]步驟30，用考夫曼離子源對葉片表面進(jìn)行清洗。具體控制參數(shù)為:離子束能量由5kV增加至30kV，濺射時間30min。
[0090]步驟40，用MEVVA源對葉片表面進(jìn)行離子注入。具體控制參數(shù)為:金屬離子源觸發(fā)頻率15Hz，弧壓-120V，分別注入能量30kV、40kV和50kV，其中30kV注入時間為lOmin，40kV注入時間為15min，50kV注入時間為60min。
[0091]步驟50，在葉片表面上鍍Ta-Cr-Al膜。同時啟動左、右兩側(cè)的彎管，調(diào)整控制電源，具體控制參數(shù)為:偏轉(zhuǎn)電流控制在0.8A?1.6A，啟動彎管磁過濾聚焦正偏壓，穩(wěn)定值設(shè)置為24V?；≡措娏鳛?0?110A。鍍膜工件靶流為1700mA，負(fù)壓為150V。占空比為90%，沉積時間為30min。
[0092]步驟60，在葉片表面上鍍(Ta，Cr，Al) XN膜。在步驟50的工藝參數(shù)下，將氮氣源的氮氣流量調(diào)整為35SCCm，其它參數(shù)不變，鍍膜時間為50min。
[0093]步驟70，重復(fù)步驟40、步驟50、步驟60十次，同時進(jìn)行步驟30。
[0094]步驟80，鍍膜結(jié)束后，冷卻60min后，進(jìn)行真空腔室充氣，取出試樣，完成納米多層膜的制備。
[0095]經(jīng)檢測，本發(fā)明所制備的壓氣機(jī)葉片涂層按照GJB150.11A-2009進(jìn)行常溫鹽霧腐蝕試驗500h后涂層表面可達(dá)10級，評級標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T 6461-2002進(jìn)行。在300°C熱鹽霧氛圍中下進(jìn)行96小時試驗后，本發(fā)明所制備的壓氣機(jī)葉片涂層表面沒有銹點。在氣流速度300m/s、固體顆粒速度200m/s、微粒尺寸1.5um?129um、撞擊角度60°的條件下進(jìn)行沖蝕試驗，本發(fā)明所制備的壓氣機(jī)葉片涂層磨損率比母材磨損率大幅降，其中室溫下降低3.2倍，200°C下降低3.1倍，350°C下降低3.3倍。
[0096]當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: SlO,準(zhǔn)備一表面改性設(shè)備，所述表面改性設(shè)備具有真空腔室，所述真空腔室上連接有一第一弧源、一第二弧源、一 MEVVA離子源、一考夫曼離子源和一氮氣源，所述第一弧源采用鉻鋁合金靶，所述第二弧源采用鉭靶，所述MEVVA離子源采用鉻陰極； S20,將一葉片裝入所述真空腔室中，所述真空腔室抽真空至6.0X10_4Pa到7.0X KT4Pa 之間； S30，用所述考夫曼離子源對所述葉片表面進(jìn)行清洗； S40，用所述MEVVA離子源對所述葉片表面進(jìn)行離子注入； S50，用所述第一弧源和所述第二弧源在葉片表面上鍍Ta-Cr-Al膜； S60，用所述第一弧源、所述第二弧源以及氮氣源在葉片表面上鍍(Ta，Cr,Al) XN膜； S70，依次重復(fù)所述步驟S40、S50和S60，同時進(jìn)行所述步驟S30 ； S80，鍍膜結(jié)束后，冷卻，對所述真空腔室進(jìn)行充氣，取出完成鍍膜的所述葉片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟SlO還包括如下步驟: 所述第一弧源中，鉻的重量百分比含量為90%，鋁的重量百分比含量為10%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟S30還包括如下步驟: 所述考夫曼離子源的離子束能量由5kV增加至30kV，濺射時間為1min?30min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟S40還包括如下步驟: 所述MEVVA離子源的觸發(fā)頻率為1Hz?15Hz，弧壓為-120V，注入能量分別為30kV、40kV以及50kV，注入時間為1min至60min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟S50還包括如下步驟: 