等離子體裝置內(nèi)具有氧化釔包覆層的部件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種等離子體處理裝置內(nèi)具有氧化釔包覆層的部件，其包括部件本體；氧化釔包覆層，其覆蓋部件本體暴露于等離子體的至少部分表面；以及形成于氧化釔包覆層表面的阻擋層，所述阻擋層阻止所述氧化釔包覆層中的氧化釔與含氟等離子體反應(yīng)。本發(fā)明能夠有效避免氧化釔包覆層與含氟等離子體產(chǎn)生氟化釔顆粒污染物。
【專利說明】等離子體裝置內(nèi)具有氧化釔包覆層的部件及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工設(shè)備，特別涉及一種等離子體處理裝置內(nèi)具有氧化釔包覆層的部件及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著半導(dǎo)體制造工藝的發(fā)展，等離子體處理工藝被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體元器件的制程中。上述制程，如沉積、刻蝕工藝等一般是在等離子體處理裝置內(nèi)進(jìn)行，然而，在進(jìn)行等離子體處理工藝時(shí)，由于等離子體的轟擊性和工藝氣體的腐蝕性，也使暴露于高密度高腐蝕性高活性的等離子體環(huán)境中的等離子體處理裝置內(nèi)部部件(如等離子體處理腔室的腔壁、氣體噴淋頭、聚焦環(huán)等)被腐蝕。
[0003]以氣體噴淋頭為例，現(xiàn)有的氣體噴淋頭其本體一般為鋁，但是鋁容易在等離子體環(huán)境下被腐蝕，導(dǎo)致其壽命縮短。針對(duì)這一問題，現(xiàn)有技術(shù)中通過在氣體噴淋頭本體的外表面覆蓋一層抗腐蝕性能力較強(qiáng)的保護(hù)層，提高其耐腐蝕性。較常見的，該保護(hù)層的材料為氧化釔，其對(duì)含氟氣體等腐蝕性氣體或等離子體的耐腐性較高，可保護(hù)氣體噴淋頭的本體不被侵蝕。與上述中提到的氣體噴淋頭的抗腐蝕目的類似，氧化釔保護(hù)層也噴涂于等離子體處理裝置內(nèi)其他部件的表面。采用氧化釔作為保護(hù)層的另一優(yōu)勢(shì)在于，雖然氧化釔中的釔原子也可與含氟氣體等腐蝕性氣體或等離子體反應(yīng)生成氟化釔，但氟化釔同樣具有較好的耐腐蝕性和穩(wěn)定性，因此即使氧化釔暴露在含氟氣體或其等離子體環(huán)境下，也表現(xiàn)出穩(wěn)定的高耐腐蝕性。
[0004]然而，在實(shí)際應(yīng)用中，由于等離子體處理裝置的反應(yīng)腔室內(nèi)生成的等離子體密度具有不均勻的特征分布，在等離子體密度較大處，氧化釔保護(hù)層中的釔原子與含氟等離子體反應(yīng)生成的氟化釔較多；相應(yīng)的在等離子體密度較小處，氧化釔保護(hù)層表面生成的氟化釔較少，因此氧化釔保護(hù)層表面的氟化釔的生長速度也就不可避免地呈現(xiàn)出不均勻性。隨著氟化釔的厚度不斷增加，在生長較快的區(qū)域可能會(huì)發(fā)生氟化釔在壓力作用下從氧化釔保護(hù)層表面剝落的情況，而剝落的氟化釔形成顆粒污染物，會(huì)對(duì)正在加工的半導(dǎo)體器件(如硅片)造成缺陷，甚至可能造成器件失效。此外，從氧化釔表面濺射出的釔原子也可能會(huì)在其他部件表面與含氟等離子體發(fā)生反應(yīng)生成氟化釔并脫落成為顆粒污染物。因此，對(duì)于等離子體處理裝置中具有氧化釔包覆層的部件來說，如何防止氟化釔顆粒污染就變得尤為重要。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的主要目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種能夠避免其表面所包覆的氧化釔與含氟等離子體反應(yīng)導(dǎo)致顆粒污染的等離子體處理裝置的部件。
