繪畫裝置和制造物品的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種繪畫裝置和制造物品的方法。所述繪畫裝置用于利用帶電粒子束在基板上執(zhí)行繪畫，包括：控制器，被配置為基于所述帶電粒子束在所述基板上的多個(gè)位置中的每一個(gè)相對(duì)于與所述多個(gè)位置中的每一個(gè)相對(duì)應(yīng)的目標(biāo)位置的位移的信息、以及與所述多個(gè)位置中的每一個(gè)相對(duì)應(yīng)的目標(biāo)位置處的所述帶電粒子束的目標(biāo)劑量，來(lái)控制所述多個(gè)位置中的每一個(gè)處的所述帶電粒子束的劑量。
【專利說(shuō)明】繪畫裝置和制造物品的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及繪畫裝置和制造物品的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]作為用于制造諸如半導(dǎo)體集成電路的設(shè)備的繪畫裝置，日本專利N0.4858745提出了一種使用規(guī)則排列的多個(gè)電子束來(lái)在基板上執(zhí)行圖案繪畫以提高生產(chǎn)率的裝置。日本專利N0.4858745中所描述的繪畫裝置對(duì)規(guī)則排列的電子束中的每一個(gè)的劑量(dose)進(jìn)行調(diào)制以通過(guò)電子束在任意位置繪畫任意形狀的圖案。
[0003]日本專利N0.4858745中所描述的繪畫裝置在基板上排列多個(gè)電子束，并且通過(guò)調(diào)制這些電子束來(lái)調(diào)整以相等的間距(pitch)形成的繪畫像素的色調(diào)，由此在基板上繪畫任意圖案。將參考圖1A和IB來(lái)描述繪畫的狀態(tài)。電子束B(niǎo)1、B2和B3被設(shè)計(jì)成以1nm的間距排列。與電子束B(niǎo)I?B3相對(duì)應(yīng)的繪畫像素中的電子束B(niǎo)I?B3的強(qiáng)度輪廓(profile)分別被稱為PU P2和P3。通過(guò)相加Pl?P3所獲得的合成強(qiáng)度輪廓(劑量分布)被稱為SUM_P。如圖1A所示，如果電子束B(niǎo)I?B3如所設(shè)計(jì)的那樣排列，則通過(guò)將Pl和P3的強(qiáng)度設(shè)置為P2的強(qiáng)度的50%，來(lái)在預(yù)定的位置處形成其中SUM_P等于或大于抗蝕劑的顯影閾值RT的區(qū)域的寬度即線寬度為20nm的抗蝕劑圖案。另外，如果Pl和P3的強(qiáng)度被設(shè)置為P2的強(qiáng)度的100%，則設(shè)計(jì)形成具有30nm的線寬度的抗蝕劑圖案。
[0004]然而，實(shí)際上，電子束B(niǎo)I?B3不是如所設(shè)計(jì)的那樣以1nm的間距排列的，而是如圖1B所示在存在誤差的情況下排列。因此，不能獲得目標(biāo)合成強(qiáng)度輪廓(劑量分布)SUM_P，并且形成具有不同的線寬度和形成位置的抗蝕劑圖案。忠實(shí)地形成與設(shè)計(jì)圖案相對(duì)應(yīng)的抗蝕劑圖案是不可能的。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供例如在實(shí)現(xiàn)目標(biāo)劑量分布方面有利的繪畫裝置。
[0006]本發(fā)明在其第一方面中提供一種繪畫裝置，用于利用帶電粒子束在基板上執(zhí)行繪畫，所述裝置包括:控制器，被配置為基于所述帶電粒子束在所述基板上的多個(gè)位置中的每一個(gè)相對(duì)于與所述多個(gè)位置中的每一個(gè)相對(duì)應(yīng)的目標(biāo)位置的位移的信息、以及與所述多個(gè)位置中的每一個(gè)相對(duì)應(yīng)的目標(biāo)位置處的所述帶電粒子束的目標(biāo)劑量，來(lái)控制所述多個(gè)位置中的每一個(gè)處的所述帶電粒子束的劑量。
