繪制裝置、數(shù)據(jù)處理方法和物品制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了繪制裝置、數(shù)據(jù)處理方法和物品制造方法。該繪制裝置在第一局部區(qū)域和第二局部區(qū)域上執(zhí)行繪制。第一局部區(qū)域和第二局部區(qū)域具有重疊區(qū)域，在所述重疊區(qū)域中第一局部區(qū)域和第二局部區(qū)域彼此重疊。該裝置包括變換設(shè)備，被配置用于根據(jù)第一變換規(guī)則將第一局部區(qū)域的第一圖案數(shù)據(jù)變換成第一量化圖案數(shù)據(jù)，以及根據(jù)第二變換規(guī)則將第二局部區(qū)域的第二圖案數(shù)據(jù)變換成第二量化圖案數(shù)據(jù)，第一變換規(guī)則與第二變換規(guī)則不同；以及控制器，被配置用于基于第一量化圖案數(shù)據(jù)控制第一局部區(qū)域上的繪制，以及基于第二量化圖案數(shù)據(jù)控制第二局部區(qū)域上的繪制。
【專利說明】繪制裝置、數(shù)據(jù)處理方法和物品制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及繪制裝置、數(shù)據(jù)處理方法和物品制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]如下這樣的繪制裝置是可用的，該繪制裝置在掃描諸如帶電粒子束(例如，電子束或離子束)或者光束的射束的同時在基板上執(zhí)行繪制。在繪制裝置中，常用的是將要被繪制的區(qū)域分割成具有重疊區(qū)域的多個局部區(qū)域，在該重疊區(qū)域中局部區(qū)域相互重疊，并且利用射束在多個局部區(qū)域中繪制圖案。這樣的方案被稱為拼接方案(stitching scheme)ο重疊區(qū)域中的繪制是通過共享該重疊區(qū)域的兩個或更多個局部區(qū)域來實現(xiàn)的。因此，當兩個局部區(qū)域共享重疊區(qū)域時，以各局部區(qū)域中的繪制時的剩余區(qū)域中的劑量的一半在該重疊區(qū)域中繪制圖案。
[0003]作為控制劑量的方法，時間調(diào)制型方法和空間調(diào)制型方法是可用的。時間調(diào)制方法被用于控制利用射束照射基板的時間，并且也被稱為PWM (脈寬調(diào)制)?？臻g調(diào)制方法被用于使用多個像素形成圖案，并且在保持利用射束照射各像素的時間恒定的情況下控制要被射束照射的像素的面積密度(area density)。" Proc.0f SPIE Vol.797079701AProc.(2011)"中描述了空間調(diào)制方法。
[0004]將參照圖8至12描述通過空間調(diào)制方法生成用于控制繪制的二值圖案數(shù)據(jù)的示例。附圖標記801指示通過在繪制裝置中定義的像素坐標系上布置設(shè)計圖案而獲得的設(shè)計圖案數(shù)據(jù)的示意性結(jié)構(gòu)。在此示例中，設(shè)計圖案數(shù)據(jù)801表示的設(shè)計圖案為使用0.25nm網(wǎng)格設(shè)計的20nmX20nm方形圖案，并且像素坐標被以2.5nm的像素間距給出。由于設(shè)計網(wǎng)格比像素間距窄，因此設(shè)計圖案不能被忠實地顯示在像素坐標系上。
[0005]出于此原因，計算各像素中的設(shè)計圖案的面積密度，并且基于所獲得的面積密度確定各像素中的劑量以生成多層級圖案數(shù)據(jù)。附圖標記802指示由此生成的多層級圖案數(shù)據(jù)的示意性結(jié)構(gòu)。應指出，繪制裝置中的每一像素的射束的劑量(固定值)被假定為“10”，而設(shè)計圖案數(shù)據(jù)810中的每一像素的劑量(固定值)被假定為“8”。由于繪制裝置中的每一像素的劑量(固定值)為“10”，因此使用誤差擴散方法將多層級圖案數(shù)據(jù)變換為二值圖案數(shù)據(jù)，以控制在其中射束為開(ON)的像素的密度下的設(shè)計圖案的劑量(dose)。作為誤差擴散方法，例如可采用Floyd&Steinberg (弗洛伊德&斯坦伯格)誤差擴散方法。
