專利名稱:含堿金屬的拋光系統(tǒng)及方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明是關(guān)于拋光系統(tǒng)及拋光基材的方法。
發(fā)明的背景在半導(dǎo)體工業(yè)的趨勢繼續(xù)集中在減少半導(dǎo)體裝置的尺寸,同時改進(jìn)其表面的平面性。更具體地,想要通過減少表面缺陷的數(shù)目及可容許的尺寸,以達(dá)到平坦外形的表面。平滑外形是受歡迎的,因為難以對粗糙的表面加上平版印刷影像及圖形層。平面化這些裝置表面的一個通常方法是用一種拋光系統(tǒng)進(jìn)行拋光。
在拋光期間,通常有用的是拋光一種晶片表面材料比另一種更快。例如在淺溝隔離中(STI),重要的是拋光掉二氧化硅的覆蓋層,直到曝露氮化硅層,并且然后盡可能少地移除經(jīng)曝露的氮化硅層。這可以通過以比氮化硅更快的速率拋光掉二氧化硅的拋光系統(tǒng)來完成。如二氧化硅及氮化硅的兩種物質(zhì)間拋光速率的差異稱為選擇性。增加的二氧化硅-氮化硅選擇性是在STI拋光系統(tǒng)中高度想要的性質(zhì)。
拋光(例如平面化)半導(dǎo)體裝置的可接受方法,涉及以拋光組合物及/或一種拋光墊來拋光半導(dǎo)體裝置的表面,例如以化學(xué)-機(jī)械拋光(CMP)來完成。在一般CMP制程中,在經(jīng)控制的化學(xué)、壓力、速度及溫度條件下,在淤漿存在下,將晶片壓貼在拋光墊上。該淤漿通常包含小的研磨顆粒,其在有化學(xué)藥品的混合物中研磨晶片的表面,該化學(xué)藥品蝕刻及/或氧化新形成的晶片表面。拋光墊通常是一個平面墊,由如聚氨基甲酸酯的連續(xù)相基質(zhì)材料所制成。因此,當(dāng)拋光墊及/或晶片互相移動時,通過研磨顆粒機(jī)械地、并通過淤漿中的蝕刻劑及/或氧化劑化學(xué)地從晶片表面上移除物質(zhì)。
當(dāng)水性化學(xué)藥品理想地與基材進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)時,其與研磨顆粒也有反應(yīng)性。這反應(yīng)可“軟化”研磨顆粒表面,使該研磨料具有較小的研磨性。再者,化學(xué)組份與研磨顆粒表面的反應(yīng),在拋光期間降低與基材表面反應(yīng)所得組份的濃度。結(jié)果預(yù)先混合的CMP淤漿的拋光性能對固體表面的拋光不是最佳的,該表面包括IC晶片表面、硬盤表面、玻璃表面、磁介質(zhì)等。再者,因為CMP淤漿在使用前在一般儲存的延長期間內(nèi)必須是穩(wěn)定的,適用于淤漿中的化學(xué)添加劑是受其與淤漿中其它組份的反應(yīng)性限制。這種考慮也限制可加入淤漿的添加物濃度。
因此,有需要改進(jìn)拋光系統(tǒng)及方法。本發(fā)明提供這種拋光系統(tǒng)及方法。本發(fā)明的這些及其它優(yōu)點、以及另外的發(fā)明特征,會由在此提出的本發(fā)明的敘述變得明顯。
發(fā)明的簡要本發(fā)明提供一種拋光系統(tǒng),其包含一種液態(tài)載體、一種堿金屬離子、含有一個氨基及至少一個極性部分的化合物,其中極性部分含有至少一個氧原子(以后稱為“含胺化合物”);和一個拋光墊及/或磨料。磨料可分散于拋光系統(tǒng)的液態(tài)載體中,或鍵結(jié)到拋光墊上。在第一個具體實施方案中,理想的堿金屬離子及含胺化合物存在的濃度是要使拋光系統(tǒng)的總離子濃度高于臨界凝結(jié)濃度。在第二個具體實施方案中,拋光系統(tǒng)含有約0.05重量%至約0.15重量%KOH及約0.4摩爾至約0.8摩爾的含胺化合物。本發(fā)明還提供一種以本發(fā)明的拋光系統(tǒng)拋光部分基材,優(yōu)選的是在制備該拋光系統(tǒng)后的約6小時或更少時間內(nèi)開始。
發(fā)明的詳述本發(fā)明提供拋光系統(tǒng)及拋光基材的方法。通常,拋光系統(tǒng)包含、基本上由以下組成、或由以下組成所構(gòu)成(a)一種液態(tài)載體、(b)一種堿金屬離子、(c)含有一氨基及至少一個極性部分的化合物,其中極性部分含有至少一個氧原子;和(d)一種拋光墊及/或磨料。在第一個實施方案中,拋光系統(tǒng)具有的總離子濃度是高于臨界凝結(jié)濃度。在第二個實施方案中,拋光系統(tǒng)含有約0.05重量%至約0.15重量%的KOH、及約0.4摩爾至約0.8摩爾的含有一氨基及至少一極性部分的化合物,其中極性部分含有至少一個氧原子。拋光系統(tǒng)通常含有將基材的表面與拋光系統(tǒng)接觸并且拋光至少部分的基材。在第一個實施方案中,用于拋光方法中的拋光系統(tǒng)是上述拋光系統(tǒng)之一。在第二個實施方案中,用于拋光方法中的拋光系統(tǒng)包含(a)一種液態(tài)載體、(b)一種堿金屬離子、(c)含有一個氨基及至少一個極性部分的化合物、其中極性部分含有至少一個氧原子;和(d)一拋光墊及/或磨料,在制備該拋光系統(tǒng)后、拋光系統(tǒng)組份達(dá)到化學(xué)平衡之前,部分的基材以該拋光系統(tǒng)拋光。
一般,各拋光系統(tǒng)是在拋光系統(tǒng)制備后的約6小時或更少時間內(nèi)進(jìn)行使用,其通常會在拋光系統(tǒng)達(dá)到化學(xué)平衡前。優(yōu)選地,拋光系統(tǒng)在拋光系統(tǒng)制備后的約4小時或更少(例如約2小時或更少、約1小時或更少、約30分鐘或更少、約10分鐘或更少、約5分鐘或更少、或甚至約1分鐘或更少)的時間內(nèi)使用。事實上,拋光系統(tǒng)可在拋光系統(tǒng)制備后的約數(shù)秒(例如約30秒或更少、或約10秒或更少)鐘進(jìn)行使用,如當(dāng)拋光系統(tǒng)組份在該拋光系統(tǒng)非常接近使用點或在該點上混合(例如在拋光墊及/或基材被拋光時)。
