常壓化學(xué)氣相淀積中的工藝流程控制方法及系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種常壓化學(xué)氣相淀積中的工藝流程控制方法及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體加工過程中，進行常壓化學(xué)氣相淀積(APCVD)的設(shè)備結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括兩個片盒(cassette) 1、第一機械手2、外閥3、交換腔(1adlock) 4、調(diào)整機構(gòu)(Aligner)5、內(nèi)閥6、傳輸腔(TC) 7、第二機械手8、門閥9及工藝腔(PM) 10。
[0003]其中，cassette中一般設(shè)置有25個放置晶片(wafer)的片槽,一般存放的wafer包括5寸、6寸和8寸；第一機械手負責(zé)對cassette進行掃片,在掃片過程中，cassette保持不動，第一機械手的機械手臂上安裝有一個紅外探頭，通過機械手臂的上下移動，來獲知cassette中wafer的存放信息，第一機械手可以從cassette、loadlock以及Aligner中取放片。外閥用于將1adlock與第一機械手隔離。1adlock內(nèi)只能存放一片wafer, 1adlock具有核查wafer和壓力控制的功能。內(nèi)閥用于將1adlock與第第二機械手隔離。第二機械手負責(zé)從1adlock和PM中取放wafer。PM中設(shè)置有存放wafer的托盤,對于不同尺寸的wafer,托盤上存放的wafer個數(shù)也不一致。PM用于對托盤上的wafer進行相應(yīng)的工藝操作。
[0004]現(xiàn)有的針對APCVD的工藝流程的控制方式，程序復(fù)雜，流程很不清晰，不利于對APCVD的Job進行監(jiān)控和維護。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有必要針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷和不足，提供一種程序簡單，流程清晰，便于對工藝流程進行監(jiān)控和維護的常壓化學(xué)氣相淀積中的工藝流程控制方法及系統(tǒng)。
[0006]為實現(xiàn)本發(fā)明目的而提供的常壓化學(xué)氣相淀積中的工藝流程控制方法，包括以下步驟:
[0007]S100，在工藝開始前，設(shè)置機臺的初始狀態(tài)為空閑狀態(tài)并進行H2吹掃；
[0008]S200，將工藝流程劃分為放片流程、工藝過程以及取片流程，其中，所述放片流程中包括放片前的準備動作、放片動作以及放片后的結(jié)束動作，所述取片流程中包括取片前的準備動作、取片動作以及取片后的結(jié)束動作，控制所述機臺依次執(zhí)行所述放片前的準備動作、放片動作、放片后的結(jié)束動作、工藝過程、取片前的準備動作、取片動作以及取片后的結(jié)束動作；
[0009]S300，在工藝結(jié)束后，設(shè)置所述機臺的結(jié)束狀態(tài)為空閑狀態(tài)并進行H2吹掃。
[0010]其中，所述放片前的準備動作為:在第一機械手從片盒中取第一片晶片之前，控制工藝腔進行H2吹掃，并且執(zhí)行找原點操作。
[0011]其中，所述放片后的結(jié)束動作為:在第二機械手將工藝所需的最后一片晶片傳輸?shù)焦に嚽恢泻?，關(guān)閉門閥，控制傳輸腔停止N2吹掃。
[0012]其中，所述取片前的準備動作為:在工藝腔執(zhí)行工藝后，且第二機械手從工藝腔中取第一片晶片之前，控制工藝腔進行H2吹掃，開啟門閥，控制傳輸腔進行N2吹掃。
[0013]其中，所述取片后的結(jié)束動作為:在第一機械手將工藝腔中最后一片晶片傳輸?shù)狡兄泻?，先關(guān)閉門閥，控制傳輸腔停止N2吹掃，然后，控制工藝腔執(zhí)行快速找原點操作。
