專利名稱：真空鍍膜件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種真空鍍膜件及其制造方法制造。
背景技術(shù)：
真空鍍膜技術(shù)是一個(gè)環(huán)保的成膜技術(shù)。以真空鍍膜的方式所形成的膜層具有高硬度、高耐磨性、良好的化學(xué)穩(wěn)定性、與基體結(jié)合牢固以及亮麗的金屬外觀等優(yōu)點(diǎn)，因此真空鍍膜在裝飾性表面處理領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣。但真空鍍膜技術(shù)也具有一定的局限性，在制造純黑色膜層過程中容易出現(xiàn)異色、黑中帶藍(lán)或黑中帶紅等現(xiàn)象，如此嚴(yán)重影響了黑色膜層的美觀。目前已見報(bào)道的黑色膜層L值(即明度值)最佳只能達(dá)到35左右，為了得到更純的黑色繼續(xù)降低膜層的L值存在較大難度。因此，開發(fā)一種L值較低的黑色鍍膜件實(shí)為必要。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種L值較低的黑色的真空鍍膜件。另外，還提供一種上述真空鍍膜件的制造方法。一種真空鍍膜件，包括一基體及一形成于基體上的顏色層，該顏色層為一碳氧化鈦鋁層，該顏色層呈現(xiàn)的色度區(qū)于CIE LAB表色系統(tǒng)的L*坐標(biāo)介于觀至32之間，a*坐標(biāo)介于-1至1之間，b*坐標(biāo)介于-1至1之間。一種真空鍍膜件的制造方法，包括以下步驟提供一基體；使用一鈦靶及一鋁靶，通入流量為15 20SCCm的氧氣及流量為15 20sCCm的乙炔氣體，通過磁控濺射鍍膜方法在基體上形成一顏色層，該顏色層為一 TiAlOC層，其厚度為0. 3 1 μ m，呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE LAB表色系統(tǒng)的L*坐標(biāo)介于28至32之間，a*坐標(biāo)介于-1至1之間，b*坐標(biāo)介于-1至1之間。相較于現(xiàn)有技術(shù)，上述真空鍍膜件的制造方法，采用鈦靶與鋁靶作為靶材，通過對(duì)反應(yīng)氣體氮?dú)饧耙胰矚怏w的流量控制來改變顏色層的成分，從而使顏色層的L*坐標(biāo)介于觀至32之間，呈現(xiàn)出純正的黑色。以該方法所制得的真空鍍膜件可呈現(xiàn)出具吸引力的純黑色的金屬外觀。


圖1為本發(fā)明較佳實(shí)施例的真空鍍膜件的剖視示意圖。主要元件符號(hào)說明真空鍍膜件 10基體11襯底層13顏色層1具體實(shí)施例方式本發(fā)明的真空鍍膜件可以為電子裝置外殼，也可以為眼鏡邊框、鐘表外殼、金屬衛(wèi)浴件及建筑用件等。圖1所示為本發(fā)明較佳實(shí)施例的真空鍍膜件10，其包括一基體11、一襯底層13及一顏色層15。襯底層13直接與基體11結(jié)合，顏色層15形成于襯底層13的表面?；w11的材質(zhì)可以為金屬、玻璃、陶瓷或塑料。襯底層13形成于基體11與顏色層15之間，以增強(qiáng)顏色層15于基體11上的附著力。襯底層13可為一鈦層或其它可提供附著效果的涂層。襯底層13的厚度大約為0.01 O-Ium0襯底層13的顏色以不影響顏色層顏色的色調(diào)為佳，比如可為銀色、白色及灰白色等淺色調(diào)。顏色層15為一碳氧化鈦鋁(TiAWC)層。該顏色層15呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE LAB 表色系統(tǒng)的L*坐標(biāo)介于28至32之間，a*坐標(biāo)介于_1至1之間，b*坐標(biāo)介于_1至1之間， 呈現(xiàn)出黑色。該顏色層15的厚度大約為0. 3 1 μ m。 上述真空鍍膜件10的制造方法主要包括如下步驟提供一基體11，并將基體11放入盛裝有乙醇及/或丙酮溶液的超聲波清洗器中進(jìn)行震動(dòng)清洗，以除去基體11表面的雜質(zhì)和油污。清洗完畢后烘干備用。所述基體11的材質(zhì)可以為金屬、玻璃、陶瓷或塑料。再對(duì)基體11的表面進(jìn)行氬氣等離子清洗，進(jìn)一步去除基體11表面的油污，以改善基體11表面與后續(xù)涂層的結(jié)合力。對(duì)基體11的表面進(jìn)行氬氣等離子清洗的方法包括如下步驟將基體11放入一中頻磁控濺射鍍膜機(jī)的真空室內(nèi)的工件架上，抽真空該真空室至真空度為8. OX 10_3pa，以300 600sCCm(標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)毫升/分鐘)的流量向真空室內(nèi)通入純度為99. 999%的氬氣，于基體11施加-300 -800V的偏壓，對(duì)基體11表面進(jìn)行等離子清洗，清洗時(shí)間為5 lOmin。采用磁控濺射的方式在基體11上形成一襯底層13。該襯底層13為一鈦層。形成該襯底層13的具體操作方法及工藝參數(shù)為在所述等離子清洗完成后，調(diào)節(jié)氬氣流量至 10 200SCCm，加熱該真空室至50 180°C，并設(shè)置工件架的公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為1 4rpm，優(yōu)選為3rpm ；開啟已置于中頻磁控濺射鍍膜機(jī)中的一鈦靶的電源，設(shè)置鈦靶的電源功率為5 Ilkw,并對(duì)基體11施加-50 -200V的偏壓，沉積襯底層13。