[0006]更具體而言，在依次注意多層級圖案數(shù)據(jù)802的多個像素時將所關(guān)注的像素的值進行二值化的同時，根據(jù)圖12中所示的誤差擴散矩陣(誤差擴散程序)將二值化誤差散布到要被處理的外圍像素。所關(guān)注的像素的選擇順序(要進行變換的方向)可例如通過首先選擇左上部像素、然后對隨后的像素進行光柵掃描來確定。如果所關(guān)注的像素的值小于5，則此像素的二值化結(jié)果被設(shè)定為“0”，否則，此像素的二值化結(jié)果被設(shè)定為“10”。通過這樣的處理，生成二值圖案數(shù)據(jù)。附圖標記803指示由此生成的二值圖案數(shù)據(jù)的示意性結(jié)構(gòu)。
[0007]附圖標記804指示在根據(jù)二值圖案數(shù)據(jù)803控制射束的同時繪制的繪制圖像(在抗蝕劑上形成的潛像)的示意性結(jié)構(gòu)。應指出，射束大小被設(shè)定為充分大于大小為2.5nmX2.5nm的像素，以使根據(jù)像素密度形成的圖案平滑。
[0008]對于如上所述的重疊區(qū)域(雙重繪制區(qū)域)，生成用于雙重繪制的多層級圖案數(shù)據(jù)805。用于雙重繪制的多層級圖案數(shù)據(jù)805中的像素的值為用于一次繪制的多層級圖案數(shù)據(jù)802中的像素的值的一半。用于雙重繪制的多層級圖案數(shù)據(jù)805根據(jù)上述方法被二值化以生成用于雙重繪制的二值圖案數(shù)據(jù)806。在用于雙重繪制的二值圖案數(shù)據(jù)806中的具有值“10”的像素(開通像素)的密度小于用于一次繪制的二值圖案數(shù)據(jù)803中的該密度。根據(jù)用于雙重繪制的二值圖案數(shù)據(jù)806在重疊區(qū)域中將圖案繪制兩次。附圖標記807指示在根據(jù)二值圖案數(shù)據(jù)806控制射束的同時繪制的繪制圖像的示意性結(jié)構(gòu)。
[0009]通過雙重繪制形成的繪制圖像807的對于設(shè)計圖案數(shù)據(jù)801的忠實度低于通過一次繪制形成的繪制圖像804的忠實度。通過此布置，在空間調(diào)制方法中，當提供重疊區(qū)域以執(zhí)行雙重繪制時，實際繪制圖像對于設(shè)計圖案的可再現(xiàn)性劣化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明例如提供了一種在對于設(shè)計圖案的繪制的忠實度方面有利的技術(shù)。
[0011]本發(fā)明的第一方面提供了一種繪制裝置，該繪制裝置在第一局部區(qū)域和第二局部區(qū)域上執(zhí)行繪制，第一局部區(qū)域和第二局部區(qū)域具有重疊區(qū)域，在所述重疊區(qū)域中第一局部區(qū)域和第二局部區(qū)域彼此重疊，所述裝置包括:變換設(shè)備，被配置用于根據(jù)第一變換規(guī)則將第一局部區(qū)域的第一圖案數(shù)據(jù)變換成第一量化圖案數(shù)據(jù)，以及根據(jù)第二變換規(guī)則將第二局部區(qū)域的第二圖案數(shù)據(jù)變換成第二量化圖案數(shù)據(jù)，第一變換規(guī)則與第二變換規(guī)則不同；以及控制器，被配置用于基于第一量化圖案數(shù)據(jù)控制第一局部區(qū)域上的繪制以及基于第二量化圖案數(shù)據(jù)控制第二局部區(qū)域上的繪制。
[0012]本發(fā)明的第二方面提供了一種物品制造方法，所述方法包括:使用如本發(fā)明的第一方面限定的繪制裝置在基板上執(zhí)行繪制；顯影經(jīng)繪制的基板；以及處理經(jīng)顯影的基板以制造物品。
[0013]本發(fā)明的第三方面提供了 一種數(shù)據(jù)處理方法，所述方法生成用于控制繪制裝置中的繪制的數(shù)據(jù)，該繪制裝置在第一局部區(qū)域和第二局部區(qū)域上執(zhí)行繪制，第一局部區(qū)域和第二局部區(qū)域具有重疊區(qū)域，在所述重疊區(qū)域中第一局部區(qū)域和第二局部區(qū)域彼此重疊，所述方法包括:根據(jù)第一變換規(guī)則將第一局部區(qū)域的第一圖案數(shù)據(jù)變換成第一量化圖案數(shù)據(jù)，以及根據(jù)第二變換規(guī)則將第二局部區(qū)域的第二圖案數(shù)據(jù)變換成第二量化圖案數(shù)據(jù)，第一變換規(guī)則與第二變換規(guī)則不同。