在本文所用的術(shù)語“組份”包括各個成分(例如酸類、堿類、氧化劑、水等)及任何成分的組合(例如水性組合物、研磨淤漿、氧化劑、酸類、堿類、絡(luò)合物的混合物及溶液、等),其被分別儲存并且組合而形成拋光系統(tǒng)。
本發(fā)明的拋光系統(tǒng)及方法可用于拋光任何適當(dāng)?shù)幕?。適當(dāng)?shù)幕囊话闶怯糜诎雽?dǎo)體工業(yè)中需要拋光或平面化的晶片。其包含例如金屬、金屬氧化物、金屬復(fù)合物、金屬合金、或其混合物。該基材可含有金屬,如銅、鋁、鈦、鎢、金及其組合物(例如合金或混合物)。基材也可含有金屬氧化物,如氧化鋁、氧化硅、氧化鈦、氧化鈰、氧化鋯、氧化鍺、氧化鎂及其共同形成的產(chǎn)物、和其混合物。另外,基材可含有金屬復(fù)合物及/或合金,如金屬氮化物(例如氮化硅、氮化鉭、氮化鈦及氮化鎢),金屬碳化物(例如碳化硅及碳化鎢)、鎳-磷、鋁-硼硅酸鹽、硼硅酸鹽玻璃、磷硅酸鹽玻璃(PSG)、硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、硅-鍺合金、及硅-鍺-碳合金?;囊部砂邪雽?dǎo)體原材料,如單晶硅、多晶硅、無定形硅、絕緣體上的硅、及砷化鎵。本發(fā)明的拋光系統(tǒng)及方法不限于半導(dǎo)體拋光,其也可用于技術(shù)中已知的各種玻璃基材,包括技術(shù)玻璃、光學(xué)玻璃及陶瓷。
本發(fā)明的拋光系統(tǒng)及方法可在基材生產(chǎn)中的任何階段用于拋光任何部分的基材(例如半導(dǎo)體裝置)。例如本發(fā)明的拋光系統(tǒng)及方法的特別有效使用的,是拋光技術(shù)中已知的與淺溝隔離(STI)加工相關(guān)、或與介層電介層(ILD)形成相關(guān)的半導(dǎo)體裝置。
本文所述的拋光系統(tǒng)包含一種研磨料、一種拋光墊或兩者都有。優(yōu)選地,該拋光系統(tǒng)含有磨料及拋光墊兩者。該磨料可固定在拋光墊上,及/或是以一種特種形式并懸浮在液態(tài)載體中。拋光墊可以是任何適當(dāng)?shù)膾伖鈮|。液態(tài)載體及溶解或懸浮(例如分散)在其中的物質(zhì),如堿金屬離子、含一氨基及至少一極性部分的化合物,其中極性部分含有一個氧原子,并且該磨料(當(dāng)存在并懸浮在液態(tài)載體中時)形成拋光組合物,這時,所有的濃度(例如重量百分比及摩爾值)是以本文所述的為基礎(chǔ)。因此,本文所述的濃度不是基于不溶解或懸浮于液態(tài)載體中的物質(zhì)(如拋光墊及任何嵌入其中的磨料)。
任何適當(dāng)?shù)哪チ峡膳c本發(fā)明拋光系統(tǒng)相組合。適當(dāng)?shù)哪チ鲜悄軌驋伖饣谋砻?,而在基材表面不引入有害的刮痕或其它缺陷。磨料?yōu)選的是金屬氧化物。合適的金屬氧化物磨料包括例如氧化鋁、二氧化硅、氧化鈦、氧化鈰、氧化鋯及氧化鎂及其共同形成的產(chǎn)物、和其混合物、及其化學(xué)混合物、二氧化硅是優(yōu)選的研磨料,以熱解法二氧化硅為更好。
該磨料可具有任何合適的研磨顆粒特性,它取決于想要的拋光效果。特別是,磨料可具有任何適當(dāng)?shù)谋砻娣e。適當(dāng)?shù)哪チ媳砻娣e例如是約5平方米/克至約430平方米/克范圍的表面積(例如5-200m2/g),是由S.Brunauer、P.H.Emmet及I.Teller,J.Am.Chem.Soc.60,309(1938)中的方法計算。理想的,用于與本發(fā)明組合的磨料的表面積是約90平方米/克或更多。
該磨料可與任何適當(dāng)液態(tài)載體組合(例如懸浮其中),以形成分散液或懸浮液(即“淤漿”)。適當(dāng)?shù)囊簯B(tài)載體通常包括極性溶劑,優(yōu)選的是水或水性溶劑。磨料是含于分散液中,分散液可具有任何適于拋光濃度的磨料。通常,考慮約0.1重量%或更多的二氧化硅。理想地,該拋光系統(tǒng)會具有5-30重量%的二氧化硅。優(yōu)選含有10-25重量%二氧化硅的拋光系統(tǒng)。
另外,在拋光系統(tǒng)中的磨料可以固定(例如嵌入)在拋光墊中或在其上。上述考慮關(guān)于適于分散物的研磨顆粒種類可適用于嵌入的磨料。任何適當(dāng)量的磨料可被嵌入在墊中。適當(dāng)量是任何足以提供以適當(dāng)速率拋光基材表面的量,而不在基材表面引入有害的刮痕或其它缺陷。
存在于拋光系統(tǒng)中的堿金屬離子可以是任何適當(dāng)?shù)膲A金屬離子。適當(dāng)?shù)膲A金屬離子包括周期表I族的任何單價堿性金屬??墒褂美逾c、鉀、銣及銫離子。鉀及銫離子為優(yōu)選,以鉀離子更佳。可使用任何適當(dāng)?shù)膲A金屬離子源。例如堿金屬鹽類或堿金屬氫氧化物(例如KCl或KOH)為堿金屬離子的適當(dāng)源。
堿金屬離子可以以任何適當(dāng)?shù)臐舛却嬖谟趻伖庀到y(tǒng)中,理想地是使拋光系統(tǒng)的總離子濃度高于臨界凝結(jié)濃度。優(yōu)選地,存在于拋光系統(tǒng)中的堿金屬離子濃度是約0.15M或更高(例如0.2M或更高)。更優(yōu)選,存在于拋光系統(tǒng)中的堿金屬離子濃度是0.25M或更高、約0.3M或更高、約0.35M或更高、約0.4M或更高、或甚至約0.45M或更高。通常,存在于拋光系統(tǒng)中的堿金屬離子量是不超過1.5M,優(yōu)選的量是不超過0.75M(例如約0.15-0.75M,或更佳約為0.2-0.5M)。