[0007]本發(fā)明在其第二方面中提供一種繪畫裝置，用于利用多個(gè)帶電粒子束在基板上執(zhí)行繪畫，所述裝置包括:控制器，被配置為基于所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)在所述基板上的目標(biāo)位置、所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)的所述目標(biāo)位置處的目標(biāo)劑量、以及所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)在所述基板上的位置，來(lái)控制所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)在所述基板上的位置處的劑量。
[0008]本發(fā)明在其第三方面中提供一種制造物品的方法，所述方法包括以下步驟:使用繪畫裝置在基板上執(zhí)行繪畫；對(duì)其上已執(zhí)行繪畫的所述基板進(jìn)行顯影；以及處理顯影后的基板以制造所述物品，其中，所述繪畫裝置利用帶電粒子束在所述基板上執(zhí)行繪畫，并且包括控制器，其被配置為基于所述帶電粒子束在所述基板上的多個(gè)位置中的每一個(gè)相對(duì)于與所述多個(gè)位置中的每一個(gè)相對(duì)應(yīng)的目標(biāo)位置的位移的信息、以及與所述多個(gè)位置中的每一個(gè)相對(duì)應(yīng)的目標(biāo)位置處的所述帶電粒子束的目標(biāo)劑量，來(lái)控制所述多個(gè)位置中的每一個(gè)處的所述帶電粒子束的劑量。
[0009]本發(fā)明在其第四方面中提供一種制造物品的方法，所述方法包括以下步驟:使用繪畫裝置在基板上執(zhí)行繪畫；對(duì)其上已執(zhí)行繪畫的所述基板進(jìn)行顯影；以及處理顯影后的基板以制造所述物品，其中，所述繪畫裝置利用多個(gè)帶電粒子束在所述基板上執(zhí)行繪畫，并且包括控制器，其被配置為基于所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)在所述基板上的目標(biāo)位置、所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)的所述目標(biāo)位置處的目標(biāo)劑量、以及所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)在所述基板上的位置，來(lái)控制所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)在所述基板上的位置處的劑量。
[0010]從以下參考附圖對(duì)示例性實(shí)施例的描述，本發(fā)明的其它特征將變得清楚。
[0011]附圖描述
[0012]圖1A和IB是用于解釋當(dāng)存在電子束的陣列誤差時(shí)的圖案的示圖；
[0013]圖2是示出電子光學(xué)系統(tǒng)的布置的示圖；
[0014]圖3是示出繪畫裝置的框圖；
[0015]圖4A?4C是用于解釋多重繪畫的示圖；
[0016]圖5A和5B是用于解釋設(shè)計(jì)的電子束陣列和實(shí)際的電子束陣列的示圖；
[0017]圖6是用于解釋設(shè)計(jì)的電子束陣列和實(shí)際的電子束陣列的圖；
[0018]圖7A和7B是用于解釋電子束的陣列誤差的校正結(jié)果的示圖；
[0019]圖8是用于解釋插值方法的另一示例的示圖；
[0020]圖9是示出插值方法的另一示例的詳細(xì)流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]以下將參考附圖來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施例。注意，在用于解釋實(shí)施例的整個(gè)附圖中，原則上相同的附圖標(biāo)記表示相同的部件等，并且將省略它們的重復(fù)描述。
[0022]繪畫裝置
[0023]圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的繪畫裝置中所使用的電子光學(xué)系統(tǒng)(帶電粒子光學(xué)系統(tǒng))100的布置的示圖。在本實(shí)施例中，將描述使用電子束在基板上執(zhí)行繪畫的繪畫裝置。然而，本發(fā)明還可用于使用諸如離子束等的另一帶電粒子束在基板上執(zhí)行繪畫的繪畫裝置。包括例如LaB6*BaO/W(擴(kuò)散陰極)作為電子發(fā)射材料的所謂的熱電子型(熱電子)發(fā)射電子源可以被用作電子源101。