[0006]為達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種等離子體處理裝置內(nèi)具有氧化釔包覆層的部件，包括:部件本體；氧化釔包覆層，其覆蓋所述部件本體暴露于等離子體的至少部分表面；以及形成于所述氧化釔包覆層表面的阻擋層，所述阻擋層阻止所述氧化釔包覆層中的氧化釔與含氟等離子體反應(yīng)。
[0007]優(yōu)選的，所述阻擋層為氟化釔阻擋層或氧化鉺阻擋層。
[0008]優(yōu)選的，所述阻擋層的厚度為2微米至10微米。
[0009]優(yōu)選的，所述阻擋層通過等離子體沉積或熱噴涂沉積或凝膠溶膠法沉積而形成。
[0010]優(yōu)選的，所述阻擋層通過在所述氧化釔包覆層沉積后接續(xù)進(jìn)行相同的沉積工藝而形成，所述沉積工藝包括等離子體沉積，熱噴涂沉積，離子輔助沉積，濺射沉積或物理氣相沉積。
[0011]優(yōu)選的，所述阻擋層為氟化釔阻擋層，其通過在進(jìn)行等離子體處理工藝前，在所述等離子體裝置的反應(yīng)腔室內(nèi)形成含氟等離子體，并由所述含氟等離子體與所述氧化釔包覆層的表面發(fā)生反應(yīng)而形成。
[0012]優(yōu)選的，形成所述含氟等離子體的射頻功率小于等于1000W，反應(yīng)腔室氣壓大于等于 10mtorr0
[0013]優(yōu)選的，所述部件選自氣體噴淋頭，氣體分配板，等離子體限制環(huán)，聚焦環(huán)，靜電夾盤或等離子體處理裝置反應(yīng)腔室的內(nèi)壁。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明還提供了一種制造上述具有氧化釔包覆層的部件的制造方法，其包括如下步驟:
[0015]步驟S1:制造部件本體；
[0016]步驟S2:在所述部件本體暴露于等離子體的至少部分表面上沉積氧化釔包覆層；以及
[0017]步驟S3:在所述氧化釔包覆層表面形成阻擋層，以阻止所述氧化釔包覆層中的氧化釔與含氟等離子體反應(yīng)。
[0018]優(yōu)選的，所述步驟S3包括通過等離子體沉積或熱噴涂沉積或凝膠溶膠法沉積阻擋層材料以形成所述阻擋層。
[0019]優(yōu)選的，所述步驟S3包括在步驟S2之后接續(xù)以相同的沉積工藝形成所述阻擋層，所述沉積工藝包括等離子體沉積或熱噴涂沉積或離子輔助沉積或?yàn)R射沉積或物理氣相沉積阻擋層材料以形成所述阻擋層。
[0020]優(yōu)選的，所述阻擋層材料為氟化釔或氧化鉺。
[0021]優(yōu)選的，所述步驟S3包括在進(jìn)行等離子體處理工藝前，在所述等離子體裝置的反應(yīng)腔室內(nèi)形成含氟等離子體，所述含氟等離子體與所述氧化釔包覆層的表面反應(yīng)生成氧化釔以形成所述阻擋層。
[0022]優(yōu)選的，形成所述含氟等離子體的射頻功率小于等于1000W，反應(yīng)腔室氣壓大于等于 10mtorr0
[0023]優(yōu)選的，其特征在于，所述部件選自氣體噴淋頭，氣體分配板，等離子體限制環(huán)，聚焦環(huán)，靜電夾盤或等離子體處理裝置反應(yīng)腔室的內(nèi)壁。
[0024]本發(fā)明的有益效果在于通過氧化釔包覆層表面形成一層致密均勻的阻擋層，能夠有效避免氧化釔中的釔原子與含氟等離子體發(fā)生反應(yīng)引起顆粒污染。此外，阻擋層也不易被含氟等離子體腐蝕，具有更佳的穩(wěn)定性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1為本發(fā)明實(shí)施例等離子體處理裝置的示意圖；
[0026]圖2為本發(fā)明實(shí)施例具有氧化釔包覆層的噴淋頭的局部剖視圖；
