反應(yīng)腔室及其射頻帶保護(hù)裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提供的反應(yīng)腔室及其射頻帶保護(hù)裝置，該晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置，設(shè)置于晶圓腔體的底部和加熱器之間，包括左、右支架，所述左、右支架均包括一個(gè)較高位置的第一頂板和一個(gè)較低位置的第二頂板，所述第二頂板的相對(duì)側(cè)對(duì)應(yīng)設(shè)有一凹槽，所述左、右支架組裝時(shí)形成一個(gè)空心的無(wú)底的臺(tái)階體且所述凹槽形成供射頻帶穿越的通孔，能夠?qū)⑸漕l帶和帶夾保護(hù)起來(lái)，防止射頻帶和帶夾受到等離子體、高溫以及腐蝕性氣體侵蝕，一方面，可以使得晶圓腔體中腐蝕性的等離子體無(wú)法直接接觸射頻金屬連接帶和帶夾，因而可以延長(zhǎng)使用壽命，另一方面，在定期維護(hù)時(shí)，因?yàn)楦g程度較輕，帶夾比中的螺紋緊固件比較容易拆卸，不會(huì)發(fā)生斷裂現(xiàn)象，可以節(jié)省工程師的勞動(dòng)時(shí)間，提高勞動(dòng)效率，并減少了維護(hù)費(fèi)用。
【專(zhuān)利說(shuō)明】反應(yīng)腔室及其射頻帶保護(hù)裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種反應(yīng)腔室及其射頻帶保護(hù)裝置?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]在CVD (化學(xué)氣相沉積)的制程中，射頻是產(chǎn)生等離子體的主要能量來(lái)源，射頻能量主要是由射頻帶連接在加熱器之上產(chǎn)生。通過(guò)使用連接帶夾將射頻帶連接在加熱器之上
[0003]但是，因?yàn)樵诰A腔體中長(zhǎng)期的等離子體(plasma)和高溫以及腐蝕性氣體的作用下，射頻金屬連接帶和連接帶夾會(huì)被逐漸腐蝕。在定期維護(hù)時(shí)難以拆卸，嚴(yán)重時(shí)會(huì)造成連接螺紋緊固件的斷裂，無(wú)法拆卸而只能更換整組加熱器，造成了大量的人力和物理?yè)p耗。
[0004]因此，如何提供一種可以防止射頻金屬連接帶和連接帶夾受到等離子體、高溫以及腐蝕性氣體侵蝕的反應(yīng)腔室及其射頻帶保護(hù)裝置是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個(gè)技術(shù)問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種反應(yīng)腔室及其射頻帶保護(hù)裝置，可以防止射頻金屬連接帶和連接帶夾受到等離子體、高溫以及腐蝕性氣體侵蝕。
[0006]為了達(dá)到上述的目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
[0007]—種晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置，設(shè)置于晶圓腔體的底部和加熱器之間，包括左、右支架，所述左、右支架均包括一個(gè)較高位置的第一頂板和一個(gè)較低位置的第二頂板，所述第二頂板的相對(duì)側(cè)對(duì)應(yīng)設(shè)有一凹槽，所述左、右支架組裝時(shí)形成一個(gè)空心的無(wú)底的臺(tái)階體且所述凹槽形成供射頻帶穿越的通孔。
[0008]優(yōu)選的，在上述的晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置中，所述左、右支架均還包括一個(gè)L型側(cè)板、較高的矩形側(cè)板和較低的矩形側(cè)板，所述L型板設(shè)于所述第一頂板和第二頂板的同偵牝所述較高的矩形側(cè)板和較低的矩形側(cè)板分別設(shè)置于所述第一頂板和第二頂板的相背側(cè)。
[0009]優(yōu)選的，在上述的晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置中，所述左、右支架均一體成型。
[0010]優(yōu)選的，在上述的晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置中，所述左、右支架采用陶瓷材料制成。
[0011]優(yōu)選的，在上述的晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置中，所述左、右支架組裝時(shí)，所述左、右支架相接處的部位設(shè)有對(duì)應(yīng)的凹、凸結(jié)構(gòu)。
[0012]優(yōu)選的，在上述的晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置中，所述左、右支架相接處的部位包括相對(duì)的第一頂板之間、和/或相對(duì)的第二頂板之間、和/或相對(duì)的較低的矩形側(cè)板之間、和/或相對(duì)的較高的矩形側(cè)板之間。
[0013]本實(shí)用新型還公開(kāi)了一種反應(yīng)腔室，包括晶圓腔體、加熱器，所述加熱器的側(cè)面設(shè)有兩個(gè)用于固定射頻帶的帶夾，所述晶圓腔體的底板上對(duì)應(yīng)所述帶夾的位置設(shè)有供射頻帶穿從外穿入晶圓腔體內(nèi)部的固定結(jié)構(gòu)，所述帶夾和對(duì)應(yīng)的固定結(jié)構(gòu)的整體外側(cè)分別設(shè)有如上所述的晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置。
[0014]優(yōu)選的，在上述的反應(yīng)腔室中，所述帶夾包括兩塊夾板和至少兩個(gè)螺紋緊固件，所述兩塊夾板和所述加熱器的側(cè)板上對(duì)應(yīng)設(shè)有供所述螺紋緊固件穿越的孔，所述孔之間的具有供所述射頻帶穿越的間隙。