[0014]從下文參照附圖對示例性實施例的描述，本發(fā)明的其它特征將變得清晰。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的繪制裝置的配置的示圖；
[0016]圖2A和2B是示出在基板上繪制圖案的方法的示圖；
[0017]圖3是示出數(shù)據(jù)流的框圖；
[0018]圖4是示出多個條帶繪制區(qū)域(局部區(qū)域)的示圖；
[0019]圖5A至是說明使用誤差擴散方法的二值化的示圖；
[0020]圖6A是通過數(shù)據(jù)處理單元進行的數(shù)據(jù)處理的說明性示圖；[0021]圖6B是通過數(shù)據(jù)處理單元進行的另一數(shù)據(jù)處理的說明性示圖；
[0022]圖6C是通過數(shù)據(jù)處理單元進行的又一數(shù)據(jù)處理的說明性示圖；
[0023]圖7示出設(shè)計圖案數(shù)據(jù)和對應的繪制圖像(在抗蝕劑上形成的潛像)的示圖；
[0024]圖8示出使用空間調(diào)制方法生成用于控制繪制的二值圖案數(shù)據(jù)的示例的示圖；
[0025]圖9示出使用空間調(diào)制方法生成用于控制繪制的二值圖案數(shù)據(jù)的另一示例的示圖；
[0026]圖10示出使用空間調(diào)制方法生成用于控制繪制的二值圖案數(shù)據(jù)的還另一示例的示圖；
[0027]圖11示出使用空間調(diào)制方法生成用于控制繪制的二值圖案數(shù)據(jù)的又一示例的示圖；以及
[0028]圖12示出使用空間調(diào)制方法生成用于控制繪制的二值圖案數(shù)據(jù)的還又一示例的示圖。
【具體實施方式】
[0029]下文將參照附圖描述本發(fā)明的實施例。
[0030][第一實施例]
[0031]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的繪制裝置100的配置的示圖。圖1所示的繪制裝置100用作使用電子束作為用于在基板上繪制圖案的射束的電子束繪制裝置。但是，根據(jù)本發(fā)明的繪制裝置不僅可用作使用電子束作為用于在基板上繪制圖案的射束的繪制裝置，還可用作使用離子束或者光束作為該射束的繪制裝置。使用電子束或離子束的繪制裝置可被稱為帶電粒子束繪制裝置。
[0032]繪制裝置100可包括電子源1，準直透鏡2、開口陣列3、會聚透鏡陣列4、圖案開口陣列 5、消隱器陣列(blanker array) 6、消隱器開 口陣列(blanker aperture array) 7、偏轉(zhuǎn)器陣列8、物鏡陣列9和臺架11。
[0033]電子源I可以為熱電子(熱電子)發(fā)射電子源，其包括例如LaB6或BaO/W (散射陰極)作為電子發(fā)射材料。準直透鏡2可以是通過電場使電子束聚集的靜電透鏡。電子源I發(fā)射的電子束被準直透鏡2轉(zhuǎn)換成幾乎準直的電子束。
[0034]開口陣列3是具有多個二維布置的開口的部件。會聚透鏡陣列4是通過二維布置多個靜電會聚透鏡而形成的部件。圖案開口陣列5是通過與會聚透鏡陣列4的各個會聚透鏡相對應地布置圖案開口的陣列(子陣列)而形成的部件，其定義了電子束的截面形狀。
[0035]來自準直透鏡2的幾乎準直的電子束被開口陣列3分割成多個電子束。分割后的電子束通過準直透鏡陣列4的對應的準直透鏡被引導至圖案開口陣列5的對應的圖案開口。開口陣列3定義了用電子束照射圖案開口陣列5的范圍。
[0036]消隱器陣列6是通過與各會聚透鏡相對應地布置單獨可驅(qū)動的靜電消隱器(電極對)而形成的部件。消隱開口陣列7是通過與各會聚透鏡相對應地布置消隱開口而形成的部件。偏轉(zhuǎn)透鏡8是通過與各會聚透鏡相對應地布置在預定方向上偏轉(zhuǎn)電子束的偏轉(zhuǎn)器而形成的部件。物鏡陣列9是通過與各會聚透鏡相對應地布置靜電物鏡OL而形成的部件。
