專利名稱：一種改善納米陣列薄膜超疏水穩(wěn)定性的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有改善納米陣列薄膜超疏水穩(wěn)定性的方法，屬于納米材料表面改性技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
由于在基礎(chǔ)研究和應(yīng)用上的重要性，納米材料特別是有序納米材料如納米線、納米管和納米棒等薄膜表面的超疏水性引起人們廣泛的關(guān)注。超疏水表面一般是指接觸角大于150°，滾動角小于5°的固體表面。近年來，超疏水材料之所以引起了人們的普遍關(guān)注， 是因?yàn)樗诠まr(nóng)業(yè)生產(chǎn)、國防建設(shè)和人們的日常生活中有著極其廣闊的應(yīng)用前景。如應(yīng)用到天線上，就可以防止因積雪造成的信號減弱，保證了全天候通信的暢通；應(yīng)用于半導(dǎo)體傳輸線，可以防止雨天因水滴放電而產(chǎn)生的噪音。在基因傳輸、生物醫(yī)學(xué)、微流體、無損失液體輸送、防污染和抗氧化等方面超疏水材料都能得到廣泛的應(yīng)用。目前，通過各種方法制備出的納米陣列薄膜，如化學(xué)氣相沉積制備的峰房狀、柱狀和島狀的陣列碳納米管薄膜、氣相運(yùn)輸制備的棒狀、錐狀和釘狀的陣列納米氧化鋅、陽極氧化制備的陣列多孔納米氧化鋁薄膜，飛秒激光在硅、有機(jī)高分子聚合物、玻璃、金屬或金屬氧化物表面刻蝕出的納米陣列結(jié)構(gòu)薄膜等，對于這些納米陣列結(jié)構(gòu)的超疏水表面來說，由于其有序納米結(jié)構(gòu)引起的薄膜空氣空隙使其具備超疏水性能，但是又因其具有較大的表面能，水滴過一段時(shí)間會滲透到納米材料里面；同時(shí)納米薄膜表面的接觸角隨著放置時(shí)間的延長而逐漸的減小，當(dāng)放置時(shí)間過長，其表面就會失去超疏水的性質(zhì)，因此制備的超疏水納米陣列薄膜存在一個(gè)顯著的缺點(diǎn)，即穩(wěn)定性的問題。對于超疏水材料來說，穩(wěn)定性是一個(gè)至關(guān)重要的性質(zhì)，因?yàn)樗鼘⒆罱K決定材料的使用范圍和壽命。這些表面獲得超疏水表面的持久性不足，使得這種表面在許多場合的應(yīng)用受到限制，包括表面修飾的低自由能薄膜的強(qiáng)度、耐候性差使其在一些場合長期使用可能被破壞污染，使得疏水性變差；同時(shí)表面的微結(jié)構(gòu)因機(jī)械強(qiáng)度差而易被外力破壞，導(dǎo)致超疏水性的喪失。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的納米陣列薄膜材料超疏水效果穩(wěn)定性差的問題，提出一種改善納米陣列薄膜超疏水穩(wěn)定性方法。本發(fā)明方法包括以下步驟
1)清洗以去除超疏水納米陣列薄膜材料的污染物、吸附物或表面的氧化物；
2)進(jìn)行等離子體清洗，以提高納米陣列薄膜的附著力，改善表面的粘著性和潤滑性；
3 )等離子體清洗后，打開電源使熱絲通電進(jìn)行預(yù)熱，至400飛50 V，通入六氟環(huán)氧丙烷和聚合引發(fā)劑磺酰基氟化丁烷氣體，氣體流量之比為六氟環(huán)氧丙烷流量磺酰基氟化丁烷氣體流量=(24:3) (24 12) sccm，調(diào)整射頻功率，射頻功率值8(Γ150 W，真空度為6(Tl20 Pa，六氟環(huán)氧丙烷氣體裂解成二氟卡賓自由基，并在磺?；⊥樽饔孟戮酆铣删鬯姆蚁┏练e在納米陣列薄膜上。