[0014]相應(yīng)地，為實現(xiàn)本發(fā)明目的而提供的常壓化學(xué)氣相淀積中的工藝流程控制系統(tǒng)，包括第一設(shè)置模塊、控制模塊以及第二設(shè)置模塊；
[0015]所述第一設(shè)置模塊，用于在工藝開始前，設(shè)置機臺的初始狀態(tài)為空閑狀態(tài)并進行H2吹掃；
[0016]所述控制模塊，用于將工藝流程劃分為放片流程、工藝過程以及取片流程，其中，所述放片流程中包括放片前的準備動作、放片動作以及放片后的結(jié)束動作，所述取片流程中包括取片前的準備動作、取片動作以及取片后的結(jié)束動作，控制所述機臺依次執(zhí)行所述放片前的準備動作、放片動作、放片后的結(jié)束動作、工藝過程、取片前的準備動作、取片動作以及取片后的結(jié)束動作；
[0017]所述第二設(shè)置模塊，用于在工藝結(jié)束后，設(shè)置所述機臺的結(jié)束狀態(tài)為空閑狀態(tài)并進行H2吹掃。
[0018]其中，所述放片前的準備動作為:在第一機械手從片盒中取第一片晶片之前，控制工藝腔進行H2吹掃，并且執(zhí)行找原點操作。
[0019]其中，所述放片后的結(jié)束動作為:在第二機械手將工藝所需的最后一片晶片傳輸?shù)焦に嚽恢泻?，關(guān)閉門閥，控制傳輸腔停止N2吹掃。
[0020]其中，所述取片前的準備動作為:在工藝腔執(zhí)行工藝后，且第二機械手從工藝腔中取第一片晶片之前，控制工藝腔進行H2吹掃，開啟門閥，控制傳輸腔進行N2吹掃。
[0021]其中，所述取片后的結(jié)束動作為:在弟一機械手將工藝腔中最后一片晶片傳輸?shù)狡兄泻?，先關(guān)閉門閥，控制傳輸腔停止N2吹掃，然后，控制工藝腔執(zhí)行快速找原點操作。
[0022]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的常壓化學(xué)氣相淀積中的工藝流程控制方法及系統(tǒng)，將工藝流程重新劃分并進行控制，在工藝開始前設(shè)置初始狀態(tài)，工藝開始后控制機臺先執(zhí)行放片前的準備動作，然后執(zhí)行放片動作，最后執(zhí)行放片后的結(jié)束動作，無需再進行重復(fù)判斷；同理，在工藝過程結(jié)束后，控制機臺先執(zhí)行取片前的準備動作，然后執(zhí)行取片動作，最后執(zhí)行取片后的結(jié)束動作，無需再進行重復(fù)判斷；避免了在每次放片或取片時，均需要判斷是否是第一片或最后一片，以確認是否需要準備或結(jié)束相應(yīng)的操作，而且，劃分后的流程清楚簡單，機臺在執(zhí)行過程中可以準確定位當(dāng)前的工藝流程的階段，有利于后期的監(jiān)控和維護。
【附圖說明】
[0023]為了使本發(fā)明的常壓化學(xué)氣相淀積中的工藝流程控制方法及系統(tǒng)的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體附圖及具體實施例，對本發(fā)明的常壓化學(xué)氣相淀積中的工藝流程控制方法及系統(tǒng)進行進一步詳細說明。
[0024]圖1為【背景技術(shù)】中常壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明的常壓化學(xué)氣相淀積中的工藝流程控制方法的一個實施例的流程圖；
[0026]圖3為本發(fā)明的常壓化學(xué)氣相淀積中的工藝流程控制系統(tǒng)的一個實施例的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0027]本發(fā)明提供的常壓化學(xué)氣相淀積中的工藝流程控制方法及系統(tǒng)的實施例，如圖2至圖3所示。
[0028]Job (工藝流程)指的是物料在機臺中根據(jù)設(shè)定的路徑進行傳輸，并且在傳輸過程中指定的位置完成工藝的一個過程。APCVD的Job的具體流程如下:
[0029]第一步，PM進行H2吹掃，并且執(zhí)行FindHome (找原點)操作；
[0030]第二步，第一機械手從Cassette中取片；
[0031]第三步，開啟外閥，1adlock進行吹掃準備,第一機械手將wafer放到1adlock中，關(guān)閉外閥，1adlock進行N2吹掃；
[0032]第四步，Aligner進行Align (調(diào)整)操作；
[0033]第五步，開啟內(nèi)閥，第二機械手從1adlock中取片，關(guān)閉內(nèi)閥，1adlock進行N2吹掃；
[0034]第六步，開啟門閥，TC進行N2吹掃，第二機械手將wafer放入PM中；
[0035]第七步，判斷工藝所需的wafer是否都傳輸?shù)絇M，若判斷為否，則返回第二步；
[0036]第八步，若判斷為是，則關(guān)閉門閥，TC停止N2吹掃；
[0037]第九步，PM執(zhí)行工藝；
[0038]第十步，PM進行H2吹掃，開啟門閥，TC進行N2吹掃；
[0039]第H^一步，第二機械手從PM中取片；
[0040]第十二步，開啟內(nèi)閥，第二機械手將wafer放到1adlock中，關(guān)閉內(nèi)閥，1adlock進行N2吹掃；
[0041]第十三步，開啟外閥，1adlock進行吹掃準備，第一機械手從1adlock中取片，關(guān)閉外閥，1adlock進行N2吹掃；
[0042]第十四步，第一機械手將wafer放到Cassette中；
[0043]第十五步,判斷PM中的wafer是否都傳輸?shù)紺assette,若判斷為否,則返回第^--1 K
少；
[0044]第十六步，關(guān)閉門閥，TC停止N2吹掃；
[0045]第十七步，PM執(zhí)行Zerofast (快速找原點)操作；
[0046]第十八步，PM進行H2吹掃。
[0047]本發(fā)明提供的常壓化學(xué)氣相淀積中的工藝流程控制方法，如圖2所示，包括以下步驟:
[0048]S100，在工藝開始前，設(shè)置機臺的初始狀態(tài)為空閑狀態(tài)并進行H2吹掃；
[0049]S200，將工藝流程劃分為放片流程、工藝過程以及取片流程，其中，放片流程中包括放片前的準備動作、放片動作以及放片后的結(jié)束動作，取片流程中包括取片前的準備動作、取片動作以及取片后的結(jié)束動作，控制機臺依次執(zhí)行放片前的準備動作、放片動作、放片后的結(jié)束動作、工藝過程、取片前的準備動作、取片動作以及取片后的結(jié)束動作；
[0050]S300，在工藝結(jié)束后，設(shè)置機臺的結(jié)束狀態(tài)為空閑狀態(tài)并進行H2吹掃。
[0051]本發(fā)明提供的常壓化學(xué)氣相淀積中的工藝流程控制方法，通過將工藝流程重新劃分，在工藝開始前設(shè)置初始狀態(tài)，工藝開始后控制機臺先執(zhí)行放片前的準備動作，然后執(zhí)行放片動作，最后執(zhí)行放片后的結(jié)束動作，無需再進行重復(fù)判斷；同理，在工藝過程結(jié)束后，控制機臺先執(zhí)行取片前的準備動作，然后執(zhí)行取片動作，最后執(zhí)行取片后的結(jié)束動作，無需再進行重復(fù)判斷；避免了在每次放片或取片時，均需要判斷是否是第一片或最后一片，以確認是否需要準備或結(jié)束相應(yīng)的操作，而且，劃分后的流程清楚簡單，機臺在執(zhí)行過程中可以準確定位當(dāng)前的工藝流程的階段，有利于對工藝執(zhí)行過程的監(jiān)控和維護。
[0052]參照上述APCVD的Job的具體流程，本發(fā)明提供的常壓化學(xué)氣相淀積中的工藝流程控制方法，將工藝流程重新劃分，其中，第一步為放片前的準備動作，第二步至第七步為放片動作，第八步為放片后的結(jié)束動作，第九步為工藝過程，第十步為取片前的準備動作，第十一步至第十五步為取片動作，第十六步至第十八步