被配置為通過(guò)電場(chǎng)來(lái)會(huì)聚電子束的靜電透鏡可以被用作準(zhǔn)直透鏡102。由電子源101所發(fā)射的電子束經(jīng)由準(zhǔn)直透鏡102變?yōu)閹缀跗叫械碾娮邮?br> [0024]消隱孔徑(aperture)陣列103通過(guò)二維排列的孔徑將來(lái)自準(zhǔn)直透鏡102的電子束分割成多個(gè)電子束，并且通過(guò)可以針對(duì)每個(gè)分割后的電子束而被驅(qū)動(dòng)的靜電消隱器(未示出)來(lái)控制每個(gè)電子束對(duì)繪畫區(qū)域EA的穿過(guò)。消隱孔徑陣列103和靜電消隱器(未示出)構(gòu)成被配置為確定基板上的電子束的照射或非照射的消隱單元。靜電電子透鏡104和磁場(chǎng)電子透鏡105通過(guò)它們的透鏡效應(yīng)來(lái)形成消隱孔徑陣列103的多個(gè)孔徑的中間圖像。磁場(chǎng)電子透鏡106用作物鏡并且將孔徑的中間圖像投射到繪畫區(qū)域EA上。靜電電子透鏡
104、磁場(chǎng)電子透鏡105和磁場(chǎng)電子透鏡106構(gòu)成被配置為將已穿過(guò)消隱孔徑陣列103的多個(gè)電子束投射到晶片10上的投射系統(tǒng)。偏轉(zhuǎn)器107使已穿過(guò)消隱孔徑陣列103的多個(gè)電子束在預(yù)定方向上一起偏轉(zhuǎn)。
[0025]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的繪畫裝置的示例。除上述電子光學(xué)系統(tǒng)100以外，繪畫裝置還包括X-Y臺(tái)架(臺(tái)架)11，該臺(tái)架11在保持晶片(基板)10的情況下在與光軸垂直的X-Y平面(水平面)內(nèi)可移動(dòng)。臺(tái)架11包括被配置為保持基板10的靜電吸盤。在臺(tái)架11上布置檢測(cè)器12，該檢測(cè)器12被配置為檢測(cè)照射晶片10的電子束的電流和在基板上的位置。
[0026]消隱控制電路13單獨(dú)控制每個(gè)消隱孔徑陣列103。數(shù)據(jù)處理電路14包括緩沖存儲(chǔ)器，并且生成消隱控制電路13的控制數(shù)據(jù)。倍率控制電路15控制磁場(chǎng)電子透鏡105的倍率。電子束位置處理電路16基于來(lái)自檢測(cè)器12的信號(hào)來(lái)計(jì)算每個(gè)電子束的電流值和實(shí)際位置。臺(tái)架控制電路17與被配置為測(cè)量臺(tái)架11的位置的激光干涉計(jì)(未示出)協(xié)作地控制臺(tái)架11的位置。
[0027]設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器18存儲(chǔ)要繪畫的射擊(shot)圖案的設(shè)計(jì)圖形數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器19將該設(shè)計(jì)圖形數(shù)據(jù)分割成具有由繪畫裝置所設(shè)置的寬度的條帶(stripe)單位，由此將該數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成中間圖形數(shù)據(jù)以便于后續(xù)處理。中間數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器20存儲(chǔ)由數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器19轉(zhuǎn)換的中間圖形數(shù)據(jù)。中間數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器20存儲(chǔ)經(jīng)壓縮的條帶數(shù)據(jù)。根據(jù)要繪畫的圖案，主控制器21將中間圖形數(shù)據(jù)傳送至數(shù)據(jù)處理電路14的緩沖存儲(chǔ)器，并且控制上述多個(gè)控制電路和處理電路，由此總體上控制繪畫裝置。主控制器21和上述多個(gè)控制電路、處理電路等構(gòu)成繪畫裝置的控制器。
