一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置，包括真空室，所述真空室內(nèi)設(shè)有蒸發(fā)源和基片，所述基片的被鍍一面在蒸發(fā)源之上，其中，所述基片固定在可水平往復(fù)運(yùn)動(dòng)的金屬板上；所述真空室的頂部開設(shè)有冷卻氣氛入口,所述冷卻氣氛入口的一側(cè)通過(guò)調(diào)節(jié)閥與冷卻氣體氣源相連接，另一側(cè)伸入真空室并設(shè)置有導(dǎo)氣裝置。本實(shí)用新型提供的真空蒸發(fā)鍍膜裝置，將基片固定在可水平往復(fù)運(yùn)動(dòng)的金屬板上，從而保證鍍膜的均勻性，有效避免散熱不均勻或冷卻過(guò)快導(dǎo)致基片損壞，提高產(chǎn)品合格率；通過(guò)在真空室的頂部開設(shè)冷卻氣氛入口，采用氣體冷卻的方式，進(jìn)一步簡(jiǎn)化真空室內(nèi)機(jī)械結(jié)構(gòu)并能實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)基片背后的金屬板的溫度即基片的表面溫度。
【專利說(shuō)明】一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種鍍膜裝置，尤其涉及一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]鍍膜機(jī)主要由進(jìn)(出)料室、鍍膜室、線性硒蒸發(fā)源系統(tǒng)、冷卻水系統(tǒng)、真空系統(tǒng)及控制系統(tǒng)組成。作為硒薄膜的載體(基片)，可以是筒鼓或薄板。非晶硒薄膜鍍膜一般使用純硒做蒸發(fā)用的原料，硒在化學(xué)元素周期表中屬于氧族元素，硒的熔點(diǎn)為217°C，沸點(diǎn)為684.90C ;硒具有光電效應(yīng)性能，非晶硒薄膜在圖片、文件資料以及制圖系統(tǒng)等復(fù)制設(shè)備中作為重要的傳遞介質(zhì)而存在。例如，復(fù)印機(jī)的硒鼓，DR平板探測(cè)器的非晶硒光電二極管陣列組件等。
[0003]蒸鍍非晶硒薄膜的基片一般為玻璃，基片的允許溫度范圍在50_80°C范圍內(nèi)，基片溫度過(guò)高會(huì)使非晶態(tài)的硒轉(zhuǎn)變?yōu)榫w硒，而基片溫度過(guò)低會(huì)影響薄膜的結(jié)合強(qiáng)度以及基片的應(yīng)力釋放，所以鍍膜時(shí)如何控制好基片溫度就成為影響非晶硒薄膜質(zhì)量的重要因素。[0004]傳統(tǒng)的控溫方式一般是在真空室外表面分布有冷卻水管或冷卻水夾層，真空室內(nèi)部安裝用于烘烤的加熱器，二者結(jié)合來(lái)控制基片的溫度，基片溫度過(guò)高時(shí)不能及時(shí)將溫度降下來(lái)，產(chǎn)品合格率不穩(wěn)定。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置，能夠保證鍍膜的均勻性，有效避免散熱不均勻或冷卻過(guò)快導(dǎo)致的基片損壞問(wèn)題，提高產(chǎn)品合格率，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于推廣應(yīng)用。
[0006]本實(shí)用新型為解決上述技術(shù)問(wèn)題而采用的技術(shù)方案是提供一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置，包括真空室，所述真空室內(nèi)設(shè)有蒸發(fā)源和基片，所述基片的被鍍一面在蒸發(fā)源之上，其中，所述基片固定在可水平往復(fù)運(yùn)動(dòng)的金屬板上。
[0007]上述的真空蒸發(fā)鍍膜裝置，其中，所述真空室的頂部開設(shè)有冷卻氣氛入口，所述冷卻氣氛入口的一側(cè)通過(guò)調(diào)節(jié)閥與冷卻氣體氣源相連接，另一側(cè)伸入真空室并設(shè)置有導(dǎo)氣
>J-U ρ?α裝直。
[0008]上述的真空蒸發(fā)鍍膜裝置，其中，所述冷卻氣體氣源為氬氣或氦氣。
[0009]上述的真空蒸發(fā)鍍膜裝置，其中，所述冷卻氣氛入口的兩側(cè)設(shè)有分子泵。
[0010]上述的真空蒸發(fā)鍍膜裝置，其中，所述金屬板和真空室之間設(shè)有柔性擋板，所述柔性擋板分布在分子泵的兩側(cè)。
[0011]上述的真空蒸發(fā)鍍膜裝置，其中，所述金屬板面對(duì)冷卻氣氛入口一側(cè)的表面上設(shè)有散熱槽。