所述第一弧源和所述第二弧源的具體控制參數(shù)為:偏轉(zhuǎn)電流控制在0.8A?1.6A，啟動彎管磁過濾聚焦正偏壓，穩(wěn)定值設(shè)置為24V，弧源電流為80A?110A，鍍膜工件靶流為200mA?1700mA，負(fù)壓為90V?150V，占空比為50%?90%，沉積時間為30min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟S60還包括如下步驟: 所述第一弧源和所述第二弧源的具體控制參數(shù)為:偏轉(zhuǎn)電流控制在0.8A?1.6A，啟動彎管磁過濾聚焦正偏壓，穩(wěn)定值設(shè)置為24V，弧源電流為80A?110A，鍍膜工件靶流為200mA?1700mA，負(fù)壓為90V?150V，占空比為50%?90 %，沉積時間為50min，所述氮氣源的氮氣流量為35sccm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟S80中冷卻時間為60min。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓氣機(jī)葉片涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟S50和所述步驟S60中，所述第一弧源和所述第二弧源同時進(jìn)行工作。
9.一種壓氣機(jī)葉片涂層的表面改性設(shè)備，對一葉片進(jìn)行覆膜，其特征在于，包括: 氮氣源； 真空腔室，所述氮氣源連接于所述真空腔室外，所述葉片設(shè)置于所述真空腔室內(nèi)，所述真空腔室包括側(cè)壁和底壁和頂壁； 第一弧源，連接于所述側(cè)壁上； 第二弧源，連接于所述側(cè)壁上； MEVVA離子源，連接于所述側(cè)壁上；以及 考夫曼離子源，連接于所述底壁上； 其中，所述第一弧源采用鉻鋁合金靶，所述第二弧源采用鉭靶，所述MEVVA離子源采用鉻陰極，所述考夫曼離子源對所述葉片表面進(jìn)行清洗，所述MEVVA離子源、所述第一弧源、所述第二弧源和所述氮氣源對所述葉片表面進(jìn)行反復(fù)鍍膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的壓氣機(jī)葉片涂層的表面改性設(shè)備，其特征在于，所述真空腔室包括工作臺，所述工作臺設(shè)置于所述真空腔室內(nèi)部，所述葉片設(shè)置于所述工作臺。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的壓氣機(jī)葉片涂層的表面改性設(shè)備，其特征在于，所述真空腔室包括頂壁，所述工作臺連接于所述頂壁，所述工作臺具有旋轉(zhuǎn)裝置。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的壓氣機(jī)葉片涂層的表面改性設(shè)備，其特征在于，所述側(cè)壁包括左側(cè)壁、右側(cè)壁和后側(cè)壁，所述第一弧源連接于所述左側(cè)壁，所述第二弧源連接于所述右側(cè)壁，所述MEVVA離子源連接于所述后側(cè)壁。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的壓氣機(jī)葉片涂層的表面改性設(shè)備，其特征在于，所述第一弧源與所述左側(cè)壁的接口的中心線、所述第二弧源與所述右側(cè)壁的接口的中心線以及所述MEVVA離子源與所述后側(cè)壁的接口的中心線處于同一水平面上。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的壓氣機(jī)葉片涂層的表面改性設(shè)備，其特征在于，所述第一弧源與所述第二弧源相對所述真空腔室的中垂線對稱設(shè)置。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的壓氣機(jī)葉片涂層的表面改性設(shè)備，其特征在于，所述第一弧源和所述第二弧源為帶有90°磁過濾管道的磁過濾弧源。
【文檔編號】C23C14/14GK104328385SQ201410578824
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2014年10月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月24日
【發(fā)明者】金杰, 王麗葉, 王月, 陳亮, 楊文軍, 李朋帥 申請人:北京機(jī)械工業(yè)自動化研究所