[0028]圖4A?4C是用于解釋根據(jù)本實(shí)施例的繪畫裝置的基本繪畫方法的示圖。圖4A示出電子光學(xué)系統(tǒng)100的繪畫區(qū)域EA上的電子束陣列。在本實(shí)施例中，電子束陣列包括5(行)X20(列)的電子束。行間距是列間距的兩倍。如圖4A中的箭頭所示，臺(tái)架11從該圖的上側(cè)到下側(cè)移動(dòng)。這里將描述通過(guò)圖4A所示的目標(biāo)電子束陣列如圖4B所示在晶片10上的同一列中的位置I?6處使用指定劑量的照射圖案來(lái)繪畫的方法。所有的電子束按同一時(shí)鐘照射晶片10。假定通過(guò)j、k、l、m和η來(lái)表示目標(biāo)電子束陣列的行并且臺(tái)架11以每單位時(shí)鐘移動(dòng)一個(gè)列間距的速度連續(xù)地移動(dòng)。
[0029]此時(shí)，當(dāng)如圖4C所示設(shè)置目標(biāo)電子束陣列的行(j?η)的每單位時(shí)鐘的接通/關(guān)斷?目號(hào)的時(shí)間表時(shí)，獲得如圖4Β所不的照射圖案。參考圖4C,線I?6是在晶片10上的相同位置I?6處照射的行(j?η)的接通/關(guān)斷信號(hào)。由于臺(tái)架11每?jī)蓚€(gè)單位時(shí)鐘移動(dòng)一個(gè)行間距，因此相同位置處的線每一行偏移兩個(gè)單位時(shí)鐘。也就是說(shuō)，通過(guò)相加偏移兩個(gè)單位時(shí)鐘的行j?η的電子束來(lái)獲得如圖4Β所示的照射圖案。
[0030]電子束接通的行的數(shù)量、即重復(fù)地(overlappingly)在同一位置處照射基板的電子束的數(shù)量確定照射圖案的色調(diào)。因此，僅在所有行j?η的電子束結(jié)束繪畫之后才獲得照射圖案。此外，圖4Α所示的電子束的多個(gè)列的總寬度與由繪畫裝置所設(shè)置的條帶寬度相對(duì)應(yīng)。實(shí)際上，在晶片上，列間距為數(shù)十nm并且列的數(shù)量為4000，因此條帶寬度為80?100 μ m0
[0031]將描述根據(jù)本實(shí)施例的繪畫裝置中對(duì)電子束的陣列誤差進(jìn)行校正的方法。圖5A顯示基板10上的設(shè)計(jì)的電子束陣列和實(shí)際的電子束陣列。實(shí)際的電子束陣列基于每個(gè)電子束在基板10上的實(shí)際位置，其由電子束位置處理電路16基于來(lái)自檢測(cè)器12的輸出來(lái)計(jì)算。每個(gè)電子束在列方向上的位置按電子束的間距歸一化(normalize)。
[0032]因此，通過(guò)整數(shù)來(lái)表示設(shè)計(jì)的電子束陣列中的每個(gè)電子束的列方向上的位置(目標(biāo)位置)的坐標(biāo)。Δ (η)表示與具有坐標(biāo)η的目標(biāo)位置相對(duì)應(yīng)的位置相對(duì)于該目標(biāo)位置的位移。圖5Β顯示目標(biāo)位置處的坐標(biāo)η與對(duì)應(yīng)的實(shí)際位置之間的位移Λ (η)關(guān)系。由于電子束具有的行的數(shù)量(實(shí)際為248)小于列的數(shù)量(實(shí)際為4000或更多)，因此繪畫裝置假定同一列中的位置的偏移量相同。
[0033]與目標(biāo)位置處的坐標(biāo)η相對(duì)應(yīng)的實(shí)際位置的坐標(biāo)的值F (η)通過(guò)下式來(lái)表示:
[0034]F (η) = η+ Δ (η)…(I)
[0035]條帶寬度是由裝置固定的。因此，需要調(diào)整電子光學(xué)系統(tǒng)100的投射倍率，以便將位于列方向的兩端的電子束設(shè)置為目標(biāo)位置的坐標(biāo)值(n = Nmax, -Nmax)。電子光學(xué)系統(tǒng)100的調(diào)整倍率β通過(guò)下式來(lái)表示:
[0036]β = 2 X Nmax/ {| (-Nmax+ Δ (-Nmax) | + (Nmax+ Δ (Nmax))}...(2)
[0037]倍率控制電路15基于該調(diào)整倍率β來(lái)調(diào)整磁場(chǎng)電子透鏡105的倍率。與坐標(biāo)η的目標(biāo)位置相對(duì)應(yīng)的、倍率調(diào)整之后的電子束的實(shí)際位置的坐標(biāo)值G(n)通過(guò)下式來(lái)表示:
[0038]G(n) = β XF(n)…(3)