[0027]圖3為本發(fā)明實(shí)施例等離子體處理裝置內(nèi)具有氧化釔包覆層的部件制造方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0028]為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說明書附圖，對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0029]在本發(fā)明中，具有氧化釔包覆層的部件可用于等離子體處理裝置。圖1為本實(shí)施例中的等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參閱圖1，等離子體處理裝置具有一個(gè)反應(yīng)腔室1，反應(yīng)腔室I內(nèi)具有相互平行設(shè)置的上電極2和下電極3。通常，上電極配置于反應(yīng)氣體噴淋頭4中，下電極配置于靜電夾盤5中。在靜電夾盤5上放置待要加工的基片W，該基片W可以是待要刻蝕或加工的半導(dǎo)體基片或者待要加工成平板顯示器的玻璃平板。靜電夾盤5與基片W之間產(chǎn)生靜電力使基片被牢牢地吸附在靜電夾盤5上，達(dá)到固定基片的目的。反應(yīng)氣體從氣體源中被輸入至反應(yīng)腔室I內(nèi)，一個(gè)或多個(gè)射頻電源可以被單獨(dú)地施加在下電極上或同時(shí)被分別地施加在上電極與下電極上，用以將射頻功率輸送到下電極上或上電極與下電極上，從而在反應(yīng)腔室內(nèi)部產(chǎn)生大的射頻電場(chǎng)，此射頻電場(chǎng)對(duì)少量存在于反應(yīng)腔室內(nèi)部的電子進(jìn)行加速，使之與輸入的反應(yīng)氣體的氣體分子碰撞。這些碰撞導(dǎo)致反應(yīng)氣體的離子化和等離子體的激發(fā)，從而在反應(yīng)腔室內(nèi)產(chǎn)生等離子體。此外，等離子體處理裝置內(nèi)基片W周圍還設(shè)置有聚焦環(huán)6，用以在基片周圍提供一個(gè)相對(duì)封閉的環(huán)境，約束等離子體以改善基片表面上的等離子體的均一性。此外，靜電夾盤3兩側(cè)還可設(shè)置等離子體限制環(huán)7，其用于將等離子體約束在支撐區(qū)域內(nèi)，通過接地器件8將等離子體限制環(huán)接地。在等離子體處理裝置腔室的合適位置處設(shè)置有排氣區(qū)域，排氣區(qū)域與外置的排氣裝置(圖中未示)相連接，用以在處理過程中將用過的反應(yīng)氣體及副產(chǎn)品氣體抽出腔室。
[0030]應(yīng)該理解，本發(fā)明中的等離子體處理裝置可以為各種類型的通用的等離子體處理裝置，圖1所示僅僅是示例性的，其可以包括更少或更多的組成元件，或該組成元件的安排可能與圖中所示相同或不同。
[0031]如前所述，具有氧化釔包覆層的部件用于等離子體處理裝置，其可以是等離子體處理裝置中的各個(gè)部件，包括但不限于上述的氣體噴淋頭4，靜電夾盤5，聚焦環(huán)6，等離子體限制環(huán)7或其他部件如反應(yīng)腔室的腔壁，排氣環(huán)，氣體分配板等。在本實(shí)施例中，以該具有氧化釔包覆層的部件作為氣體噴淋頭為例進(jìn)行說明，但這不用于限制本發(fā)明的范圍。
[0032]圖2所示為具有氧化釔包覆層的氣體噴淋頭的局部剖示圖。請(qǐng)參考圖2，氣體噴淋頭包括噴淋頭本體10，氧化釔包覆層20以及阻擋層30。其中，噴淋頭本體材質(zhì)可為金屬(例如鋁)或金屬合金或陶瓷。氧化釔包覆層20涂覆在噴淋頭本體易暴露于等離子體的至少部分表面上，如在本實(shí)施例中覆蓋于噴淋頭本體10的下表面，以保護(hù)噴淋頭本體不受等離子體侵蝕。氧化釔包覆層可以選擇溶膠凝膠沉積、等離子體沉積、熱噴涂沉積、離子輔助沉積、濺射沉積、物理氣相沉積等現(xiàn)有工藝形成。為避免剝落或性能不穩(wěn)定，氧化釔包覆層的厚度一般視制備工藝和應(yīng)用環(huán)境而定。例如采用噴涂法形成的氧化釔包覆層厚度一般為0.2毫米，采用等離子體增強(qiáng)物理氣相沉積制備的厚度了為0.02至0.15毫米。此外，在實(shí)際實(shí)施過程中，氧化釔包覆層還可以摻雜氟化釔、氧化鉺、氧化鋯或氧化鋁，以上摻雜物可以提高氧化釔包覆層的耐等離子體腐蝕性能。
