專利名稱：等離子體化學氣相淀積裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于微電子工藝設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，涉及薄膜淀積裝置，具體的說是一種等離 子體化學氣相淀積裝置。
技術(shù)背景等離子體化學氣相淀積技術(shù)是深亞微米微細加工技術(shù)的重要技術(shù)基礎(chǔ)之一。電子回旋 共振ECR是指當輸入的微波頻率(0等于電子回旋頻率COce時發(fā)生共振，微波能量耦合給電子，獲得能量的電子電離中性氣體分子產(chǎn)生放電的過程。通過調(diào)節(jié)磁場，使得在放電室的某一區(qū)域達到共振條件，這個區(qū)域稱為ECR區(qū)。當微波頻率為2.45GHz時，達到電子 回旋共振的磁感應(yīng)強度B=0.0875T。微波電子回旋共振化學氣相淀積ECRCVD技術(shù)與相 應(yīng)的設(shè)備技術(shù)是1980年代后期才逐歩發(fā)展起來的一種新型薄膜淀積技術(shù)。它是利用電子 在微波和磁場作用下的回旋共振效應(yīng)，產(chǎn)生高密度、高電離度的可控等離子體，從而進行 能量輔助化學氣相淀積。在半導體器件、微電子技術(shù)和光電子技術(shù)及相關(guān)學科技術(shù)領(lǐng)域的 許多方面都擁有極大的應(yīng)用前景。微波電子回旋共振等離子體化學氣相淀積技術(shù)是國際上80年代后期才發(fā)展起來的一 種新的薄膜加工方法，目前只有美國、日本等少數(shù)發(fā)達國家掌握。國外知名ECR設(shè)備生 產(chǎn)廠商提供的ECRCVD設(shè)備，以NEXX Systems的產(chǎn)品Cirrus300為例，等離子體密度可 以達到5X10ncm—3;離子能量約10 20eV;微波源頻率為2.45GHz，功率0至Ul.2kW可 調(diào)；工藝設(shè)備部件采用微機控制方式，工藝部件自動化程度較高；淀積速率可以達到約為 100nm/min;但是該設(shè)備的不足之處是采用電磁線圈磁場，能耗較高，成本昂貴，且晶片 加工面積和均勻性不能滿足當前微電子技術(shù)的要求。國內(nèi)微波ECR等離子體源大多采用 同軸線圈型ECR磁場形式，其缺點是設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜，體積龐大；晶片加工面積較小，可 加工晶片直徑局限在2 4英寸；淀積速率較低， 一般小于60nm/min;自動化程度低，大 多為手動控制方式，不具備批量規(guī)模生產(chǎn)的能力，尚未出現(xiàn)應(yīng)用于規(guī)模生產(chǎn)的商品化產(chǎn)品。 實用新型的內(nèi)容本實用新型的目的在于克服上述己有技術(shù)的不足，提供一種淀積速率高、大面積均勻、 結(jié)構(gòu)簡單、可穩(wěn)定運行和參數(shù)易于控制的微波電子回旋共振等離子體化學氣相淀積裝置。本實用新型目的是這樣實現(xiàn)的本實用新型利用微波通過錐形同軸開口電介質(zhì)空腔產(chǎn)生表面波，采用新型高磁能積 Nd-Fe-B稀土永磁磁鋼并合理布局形成高強磁場，通過共振磁場區(qū)域內(nèi)電子回旋共振效應(yīng)，產(chǎn)生大面積、均勻、高密度等離子體，通過微機控制方式控制薄膜淀積工藝流程。整 個裝置包括微波功率源及傳輸部件、微波諧振腔體、工藝室與樣品臺部件、真空部件、 氣路部件，其特征在于微波功率源及傳輸部件設(shè)有矩形一同軸波導轉(zhuǎn)換器和微波諧振腔 同軸波導;微波諧振腔體由上圓波導一錐形波導一下圓波導三段組成，底部設(shè)有介質(zhì)窗； 工藝室與樣品臺部件設(shè)有承片部件和加熱部件；該工藝室與樣品臺部件連接有自動傳片部 件；所述的微波諧振腔體、真空部件、自動傳片部件、氣路部件分別與工藝室與樣品臺部 件相連，所述的每個部件均通過控制部件連接控制。