[0039]位于列方向的兩端的電子束的位置通過(guò)執(zhí)行倍率調(diào)整被調(diào)整為目標(biāo)位置。然而，如果存在陣列誤差，盡管執(zhí)行倍率調(diào)整，但倍率調(diào)整之后的實(shí)際位置G(n)也通常不被設(shè)置為整數(shù)，而目標(biāo)位置處的坐標(biāo)為整數(shù)η。因此,為了在倍率調(diào)整之后的電子束陣列中獲得目標(biāo)合成強(qiáng)度輪廓(SUM_P:目標(biāo)劑量分布)，應(yīng)根據(jù)電子束的目標(biāo)位置處的強(qiáng)度來(lái)對(duì)電子束的實(shí)際位置處的強(qiáng)度進(jìn)行插值。
[0040]現(xiàn)在，假定夾著(sandwich)G(η)的整數(shù)是k和(k+Ι)。另外，當(dāng)位置η處的強(qiáng)度為1(η)時(shí)，位置G(n)處的強(qiáng)度由l(G(n))來(lái)表示。同樣地，夾著位置G(n)的兩個(gè)整數(shù)k和(k+Ι)的位置處的強(qiáng)度分別由I (k)和l(k+l)來(lái)表示。位置G(n)處的強(qiáng)度l(G(n))可以使用兩個(gè)整數(shù)k和(k+Ι)的位置處的兩個(gè)強(qiáng)度I (k)和l(k+l)如以下等式(4)那樣通過(guò)線性插值來(lái)計(jì)算:
[0041 ]對(duì)于 u = (k+1) -G (η)且 ν = G (η) - k:
[0042]I (G (η)) = u X I (k) +V X I (k+1)…(4)
[0043]在本實(shí)施例中，通過(guò)使用由整數(shù)k和(k+Ι)如此表示的多個(gè)目標(biāo)位置處的強(qiáng)度獲得倍率調(diào)整之后的實(shí)際位置G(n)處的強(qiáng)度來(lái)校正電子束的陣列誤差。圖7A和7B分別示出當(dāng)在倍率調(diào)整之后沒(méi)有執(zhí)行上述校正時(shí)(圖7A)和當(dāng)執(zhí)行校正時(shí)(圖7B)的合成強(qiáng)度輪廓(SUM_P)。在沒(méi)有執(zhí)行校正的圖7A的情況下，要實(shí)際形成的圖案的中心位置和寬度兩者相對(duì)于目標(biāo)值極大地偏移。
[0044]另一方面，在倍率調(diào)整之后校正了陣列誤差的圖7B的情況下，即使電子束陣列具有誤差，合成強(qiáng)度輪廓(SUM_P)與目標(biāo)之間的差也落在容許的范圍內(nèi)。結(jié)果，在基于位置的位移信息校正陣列誤差的圖7B的情況下，精確地形成具有與設(shè)計(jì)圖案相對(duì)應(yīng)的寬度和位置的圖案。如圖7B所示，即使在倍率調(diào)整之后，電子束B(niǎo)I?B3中的每一個(gè)的陣列仍然相對(duì)于由虛線表示的目標(biāo)位置偏移。在圖7B中，通過(guò)校正陣列誤差，B2的強(qiáng)度增大為比所設(shè)計(jì)的100%略高，B3的強(qiáng)度增大為比所設(shè)計(jì)的50%高得多(約70% )，并且BI的強(qiáng)度減小為比所設(shè)計(jì)的50%低得多(約30%)。結(jié)果，如圖7B中所看到的，具有等于或大于三個(gè)電子束B(niǎo)I?B3的合成強(qiáng)度輪廓SUM_P(a)的閾值RT的值的區(qū)域被向右方向校正，并且其寬度接近于設(shè)計(jì)的寬度。
[0045]接著，以下將描述校正(補(bǔ)償)電子束的陣列誤差的方法的另一示例。首先，通過(guò)最右側(cè)來(lái)進(jìn)一步表示等式(3)的右側(cè)。
[0046]G (η) = β X F (η) = η+ Δ g (η)…(3，)
[0047]關(guān)于G (η)，圖6示出目標(biāo)位置處的坐標(biāo)η與對(duì)應(yīng)的實(shí)際位置之間的位移Ag (η)關(guān)系。坐標(biāo)η與Λ (η)之間的關(guān)系在圖6中再次示出。與圖5Β不同，當(dāng)η為負(fù)時(shí)，考慮到位移方向，Δ (η)取負(fù)值。如可從圖6中所看到的，位于行方向的兩端的電子束的位置通過(guò)倍率調(diào)整被調(diào)整為目標(biāo)位置。然而，如果存在陣列誤差，盡管執(zhí)行倍率調(diào)整，但倍率調(diào)整之后的實(shí)際位置G(n)也通常不被設(shè)置為整數(shù)，而目標(biāo)位置處的坐標(biāo)被設(shè)置為整數(shù)。