[0033]由于氧化釔與含氟等離子體反應(yīng)所產(chǎn)生的生長較快的氟化釔顆粒易從氧化釔包覆層表面脫落，這不僅會(huì)造成新的氟化釔顆粒物污染，也會(huì)導(dǎo)致噴淋頭氧化釔包覆層變薄，耐等離子體腐蝕性能變差?；诖?，覆蓋氣體噴淋頭本體的氧化釔包覆層20上形成一層均勻致密的阻擋層30，阻擋層30的作用在于阻止氧化釔與含氟等離子體反應(yīng)生成氟化釔，從而可避免氟化釔顆粒剝落的缺陷。阻擋層30較氧化釔包覆層20薄，其厚度可為2微米至10微米。進(jìn)一步的，阻擋層30還具有耐等離子體腐蝕的特性，其本身不易被含氟等離子體侵蝕。在本發(fā)明的一具體實(shí)施例中，阻擋層為氟化釔阻擋層，這是因?yàn)榉惒粌H可以隔離氧化釔與含氟等離子體反應(yīng)，不易被含氟等離子體腐蝕，且也不會(huì)與含氟等離子體反應(yīng)生成可能會(huì)剝落的新的耐等離子體腐蝕的薄膜化合物，因此即使噴淋頭使用一段時(shí)間后，氟化釔阻擋層也不會(huì)變薄或形成新的化合物顆粒污染。在本發(fā)明的另一具體實(shí)施例中，阻擋層30也可為氧化鉺阻擋層，其具有與氟化釔阻擋層相類似的特性，在此不作贅述。
[0034]值得注意的是，阻擋層30可通過多種方法形成。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，阻擋層是通過薄膜涂覆工藝形成。具體來說，是采用等離子體沉積、熱噴涂沉積、凝膠溶膠法沉積等方法在氧化釔包覆層表面沉積阻擋層；或以沉積工藝形成氧化釔包覆層后接續(xù)以相同沉積工藝形成阻擋層，該沉積工藝?yán)鐬榈入x子體沉積或熱噴涂沉積或離子輔助沉積或?yàn)R射沉積或其他物理氣相沉積，采用相同的沉積工藝可簡(jiǎn)化工藝步驟。通過上述薄膜涂覆工藝可以非常容易地實(shí)現(xiàn)大面積均勻鍍膜，因此所形成的阻擋層致密度和均勻性都能夠保證。
[0035]較佳的，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，阻擋層30為氟化釔阻擋層，該氟化釔阻擋層30的形成方法是通過在進(jìn)行等離子體處理工藝之前，先在等離子體反應(yīng)腔室內(nèi)形成含氟等離子體，由該含氟等離子體與氧化釔包覆層的表面發(fā)生反應(yīng)而形成。為使氟化釔阻擋層具有良好的厚度及密度均勻性，形成含氟等離子體的射頻功率小于等于1000W，反應(yīng)腔室氣壓大于等于lOOmtorr。
[0036]綜上所述，本實(shí)施例所提供的氣體噴淋頭，通過在氧化釔包覆層表面形成均勻致密的阻擋層，避免了氧化釔與含氟等離子體反應(yīng)產(chǎn)生氟化釔顆粒污染，且阻擋層本身不易被含氟等離子體腐蝕，因此，氣體噴淋頭的使用壽命得以有效提高。
[0037]現(xiàn)結(jié)合圖3對(duì)本發(fā)明的具有氧化釔包覆層的部件的制造方法作進(jìn)一步說明。如前所述，具有氧化釔包覆層的部件可選自氣體噴淋頭，氣體分配板，等離子體限制環(huán)，聚焦環(huán)，靜電夾盤或反應(yīng)腔室內(nèi)壁等各種等離子體處理裝置內(nèi)部的部件。
[0038]圖3所示為本發(fā)明的制造方法的流程示意圖，其包括如下步驟:
[0039]步驟S1:制造部件本體。
[0040]步驟S2:在部件本體暴露于等離子體的至少部分表面上沉積氧化釔包覆層。氧化釔包覆層的沉積方法可以選擇溶膠凝膠沉積、等離子體沉積、熱噴涂沉積、離子輔助沉積、濺射沉積。該些方法中使用的工藝條件可為現(xiàn)有工藝條件，氧化釔包覆層的沉積厚度一般視制備工藝和應(yīng)用環(huán)境而定。例如采用噴涂法沉積厚度一般為0.2毫米，采用等離子體增強(qiáng)物理氣相沉積制備的厚度為0.02至0.15毫米。在實(shí)際實(shí)施過程中，氧化釔包覆層還可以摻雜氟化釔、氧化鉺、氧化鋯或氧化鋁，以上摻雜物可以提高氧化釔包覆層的耐等離子體腐蝕性能。
[0041]步驟S3:在氧化釔包覆層表面形成阻擋層，以阻止氧化釔包覆層中的氧化釔與含氟等離子體反應(yīng)。