如前所述,含胺化合物是一種含有一個氨基及至少一極性部分的化合物,其中極性部分含有至少一個氧原子(例如氨基酸、氨基醇類及類似物),可為本發(fā)明拋光系統(tǒng)中的任何適當(dāng)?shù)倪@種化合物。適當(dāng)?shù)暮坊衔锇ǘ谆及?也已知為2-二甲基氨基-2-甲基-1-丙醇或DMAMP)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(AMP)、2-(2-氨乙基氨基)乙醇、2-(異丙氨基)乙醇、2-(甲氨基)乙醇、2-(二乙氨基)乙醇、2-(2-二甲基氨基)乙氧基)乙醇、1,1′-[[3-(二甲基氨基)丙基]亞氨基]-雙-2-丙醇、2-(丁氨基)乙醇、2-(叔-丁氨基)乙醇、2-(二異丙基氨基)乙醇、N-(3-氨丙基)嗎啉、及其混合物。
含胺化合物可以是以任何適當(dāng)?shù)臐舛却嬖谟趻伖庀到y(tǒng)中,理想的是使得該拋光系統(tǒng)的總離子濃度高于臨界凝結(jié)濃度。優(yōu)選地,存在于拋光系統(tǒng)中的含胺化合物濃度是約0.2M或更高(例如約0.5M或更高)。更佳地,存在于拋光系統(tǒng)中的含胺化合物濃度是約0.7M或更高、約0.8M或更高、約0.9M或更高、或甚至約1M或更高。對存在于拋光系統(tǒng)中的含胺化合物也適當(dāng)?shù)臐舛仁羌s1.1M或更高,(例如約1.5M或更高)。通常,存在于拋光系統(tǒng)中的含胺化合物的濃度是不超過3M,優(yōu)選是不超過1.4M的量(例如約0.2-1.4M,或更佳約0.7-1.1M)。
在第一個實施方案中,拋光系統(tǒng)含有堿金屬離子及含一氨基和至少一極性部分的化合物兩者,其中極性部分含有至少一個氧原子,其中該拋光系統(tǒng)的總離子濃度是高于臨界凝結(jié)濃度。當(dāng)該系統(tǒng)的總離子濃度是高于臨界凝結(jié)濃度時,堿金屬離子及含胺化合物的組合,通過拋光系統(tǒng)而達(dá)到在拋光速率方面具有協(xié)同效果。
臨界凝結(jié)濃度(CCC)在這里定義為拋光系統(tǒng)對引發(fā)穩(wěn)定膠體懸浮物凝聚(例如形成凝膠)所必要的最低總離子沈度。在本發(fā)明內(nèi)容中,凝結(jié)可描述為通過該過程一種膠體的分散相(例如淤漿)制造成凝結(jié)物,并且因此從連續(xù)相分離、有時形成凝膠的過程。在拋光系統(tǒng)中存在的離子緊密地聚集在膠體顆粒周圍,有效中和各別顆粒的總電荷時發(fā)生這種現(xiàn)象。一旦這種現(xiàn)象發(fā)生,顆??筛咏匾苿釉谝黄鸩⑶易罱K凝結(jié)。因此,CCC是膠體顆粒尺寸的函數(shù)及存在于拋光系統(tǒng)中的離子價的函數(shù)??购怆x子越強(qiáng),膠體顆粒會更緊密地堆積,并且因此該顆粒更可能凝結(jié)。
因為CCC是與存在于拋光系統(tǒng)中的總離子濃度相關(guān),其隨著用于拋光系統(tǒng)中的特定堿金屬離子及特定含胺化合物兩者而變化。例如約0.15M或更高的堿金屬離子濃度及約0.2M或更高的含胺化合物濃度,通常是足以升高拋光系統(tǒng)中的總離子濃度高于CCC。
CCC可以任何適當(dāng)?shù)姆椒y量,其中許多是在技術(shù)中已知的并且易于使用。例如一種這樣的方法涉及舒爾策-哈代(Schulze-Hardy)規(guī)則,它指出發(fā)現(xiàn)抗衡離子的CCC是與其價數(shù)的六次方成反比。其它適合用來于計算CCC的方法包括舒爾策-哈代(Schulze-Hardy)規(guī)則,例如是由徐(Hsu)及郭(Kuo)在J.Colloid Interface Sci.185,530-537(1997)中提出的。
雖然第一個實施方案的拋光系統(tǒng)理想地是使用總離子濃度遠(yuǎn)高于CCC,在本發(fā)明的拋光方法中所用的拋光系統(tǒng)中觀察到無凝結(jié)或沉降效應(yīng),因為組份的混合是在或接近使用(即拋光)時進(jìn)行。實際上,本發(fā)明容許所有組份以較高濃度存在于拋光系統(tǒng)中,而無負(fù)面的凝膠結(jié)果。結(jié)果是與類似習(xí)用CMP淤漿比較可以達(dá)到優(yōu)越的拋光速率。
在第二個實施方案中,該堿金屬離子是KOH,其存在于最終拋光系統(tǒng)(混合之后)中的濃度是約0.05重量%至約0.15重量%(例如約0.08重量%至約0.12重量%),并且含胺化合物在最終拋光系統(tǒng)(混合之后)中的濃度是約0.4M至約0.8M(例如約0.5M至約0.7M)。
拋光系統(tǒng)可選擇地再包含銨鹽(例如四甲基氫氧化銨(TMAH)及季銨化合物)。該銨鹽可以是任何適當(dāng)?shù)暮栯x子胺的化合物,例如,經(jīng)氫化的胺類及季銨化合物,其吸附到存在于要拋光的基材上的氮化硅層,并且減少、基本上減少、或甚至抑制(即阻礙)在拋光期間氮化硅層的除去。優(yōu)選的拋光系統(tǒng)含有1∶1等重量比率的二甲基丙醇胺及四甲基氫氧化胺混合物。