[0048]圖8示出根據(jù)電子束的目標(biāo)位置處的強(qiáng)度來(lái)對(duì)電子束的實(shí)際位置處的強(qiáng)度進(jìn)行插值以在倍率調(diào)整之后的電子束陣列中獲得目標(biāo)合成強(qiáng)度輪廓(SUM_P:目標(biāo)劑量分布)的方法的另一示例。實(shí)心圓nl、n2和n3分別是電子束B(niǎo)1、B2和B3的目標(biāo)位置處的坐標(biāo)。空心圓G(nl)、G(n2)和G(n3)分別是電子束B(niǎo)1、B2和B3的實(shí)際位置的坐標(biāo)。在圖8的插值方法中，與目標(biāo)位置η相對(duì)應(yīng)的實(shí)際位置G(n)處的強(qiáng)度lG(n)以對(duì)相鄰的目標(biāo)位置的強(qiáng)度l(n)進(jìn)行分割的形式被確定為以下的等式(4’)、(5’)和(6’):
[0049]IG (nl) = I (nl) X {vl/ (ul+vl)}...(4，)
[0050]IG (n2) = I (nl) X {ul/ (ul+vl)} +1 (n2) X {v2/ (u2+v2)} +1 (n3) X {v3/ (u3+v3)}…(5，)
[0051 ] IG (n3) = I (n2) X {u2/ (u2+v2)} +1 (n3) X {u3/ (u3+v3)}...(6，)
[0052]當(dāng)倍率調(diào)整之后不使用等式(4’)?(6’)執(zhí)行校正時(shí)，如圖5A那樣，要實(shí)際形成的圖案的寬度和中心位置兩者相對(duì)于目標(biāo)值極大地偏移。另一方面，當(dāng)倍率調(diào)整之后校正了陣列誤差時(shí)，如圖5B那樣，即使電子束陣列具有誤差，合成強(qiáng)度輪廓(SUM_P)與目標(biāo)之間的差也落在容許的范圍內(nèi)。結(jié)果，當(dāng)基于位置的位移信息校正(補(bǔ)償)陣列誤差時(shí)，精確地形成與設(shè)計(jì)圖案相對(duì)應(yīng)的寬度和位置的圖案。
[0053]圖9示出上述插值處理的詳細(xì)處理流程。在圖9中，η為整數(shù)并且表示電子束的目標(biāo)位置和光束地址。G (η)表示電子束的實(shí)際位置。I (η)表示與目標(biāo)位置η相對(duì)應(yīng)的強(qiáng)度的數(shù)據(jù)串(data string)。lG(n)表示在位置G(n)處進(jìn)行插值后的強(qiáng)度的數(shù)據(jù)串。INTEGER(G)表示返回小于G(n)的最大整數(shù)的函數(shù)。數(shù)據(jù)處理電路14通過(guò)執(zhí)行圖9中的處理來(lái)將目標(biāo)位置處的強(qiáng)度的數(shù)據(jù)串I (η)轉(zhuǎn)換成插值后的強(qiáng)度的數(shù)據(jù)串lG(n)。該數(shù)據(jù)串作為控制數(shù)據(jù)被傳送至消隱控制電路13。
[0054]在本實(shí)施例中，重復(fù)地在同一位置處照射基板的電子束的數(shù)量被調(diào)整以調(diào)整基板上的每個(gè)位置處的電子束的劑量。然而，可以通過(guò)調(diào)整由消隱單元所確定的電子束的時(shí)間來(lái)調(diào)整電子束的劑量。在本實(shí)施例中，在對(duì)電子束的陣列誤差進(jìn)行校正之前調(diào)整磁場(chǎng)電子透鏡105的倍率。然而，例如，當(dāng)執(zhí)行繪畫以使得圖案與具有倍率誤差的底層重疊時(shí)，可以通過(guò)考慮倍率誤差調(diào)整磁場(chǎng)電子透鏡105的倍率或者不調(diào)整磁場(chǎng)電子透鏡105的倍率的情況下來(lái)校正(補(bǔ)償)電子束的陣列誤差。
[0055]制造物品的方法