[0042]在本發(fā)明的一具體實(shí)施例中，阻擋層是通過薄膜涂覆工藝形成。具體來說，采用等離子體沉積、熱噴涂沉積、凝膠溶膠法沉積等方法在氧化釔包覆層表面沉積阻擋層材料從而形成阻擋層；或在氧化釔包覆層沉積后接續(xù)進(jìn)行等離子體沉積或熱噴涂沉積或離子輔助沉積或?yàn)R射沉積或物理氣相沉積阻擋層材料而形成阻擋層。采用薄膜涂覆工藝可以非常容易地實(shí)現(xiàn)大面積均勻鍍膜，所形成的阻擋層致密度和均勻性都能夠保證。進(jìn)一步的，阻擋層材料本身也具有耐含氟等離子體腐蝕的特性。較佳的，阻擋層材料為氟化釔或氧化鉺，其不僅可以隔離氧化釔與含氟等離子體反應(yīng)，且本身不易被含氟等離子體腐蝕或與含氟等離子體反應(yīng)生成新的化合物，因此即使長時(shí)間處于含氟等離子體環(huán)境下，形成的阻擋層也不會(huì)變薄或造成新的化合物顆粒污染。
[0043]較佳的，在本發(fā)明的另一具體實(shí)施例中，阻擋層的形成步驟為:
[0044]在進(jìn)行等離子體處理工藝之前，先在等離子體反應(yīng)腔室內(nèi)形成含氟等離子體；該含氟等離子體與氧化釔表面發(fā)生反應(yīng)形成均勻的氟化釔阻擋層。含氟等離子體可通過將含氟氣體通入反應(yīng)腔室內(nèi)，激勵(lì)該含氟氣體電離而形成。為達(dá)到良好的厚度及密度均勻性，形成含氟等離子體的射頻功率小于等于1000W,反應(yīng)腔室氣壓大于等于lOOmtorr。采用該方法形成氟化釔阻擋層，其致密性和均勻性良好，阻擋層粘附性較高；此外，該方法充分利用含氟等離子體，形成氟化釔阻擋層的工藝以及后續(xù)等離子體處理工藝在同一反應(yīng)腔室中原位執(zhí)行，相較于前述的薄膜涂覆工藝，成本較低，制造難度下降。
[0045]綜上所述，本發(fā)明通過在部件的氧化釔包覆層表面再形成一層均勻致密的阻擋層，能夠有效避免氧化釔中的釔原子與含氟等離子體發(fā)生反應(yīng)引起氟化釔顆粒污染，提高部件的使用壽命。阻擋層還具有耐等離子體侵蝕的特性，因此即使在等離子體環(huán)境下使用一段時(shí)間后，阻擋層也不易變薄，從而在一次形成后可長期使用而無需反復(fù)形成，制造成本更為低廉。另外，該阻擋層本身不易與含氟等離子體反應(yīng)生成新的耐等離子體腐蝕的薄膜化合物，可避免引起新的薄膜化合物顆粒污染。
[0046]雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然所述諸多實(shí)施例僅為了便于說明而舉例而已，并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下可作若干的更動(dòng)與潤飾，本發(fā)明所主張的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書所述為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子體處理裝置內(nèi)具有氧化釔包覆層的部件，其特征在于，包括: 部件本體； 氧化釔包覆層，其覆蓋所述部件本體暴露于等離子體的至少部分表面；以及 形成于所述氧化釔包覆層表面的阻擋層，所述阻擋層阻止所述氧化釔包覆層中的氧化宇乙與含氟等離子體反應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有氧化釔包覆層的部件，其特征在于，所述阻擋層為氟化釔阻擋層或氧化鉺阻擋層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有氧化釔包覆層的部件，其特征在于，所述阻擋層的厚度為2微米至10微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有氧化釔包覆層的部件，其特征在于，所述阻擋層通過等離子體沉積或熱噴涂沉積或凝膠溶膠法沉積而形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有氧化釔包覆層的部件，其特征在于，所述阻擋層通過在所述氧化釔包覆層沉積后接續(xù)進(jìn)行相同的沉積工藝而形成，所述沉積工藝包括等離子體沉積，熱噴涂沉積，離子輔助沉積，濺射沉積或物理氣相沉積。