[0037]來自圖案開口陣列5的各開口的電子束通過對應的消隱器、消隱開口、偏轉(zhuǎn)器和物鏡OL被減小至例如1/100，并且被投射到基板10上。應指出，圖案開口陣列5布置在其上的表面用作物面，而基板10的上表面用作像面。
[0038]如果來自圖案開口陣列5的圖案開口的電子束被相應的消隱器偏轉(zhuǎn)，則它們被消隱開口陣列7阻擋，而沒有入射到基板10上。這樣的電子束在圖1中用“關(guān)(Off)”指示。另一方面，如果來自圖案開口陣列5的圖案開口的電子束沒有被相應的消隱器偏轉(zhuǎn)，則它們沒有被消隱開口陣列7阻擋，并且入射到基板10上。消隱器進行這樣的控制被稱為消隱控制。這樣的電子束在圖2中用“開(On)”指示。與消隱控制并行地，入射到基板10上的多個電子束通過偏轉(zhuǎn)器陣列8以相同的偏轉(zhuǎn)量在基板10上掃描。
[0039]電子源I的電子發(fā)射部通過準直透鏡2和會聚透鏡在消隱開口陣列7上形成圖像，并且該圖像被設(shè)定為大于消隱開口陣列7的開口。因此，基板10上的電子束的部分角(半角)由消隱開口陣列7的開口限定。此外，由于消隱開口陣列7的開口被布置在對應的物鏡OL的前焦點位置，則來自子陣列的圖案開口的電子束的主射線幾乎垂直地入射到基板10上。通過此布置，即使基板10的上表面垂直偏移，電子束在水平平面中的位移也非常小。
[0040]臺架11用作X-Y臺架，其保持基板10并且可在垂直于射束軸(對應于光學系統(tǒng)中的“光軸”)的X-Y平面(水平面)內(nèi)移動。臺架11包括用于保持基板10的靜電夾具(未示出)，以及檢測電子束的位置的檢測器(未示出)。
[0041]除了上述構(gòu)成元件之外，繪制裝置100還可包括由附圖標記12至19指示的塊。消隱控制電路(控制單元)12單獨控制構(gòu)成消隱器陣列6的多個消隱器。數(shù)據(jù)處理單元13生成用于控制消隱控制電路12的消隱器數(shù)據(jù)(二值圖案數(shù)據(jù))，并且將該消隱器數(shù)據(jù)發(fā)送到消隱控制電路12。偏轉(zhuǎn)器控制電路14根據(jù)公共信號控制構(gòu)成偏轉(zhuǎn)器陣列8的多個偏轉(zhuǎn)器。臺架控制電路15與測量臺架11的位置的激光干涉儀(未示出)協(xié)作地控制臺架11的定位。
[0042]設(shè)計圖案數(shù)據(jù)存儲器16存儲設(shè)計圖案數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)變換單元17將設(shè)計圖案數(shù)據(jù)變換為中間數(shù)據(jù)。中間數(shù)據(jù)是通過將設(shè)計圖案數(shù)據(jù)劃分成具有由繪制裝置100設(shè)定的寬度的條帶繪制區(qū)域(局部區(qū)域)而獲得的。中間數(shù)據(jù)被存儲在中間數(shù)據(jù)存儲器18中。主控制系統(tǒng)19將中間數(shù)據(jù)傳遞至數(shù)據(jù)處理單元13，并且控制偏轉(zhuǎn)器控制電路14和臺架控制電路
15。應指出，實現(xiàn)塊12?19所提供的功能的電路不局限于圖1所示的示例，而是可具有各種配置。
[0043]將參照圖2A和2B描述在基板上繪制圖案的示例性方法。在圖2A和2B中所示的示例中，通過光柵掃描在基板上繪制圖案。參照圖2k,電子束在基板10上的掃描網(wǎng)格上經(jīng)受光柵掃描，掃描網(wǎng)格是基于偏轉(zhuǎn)器陣列8對于電子束的偏轉(zhuǎn)特性以及臺架11的位置被確定的。與此操作并行地，電子束對于基板10的照射(ON)/不照射(OFF)由消隱器陣列6控制，以在具有2 μ m的條帶寬度SW的條帶繪制區(qū)域(局部區(qū)域)中繪制圖案。