[0056]上述繪畫裝置例如可以被用于制造物品，例如諸如半導(dǎo)體設(shè)備或具有精細(xì)結(jié)構(gòu)的元件的微設(shè)備。制造物品的方法可以包括以下步驟:通過(guò)使用繪畫裝置利用涂敷在基板上的光致抗蝕劑來(lái)在該基板的光致抗蝕劑上形成潛像圖案的步驟(在基板上執(zhí)行繪畫的步驟)；以及對(duì)在以上步驟中形成潛像圖案的基板進(jìn)行顯影的步驟。該制造方法還可以包括其它已知的處理(例如，氧化、沉積、氣相沉積、摻雜、平坦化、蝕刻、抗蝕劑去除、切割、焊接和封裝)。與傳統(tǒng)方法相比，根據(jù)本實(shí)施例的物品的制造方法在物品的性能、質(zhì)量、生產(chǎn)率和生產(chǎn)成本中的至少一方面是有利的。
[0057]盡管已參考示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所公開(kāi)的示例性實(shí)施例。所附權(quán)利要求的范圍要被賦予最寬泛的解釋，以包含所有這樣的修改以及等同結(jié)構(gòu)和功能。
【權(quán)利要求】
1.一種繪畫裝置，用于利用帶電粒子束在基板上執(zhí)行繪畫，所述裝置包括: 控制器，被配置為基于所述帶電粒子束在基板上的多個(gè)位置中的每一個(gè)相對(duì)于與所述多個(gè)位置中的每一個(gè)相對(duì)應(yīng)的目標(biāo)位置的位移的信息、以及與所述多個(gè)位置中的每一個(gè)相對(duì)應(yīng)的目標(biāo)位置處的帶電粒子束的目標(biāo)劑量，來(lái)控制所述多個(gè)位置中的每一個(gè)處的帶電粒子束的劑量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括檢測(cè)器，所述檢測(cè)器被配置為檢測(cè)帶電粒子束， 其中，所述控制器被配置為基于來(lái)自所述檢測(cè)器的輸出來(lái)獲得所述信息。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括消隱設(shè)備，所述消隱設(shè)備被配置為執(zhí)行帶電粒子束的消隱， 其中，所述控制器被配置為通過(guò)控制所述消隱設(shè)備來(lái)控制劑量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述控制器被配置為通過(guò)控制照射所述多個(gè)位置中的每一個(gè)所利用的帶電粒子束的數(shù)量來(lái)控制劑量。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中， 所述繪畫裝置利用多個(gè)帶電粒子束執(zhí)行繪畫， 所述繪畫裝置包括投射系統(tǒng)，所述投射系統(tǒng)被配置為將多個(gè)帶電粒子束投射到基板上，并且 所述控制器被配置為確定所述投射系統(tǒng)的投射倍率，并且獲得利用所述投射倍率投射在基板上的所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)的位置相對(duì)于與該位置相對(duì)應(yīng)的目標(biāo)位置的位移的信息作為所述信息。
6.一種繪畫裝置，用于利用多個(gè)帶電粒子束在基板上執(zhí)行繪畫，所述裝置包括: 控制器，被配置為基于所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)在基板上的目標(biāo)位置、所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)的目標(biāo)位置處的目標(biāo)劑量、以及所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)在基板上的位置，來(lái)控制所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)在基板上的位置處的劑量。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述控制器被配置為基于所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)的位置和目標(biāo)位置通過(guò)對(duì)所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)的目標(biāo)劑量進(jìn)行分割來(lái)獲得所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)的位置處的劑量。