該拋光系統(tǒng)可具有提供適當(dāng)?shù)膾伖馑俾实娜魏蝡H。通常,該拋光系統(tǒng)的pH是約7或更高(例如約8或更高)。優(yōu)選地,本拋光系統(tǒng)的pH約9或更高(例如約9-14)。更佳地,本拋光系統(tǒng)的pH是在約10-13的范圍、或甚至約10-12。因為在此揭示的本發(fā)明方法提供在混合后約6小時或更少時間內(nèi)使用拋光系統(tǒng),并且優(yōu)選是在使用點,可使用比可能用于容許達(dá)到化學(xué)平衡的拋光系統(tǒng)更高的pH,該系統(tǒng)必須在使用前儲存的延長期間內(nèi)是穩(wěn)定的,如幾天、幾周、或幾個月。本拋光系統(tǒng)主要是沒有這種限制的,只需要其穩(wěn)定足以在其制備后約6小時或更少時間內(nèi)提供適當(dāng)?shù)膾伖狻?br>
以其最簡單的,該拋光系統(tǒng)基本上是由一個液態(tài)載體、一種堿金屬離子、含有一個胺基及至少一極性部分的化合物,其中該極性部分含有至少一個氧原子;和一個拋光墊及/或磨料所組成。在這拋光系統(tǒng)中,總離子濃度理想的是高于臨界凝結(jié)濃度。如前所述,該液態(tài)載體優(yōu)選為極性溶劑,特別是水。
可使用其它各種的添加物與拋光系統(tǒng)一起??纱嬖谟趻伖庀到y(tǒng)中的例如成膜劑、絡(luò)合劑、表面活性劑、流變控制劑、聚合穩(wěn)定劑或分散劑、及/或鹵素離子。
任何適當(dāng)?shù)某赡?即腐蝕抑制劑)可與該拋光系統(tǒng)組合使用。例如在STI拋光方法中,適當(dāng)?shù)某赡┩ǔ0ū砻婊罨瘎?即界面活性劑),其優(yōu)先地吸附到并且阻止氧化硅的拋光。因此,適當(dāng)?shù)某赡┌ɡ缤榛奉?、烷醇胺類、羥基胺類、磷酸酯類、十二烷基硫酸鈉、脂肪酸、聚丙烯酸酯類、聚甲基丙烯酸酯類、聚乙烯基膦酸酯類、聚蘋果酸酯類、聚苯乙烯磺酸鹽及聚乙烯基磺酸鹽。其它成膜劑包括例如苯并三唑、三唑、苯并咪唑、及其混合物。
任何適當(dāng)?shù)慕j(luò)合劑(即螯合劑或選擇性增進(jìn)劑)可與拋光系統(tǒng)組合使用。適當(dāng)?shù)慕j(luò)合劑包括例如羰基化合物(例如乙酰丙酮化合物類及類似物)、簡單的羧酸酯類(例如醋酸酯類、芳基羧酸酯類及類似物)、含一或多個羥基的羧酸酯類(例如甘醇酸酯類、乳酸酯類、葡糖酸酯類、及棓酸及其鹽類、和類似物)、二-、三-及多-羧酸酯類(例如草酸酯類、鄰苯二甲酸酯類、檸檬酸酯類、丁二酸酯類、酒石酸酯類、蘋果酸酯類、乙二胺四乙酸鹽(例如EDTA二鈉)及其混合物、和類似物)及含一或多個磺酸及/或膦酸基團(tuán)的羧酸酯類。適當(dāng)?shù)尿蟿┗蚪j(luò)合劑也可包括例如二-、三-及多-醇類(例如乙二醇、鄰苯二酚、連苯三酚、單寧酸、和類似物)及含磷酸鹽的化合物(例如磷鎓鹽類及膦酸)。
任何適當(dāng)?shù)谋砻婊钚詣┘?或流變控制劑可與拋光系統(tǒng)組合使用,包括粘度增進(jìn)劑及促凝劑。適當(dāng)?shù)牧髯兛刂苿┌ň酆狭髯兛刂苿缇郯被姿狨ゾ酆衔?例如分子量大于約100,000道耳頓(Daltons)的聚氨酯聚合物)、含一個或多個丙烯基次單元的丙烯酸酯類(例如丙烯酸乙烯酯類及丙烯酸苯乙烯酯類)、及其聚合物、共聚物和其寡聚物、及其鹽類。優(yōu)選地,流變控制劑是低分子量羧酸鹽堿基或高分子量聚丙烯基酰胺劑。適當(dāng)?shù)谋砻婊钚詣┌ɡ珀栯x子表面活性劑、陰離子表面活性劑、陰離子聚電解質(zhì)、非離子表面活性劑、兩性表面活性劑、氟化表面活性劑、其混合物及類似物。
拋光系統(tǒng)可含有任何適當(dāng)?shù)木酆衔锓€(wěn)定劑或其它表面活性分散劑。適當(dāng)?shù)姆€(wěn)定劑包括例如磷酸、有機(jī)酸類、氧化錫、有機(jī)膦酸鹽、其混合物和類似物。
這里所述的化合物已經(jīng)以說明目的而分類,并且不意于對其所提及的分類而限制這些化合物的用途。如熟知該技術(shù)者所了解的,某些化合物可不同地在不同內(nèi)容中使用及/或進(jìn)行多于一個功能。例如一些化合物可作為螯合劑及氧化劑的功能(例如某些硝酸鐵及類似物)。
與本發(fā)明組合使用的任何組份可以在適當(dāng)載液或溶劑(例如水或適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)溶劑)中的混合物或溶液的形式提供。再者,該化合物可單獨或以任何組合形式用作拋光系統(tǒng)的組份。然后理想地使二個或多個組份各自儲存,并且接著混合以形成拋光系統(tǒng)。關(guān)于這一點,拋光系統(tǒng)適當(dāng)?shù)厥窃趥魉偷綊伖鈮|或基材表面前不超過6小時進(jìn)行制備(例如所有的組分被混合在一起)。通過從二個或多個不同源傳送的拋光系統(tǒng)的組份在拋光墊的表面或基材的表面制備拋光系統(tǒng)也是適當(dāng)?shù)模虼藪伖庀到y(tǒng)的組份與拋光墊的表面或基材的表面(例如在使用點)接觸。在各情況下,拋光系統(tǒng)的組份被傳送到拋光墊或基材表面的流速(即拋光系統(tǒng)的特別組份的傳送量)可在拋光過程之前及/或拋光過程期間改變,使得如諸如拋光系統(tǒng)的速率、選擇性及/或粘度的拋光特性進(jìn)行改變。