[0012]本實(shí)用新型對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)有如下的有益效果:本實(shí)用新型提供的真空蒸發(fā)鍍膜裝置，將基片固定在可水平往復(fù)運(yùn)動(dòng)的金屬板上，從而保證鍍膜的均勻性，有效避免散熱不均勻或冷卻過(guò)快導(dǎo)致基片損壞，提高產(chǎn)品合格率。此外，本實(shí)用新型在真空室的頂部開設(shè)冷卻氣氛入口，采用氣體冷卻的方式，進(jìn)一步簡(jiǎn)化真空室內(nèi)機(jī)械結(jié)構(gòu)，通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)基片背后的金屬板的溫度即基片的表面溫度，調(diào)整冷卻氣氛流量，更好地避免因散熱不均勻或冷卻過(guò)快而導(dǎo)致基片損壞，提聞廣品合格率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型真空蒸發(fā)鍍膜裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖中:
[0015]I真空室2蒸發(fā)源3基片
[0016]4金屬板5冷卻氣氛入口 6調(diào)節(jié)閥
[0017]7分子泵8柔性擋板
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。
[0019]圖1為本實(shí)用新型真空蒸發(fā)鍍膜裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]請(qǐng)參見(jiàn)圖1，本實(shí)用新型提供的真空蒸發(fā)鍍膜裝置包括真空室1，所述真空室I內(nèi)設(shè)有蒸發(fā)源2和基片3，所述基片3的被鍍一面在蒸發(fā)源2之上，其中，所述基片3固定在可水平往復(fù)運(yùn)動(dòng)的金 屬板4上。
[0021]本實(shí)用新型提供的真空蒸發(fā)鍍膜裝置，基片3被鍍一面在蒸發(fā)源2之上，基片3固定在金屬板4上組成基片傳輸機(jī)構(gòu)，金屬板4的材料可以是銅或其他散熱良好且耐溫的材料，外形尺寸要大于基片3本身，以防止蒸發(fā)物質(zhì)越過(guò)金屬板污染其他零部件；基片3隨金屬板4在水平方向做往復(fù)運(yùn)動(dòng)，保證基片表面的鍍膜的均勻性。
[0022]本實(shí)用新型提供的真空蒸發(fā)鍍膜裝置，真空室I的頂部設(shè)置一個(gè)冷卻氣氛入口 5，所述冷卻氣氛入口 5的一側(cè)通過(guò)調(diào)節(jié)閥6與冷卻氣體氣源相連接，另一側(cè)伸入真空室I中并設(shè)置有導(dǎo)氣裝置(圖未示)。冷卻氣體氣源可以是氬氣或氦氣。金屬板4面對(duì)冷卻氣氛入口 5—側(cè)的表面可設(shè)置散熱槽(圖未示)，便于冷卻氣氛通過(guò)時(shí)迅速帶走金屬板的熱量。在蒸發(fā)鍍膜過(guò)程中，冷卻氣體會(huì)持續(xù)通入真空室I吹到基片背后的金屬板4散熱槽上，氣體流量的大小與基片的面積、基片蒸發(fā)鍍膜時(shí)溫度多少及其溫度變化的速度均有關(guān)系。
[0023]此外，本實(shí)用新型提供的真空蒸發(fā)鍍膜裝置，所述冷卻氣氛入口 5的兩邊可安裝兩臺(tái)抽速較高的分子泵7，進(jìn)入真空室I的冷卻氣體在通過(guò)金屬板散熱槽后，應(yīng)該能迅速被兩臺(tái)分子泵抽掉；另外，兩臺(tái)分子泵7所組成的區(qū)域與金屬板4之間安裝有柔性擋板8，如橡膠擋板，使該空間形成一個(gè)負(fù)壓區(qū)，在蒸發(fā)鍍膜時(shí)整個(gè)真空室I內(nèi)的工作壓力不會(huì)出現(xiàn)驟升驟降等壓力變化，確保鍍膜過(guò)程持續(xù)進(jìn)行。
[0024]雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置，包括真空室(I)，所述真空室(I)內(nèi)設(shè)有蒸發(fā)源(2)和基片(3)，所述基片(3)的被鍍一面在蒸發(fā)源(2)之上，其特征在于，所述基片(3)固定在可水平往復(fù)運(yùn)動(dòng)的金屬板(4)上，所述真空室(I)的頂部開設(shè)有冷卻氣氛入口(5)，所述冷卻氣氛入口(5)的一側(cè)通過(guò)調(diào)節(jié)閥(6)與冷卻氣體氣源相連接，另一側(cè)伸入真空室(I)并設(shè)置有導(dǎo)氣裝置，所述冷卻氣氛入口(5)的兩側(cè)設(shè)有分子泵(7)，所述金屬板(4)和真空室(I)之間設(shè)有柔性擋板(8)，所述柔性擋板(8)分布在分子泵(7)的兩側(cè)，所述金屬板(4)面對(duì)冷卻氣氛入口(5) —側(cè)的表面上設(shè)有散熱槽。
2.如權(quán)利要求1所述的真空蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于，所述冷卻氣體氣源為氬氣或氦氣。
【文檔編號(hào)】C23C14/24GK203754797SQ201320746064
【公開日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2013年11月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月22日
【發(fā)明者】毛念新, 嚴(yán)仲君, 黃翔鄂, 王新征 申請(qǐng)人:上海嘉森真空科技有限公司