所述的介質(zhì)窗上設(shè)有磁場部件，該磁場部件采用永磁磁鐵形成環(huán)形相間排列結(jié)構(gòu)并固 定在無磁模板上。 '所述的自動傳片部件包括預(yù)真空室、傳片機械手、承片部件、置片片盒、取片片盒、 置片片盒升降機構(gòu)、取片片盒升降機構(gòu)，該傳片機械手分別與取片片盒和置片片盒連接， 并通過矩形閥與工藝室與樣品臺部件中的工藝室連接，該置片片盒和取片片盒放置在預(yù)真 空室內(nèi)。所述的承片部件包括轉(zhuǎn)動螺桿、傳動螺桿、承載臺；該轉(zhuǎn)動螺桿兩端分別與轉(zhuǎn)動電機 和傳動螺桿相連，傳動螺桿頂端固定在承載臺中心。所述的微波諧振腔體的下圓波導依次固定有法蘭盤、無磁托盤；所述的磁場部件放置 在該無磁托盤上。所述的法蘭盤中間設(shè)有窗口，所述的介質(zhì)窗覆蓋在該窗口上，該法蘭盤與工藝室連接。 所述的采用永磁磁鐵形成環(huán)形相間排列結(jié)構(gòu)，是將三圈永磁磁鐵由內(nèi)向外按不同半徑 和角度等間隔固定在無磁模板上，即 R,:R2:R產(chǎn)1:2:3， 61:92:03=4:2:1 。所述的控制部件包括上位機、模擬量微控制器、數(shù)字量微控制器、智能儀表控制單元、 模擬信號控制部件、數(shù)字信號控制部件、智能儀表，該上位機通過網(wǎng)絡(luò)分別與模擬量微控 制器、數(shù)字量微控制器、智能儀表控制單元連接，該數(shù)字量微控制器與數(shù)字信號控制部件 相連，該模擬量微控制器與模擬信號控制部件相連，該智能儀表控制單元與智能儀表相連。本實用新型的優(yōu)點如下(1) 由于采用環(huán)形相間排列的三組磁鋼和處于圓心位置的磁鋼，可以方便地獲得較 為均勻的平面分布式永磁磁場，不僅減小了設(shè)備體積，且降低了功耗。(2) 由于采用上圓波導一錐形波導一下圓波導三段一體結(jié)構(gòu)的微波諧振腔體，利于 形成大面積微波電磁場，使等離子體加工面積大，均勻性好；同時由于采用扼流圈部件，防止了微波泄漏；此外，由于采用法蘭盤、扼流圈、托盤的組合結(jié)構(gòu)，因此該微波諧振腔 可以方便拆卸、易于維修。(3) 由于采用了自動傳片部件，提高了自動化程度和生產(chǎn)效率。(4) 由于控制部件采用微機控制方式，不僅增強了自動化程度和生產(chǎn)效率，提高了 工藝穩(wěn)定性和重復(fù)性好，而且有利于異常情況的處理。(5) 淀積速率高、運行穩(wěn)定、可靠性好。測試結(jié)果表明本實用新型ECR磁場距離磁鋼表面3cm處磁場強度達到875Gs; ECR 區(qū)達到cD300毫米，等離子體密度》lXI0、m—3，電子能量約15ev; 0>200英寸晶片最大 批處理量為25片，生產(chǎn)效率》20片/小時；溫度從室溫 30(TC可控，控制精度土rC，保 持精度±1° ;微波源頻率為2.45GHZ,功率為0 3KW連續(xù)可調(diào)；距裝置5cm處微波泄 漏能-lmW/cm2;反應(yīng)室本底真空優(yōu)于5.0xl0—spa,通入工藝氣體后動態(tài)真空1.33x101 5xlO—2Pa，氣路部件漏率《1.0x10—9 Torr L/Sec;可以在室溫下高速淀積大面積均勻的優(yōu) 質(zhì)SiNx、 Si02、 SK^Ny等介質(zhì)薄膜，典型情況下0200基片上均勻性優(yōu)于95%,重復(fù)性優(yōu) 于95%，淀積速率高于100nm/min。