在達(dá)到使用點之前,當(dāng)二個或多個組份組合時,該組份可在流動線上組合,并且傳送到使用點而不使用混合裝置。另外,一個或多個流動線可導(dǎo)入混合裝置中,以加速二個或多個組份的組合??墒褂萌魏芜m當(dāng)?shù)幕旌涎b置。例如該混合裝置可以是噴嘴或噴射器(例如高壓噴嘴或噴射器)、或二個或多個組份流經(jīng)的在線混合器。另外,該混合裝置可以是容器式的混合裝置,包含二個或多個拋光淤漿的組份導(dǎo)入到混合器的一個或多個進(jìn)口,及混合組份排出混合器而傳送到使用點所經(jīng)過的至少一個出口,它是直接或通過裝置的其它構(gòu)件(例如通過一個或多個流線)。再者,該混合裝置可含有多于一室,各室具有至少一個進(jìn)口及至少一個出口,其中二個或多個組份在各室中組合。如果使用容器式的混合裝置,該混合裝置優(yōu)選含有一個混合機(jī)制,以進(jìn)一步促進(jìn)組份的組合?;旌蠙C(jī)械通常在本技術(shù)中是已知的,并且包括攪拌器(stirrers)、混合器(blenders)、攪拌器(agitators)、攪拌槳葉板、氣體噴霧器系統(tǒng)、振動器等。
組份可具有適于儲存觀點及最終使用考慮的任何pH,正如本技術(shù)人員所熟知的。再者,與本發(fā)明組合使用的組份的pH可以任何的方式調(diào)節(jié),例如添加pH調(diào)節(jié)劑、調(diào)節(jié)劑或緩沖劑。適當(dāng)?shù)膒H調(diào)整劑、調(diào)節(jié)劑或緩沖劑包括酸類,例如無機(jī)酸類(例如鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸)及有機(jī)酸類(例如醋酸、檸檬酸、丙二酸、丁二酸、酒石酸及草酸)。適當(dāng)?shù)膒H調(diào)整劑、調(diào)節(jié)劑或緩沖劑也包括堿類,例如無機(jī)氫氧化物堿類(例如氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銨、氫氧化銫及類似物)和碳酸鹽堿類(例如碳酸鈉及類似物)。
基材可使用適當(dāng)?shù)募夹g(shù)、將基材的表面與拋光系統(tǒng)接觸而進(jìn)行拋光(例如平面化)。例如在一般的CMP過程中,使用本發(fā)明的拋光系統(tǒng),在控制的化學(xué)、壓力、速度及溫度條件下,晶片壓向拋光墊,并且該墊及晶片互相相對移動。然后材料從晶片的表面除去。
基材可以用有任何適當(dāng)拋光墊(例如拋光表面)的拋光系統(tǒng)進(jìn)行拋光。適當(dāng)拋光墊包括例如織物及無紡布的拋光墊。再者,適當(dāng)?shù)膾伖鈮|可含有任何適當(dāng)?shù)牟煌芏?、硬度、厚度、壓縮性、壓縮回復(fù)能力及壓縮模數(shù)的聚合物。適當(dāng)?shù)木酆衔锇ɡ缇勐纫蚁?、聚氟乙烯、尼龍、碳氟化合物、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、多醚、聚乙烯、聚酰胺、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯及其共同形成的產(chǎn)物、及其混合物。如上所討論的,拋光系統(tǒng)的磨料可整體或部分固定(例如嵌入)在拋光墊中或其上。在拋光墊上的這種固定是通過例如在拋光墊形成期間摻合磨料到上述聚合物、或在使用已知的這類粘合劑形成該墊后通過粘著磨料于墊上而完成。
拋光系統(tǒng)是特別良好地適于拋光已進(jìn)行淺溝隔離(STI)過程的基材。STI加工一般涉及提供一種二氧化硅層及氮化硅層沉積其上的硅基材。溝被蝕刻、接著光刻術(shù),并且以二氧化硅填充,平面化過量的二氧化硅,直到氮化硅被完全曝露,要使得留在溝中的二氧化硅量幾乎與臺面區(qū)上的氮化硅量、或與墊氧化物量相等。理想地,該拋光是在有本發(fā)明拋光系統(tǒng)及/或方法的這種一般STI過程中進(jìn)行,優(yōu)選地使得二氧化硅被除去,并且平面化停止在氮化硅層。
拋光系統(tǒng)的優(yōu)選配方可提供相對于氮化硅表面選擇性地拋光氧化硅表面。選擇性可通過改變拋光系統(tǒng)組份的相對濃度而控制到某種程度。不想受限于任何特別的理論,認(rèn)為是陽離子物種(即胺類,如經(jīng)氫化的胺類及季銨化合物)吸附到氮化硅層,并且減低、大大減低或甚至抑制(即阻礙)在拋光期間除去氮化硅層。拋光系統(tǒng)的堿金屬離子中和陽離子胺,因此減低吸附到氮化硅層的能力,并且抑制其除去。因此,通過拋光系統(tǒng)控制移除氮化硅層,可以通過改變堿金屬離子及含胺化合物在拋光系統(tǒng)中的相對濃度、及改變拋光系統(tǒng)的pH而進(jìn)行。
當(dāng)理想時,本發(fā)明的拋光系統(tǒng)及方法可用于具有氧化硅對氮化硅的拋光選擇性(即氧化物氮化物)是約2∶1或更多(例如約5∶1或更多)、或甚至氧化物氮化物的選擇性是約10∶1或更多(例如約15∶1或更多)的拋光基材。某些配方可顯示更高的氧化物氮化物選擇性,如約25∶1或更多、或甚至約35∶1或更多(例如約45∶1或更多),并且當(dāng)需要非常高的選擇性時,甚至是約55∶1或更多、約65∶1或更多、或甚至約75∶1或更多(例如約90∶1或更多)。
拋光方法理想地是使用至少一種分配器,它同時或連續(xù)地從流線分配拋光系統(tǒng)之一或多個組份到拋光表面(例如基材表面或拋光墊)上??墒褂脝我坏姆稚⑵?,從中分配拋光系統(tǒng)的單一組份或任何組份的組合?;蛘撸瑨伖夥椒墒褂枚嘤谝粋€的分配器,從中單獨分配拋光系統(tǒng)的組份(例如對各組份有一個分配器)。然而通常,拋光方法使用多于一個的分配器,從其中各個可分配組份的不同組合或比率。例如可使用二種或多種的分配器,各同時或連續(xù)地傳送不同的組份到相同的拋光表面。