本發(fā)明方法步驟1)采用超聲波對納米陣列薄膜進(jìn)行清洗，先以丙酮為清洗劑，時(shí)間0.5、min，然后以去離子水為清洗劑，清洗5 10 min，用無水乙醇去水，再用吹風(fēng)機(jī)將薄膜吹干備用。本發(fā)明方法所述等離子體清洗步驟為將真空室放氣后，打開真空室，把步驟1) 中清洗好的納米陣列薄膜放在下電極板上；關(guān)閉真空室，開始抽氣，當(dāng)系統(tǒng)真空度穩(wěn)定后， 向真空室內(nèi)通入氬氣；氬氣的流量穩(wěn)定后，打開射頻電源板壓開關(guān)，調(diào)整射頻功率為3(Γ70 W，調(diào)節(jié)匹配電容，使發(fā)射功率最小，用Ar離子對薄膜清洗廣20 min0本發(fā)明所述的超疏水納米陣列薄膜材料為化學(xué)氣相沉積制備的峰房狀、柱狀和島狀的陣列碳納米管薄膜，或氣相運(yùn)輸制備的棒狀、錐狀和釘狀的陣列納米氧化鋅，或陽極氧化制備的多孔納米陣列氧化鋁薄膜，或飛秒激光在硅、二氧化硅、玻璃、金屬及其合金表面刻蝕出的納米陣列結(jié)構(gòu)薄膜。經(jīng)本發(fā)明方法處理后的納米陣列薄膜超疏水材料，水滴不會再滲透到納米陣列薄膜空隙中；在長期的使用過程中，超疏水表面對水的接觸角和滾動角隨使用時(shí)間的延長沒有觀察到明顯的下降和增加，保持了超疏水性長期穩(wěn)定，提高了超疏水自清潔表面的持久性。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例1改善后的氧化鋅納米棒陣列薄膜SEM圖。圖2為本發(fā)明實(shí)施例1改善后的氧化鋅納米棒陣列薄膜表面上去離子水的接觸角圖像。圖3為本發(fā)明實(shí)施例1改善后的氧化鋅納米棒陣列薄膜表面的接觸角和滾動角與使用時(shí)間關(guān)系圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。實(shí)施例1 改善氧化鋅納米棒薄膜超疏水表面穩(wěn)定性
1、通過氣相運(yùn)輸制備出具有陣列結(jié)構(gòu)的氧化鋅納米棒薄膜，為掌握該表面的潤濕性， 先采用接觸角測試儀測定了水的在該表面的接觸角，該表面與水的接觸角為156士2. 2 ， 滾動角測試結(jié)果表明水滴在該表面的滾動角為8 ；過30 min后，再測量該表面的接觸角和滾動角分別為121 士 1. 4 和M ；觀察水滴在20 min左右就完全滲透到超疏水陣列納米薄膜空隙中。結(jié)果表明所制備的陣列氧化鋅納米棒的超疏水性穩(wěn)定性很差。2、清洗陣列氧化鋅納米棒薄膜表面的污染物、吸附物。清洗步驟主要是用超聲波對氧化鋅納米棒薄膜進(jìn)行清洗，先以丙酮為清洗劑，時(shí)間40 s，然后以去離子水為清洗劑， 清洗5min，用無水乙醇去水，再用吹風(fēng)機(jī)將該薄膜吹干備用。3、進(jìn)行等離子體清洗工藝，目的是為了提高膜的附著力，改善表面的粘著性和潤滑性。首先將真空室放氣后，打開真空室，把清洗好的上述納米陣列薄膜放在下電極板上； 關(guān)閉真空室，開始抽氣，當(dāng)系統(tǒng)真空度穩(wěn)定后，向真空室內(nèi)通入氬氣；氬氣的流量穩(wěn)定后，打開射頻電源板壓開關(guān)，調(diào)整射頻功率為40 W，調(diào)節(jié)匹配電容，使發(fā)射功率最小，用Ar離子對薄膜清洗5 min04、等離子體清洗后，打開電源使熱絲通電進(jìn)行預(yù)熱，至500°C，通入六氟環(huán)氧丙烷和磺?；⊥闅怏w，氣體流量之比為六氟環(huán)氧丙烷流量磺?