圖1是本實用新型微波ECRCVD裝置總體結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本實用新型的微波源與傳輸部件結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是本實用新型的微波諧振腔體的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4本實用新型采用的磁場部件結(jié)構(gòu)示意圖，其中圖4a為磁場部件橫截面結(jié)構(gòu)示意圖，圖4b為無磁模板結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本實用新型真空部件組成示意圖； 圖6是本實用新型氣路部件組成示意圖；圖7是本實用新型的自動傳片部件組成示意圖，其中圖7a為自動傳片部件整體結(jié)構(gòu) 示意圖，圖7b為機械手結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本實用新型工藝室與樣品臺部件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9是本實用新型控制部件的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型做進一歩詳細描述。參見圖l,本實用新型的微波電子回旋共振等離子體化學氣相淀積裝置包括，微波功 率源及傳輸部件101、微波諧振腔體102、工藝室與樣品臺部件103、真空部件104、氣路部件105、自動傳片部件106、控制部件107。其中各部件的結(jié)構(gòu)如圖2 圖9所示。參照圖2，該微波功率源及傳輸部件101由微波發(fā)生器201、環(huán)流器202、水負載203、 功率計204、定向耦合器205、銷釘調(diào)配器206、短路活塞207、矩形波導管208、矩形一 同軸波導轉(zhuǎn)換器209和微波諧振腔同軸波導210組成。各部分的連接關(guān)系為矩形波導管 208從左向右依次分別與微波發(fā)生器201、環(huán)流器202、定向耦合器205、銷釘匹配器206、 矩形一 同軸波導轉(zhuǎn)換器連接209、短路活塞207連接;環(huán)流器202的反射端連接水負載203; 功率計204與定向耦合器205連接；矩形一同軸波導轉(zhuǎn)換器209與微波諧振腔同軸波導 210連接。微波發(fā)生器201采用WY50002-1C型連續(xù)波磁控管微波源，該功率源產(chǎn)生的微 波經(jīng)環(huán)流器202、水負載203、功率計204、定向耦合器205，銷釘調(diào)配器206及短路活塞 207調(diào)節(jié)負載匹配及反射功率，由BJ-26矩形波導208和矩形-同軸波導轉(zhuǎn)換器209輸送到 微波諧振腔同軸波導210中。該部件為微波諧振腔激發(fā)產(chǎn)生電場輸送能量。參照圖3，該微波諧振腔體102由同軸波導210、介質(zhì)窗303構(gòu)成。同軸波導210采 用上圓波導301和錐形波導302組成的一體結(jié)構(gòu)，該同軸波導210下方固定有法蘭盤312， 法蘭盤312上固定有介質(zhì)窗303，介質(zhì)窗303上設(shè)有無磁托盤307，無磁托盤307上設(shè)有 磁場部件306,該無磁托盤307與同軸波導內(nèi)導體309之間通過扼流圈305連接。其工作 過程為微波功率源輸出2.45GHz的微波，經(jīng)傳輸回路引入到諧振腔開口面附近的固定 圈308和介質(zhì)窗303上，微波的輸運由介質(zhì)窗303的外緣向中心移動，從而在工藝室一側(cè) 的介質(zhì)窗303表面激發(fā)表面波并形成均勻的電場分布。