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，還包括檢測(cè)器，所述檢測(cè)器被配置為檢測(cè)多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)， 其中，所述控制器被配置為基于來(lái)自所述檢測(cè)器的輸出來(lái)獲得關(guān)于所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)在基板上的位置的信息。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，還包括消隱設(shè)備，所述消隱設(shè)備被配置為執(zhí)行多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)的消隱， 其中，所述控制器被配置為通過(guò)控制所述消隱設(shè)備來(lái)控制所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)的劑量。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述控制器被配置為通過(guò)控制照射所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)的位置所利用的帶電粒子束的數(shù)量來(lái)控制所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)的劑量。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，還包括投射系統(tǒng)，所述投射系統(tǒng)被配置為將多個(gè)帶電粒子束投射到基板上， 其中，所述控制器被配置為確定所述投射系統(tǒng)的投射倍率，并且獲得關(guān)于利用所述投射倍率投射在基板上的所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)的位置的信息作為所述信息。
12.一種制造物品的方法，所述方法包括以下步驟: 使用繪畫裝置在基板上執(zhí)行繪畫； 對(duì)其上已執(zhí)行繪畫的基板進(jìn)行顯影；以及 處理顯影后的基板以制造物品， 其中，所述繪畫裝置利用帶電粒子束在基板上執(zhí)行繪畫，并且包括: 控制器，被配置為基于所述帶電粒子束在基板上的多個(gè)位置中的每一個(gè)相對(duì)于與所述多個(gè)位置中的每一個(gè)相對(duì)應(yīng)的目標(biāo)位置的位移的信息、以及與所述多個(gè)位置中的每一個(gè)相對(duì)應(yīng)的目標(biāo)位置處的帶電粒子束的目標(biāo)劑量，來(lái)控制所述多個(gè)位置中的每一個(gè)處的帶電粒子束的劑量。
13.—種制造物品的方法，所述方法包括以下步驟: 使用繪畫裝置在基板上執(zhí)行繪畫； 對(duì)其上已執(zhí)行繪畫的基板進(jìn)行顯影；以及 處理顯影后的基板以制造物品， 其中，所述繪畫裝置利用多個(gè)帶電粒子束在基板上執(zhí)行繪畫，并且包括: 控制器，被配置為基于所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)在基板上的目標(biāo)位置、所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)的目標(biāo)位置處的目標(biāo)劑量、以及所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)在基板上的位置，來(lái)控制所述多個(gè)帶電粒子束中的每一個(gè)在基板上的位置處的劑量。
【文檔編號(hào)】H01J37/317GK104253011SQ201410282724
【公開(kāi)日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2014年6月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月26日
【發(fā)明者】村木真人, 森田知之 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社