接著拋光復(fù)合基材,所用的拋光系統(tǒng)可與適于增進(jìn)拋光系統(tǒng)的可拋棄性的任何化合物組合。適當(dāng)?shù)幕衔锇ɡ鐣档退玫膾伖庀到y(tǒng)pH的酸類、會對氟離子起絡(luò)合劑作用的含鈣鹽類、及對本技術(shù)人員熟知的其它化合物。這些化合物可以任何方式添加到拋光系統(tǒng)中。例如適當(dāng)?shù)氖窃摶衔锾砑拥綇U水流,而通過廢水流拋光系統(tǒng)排出拋光表面。
實施例下列的實施例進(jìn)一步說明本發(fā)明,但是當(dāng)然必須不以任何方式解釋為限制其范疇。
用于這些實施例中的各拋光系統(tǒng)配制成兩組份的拋光系統(tǒng),其中各組份以1∶1比率(以體積計)存在。第一組份(此后稱為“研磨組份”)對每一個拋光系統(tǒng)是相同的,并且含有約20重量%的熱解法二氧化硅,其平均顆粒尺寸為25-35毫微米、在水中的0.007重量%HCl及0.2重量%KOH。第二組份(此后稱為“化學(xué)組份”)是一種化學(xué)水溶液,其根據(jù)各拋光系統(tǒng)而變化。
實施例1用于拋光半導(dǎo)體基材的各拋光系統(tǒng)是通過使用兩種不同方法中之一種供應(yīng)兩組份拋光系統(tǒng)到拋光平臺上。根據(jù)第一個方法(此后稱為“預(yù)先使用混合”),在組合拋光系統(tǒng)的第一及第二組份后24小時,將拋光系統(tǒng)施加到拋光平臺上以拋光半導(dǎo)體基材。根據(jù)第二個方法(此后稱為“使用點混合”),將拋光系統(tǒng)的組份分別施加到拋光平臺上,其中混合組份并且立刻使用拋光系統(tǒng)來拋光半導(dǎo)體基材。
用于此實施例中的拋光半導(dǎo)體基材為商業(yè)上可得的CMP特性測試晶片,它含有二氧化硅介電層(由SKW合伙公司(SKW Associates,Inc.)的稱為SKW7型晶片)。半導(dǎo)體晶片在IPEC 472拋光機(jī)上使用約52kPa(千帕斯卡)(每平方英寸7.5磅)的向下力、約20kPa(每平方英寸3磅)的背壓、每分鐘37轉(zhuǎn)的平臺速度及每分鐘24轉(zhuǎn)的載體速度來拋光。在各晶片上的70%堆積位置拋光之前及之后,使用標(biāo)準(zhǔn)方法直接測量各測試晶片的厚度以測量測試晶片的移除速率。
這實施例說明使用化學(xué)組份的重要性,該化學(xué)組份含有堿金屬離子及含胺化合物(即含有一氨基及至少一極性部分的化合物,其中該極性部分含有至少一個氧原子),與本發(fā)明的拋光系統(tǒng)及方法相結(jié)合。
如下表1所示,拋光系統(tǒng)1A-1D是以組合研磨組份及化學(xué)組份而制備,并且如前所述,結(jié)合預(yù)先使用及使用點混合而用于拋光半導(dǎo)體基材。下表1提供拋光系統(tǒng)的所得胺濃度及pH、及使用各拋光系統(tǒng)所達(dá)到的拋光速率。
表1
如上表1所示的結(jié)果指出,含有堿金屬離子及含胺化合物的拋光系統(tǒng)(以拋光系統(tǒng)1D說明),提供比單獨含堿金屬離子的拋光系統(tǒng)(即無含胺的化合物)(以比較性拋光系統(tǒng)1A-1C說明)更高的拋光速率。這些結(jié)果也表明使用點混合,與預(yù)先使用混合比較,可大大地增加拋光系統(tǒng)所達(dá)到的拋光速率,并且與只含堿金屬離子的比較性拋光系統(tǒng)比較,這拋光速率的改進(jìn)對含堿金屬離子及含胺化合物兩者的拋光系統(tǒng)為最重要的。因此,這實施例說明使用本發(fā)明的拋光系統(tǒng)及方法來拋光基材的優(yōu)點。
實施例2通過稱為“使用點混合”的方法施加兩組份拋光系統(tǒng)到拋光平臺上,各拋光系統(tǒng)用于拋光半導(dǎo)體基材,其中拋光系統(tǒng)的組份是分別施加到拋光平臺上,在該處混合組份并且拋光系統(tǒng)立即用于拋光半導(dǎo)體基材。
用于這實施例的半導(dǎo)體基材是商業(yè)上可得的CMP特性測試晶片,它含有二氧化硅介電層(SKW合伙公司(SKW Associates,Inc.)的稱為SKW7型晶片)。半導(dǎo)體晶片在IPEC 472拋光機(jī)上使用約28kPa(每平方英寸4磅)的向下力、約11kPa(每平方英寸1.6磅)的背壓、每分鐘60轉(zhuǎn)的平臺速度及每分鐘56轉(zhuǎn)的載體速度拋光。在拋光前及后,使用標(biāo)準(zhǔn)方法直接測量各測試空白晶片的厚度來測量測試晶片的移除速率。
這實施例說明使用含堿金屬離子及含胺化合物(即含有一個氨基及至少一極性部分的化合物,其中極性部分含有至少一個氧原子)的化學(xué)組份,與本發(fā)明的拋光系統(tǒng)及方法相結(jié)合的重要性。
如下表2所示拋光系統(tǒng)2A-2D,通過組合研磨組份及化學(xué)組份而制備,并且用于拋光半導(dǎo)體基材。表2提供使用各拋光系統(tǒng)所得的拋光速率及氧化物對氮化物的選擇性。
表2
如上表2所示的結(jié)果指出,含堿金屬離子及含胺化合物的拋光系統(tǒng),與單獨研磨組份(以比較性拋光系統(tǒng)2D說明)比較,提供高的拋光速率及良好的氧化物及氮化物選擇性(以拋光系統(tǒng)2A-2C說明),實施例3通過使用稱為“使用點混合”的方法,施加兩組份拋光系統(tǒng)到拋光平臺,而使各拋光系統(tǒng)用于拋光半導(dǎo)體基材,其中拋光系統(tǒng)的組份分別施加到拋光平臺上,在該處混合組份并且拋光系統(tǒng)立即用于拋光半導(dǎo)體基材。