；⊥闅怏w流量 =24: 6 sccm，調(diào)整射頻功率，射頻功率值90 W，真空度為65 Pa，六氟環(huán)氧丙烷氣體裂解成二氟卡賓自由基，并在磺?；⊥榫酆弦l(fā)劑促進(jìn)下聚合成聚四氟乙烯沉積在納米陣列薄膜上，見圖2所示。5、為評價(jià)獲得的改善后的陣列氧化鋅納米棒超疏水表面的穩(wěn)定性，連續(xù)選擇1天后、2天后……..10天后測試其表面的接觸角和滾動角。圖3是改善后的樣品隔10天測試的接觸角的圖像，圖4是接觸角和滾動角與使用時(shí)間的關(guān)系圖。測試結(jié)果表明，改善后的陣列氧化鋅納米棒薄膜的接觸角從156士2. 2 增加到168士2. 6 ，滾動角從9 減小到 3. 2 ，超疏水性增強(qiáng)；在長時(shí)間的使用過程中，該超疏水性表面對水的接觸角隨使用時(shí)間的延長沒有觀察到明顯的下降，保持超疏水性長期穩(wěn)定，提高了超疏水自清潔表面的持久性。實(shí)施例2 改善碳納米管薄膜超疏水表面穩(wěn)定性
1、通過化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備出具有陣列結(jié)構(gòu)的碳納米管薄膜，為掌握該表面的潤濕性，先采用接觸角測試儀測定了水的在該表面的接觸角，該表面與水的接觸角為 153 士 3. 6 ，滾動角測試結(jié)果表明水滴在該表面的滾動角為7 ;過30 min后，再測量該表面的接觸角和滾動角分別為117士2. 3 ？？和17 ；觀察水滴在25min左右就完全滲透到超疏水陣列納米薄膜空隙中。表明所制備的陣列碳納米管的超疏水性穩(wěn)定性很差。2、清洗陣列碳納米管薄膜表面的污染物、吸附物。清洗步驟主要是用超聲波對氧化鋅納米棒薄膜進(jìn)行清洗，先以丙酮為清洗劑，時(shí)間150 s，然后以去離子水為清洗劑，清洗 8 min，用無水乙醇去水，再用吹風(fēng)機(jī)將該薄膜吹干備用。3、進(jìn)行等離子體清洗工藝，目的是為了提高膜的附著力，改善表面的粘著性和潤滑性。首先將真空室放氣后，打開真空室，把清洗好的納米陣列薄膜放在下電極板上；關(guān)閉真空室，開始抽氣，當(dāng)系統(tǒng)真空度穩(wěn)定后，向真空室內(nèi)通入氬氣；氬氣的流量穩(wěn)定后，打開射頻電源板壓開關(guān)，調(diào)整射頻功率為60 W，調(diào)節(jié)匹配電容，使發(fā)射功率最小，用Ar離子對薄膜清洗10 min。4、等離子體清洗后，打開電源使熱絲通電進(jìn)行預(yù)熱，至650°C，通入六氟環(huán)氧丙烷和磺?；⊥闅怏w，氣體流量之比為六氟環(huán)氧丙烷流量磺?；⊥闅怏w流量 =24: 8 sccm，調(diào)整射頻功率，射頻功率值100 W，真空度為80 Pa，六氟環(huán)氧丙烷氣體裂解成二氟卡賓自由基，并在磺?；⊥榫酆弦l(fā)劑促進(jìn)下聚合成聚四氟乙烯沉積在納米陣列薄膜上。5、為評價(jià)獲得的改善后的陣列碳納米管超疏水表面的穩(wěn)定性，連續(xù)選擇1天后、2 天后……..10天后測試其表面的接觸角和滾動角。結(jié)果表明，改善后的陣列碳納米管薄膜的接觸角從153士3. 6 增加到165士3. 1 ，滾動角從7 減小到3. 7 ，超疏水性增強(qiáng)；在長時(shí)間的使用過程中，該超疏水性表面對水的接觸角隨使用時(shí)間的延長沒有觀察到明顯的下降，保持超疏水性長期穩(wěn)定，提高了超疏水自清潔表面的持久性。實(shí)施例3 改善多孔納米陣列氧化鋁薄膜超疏水表面穩(wěn)定性
1、通過陽極氧化技術(shù)制備出陣列結(jié)構(gòu)的多孔納米氧化鋁薄膜，為掌握該表面的