沉積該襯底層13的時(shí)間為 3 IOmin0形成該襯底層13后，向真空室內(nèi)通入15 20SCCm的純度為99. 99%的氧氣及 15 20sccm的純度為99. 8%的乙炔氣體，施加-50 -200V的偏壓于基體11上；同時(shí)開啟鈦靶與鋁靶，對(duì)基體11繼續(xù)鍍膜，以在襯底層13上鍍覆一顏色層15，該顏色層15為一 TiAlOC層。沉積該顏色層15的時(shí)間為10 60min。所述鈦靶與鋁靶的電源功率均設(shè)置為 5 Ilkw0所述顏色層15呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE LAB表色系統(tǒng)的L*坐標(biāo)介于觀至32之間， a*坐標(biāo)介于-1至1之間，b*坐標(biāo)介于-1至1之間，呈現(xiàn)出黑色。上述真空鍍膜件的制造方法，采用鈦靶與鋁靶作為靶材，通過對(duì)反應(yīng)氣體氮?dú)饧耙胰矚怏w流量的控制來改變顏色層15的成分，從而使顏色層15的L*坐標(biāo)介于觀至32之間，呈現(xiàn)出純正的黑色。同時(shí)，通過選擇合適的偏壓，控制鈦原子、鋁原子、碳原子及氧原子的沉積速率，可增強(qiáng)顏色層15的致密性。另外，選擇合適的偏壓、乙炔與氧氣的流量，能夠保證較高的沉積速率，從而可進(jìn)一步提高該真空鍍膜件10的生產(chǎn)效率。
權(quán)利要求
1.一種真空鍍膜件，包括一基體及一形成于基體上的顏色層，其特征在于該顏色層為一碳氧化鈦鋁層，該顏色層呈現(xiàn)的色度區(qū)于CIE LAB表色系統(tǒng)的L*坐標(biāo)介于觀至32之間，a*坐標(biāo)介于-1至1之間，b*坐標(biāo)介于-1至1之間。
2.如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜件，其特征在于所述顏色層的厚度為0.3 1 μ m。
3.如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜件，其特征在于該真空鍍膜件還包括一形成于基體與顏色層之間的襯底層，該襯底層為一鈦層。
4.如權(quán)利要求3所述的真空鍍膜件，其特征在于該襯底層的厚度為0.01 0. 1 μ m。
5.如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜件，其特征在于該基體的材質(zhì)為金屬、玻璃、陶瓷及塑料中的一種。
6.一種真空鍍膜件的制造方法，包括以下步驟提供一基體；使用一鈦靶及一鋁靶，通入流量為15 20sCCm的氧氣及流量為15 20sCCm的乙炔氣體，通過磁控濺射鍍膜方法在基體上形成一顏色層，該顏色層為一 TiAlOC層，其厚度為 0. 3 1 μ m，呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE LAB表色系統(tǒng)的I；坐標(biāo)介于28至32之間，a*坐標(biāo)介于-1至1之間，b*坐標(biāo)介于-1至1之間。
7.如權(quán)利要求6所述的真空鍍膜件的制造方法，其特征在于在形成該顏色層的過程中，對(duì)基體施加-50 -200V的偏壓。
8.如權(quán)利要求7所述的真空鍍膜件的制造方法，其特征在于該顏色層的沉積時(shí)間為 10 60min，該顏色層的厚度為0. 3 1 μ m。
9.如權(quán)利要求6所述的真空鍍膜件的制造方法，其特征在于該真空鍍膜件的制造方法還包括在形成顏色層前在基體上鍍覆一鈦襯底層的步驟。
10.如權(quán)利要求9所述的真空鍍膜件的制造方法，其特征在于形成該鈦襯底層的工藝參數(shù)為以鈦靶及鋁靶為靶材，設(shè)置鈦靶與鋁靶的電源功率為5 llkw，氬氣的流 >量為10 200sccm，濺射溫度為50 180°C，公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為1 4rpm，對(duì)基體施加的偏壓為-50 -200V，沉積時(shí)間為3 IOmin0
全文摘要
本發(fā)明提供一種真空鍍膜件。該真空鍍膜件包括一基體及一形成于基體上的顏色層。該顏色層為一碳氧化鈦鋁層，該顏色層呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE LAB表色系統(tǒng)的L*坐標(biāo)介于28至32之間，a*坐標(biāo)介于-1至1之間，b*坐標(biāo)介于-1至1之間。本發(fā)明還提供一種上述真空鍍膜件的制造方法。本發(fā)明的真空鍍膜件呈現(xiàn)出黑色。
文檔編號(hào)C23C14/06GK102373412SQ20101025894
公開日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2010年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月20日
發(fā)明者張娟, 張新倍, 蔣煥梧, 陳文榮, 陳正士 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司