技術(shù)編號:3345724
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于拋光系統(tǒng)及拋光基材的方法。發(fā)明的背景在半導(dǎo)體工業(yè)的趨勢繼續(xù)集中在減少半導(dǎo)體裝置的尺寸,同時(shí)改進(jìn)其表面的平面性。更具體地,想要通過減少表面缺陷的數(shù)目及可容許的尺寸,以達(dá)到平坦外形的表面。平滑外形是受歡迎的,因?yàn)殡y以對粗糙的表面加上平版印刷影像及圖形層。平面化這些裝置表面的一個(gè)通常方法是用一種拋光系統(tǒng)進(jìn)行拋光。在拋光期間,通常有用的是拋光一種晶片表面材料比另一種更快。例如在淺溝隔離中(STI),重要的是拋光掉二氧化硅的覆蓋層,直到曝露氮化硅層,并且...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。