該同軸波導210是由圓波導管和錐 形波導管組成的一體結(jié)構(gòu)，包括上圓波導301、錐形波導302和下圓波導313三段波導管， 即由一個外徑為21mm的內(nèi)導體和內(nèi)徑為49mm的外導體構(gòu)成的上圓波導301以四十五 度角擴展成錐形波導302，和一個由外徑為304mm的內(nèi)導體和內(nèi)徑為344mm的外導體構(gòu) 成的下圓波導313，以便生成大口徑微波電場。波導管采用不銹鋼材料，內(nèi)壁鍍有黃銅。 該法蘭盤312中間開有圓形窗口，該窗口上方外側(cè)開有密封槽304。該密封槽304中設(shè)有 密封圈，密封槽和密封圈保證了ECR反應(yīng)室的真空度。法蘭盤312的上外緣與錐形波導 302的下外緣通過螺紋310連接，法蘭盤312的下外緣與工藝室的上外緣通過螺紋311連 接，以便拆卸維修。法蘭盤312采用不銹鋼材料，內(nèi)壁鍍有黃銅。該介質(zhì)窗303為采用陶 瓷或石英材料的圓板，其半徑大于法蘭盤圓形窗口半徑和密封槽304槽寬之和。該介質(zhì)窗 303放置在密封槽304上方，介質(zhì)窗303和法蘭盤312內(nèi)壁之間通過橡膠圈308固定。該 無磁托盤307放置在介質(zhì)窗312上方，通過扼流圈305與同軸波導內(nèi)導體309固定，該無 磁托盤307上放置磁場部件306。該扼流圈305焊接在托盤307上，以防止微波泄漏。該磁場部件306包括無磁模板401、永磁磁鐵402、屏蔽板403,磁鐵402固定在無磁模板 401上，通過環(huán)形相間排列形成大面積高強度永磁磁場，無磁模板401下方設(shè)有屏蔽板403， 該屏蔽板403通過磁鐵的吸力與無磁模板401固定為一體，如圖4a所示。磁鐵402的形 狀包括梯形磁鐵和圓形磁鐵，均采用Nd-Fe-B永磁材料，表面磁場強度為5特斯拉。無 磁模板401為圓盤形狀，圓心處設(shè)有圓形固定孔404，圓周等間隔分布三圈梯形固定孔405， 如圖4b所示。該三圈固定孔在圓盤上由圓心向外分別以角度60度，30度和15度等間隔 分布，三圈固定孔在圓盤上由圓心向外分別以半徑36毫米，72毫米和108毫米排列。將 安裝組合后的永磁部件306倒扣在ECR等離子體源的介質(zhì)窗303頂部的無磁托盤307上， 在ECR工藝室內(nèi)部形成符合ECR放電要求的永磁磁場。參照圖5，該真空部件104由第一分子泵501和第二分子泵502、第一初級真空機組 503和第二初級真空機組504、第一截至閥505和第二截至閥506、節(jié)流閥507、過濾器 508、門閥509、放氣閥510、復(fù)合式真空計511、管路、第一隔離閥513和第二隔離閥514 組成。其中，初級真空機組503通過管路與第一截至閥505相連，第一截至閥505通過管 路與第一分子泵501相連，第一分子泵501通過管路與第一隔離閥513相連，第一隔離閥 513通過管路與節(jié)流閥507相連，節(jié)流閥507通過管路與過濾器508相連，過濾器508通 過管路與工藝室809相連，工藝室809通過管路與矩形閥509相連，矩形閥509通過管路 與預(yù)真空室701相連，預(yù)真空室701通過管路與第二隔離閥514相連，第二隔離閥514 通過管路與第二分子泵502相連，第二分子泵502通過管路與第二截至閥506，第二截至 閥506通過管路與第二初級真空機組504相連；真空計511分別通過管路與工藝室809、 預(yù)真空室701、第一截至閥505、第二截至閥506相連；放氣閥510通過管路與第一截至 閥505相連。該第一分子泵501和第二分子泵502選用北京科學儀器研制中心生產(chǎn)的 F160/500型渦輪分子泵，第一初級真空機組503和第二初級真空機組504選用北京儀器 廠的JZJ-30機械增壓泵機組。