專利名稱：輸氣裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體制造工藝，且特別涉及腔室周邊的輸氣裝置。
背景技術(shù)：
在半導體制作過程中，往往需要將反應(yīng)氣體輸入至腔室中，與晶片進行反應(yīng)。通常情況下，這種輸氣裝置暴露在常溫中，并且不存在任何溫度控制設(shè)備，這使得所輸送的氣體存在在室溫中液化的可能性。以腔室LAM TCP9400和腔室LAM TCP9600為例。參考圖1，輸氣裝置暴露在室溫中，其中所運輸?shù)匿寤瘹?HBr)和氯化硼(BCL3)很容易和空氣中的水汽發(fā)生反應(yīng)，從而干擾所運輸氣體的氣流穩(wěn)定以及形成冷凝，影響反應(yīng)氣體與芯片的正常反應(yīng)，進而嚴重影響生產(chǎn)效率及產(chǎn)品良率。在實際生產(chǎn)中，LAMTCP9400的輸氣裝置中所發(fā)生的溴化氫(HBr)冷凝造成了大量的閃存產(chǎn)品的異常。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種輸氣裝置，有效地避免了所運輸氣體的冷凝，并且實施簡單，應(yīng)用方便，成本低廉，較為明顯地節(jié)約了生產(chǎn)成本和工藝時間，提高了生產(chǎn)效率。為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，本發(fā)明提出一種輸氣裝置，至少包括輸氣管道，用于運輸反應(yīng)氣體；加熱裝置，用于對所述輸氣管道中的氣體進行加熱?？蛇x的，所述反應(yīng)氣體為在常溫下容易液化或冷凝的氣體。可選的，所述反應(yīng)氣體為溴化氫或氯化硼?？蛇x的，所述加熱裝置為貼附于所述干燥管道外側(cè)的加溫帶。可選的，通過控制所述加溫帶貼附于所述干燥管道外側(cè)的纏繞面積，或通過控制加溫帶自身的溫度，實現(xiàn)所述加熱裝置對所述干燥管道中惰性氣體的溫度調(diào)節(jié)。可選的，所述加熱裝置的溫度為35至40攝氏度。本發(fā)明的有益效果為通過對運輸過程中的反應(yīng)氣體進行加熱，升高反應(yīng)氣體的溫度，從而有效地避免了反應(yīng)氣體在運輸過程中產(chǎn)生冷凝，并且結(jié)構(gòu)簡單，實施方便，成本低廉，易于有效地利用現(xiàn)有的機臺設(shè)備，從而節(jié)省了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。


圖1為現(xiàn)有腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明輸氣裝置一種實施方式的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，為了不影響生產(chǎn)效率，延長干燥機械握爪的時長通常不太現(xiàn)實，而為了實現(xiàn)對機械握爪進一步的徹底干燥，可通過改善其干燥溫度來實現(xiàn)。事實上，現(xiàn)有生產(chǎn)流程中，對機械握爪的清洗和干燥通常都是在常溫下進行的，特別是干燥過程，而發(fā)明人經(jīng)過多次試驗發(fā)現(xiàn)，提高干燥溫度能夠有效增強機械握爪的干燥效果。下面將結(jié)合具體實施例和附圖，對本發(fā)明輸氣裝置進行詳細闡述。參考圖2，本發(fā)明還提供了輸氣裝置的一種具體實施方式
，至少包括輸氣管道110，用于運輸反應(yīng)氣體；加熱裝置120，用于對所述輸氣管道中的氣體進行加熱。具體來說，輸氣管道110可采用現(xiàn)有工具臺中所設(shè)計的氣體管道。所運輸?shù)姆磻?yīng)氣體通常為在常溫下容易液化或冷凝的氣體，例如，其具體可為溴化氫或氯化硼。在一種實施方式中，加熱裝置120可采用貼附于輸氣管道110外側(cè)的加溫帶，對輸氣管道110中所運輸?shù)姆磻?yīng)氣體進行加熱。在實際應(yīng)用過程中，可根據(jù)實際生產(chǎn)需要，對加熱裝置120的溫度進行調(diào)節(jié)而實現(xiàn)所述反應(yīng)氣體的加熱溫度，例如，可將加熱裝置120的溫度設(shè)置為35攝氏度至40攝氏度，從而能夠明顯地改善加熱后的反應(yīng)氣體較容易出現(xiàn)的冷凝問題，提高氣體傳輸?shù)姆€(wěn)定性。在具體實現(xiàn)中，調(diào)節(jié)加熱裝置120對反應(yīng)氣體的加熱溫度，可通過控制加溫帶貼附于輸氣管道110外側(cè)的纏繞面積來實現(xiàn)，也可通過控制加溫帶的溫度來調(diào)節(jié)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)能理解，在上述各實施方式中，例如氣體輸送、加熱等工藝的具體實現(xiàn)和步驟并不對本發(fā)明機輸氣裝置的發(fā)明構(gòu)思造成限制，上述各工藝步驟中可采用但并不限于現(xiàn)有的常規(guī)工藝參數(shù)、原料及設(shè)備。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明輸氣裝置通過對所運輸?shù)姆磻?yīng)氣體預先進行加熱，然后再將其通入反應(yīng)腔室，不僅有效地避免了反應(yīng)氣體在處于常溫環(huán)境的運輸管道中容易產(chǎn)生的冷凝現(xiàn)象，提高了氣體運輸?shù)姆€(wěn)定性，增加了實際參與腔室反應(yīng)的氣體含量，改善了產(chǎn)品良率，并且結(jié)構(gòu)簡單，實施方便，易于有效地利用現(xiàn)有的機臺設(shè)備，從而節(jié)省了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種輸氣裝置，其特征在于，至少包括輸氣管道，用于運輸反應(yīng)氣體；加熱裝置，用于對所述輸氣管道中的氣體進行加熱。
2.如權(quán)利要求1所述的輸氣裝置，其特征在于，所述反應(yīng)氣體為在常溫下容易液化或冷凝的氣體
3.如權(quán)利要求1所述的輸氣裝置，其特征在于，所述反應(yīng)氣體為溴化氫或氯化硼。
4.如權(quán)利要求1所述的輸氣裝置，其特征在于，所述加熱裝置為貼附于所述干燥管道外側(cè)的加溫帶。
5.如權(quán)利要求4所述的輸氣裝置，其特征在于，通過控制所述加溫帶貼附于所述干燥管道外側(cè)的纏繞面積，或通過控制加溫帶自身的溫度，實現(xiàn)所述加熱裝置對所述干燥管道中惰性氣體的溫度調(diào)節(jié)。
6.如權(quán)利要求1所述的輸氣裝置，其特征在于，所述加熱裝置的溫度為35至40攝氏度。
全文摘要
一種輸氣裝置，至少包括輸氣管道，用于運輸反應(yīng)氣體；加熱裝置，用于對所述輸氣管道中的氣體進行加熱。本發(fā)明通過對運輸過程中的反應(yīng)氣體進行加熱，升高反應(yīng)氣體的溫度，從而有效地避免了反應(yīng)氣體在運輸過程中產(chǎn)生冷凝，并且結(jié)構(gòu)簡單，實施方便，成本低廉，易于有效地利用現(xiàn)有的機臺設(shè)備，從而節(jié)省了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。
文檔編號C23C16/455GK102312222SQ201110299629
公開日2012年1月11日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者王旭東 申請人:上海宏力半導體制造有限公司