用于這實施例的半導(dǎo)體基材是商業(yè)上可得的CMP特性測試空白晶片。半導(dǎo)體晶片在IPEC 472拋光機(jī)上使用約28kPa(每平方英寸4磅)的向下力、約11kPa(每平方英寸1.6磅)的背壓、每分鐘60轉(zhuǎn)的平臺速度及每分鐘56轉(zhuǎn)的載體速度拋光。在拋光前及后,使用標(biāo)準(zhǔn)方法直接測量各測試空白晶片的厚度以測量測試晶片的移除速率。
這實施例說明氧化物對氮化物的選擇性可通過小心地控制堿金屬離子的相對量而優(yōu)化。
如下表3所示,拋光系統(tǒng)3A-3L是通過組合研磨組份及化學(xué)組份而制備,并且用于拋光半導(dǎo)體基材。下表3列出了使用各拋光系統(tǒng)所得的拋光速率及氧化物對氮化物的選擇性。
表3
上表3所示的結(jié)果指出,在拋光系統(tǒng)中增加KOH的量增加氧化物及氮化物兩者的總移除速率;然而,速率增加是通過減少氧化物對氮化物的選擇性而達(dá)成的。
如果各參考單獨并具體地指出作為參考列入,并在此以其整體列入,則在此所引用的所有的參考文獻(xiàn),包括出版物、專利說明書及專利,在此以相同程度列于本文作為參考。
在敘述本發(fā)明的內(nèi)容中,使用的術(shù)語“一個”(“a”及“an”)和“該”(“the”)及類似指示對象應(yīng)解釋為覆蓋單數(shù)及復(fù)數(shù)兩者,除非在此另有說明或清楚地與內(nèi)容有矛盾。術(shù)語“包含”、“具有”、“包括”及“含有”被解釋為無終止的術(shù)語(即意為“包括、但不限于”),除非另有說明。在此引用的數(shù)值范圍只企圖對各個指出落于范圍內(nèi)的各單獨值作簡略表示方法,除非在此另有說明,并且如果在此被各別引用,則各單獨值被并入說明書中。在此所述的所有方法可以任何適當(dāng)順序進(jìn)行,除非在此另有說明或清楚地與內(nèi)容有矛盾。在此提供的任何及所有實施例或示范性語言(例如“如”)僅在于更好闡明本發(fā)明,并不對本發(fā)明的范圍有限制,除非另有要求。在說明書中沒有語言必須解釋為作為對本發(fā)明的實施所必要的任何未要求的要素。
本發(fā)明的優(yōu)選實施方案敘述于本文,包括發(fā)明者已知的進(jìn)行本發(fā)明的最佳模式。那些優(yōu)選實施方案的變化可通過閱讀上述敘述而對熟知本技術(shù)的是明顯的。發(fā)明者期待熟知本技術(shù)的適當(dāng)使用這類變化,并且發(fā)明者意欲除了在本文具體描述的以外來實施本發(fā)明。因此,在所適用的法律的容許下,本發(fā)明包括在本文所附權(quán)利要求范圍所引用的所有改變和主題事項的等同物。再者,在其所有可能變化中,上述要素的任何組合都包括在本發(fā)明中,除非在此另有說明或清楚地與內(nèi)容有矛盾。
權(quán)利要求
1.一種拋光基材的方法,包含將該基材表面與下列拋光系統(tǒng)接觸,該系統(tǒng)包含(a)一種液態(tài)載體、(b)一種堿金屬離子、(c)包含一個氨基及至少一個極性部分的化合物,其中該極性部分含有至少一個氧原子,(d)一個拋光墊及/或磨料;并且在制備拋光系統(tǒng)后約6小時或更少時間內(nèi)進(jìn)行拋光至少部分基材。
2.如權(quán)利要求1的拋光方法,其中該液態(tài)載體是極性溶劑。
3.如權(quán)利要求2的拋光方法,其中該液態(tài)載體是水。
4.如權(quán)利要求3的拋光方法,其中該拋光系統(tǒng)包含懸浮在液態(tài)載體中的磨料。
5.如權(quán)利要求3的拋光方法,其中該拋光系統(tǒng)包含一拋光墊及磨料,并且該磨料是固定在拋光墊上或其中。
6.如權(quán)利要求1的方法,其中該拋光系統(tǒng)還包含一種流變控制劑。
7.如權(quán)利要求6的方法,其中該流變控制劑是羧酸鹽堿基。
8.如權(quán)利要求6的方法,其中該流變控制劑是聚丙烯基酰胺劑。
9.如權(quán)利要求1的方法,其中該基材是在已進(jìn)行淺溝隔離過程后進(jìn)行拋光。
10.如權(quán)利要求3的拋光方法,其中該磨料是金屬氧化物。
11.如權(quán)利要求10的拋光方法,其中該磨料是二氧化硅。
12.如權(quán)利要求11的拋光方法,其中該磨料是熱解法二氧化硅。
13.如權(quán)利要求3的拋光方法,其中該堿金屬離子具有約0.1M或更高的濃度。
14.如權(quán)利要求13的拋光方法,其中該堿金屬離子具有約0.2M或更高的濃度。
15.如權(quán)利要求14的拋光方法,其中該堿金屬離子具有約0.3M或更高的濃度。
16.如權(quán)利要求3的拋光方法,其中該堿金屬離子是鉀。
17.如權(quán)利要求3的拋光方法,其中該堿金屬離子是銫。
18.如權(quán)利要求3的拋光方法,其中包含一氨基及至少一個其中包含至少一個氧原子的極性部分的化合物為2-二甲基氨基-2-甲基-1-丙醇、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、或其混合物。
19.如權(quán)利要求3的拋光方法,其中包含一氨基及至少一個其中包含至少一個氧原子的極性部分的該化合物為2-(2-氨乙基氨基)乙醇、2-(異丙氨基)乙醇、2-(甲氨基)乙醇、2-(二乙氨基)乙醇、2-(2-二甲基氨基)乙氧基)乙醇、1,1′-[[3-(二甲基氨基)丙基]亞胺基]-雙-2-丙醇、2-(丁氨基)乙醇、2-(叔-丁氨基)乙醇、2-(二異丙基氨基)乙醇、N-(3-氨丙基)嗎啉或其混合物。
20.如權(quán)利要求18的拋光方法,其中該化合物包含一個氨基及至少一個其中包含至少一個氧原子的極性部分,該化合物是2-二甲基氨基-2-甲基-1-丙醇,并且該拋光系統(tǒng)進(jìn)一步包含等重量的四甲基氫氧化銨。