[0015]本實(shí)用新型提供的反應(yīng)腔室及其射頻帶保護(hù)裝置，該晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置，設(shè)置于晶圓腔體的底部和加熱器之間，包括左、右支架，所述左、右支架均包括一個(gè)較高位置的第一頂板和一個(gè)較低位置的第二頂板，所述第二頂板的相對(duì)側(cè)對(duì)應(yīng)設(shè)有一凹槽，所述左、右支架組裝時(shí)形成一個(gè)空心的無(wú)底的臺(tái)階體且所述凹槽形成供射頻帶穿越的通孔，能夠?qū)⑸漕l帶和帶夾保護(hù)起來(lái)，防止射頻帶和帶夾受到等離子體、高溫以及腐蝕性氣體侵蝕，一方面，可以使得晶圓腔體中腐蝕性的等離子體無(wú)法直接接觸射頻金屬連接帶和帶夾，因而可以延長(zhǎng)使用壽命，另一方面，在定期維護(hù)時(shí)，因?yàn)楦g程度較輕，帶夾比中的螺紋緊固件比較容易拆卸，不會(huì)發(fā)生斷裂現(xiàn)象，可以節(jié)省工程師的勞動(dòng)時(shí)間，提高勞動(dòng)效率，并減少了維護(hù)費(fèi)用。
[0016]此外，保護(hù)裝置采用陶瓷材質(zhì)，不會(huì)受到等離子體的腐蝕，可重復(fù)利用，無(wú)須更換?！緦?zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]本實(shí)用新型的反應(yīng)腔室及其射頻帶保護(hù)裝置由以下的實(shí)施例及附圖給出。
[0018]圖1本實(shí)用新型的一實(shí)施例的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2是本實(shí)用新型一實(shí)施例的晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置組裝前的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖3是本實(shí)用新型一實(shí)施例的晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置組裝后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖4是本實(shí)用新型一實(shí)施例的加熱器上的帶夾的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]以下將對(duì)本實(shí)用新型的反應(yīng)腔室及其射頻帶保護(hù)裝置作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0023]下面將參照附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用新型而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有益效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0024]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本實(shí)用新型由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi)發(fā)中，必須作出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。
[0025]為使本實(shí)用新型的目的、特征更明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的說(shuō)明。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
[0026]請(qǐng)參閱圖1至圖4，這種一種反應(yīng)腔室，包括晶圓腔體(未圖示)、加熱器30，所述加熱器30的側(cè)面設(shè)有兩個(gè)用于固定射頻帶例如是金屬射頻帶的帶夾40例如是金屬帶夾，所述晶圓腔體20的底板201上對(duì)應(yīng)所述帶夾40的位置設(shè)有供射頻帶20穿從外穿入晶圓腔體20內(nèi)部的固定結(jié)構(gòu)50，所述帶夾40和對(duì)應(yīng)的固定結(jié)構(gòu)50的整體外側(cè)分別設(shè)有一晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置10。
[0027]這種晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置10，設(shè)置于晶圓腔體20的底部和加熱器30之間，包括左、右支架I’、1，所述左、右支架I’、1均包括一個(gè)較高位置的第一頂板11和一個(gè)較低位置的第二頂板12，所述第二頂板12的相對(duì)側(cè)對(duì)應(yīng)設(shè)有一凹槽121，所述左、右支架1’、1組裝時(shí)形成一個(gè)空心的無(wú)底的臺(tái)階體且所述凹槽121形成供射頻帶20穿越的通孔120。
[0028]優(yōu)選的，在上述的晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置中，所述左、右支架均1’、1還包括一個(gè)L型側(cè)板13、較高的矩形側(cè)板14和較低的矩形側(cè)板15，所述L型板13設(shè)于所述第一頂板11和第二頂板12的同側(cè)，所述較高的矩形側(cè)板14和較低的矩形側(cè)板15分別設(shè)置于所述第一頂板11和第二頂板12的相背側(cè)。
[0029]優(yōu)選的，在上述的晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置中，所述左、右支架1’、1均一體成型。