真空計511采用成都儀表廠的ZDF-X型復(fù)合真空計，具有 雙路電阻、 一路電離復(fù)合測量能力，測量范圍為105 l(T6Pa，可滿足真空部件從大氣 10—Spa測量的要求，并可進行外圍設(shè)備控制。真空部件104本底真空度為lXl(T4Pa，工 藝動態(tài)真空在為lX10'2 10Pa，并可進行控制調(diào)節(jié)。該真空部件104為微波電子回旋共 振等離子體化學氣相淀積裝置提供真空工作環(huán)境。參照圖6，該氣路部件105共設(shè)六路氣路，由減壓閥、過濾器、截止閥、流量計、混 氣罐、氣流環(huán)、不銹鋼管路及氣路顯示與控制部件組成。每個氣路的各部分連接關(guān)系為 氣瓶通過管路與減壓閥連接，減壓閥通過管路與過濾器連接，過濾器通過管路與第一截至閥連接，第一截至閥通過管路與流量計連接，流量計通過管路與第二截至閥連接。氣路顯 示控制部分609包括質(zhì)量流量計和電磁閥的顯示控制單元，控制氣體管路的開通與閉合。 其中質(zhì)量流量控制器采用北京七零零廠D07-7AZM型產(chǎn)品，過濾器選用TF系列，電磁閥 采用上海閥門二廠GDC — 5型產(chǎn)品。氣體管路采用進口的外徑06mm316L雙面拋光不銹 鋼管，氣體管道連接均采用VCR接頭。每個氣路均通過管路與混氣罐607連接，混氣罐 607通過管路與工藝室809內(nèi)的氣流環(huán)608連接。該氣路部件105為淀積工藝提供定量的 工藝氣體來源。參照圖7,該自動傳片部件106包括傳片機械手702、矩形閥509、位于工藝室809 內(nèi)的樣品臺承片部件801，以及位于預(yù)真空室701內(nèi)的置片片盒703、取片片盒704、置 片片盒升降機構(gòu)705、取片片盒升降機構(gòu)706。傳片機械手702與取片片盒704和置片片 盒703連接，并通過矩形閥509與工藝室809連接。片盒703和704放置在預(yù)真空室701 內(nèi)，取片片盒704裝載襯底光片，置片片盒703裝載薄膜晶片。參照圖8，該工藝室與樣品臺部件103包括工藝室809、樣品臺802、樣品臺承片部 件801、旋轉(zhuǎn)部件810和加熱部件814。工藝室809前側(cè)設(shè)有觀察窗和門，工藝室809內(nèi) 部設(shè)有氣流環(huán)608和樣品臺802。該氣流環(huán)608為直徑為200mm的圓環(huán)，放置在工藝室 內(nèi)介質(zhì)窗303正下方lcm處，該圓環(huán)內(nèi)側(cè)壁上設(shè)有均勻分布的氣孔，氣孔直徑為0.5mm， 角度間隔為5°，進氣時，工作氣體從內(nèi)側(cè)壁上的氣孔中進入工藝室中，形成均勻的氣流 場分布。該樣品臺802包括直徑250mm、厚度10mm的空心圓盤頂板807和底座808， 圓盤側(cè)壁與底座808固定，頂板807固定在磁轉(zhuǎn)動螺桿811上，位于介質(zhì)窗303正下方 7cm處。底座808固定在工藝室中。該旋轉(zhuǎn)部件810由磁轉(zhuǎn)動螺桿811和磁傳動螺桿812 構(gòu)成，磁轉(zhuǎn)動螺桿811和磁傳動螺桿812之間為磁連接。工作時轉(zhuǎn)動電機813帶動磁傳動 螺桿812旋轉(zhuǎn)，并使得磁轉(zhuǎn)動螺桿811和磁傳動螺桿812之間的磁力作用旋轉(zhuǎn)。該樣品臺 承片部件801包括轉(zhuǎn)動螺桿804、傳動螺桿805、承載臺803;轉(zhuǎn)動螺桿804兩端分別與 轉(zhuǎn)動電機806和傳動螺桿805相連；傳動螺桿805頂端固定在承載臺803中心。該加熱部 件814由電阻絲、密封腔體、加熱控制部件構(gòu)成，采用封閉電阻加熱方式對樣片加熱，采 用熱電偶進行溫度測量，用計算機進行溫度的設(shè)定和控制。電阻絲設(shè)在密封腔體中，密封 腔體與加熱控制部件通過導線連接。