21.如權(quán)利要求3的拋光方法,其中該拋光系統(tǒng)的pH是約9或更高。
22.如權(quán)利要求21的拋光方法,其中該拋光系統(tǒng)的pH是約10或更高。
23.如權(quán)利要求22的拋光方法,其中該拋光系統(tǒng)的pH是約11或更高。
24.如權(quán)利要求23的拋光方法,其中該拋光系統(tǒng)的pH是約12或更高。
25.如權(quán)利要求1的拋光方法,其中該基材的表面在制備拋光系統(tǒng)后約1小時或更少時間內(nèi)與拋光系統(tǒng)接觸。
26.如權(quán)利要求25的拋光方法,其中該基材的表面在制備拋光系統(tǒng)后約30分鐘或更少時間內(nèi)與拋光系統(tǒng)接觸。
27.如權(quán)利要求26的拋光方法,其中該基材的表面在制備拋光系統(tǒng)后約10分鐘或更少時間內(nèi)與拋光系統(tǒng)接觸。
28.如權(quán)利要求27的拋光方法,其中該拋光系統(tǒng)是在使用點上制備。
29.如權(quán)利要求1的拋光方法,其中該基材包含Si原子。
30.如權(quán)利要求1的拋光方法,其中該基材包含Si、SiO2、Si3N4、SiON、多硅或其組合物。
31.一種拋光基材用的拋光系統(tǒng),包含(a)一液態(tài)載體、(b)一堿金屬離子、(c)包含一個氨基及至少一個極性部分的化合物,其中該極性部分含有至少一個氧原子;(d)一種拋光墊及/或磨料;其中該拋光系統(tǒng)的總離子濃度高于臨界凝結(jié)濃度。
32.如權(quán)利要求31的拋光系統(tǒng),其中該液態(tài)載體是水。
33.如權(quán)利要求32的拋光系統(tǒng),其中存在于拋光組合物中的堿金屬離子濃度是約0.15M或更高。
34.如權(quán)利要求33的拋光系統(tǒng),其中存在于組合物中的含胺化合物的濃度是約0.2M或更高。
35.如權(quán)利要求32的拋光系統(tǒng),其中該拋光系統(tǒng)包含懸浮在液態(tài)載體中的磨料。
36.如權(quán)利要求35的拋光系統(tǒng),其中該磨料是二氧化硅。
37.如權(quán)利要求36的拋光系統(tǒng),其中該磨料是熱解法二氧化硅。
38.如權(quán)利要求37的拋光系統(tǒng),其中該磨料具有的表面積是約90m2/g或更多。
39.如權(quán)利要求32的拋光系統(tǒng),其中該拋光系統(tǒng)進(jìn)一步包含酸及/或堿。
40.如權(quán)利要求32的拋光系統(tǒng),其中該拋光系統(tǒng)進(jìn)一步包含一種流變控制劑。
41.如權(quán)利要求40的拋光系統(tǒng),其中該流變控制劑是羧酸鹽堿基。
42.如權(quán)利要求40的拋光系統(tǒng),其中該流變控制劑是聚丙烯基酰胺制劑。
43.如權(quán)利要求32的拋光系統(tǒng),其中該堿金屬離子是選自鉀、銫及其組合物。
44.如權(quán)利要求32的拋光系統(tǒng),其中該化合物包含一氨基及至少一個其中包含至少一個氧原子的極性部分,它是2-二甲基氨基-2-甲基-1-丙醇、2-氨基-2-甲基-1-丙醇,或其混合物。
45.如權(quán)利要求32的拋光系統(tǒng),其中該拋光系統(tǒng)的pH是約9或更高。
46.一種拋光基材用的拋光系統(tǒng),該拋光系統(tǒng)包含(a)一液態(tài)載體、(b)一堿金屬離子、(c)包含一個氨基及至少一個極性部分的化合物,其中該極性部分含有至少一個氧原子;和(d)一個拋光墊及/或磨料;其中該拋光系統(tǒng)的總離子濃度是高于臨界凝結(jié)濃度。
47.一種拋光基材用的拋光系統(tǒng),包含(a)一液態(tài)載體、(b)約0.05重量%至約0.15重量%KOH、(c)約0.4M至約0.8M的含有一氨基及至少一個極性部分的化合物,其中該極性部分含有至少一個氧原子;和(d)一個拋光墊及/或磨料。
48.如權(quán)利要求47的拋光系統(tǒng),其中包含一個氨基及至少一個其中含有至少一個氧原子的極性部分的該化合物為2-二甲基氨基-2-甲基-1-丙醇、2-(異丙氨基)乙醇、2-(丁氨基)乙醇或N-(3-氨丙基)嗎啉。
全文摘要
本發(fā)明提供一種拋光系統(tǒng),包含(a)一液態(tài)載體、(b)一種堿金屬離子、(c)含氨基及至少一個極性部分的化合物,其中極性部分含有至少一個氧原子和(d)一個拋光墊及/或磨料,其中該系統(tǒng)的總離子濃度高于臨界凝結(jié)濃度。本發(fā)明也提供一種平面化或拋光復(fù)合基材的方法,包含將該基材與前述的拋光系統(tǒng)或一種下列拋光系統(tǒng)接觸,該系統(tǒng)包含(a)一液態(tài)載體、(b)一種堿金屬離子、(c)含有一個氨基及至少一個極性部分的化合物,其中該極性部分含有至少一個氧原子,和(d)一個拋光墊及/或磨料;并在制備拋光系統(tǒng)后約6小時或更少時間內(nèi)拋光至少部分基材。
文檔編號B24B37/00GK1610730SQ02803726
公開日2005年4月27日 申請日期2002年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2001年1月16日
發(fā)明者菲利普·卡特, 格雷戈里·H·博古什, 弗朗西斯科·德里奇塞索羅, 戴維·J·施羅德, 杰弗里·P·張伯倫, 布賴恩·L·米勒 申請人:卡伯特微電子公司