[0030]優(yōu)選的，在上述的晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置中，所述左、右支架1’、1采用陶瓷材料制成。
[0031]優(yōu)選的，在上述的晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置中，所述左、右支架1’、1組裝時(shí)，所述左、右支架I’、1相接處的部位設(shè)有對(duì)應(yīng)的凹、凸結(jié)構(gòu)16、16’。
[0032]優(yōu)選的，在上述的晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置中，所述左、右支架1’、1相接處的部位包括相對(duì)的第一頂板之間、和/或相對(duì)的第二頂板之間、和/或相對(duì)的較低的矩形側(cè)板之間、和/或相對(duì)的較高的矩形側(cè)板之間。如此，可以使得左、右支架1’、1組裝時(shí)嵌合牢固。
[0033]優(yōu)選的，在本實(shí)施例中，如圖4所示，所述帶夾40包括兩塊夾板41和至少兩個(gè)螺紋緊固件42，所述兩塊夾板41和所述加熱器30的側(cè)板上對(duì)應(yīng)設(shè)有供所述螺紋緊固件42穿越的孔411，所述孔411之間的具有供所述射頻帶穿越的間隙。
[0034]綜上所述，本實(shí)用新型提供的反應(yīng)腔室及其射頻帶保護(hù)裝置，該晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置，設(shè)置于晶圓腔體的底部和加熱器之間，包括左、右支架，所述左、右支架均包括一個(gè)較高位置的第一頂板和一個(gè)較低位置的第二頂板，所述第二頂板的相對(duì)側(cè)對(duì)應(yīng)設(shè)有一凹槽，所述左、右支架組裝時(shí)形成一個(gè)空心的無(wú)底的臺(tái)階體且所述凹槽形成供射頻帶穿越的通孔，能夠?qū)⑸漕l帶和帶夾保護(hù)起來(lái)，防止射頻帶和帶夾受到等離子體、高溫以及腐蝕性氣體侵蝕，一方面，可以使得晶圓腔體中腐蝕性的等離子體無(wú)法直接接觸射頻金屬連接帶和帶夾，因而可以延長(zhǎng)使用壽命，另一方面，在定期維護(hù)時(shí)，因?yàn)楦g程度較輕，帶夾比中的螺紋緊固件例如螺絲比較容易拆卸，不會(huì)發(fā)生斷裂現(xiàn)象，可以節(jié)省工程師的勞動(dòng)時(shí)間，提高勞動(dòng)效率，并減少了維護(hù)費(fèi)用。
[0035]此外，保護(hù)裝置采用陶瓷材質(zhì)，不會(huì)受到等離子體的腐蝕，可重復(fù)利用，無(wú)須更換。
[0036]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置，其特征在于，設(shè)置于晶圓腔體的底部和加熱器之間，包括左、右支架，所述左、右支架均包括一個(gè)較高位置的第一頂板和一個(gè)較低位置的第二頂板，所述第二頂板的相對(duì)側(cè)對(duì)應(yīng)設(shè)有一凹槽，所述左、右支架組裝時(shí)形成一個(gè)空心的無(wú)底的臺(tái)階體且所述凹槽形成供射頻帶穿越的通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置，其特征在于，所述左、右支架均還包括一個(gè)L型側(cè)板、較高的矩形側(cè)板和較低的矩形側(cè)板，所述L型板設(shè)于所述第一頂板和第二頂板的同側(cè)，所述較高的矩形側(cè)板和較低的矩形側(cè)板分別設(shè)置于所述第一頂板和第二頂板的相背側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置，其特征在于，所述左、右支架均一體成型。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置，其特征在于，所述左、右支架采用陶瓷材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置，其特征在于，所述左、右支架組裝時(shí)，所述左、右支架相接處的部位設(shè)有對(duì)應(yīng)的凹、凸結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置，其特征在于，所述左、右支架相接處的部位包括相對(duì)的第一頂板之間、和/或相對(duì)的第二頂板之間、和/或相對(duì)的較低的矩形側(cè)板之間、和/或相對(duì)的較高的矩形側(cè)板之間。
7.一種反應(yīng)腔室，包括晶圓腔體、加熱器，所述加熱器的側(cè)面設(shè)有兩個(gè)用于固定射頻帶的帶夾，所述晶圓腔體的底板上對(duì)應(yīng)所述帶夾的位置設(shè)有供射頻帶穿從外穿入晶圓腔體內(nèi)部的固定結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述帶夾和對(duì)應(yīng)的固定結(jié)構(gòu)的整體外側(cè)設(shè)有如權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的晶圓腔體射頻帶保護(hù)裝置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述帶夾包括兩塊夾板和至少兩個(gè)螺紋緊固件，所述兩塊夾板和所述加熱器的側(cè)板上對(duì)應(yīng)設(shè)有供所述螺紋緊固件穿越的孔，所述孔之間的具有供所述射頻帶穿越的間隙。
【文檔編號(hào)】C23C16/505GK203546143SQ201320672684
【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年10月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月29日
【發(fā)明者】龐明磊 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司