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有氧化釔包覆層的部件，其特征在于，所述阻擋層為氟化釔阻擋層，其通過在進(jìn)行等離子體處理工藝前，在所述等離子體裝置的反應(yīng)腔室內(nèi)形成含氟等離子體，并由所述含氟等離子體與所述氧化釔包覆層的表面發(fā)生反應(yīng)而形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有氧化釔包覆層的部件，其特征在于，形成所述含氟等離子體的射頻功率小于等于1000W,反應(yīng)腔室氣壓大于等于lOOmtorr。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有氧化釔包覆層的部件，其特征在于，所述部件選自氣體噴淋頭，氣體分配板，等離子體限制環(huán)，聚焦環(huán)，靜電夾盤或等離子體處理裝置反應(yīng)腔室的內(nèi)壁。
9.一種等離子體處理裝置內(nèi)具有氧化釔包覆層的部件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟S1:制造部件本體； 步驟S2:在所述部件本體暴露于等離子體的至少部分表面上沉積氧化釔包覆層；以及 步驟S3:在所述氧化釔包覆層表面形成阻擋層，以阻止所述氧化釔包覆層中的氧化釔與含氟等離子體反應(yīng)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有氧化釔包覆層的部件的制造方法，其特征在于，所述步驟S3包括: 通過等離子體沉積或熱噴涂沉積或凝膠溶膠法沉積阻擋層材料以形成所述阻擋層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有氧化釔包覆層的部件的制造方法，其特征在于，所述步驟S3包括: 在步驟S2之后接續(xù)以相同的沉積工藝形成所述阻擋層，所述沉積工藝包括等離子體沉積或熱噴涂沉積或離子輔助沉積或?yàn)R射沉積或物理氣相沉積阻擋層材料以形成所述阻擋層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的具有氧化釔包覆層的部件的制造方法，其特征在于，所述阻擋層材料為氟化釔或氧化鉺。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有氧化釔包覆層的部件的制造方法，其特征在于，所述步驟S3包括: 在進(jìn)行等離子體處理工藝前，在所述等離子體裝置的反應(yīng)腔室內(nèi)形成含氟等離子體，所述含氟等離子體與所述氧化釔包覆層的表面反應(yīng)生成氧化釔以形成所述阻擋層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有氧化釔包覆層的部件的制造方法，其特征在于，形成所述含氟等離子體的射頻功率小于等于1000W,反應(yīng)腔室氣壓大于等于lOOmtorr。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有氧化釔包覆層的部件的制造方法，其特征在于，所述部件選自氣體噴淋頭，氣體分配板，等離子體限制環(huán)，聚焦環(huán)，靜電夾盤或等離子體處理裝置反應(yīng)腔室的內(nèi)壁。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK104241069SQ201310234238
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2013年6月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月13日
【發(fā)明者】賀小明, 倪圖強(qiáng), 蘇興才 申請(qǐng)人:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司