工藝室與樣品臺部件103內(nèi)部的導線均采用同軸結(jié)構(gòu) 進行電屏蔽，并以石英板、石英筒和接地支架作為等離子體屏蔽以使等離子休局限于樣片 周圍。工藝室、樣品臺結(jié)構(gòu)材料選用無磁不銹鋼和耐高溫的絕緣材料，以保證清潔的真空， 防止污染。工藝室和樣品臺部件103向上通過螺釘311與微波諧振腔體102相接；向下經(jīng)下法蘭與過濾器508相連，上側(cè)通過氣流環(huán)608入口管路與混氣罐607連接，側(cè)面經(jīng)矩形 閥509與自動傳片部件106相連。該工藝室與樣品臺部件提供化學淀積反應(yīng)進行的腔體、 工藝所需的溫度和機械支撐，并完成樣片的旋轉(zhuǎn)和裝片動作。參照圖9,該控制部件107包括上位機卯l、模擬量微控制器902、數(shù)字量微控制器 903、智能儀表控制單元904、模擬信號控制部件905、數(shù)字信號控制部件906、智能儀表 907。硬件采用上/下位機網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)控制方式。上位機901選用研華IPC-6811工業(yè)控制計 算機，控制部件軟件平臺采用Windows98，控制軟件采用VB開發(fā)的可視化圖形界面軟件， 固化在工業(yè)控制計算機中。下位機采用大眾ND系列I/O模板及A/D模板。上位機901 通過485網(wǎng)絡(luò)與模擬量微控制器卯2、數(shù)字量微控制器903、智能儀表控制單元904連接， 數(shù)字量微控制器903與數(shù)字信號控制部件906相連，模擬量微控制器902與模擬信號控制 部件卯5相連，智能儀表控制單元904與智能儀表卯7相連。微機控制部件107完成對裝 置各個部件和分部件的自動控制。微機工作方式下，操作人員通過微機監(jiān)控界面完成工藝 操作，此時微機處于監(jiān)控狀態(tài)，完成操作任務(wù)的同時記錄工藝數(shù)據(jù)。上述微波諧振腔體102、真空部件104、氣路部件105、自動傳片部件106、分別與工 藝室103相連，微波功率源及傳輸部件101與微波諧振腔體102相連，控制部件107分別 與微波功率源及傳輸部件101、工藝室與樣品臺部件103、真空部件104、氣路部件105 相連，以控制各部件的工作狀態(tài)。
權(quán)利要求1.一種等離子體化學氣相淀積裝置，包括微波功率源及傳輸部件(101)、微波諧振腔體(102)、工藝室與樣品臺部件(103)、真空部件(104)、氣路部件(105)，其特征在于微波功率源及傳輸部件(101)設(shè)有矩形-同軸波導轉(zhuǎn)換器(209)和微波諧振腔同軸波導(210)；微波諧振腔體(102)由上圓波導(301)-錐形波導(302)-下圓波導(313)三段組成，底部設(shè)有介質(zhì)窗(303)；工藝室與樣品臺部件(103)設(shè)有承片部件(801)和加熱部件(814)；該工藝室與樣品臺部件(103)連接有自動傳片部件(106)；所述的微波諧振腔體(102)、真空部件(104)、自動傳片部件(106)、氣路部件(105)分別與工藝室與樣品臺部件(103)相連，所述的每個部件均通過控制部件(107)連接控制。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體化學氣相淀積裝置，其特征在于，介質(zhì)窗(303) 上設(shè)有磁場部件(306),該磁場部件采用永磁磁鐵(402)形成環(huán)形相間排列結(jié)構(gòu)并 固定在無磁模板(401)上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體化學氣相淀積裝置，其特征在于，自動傳片 