5潤濕性，先采用接觸角測試儀測定了水的在該表面的接觸角，該表面與水的接觸角為巧4士 1.8 ，滾動角測試結(jié)果表明水滴在該表面的滾動角為10 ；過30 min后，再測量該表面的接觸角和滾動角分別為127士4. 1 ？ 和19 ；觀察水滴在50 min左右就完全滲透到超疏水陣列納米薄膜空隙中。表明所制備的多孔納米陣列氧化鋁薄膜的超疏水性穩(wěn)定性較差。2、清洗陣列多孔納米氧化鋁薄膜表面的污染物、吸附物。清洗步驟主要是用超聲波對氧化鋅納米棒薄膜進(jìn)行清洗，先以丙酮為清洗劑，時(shí)間90 s，然后以去離子水為清洗劑，清洗10 min，用無水乙醇去水，再用吹風(fēng)機(jī)將該薄膜吹干備用。3、進(jìn)行等離子體清洗工藝，目的是為了提高膜的附著力，改善表面的粘著性和潤滑性。首先將真空室放氣后，打開真空室，把清洗好的納米陣列薄膜放在下電極板上；關(guān)閉真空室，開始抽氣，當(dāng)系統(tǒng)真空度穩(wěn)定后，向真空室內(nèi)通入氬氣；氬氣的流量穩(wěn)定后，打開射頻電源板壓開關(guān)，調(diào)整射頻功率為30 W，調(diào)節(jié)匹配電容，使發(fā)射功率最小，用Ar離子對薄膜清洗20 min。4、等離子體清洗后，打開電源使熱絲通電進(jìn)行預(yù)熱，至400°C，通入六氟環(huán)氧丙烷和磺?；⊥闅怏w，氣體流量之比為六氟環(huán)氧丙烷流量磺?；⊥闅怏w流量 =24: 9 sccm，調(diào)整射頻功率，射頻功率值70 W，真空度為70 Pa，六氟環(huán)氧丙烷氣體裂解成二氟卡賓自由基，并在磺?；⊥榫酆弦l(fā)劑促進(jìn)下聚合成聚四氟乙烯沉積在納米陣列薄膜上。5、為評價(jià)獲得的改善后的多孔納米陣列氧化鋁薄膜超疏水表面的穩(wěn)定性，連續(xù)選擇1天后、2天后……..10天后測試其表面的接觸角和滾動角。結(jié)果表明，改善后的多孔納米陣列氧化鋁薄膜的接觸角從巧4士 1. 8 增加到162士2. 4 ，滾動角從10 減小到5 ， 超疏水性增強(qiáng)；在長時(shí)間的使用過程中，該超疏水性表面對水的接觸角隨使用時(shí)間的延長沒有觀察到明顯的下降，保持超疏水性長期穩(wěn)定，提高了超疏水自清潔表面的持久性。實(shí)施例4 改善硅基納米陣列薄膜超疏水表面穩(wěn)定性
1、通過飛秒激光技術(shù)在硅基表面上加工出陣列結(jié)構(gòu)的納米方柱，為掌握該表面的潤濕性，先采用接觸角測試儀測定了水的在該表面的接觸角，該表面與水的接觸角為 151 士2. 4 ，滾動角測試結(jié)果表明水滴在該表面的滾動角為12 ;過30 min后，再測量該表面的接觸角和滾動角分別為117士3. 2 ？？和21 ;觀察水滴在45 min左右就完全滲透到超疏水陣列納米薄膜空隙中。表明所加工的硅基納米陣列薄膜的超疏水性穩(wěn)定性較差。2、清洗硅基納米方柱陣列薄膜表面的污染物、吸附物和氧化物。清洗步驟主要是用超聲波對納米陣列方柱薄膜進(jìn)行清洗，先以丙酮為清洗劑，時(shí)間90 s，然后以去離子水為清洗劑，清洗6 min，用無水乙醇去水，再用吹風(fēng)機(jī)將該薄膜吹干備用。3、進(jìn)行等離子體清洗工藝，目的是為了提高膜的附著力，改善表面的粘著性和潤滑性。首先將真空室放氣后，打開真空室，把清洗好的納米陣列薄膜放在下電極板上；關(guān)閉真空室，開始抽氣，當(dāng)系統(tǒng)真空度穩(wěn)定后，向真空室內(nèi)通入氬氣；氬氣的流量穩(wěn)定后，打開射頻電源板壓開關(guān)，調(diào)整射頻功率為70 W，調(diào)節(jié)匹配電容，使發(fā)射功率最小，用Ar離子對薄膜清洗10 min。4、等離子體清洗后，打開電源使熱絲通電進(jìn)行預(yù)熱，至450°C，通入六氟環(huán)氧丙烷和磺?；⊥闅怏w，氣體流量之比為六氟環(huán)氧丙烷流量磺酰基氟化丁烷氣體流量=24: 12 sccm，調(diào)整射頻功率，射頻功率值60，真空度為70 Pa，六氟環(huán)氧丙烷氣體裂解成二氟卡賓自由基，并在磺?；⊥榫酆弦l(fā)劑促進(jìn)下聚合成聚四氟乙烯沉積在納米陣列薄膜上。5、為評價(jià)獲得的改善后的硅基納米方柱陣列薄膜超疏水表面的穩(wěn)定性，連續(xù)選擇 1天后、2天后……..10天后測試其表面的接觸角和滾動角。結(jié)果表明，改善后的陣列納米方柱硅薄膜的接觸角從151 士2. 4 ？ 增加到160士2. 7 ，滾動角從12 減小到4. 0 , 超疏水性增強(qiáng)；在長時(shí)間的使用過程中，該超疏水性表面對水的接觸角隨使用時(shí)間的延長沒有觀察到明顯的下降，保持超疏水性長期穩(wěn)定，提高了超疏水自清潔表面的持久性。實(shí)施例5:
本實(shí)施例是對采用飛秒激光技術(shù)在二氧化硅表面上加工出納米陣列結(jié)構(gòu)的超疏水穩(wěn)定性進(jìn)行改善，步驟2中用丙酮清洗300 s，然后以去離子水清洗IOmin ；步驟3中向真空室內(nèi)通入氬氣時(shí)，射頻功率為30 W，用Ar離子對薄膜清洗1 min;步驟4預(yù)熱至500°C，通入六氟環(huán)氧丙烷和磺?；⊥闅怏w，氣體流量之比為六氟環(huán)氧丙烷流量磺?；⊥闅怏w流量=24: 6 sccm，調(diào)整射頻功率為90 W，真空度為100 Pa，其步驟及工藝參數(shù)與實(shí)施例4相同。實(shí)施例6:
本實(shí)施例是對采用飛秒激光技術(shù)在鋁基表面上加工出納米陣列結(jié)構(gòu)的超疏水穩(wěn)定性進(jìn)行改善，步驟2中用丙酮清洗30 s，然后以去離子水清洗Smin ；步驟3中向真空室內(nèi)通入氬氣時(shí)射頻功率為40 W，用Ar離子對薄膜清洗15 min ；步驟4預(yù)熱至600°C，通入六氟環(huán)氧丙烷和磺?；⊥闅怏w，氣體流量之比為六氟環(huán)氧丙烷流量磺?；⊥闅怏w流量=24: 6 sccm，調(diào)整射頻功率為150 W，真空度為65 Pa，其步驟及工藝參數(shù)與實(shí)施例 2相同。實(shí)施例7:
本實(shí)施例是對采用飛秒激光技術(shù)在鋁合金表面上加工出納米陣列結(jié)構(gòu)的超疏水穩(wěn)定性進(jìn)行改善，步驟2中用丙酮清洗40 s，然后以去離子水清洗5min;步驟3中向真空室內(nèi)通入氬氣時(shí)射頻功率為40 W，用Ar離子對薄膜清洗Smin ；步驟4預(yù)熱至400°C，通入六氟環(huán)氧丙烷和磺?；⊥闅怏w，氣體流量之比為六氟環(huán)氧丙烷流量磺?；⊥闅怏w流量=24: 6 sccm，調(diào)整射頻功率為90 W，真空度為60 Pa，其步驟及工藝參數(shù)與實(shí)施例1 相同。實(shí)施例8
本實(shí)施例是對采用飛秒激光技術(shù)在鋁合金表面上加工出納米陣列結(jié)構(gòu)的超疏水穩(wěn)定性進(jìn)行改善，步驟2中用丙酮清洗40s，然后以去離子水清洗IOmin ；步驟3中向真空室內(nèi)通入氬氣時(shí)射頻功率為50W，用Ar離子對薄膜清洗12 min ；步驟4預(yù)熱至500°C，通入六氟環(huán)氧丙烷和磺?；⊥闅怏w，氣體流量之比為六氟環(huán)氧丙烷流量磺?；⊥闅怏w流量=24: 5 sccm，調(diào)整射頻功率為80 W，真空度為120 Pa，其步驟及工藝參數(shù)與實(shí)施例 4相同。