部件(106)包括預(yù)真空室(701)、傳片機械手(702)、承片部件(801)、置片片盒(703)、取片片盒(704)、置片片盒升降機構(gòu)(705)、取片片盒升降機構(gòu)(706)，該 傳片機械手分別與取片片盒和置片片盒連接，并通過矩形閥(509)與工藝室與樣品 臺部件中的工藝室(809)連接，該置片片盒和取片片盒放置在預(yù)真空室(701)內(nèi)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體化學氣相淀積裝置，其特征在于，所述的承 片部件(801)包括轉(zhuǎn)動螺桿(804)、傳動螺桿(805)、承載臺(803);該轉(zhuǎn)動螺桿 兩端分別與轉(zhuǎn)動電機(810)和傳動螺桿相連，傳動螺桿頂端固定在承載臺中心。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體化學氣相淀積裝置，其特征在于，微波 諧振腔體(102)的下圓波導(313)依次固定有法蘭盤(312)、無磁托盤(307);所 述的磁場部件(306)放置在該無磁托盤上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的等離子體化學氣相淀積裝置，其特征在于，法蘭 盤(312)中間設(shè)有窗口，所述的介質(zhì)窗(303)覆蓋在該窗口上，該法蘭盤與工藝室(809)連接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體化學氣相淀積裝置，其特征在于，所述的采 用永磁磁鐵(402)形成環(huán)形相間排列結(jié)構(gòu)，是將三圈永磁磁鐵由內(nèi)向外按不同半徑 和角度等間隔固定在無磁模板(401)上，即R,:R2:R3^ 1:2:3， ^:^:93=4:2:1。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體化學氣相淀積裝置，其特征在于，所述的控 制部件(107)包括上位機(901)、模擬量微控制器(902)、數(shù)字量微控制器(903)、 智能儀表控制單元(904)、模擬信號控制部件(905)、數(shù)字信號控制部件(906)、智 能儀表(907)，該上位機通過網(wǎng)絡(luò)分別與模擬量微控制器、數(shù)字量微控制器、智能儀 表控制單元連接，該數(shù)字量微控制器與數(shù)字信號控制部件相連，該模擬量微控制器與 模擬信號控制部件相連，該智能儀表控制單元與智能儀表相連。
專利摘要本實用新型公開了一種等離子體化學氣相淀積裝置，該裝置包括微波功率源及傳輸部件101、微波諧振腔體102、工藝室與樣品臺部件103、真空部件104、氣路部件105、自動傳片部件106、控制部件107，其中，微波諧振腔體內(nèi)設(shè)有等間隔排列的磁場裝置306，樣品臺部件設(shè)在工藝室內(nèi)部，微波諧振腔體、真空部件、自動傳片部件分別與工藝室809相連，微波功率源及傳輸部件與微波諧振腔體相連，控制部件通過接口分別控制微波功率源及傳輸部件、工藝室與樣品臺部件、真空部件、氣路部件的工作狀態(tài)，完成薄膜的淀積工藝過程。本實用新型具有大面積均勻性好、淀積速率高、自動化程度和生產(chǎn)效率高、可靠性好、功耗小、穩(wěn)定性和重復(fù)性好的優(yōu)點，可用作制備微電子薄膜的設(shè)備。
文檔編號C23C16/511GK201121209SQ20072003264
公開日2008年9月24日 申請日期2007年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月31日
發(fā)明者付俊興, 俞書樂, 毅 劉, 吳振宇, 端 周, 李躍進, 楊銀堂, 柴常春, 汪家友 申請人:西安電子科技大學