權(quán)利要求
1.一種改善納米陣列薄膜超疏水穩(wěn)定性的方法，其特征在于包括以下步驟1)清洗以去除超疏水納米陣列薄膜材料的污染物、吸附物或表面的氧化物；2)進(jìn)行等離子體清洗，以提高納米陣列薄膜的附著力，改善表面的粘著性和潤滑性；3 )等離子體清洗后，打開電源使熱絲通電進(jìn)行預(yù)熱，至400飛50 V，通入六氟環(huán)氧丙烷和聚合引發(fā)劑磺?；⊥闅怏w，氣體流量之比為六氟環(huán)氧丙烷流量磺?；⊥闅怏w流量=(24:3) (24 12) sccm，調(diào)整射頻功率，射頻功率值8(Γ150 W，真空度為6(Tl20 Pa，六氟環(huán)氧丙烷氣體裂解成二氟卡賓自由基，并在磺?；⊥樽饔孟戮酆铣删鬯姆蚁┏练e在納米陣列薄膜上。
2.如權(quán)利要求1所述的改善納米陣列薄膜超疏水穩(wěn)定性的方法，其特征在于步驟1) 采用超聲波對納米陣列薄膜進(jìn)行清洗，先以丙酮為清洗劑，時(shí)間0. 5^5 min，然后以去離子水為清洗劑，清洗5 10 min，用無水乙醇去水，再用吹風(fēng)機(jī)將薄膜吹干備用。
3.如權(quán)利要求1所述的改善納米陣列薄膜超疏水穩(wěn)定性的方法，其特征在于等離子體清洗步驟為將真空室放氣后，打開真空室，把步驟1)中清洗好的納米陣列薄膜放在下電極板上；關(guān)閉真空室，開始抽氣，當(dāng)系統(tǒng)真空度穩(wěn)定后，向真空室內(nèi)通入氬氣；氬氣的流量穩(wěn)定后，打開射頻電源板壓開關(guān)，調(diào)整射頻功率為3(Γ70 W，調(diào)節(jié)匹配電容，使發(fā)射功率最小，用Ar離子對薄膜清洗廣20 min。
4.如權(quán)利要求1或2或3所述的改善納米陣列薄膜超疏水穩(wěn)定性方法，其特征在于 所述的超疏水納米陣列薄膜材料為化學(xué)氣相沉積制備的峰房狀、柱狀和島狀的陣列碳納米管薄膜，或氣相運(yùn)輸制備的棒狀、錐狀和釘狀的陣列納米氧化鋅，或陽極氧化制備的多孔納米陣列氧化鋁薄膜，或飛秒激光在硅、二氧化硅、玻璃、金屬及其合金表面刻蝕出的納米陣列結(jié)構(gòu)薄膜。
全文摘要
本發(fā)明公布了一種改善納米陣列薄膜超疏水穩(wěn)定性的方法，步驟如下將納米陣列薄膜清洗后放入反應(yīng)室，反應(yīng)室抽真空，利用電場提供高能量等離子體，通過熱絲控制反應(yīng)溫度，向真空室內(nèi)通入六氟環(huán)氧丙烷(HFPO)和磺?；⊥榈幕旌蠚怏w，通入氣體流量為六氟環(huán)氧丙烷流量磺?；⊥闅怏w流量=(24:3)~(24:12)sccm，在納米陣列薄膜上聚合沉積聚四氟乙烯納米膜。經(jīng)本發(fā)明方法處理后的納米陣列薄膜超疏水材料，水滴不會再滲透到納米陣列薄膜空隙中；在長期的使用過程中，超疏水表面對水的接觸角和滾動角隨使用時(shí)間的延長沒有觀察到明顯的下降和增加，保持了超疏水性長期穩(wěn)定，提高了超疏水自清潔表面的持久性。
文檔編號C23C16/56GK102312226SQ201110299349
公開日2012年1月11日 申請日期2011年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月29日
發(fā)明者李剛 申請人:華東交通大學(xué)