[0044]圖2B示出各物鏡OL與條帶繪制區(qū)域SA之間的示例性位置關(guān)系。物鏡陣列9具有如下配置，其中物鏡OL在X方向上以130 μ m的間距布置以形成一行，并且物鏡OL布置為在相鄰的行之間在X方向上存在2 μ m的偏移。盡管為了簡明起見，圖2B示出4(行)X8 (列)物鏡的陣列，但是在實踐中，例如可布置65(行)X200(列)物鏡(總共13，000個物鏡)。通過這樣的配置，可通過沿Y方向在一個方向上連續(xù)移動(掃描)臺架11，在基板10上的曝光區(qū)域EA (例如，X方向上的尺寸為26mm)中繪制圖案。即，可通過全場掃描在大小為26X33mm的曝光場區(qū)域(shot region)中繪制圖案。[0045]圖3是示出示例性流的框圖。設(shè)計圖案數(shù)據(jù)101包括例如矢量曝光場圖案的圖形數(shù)據(jù)(對應于落在26X33mm內(nèi)的圖形的數(shù)據(jù))，并且被存儲在設(shè)計圖案數(shù)據(jù)存儲器16中。
[0046]變換處理102由數(shù)據(jù)變換單元17執(zhí)行。在變換處理102中，對于設(shè)計圖案數(shù)據(jù)101執(zhí)行鄰近效應校正，并且將經(jīng)受了鄰近效應校正的圖形數(shù)據(jù)劃分成多個條帶繪制區(qū)域SA。各條帶繪制區(qū)域SA具有根據(jù)繪制裝置100的規(guī)定而確定的大小。此外，此劃分操作被實現(xiàn)為使得相鄰條帶繪制區(qū)域(局部區(qū)域)SA具有重疊的區(qū)域410-1和410-2，如圖4所示。圖4示出三個條帶繪制區(qū)域(局部區(qū)域)SA_2N-1，SA_2N，和SA_2N+1。應指出，后綴"2N-1"，" 2N"，和"2N+1"被添加以用于在各個條帶繪制區(qū)域SA之間進行區(qū)分。作為示例，條帶繪制區(qū)域SA_2N-1，SA_2N，和SA_2N+1的寬度(X方向上的尺寸)為2.2 μ m，并且重疊區(qū)域410-1和410-2的寬度(X方向上的尺寸)為0.2 μ m。
[0047]在條帶繪制區(qū)域SA_2N_1和SA_2N兩者中進行繪制時在重疊區(qū)域410_1中繪制圖案。在條帶繪制區(qū)域SA_2N和SA_2N+1兩者中進行繪制時在重疊區(qū)域410-2中繪制圖案。
[0048]在條帶繪制區(qū)域SA_2N_1和SA_2N的重疊區(qū)域410_1中布置整個圖案P1。圖案P2具有布置在條帶繪制區(qū)域SA_2N-1的一次繪制區(qū)域(僅被繪制一次的區(qū)域)420_2N-1的部分，布置在重疊區(qū)域410-1中的部分以及布置在條帶繪制區(qū)域SA_2N的一次繪制區(qū)域420_2N中的部分。圖案P3具有布置在一次繪制區(qū)域420_2N-1，420_2N,和420_2N+1中的部分，以及布置在重疊區(qū)域410-1和410-2中的部分。多個條帶繪制區(qū)域SA中的每一個的數(shù)據(jù)被存儲在中間數(shù)據(jù)存儲器18中作為中間數(shù)據(jù)。中間數(shù)據(jù)可典型地為矢量數(shù)據(jù)。直至中間數(shù)據(jù)被存儲在中間數(shù)據(jù)存儲器18中的一系列處理典型地僅執(zhí)行一次以一批地(in onelot)在基板上繪制圖案
[0049]下文將描述在基板10上繪制圖案的處理。主控制系統(tǒng)19將多個條帶繪制區(qū)域SA中的每一個的數(shù)據(jù)按預定次序發(fā)送給數(shù)據(jù)處理單元13，該數(shù)據(jù)被存儲在中間數(shù)據(jù)存儲器18中。數(shù)據(jù)處理單元13將各發(fā)送的數(shù)據(jù)變換成多層級圖案數(shù)據(jù)104，該多層級圖案數(shù)據(jù)104與根據(jù)繪制裝置100的規(guī)定確定的像素坐標系相容。更具體而言，數(shù)據(jù)處理單元13計算各像素中的面積密度，并且執(zhí)行用于繪制各條帶的射束強度的變化的校正以及重疊區(qū)域中的劑量校正(基本上二等分)，以生成各條帶繪制區(qū)域的多層級圖案數(shù)據(jù)104。
[0050]數(shù)據(jù)處理單元13進一步執(zhí)行用于各條帶繪制區(qū)域的多層級圖案數(shù)據(jù)104的數(shù)據(jù)處理105。數(shù)據(jù)處理105可包括坐標變換、坐標變換之后的二值化、以及二值化之后的串行數(shù)據(jù)變換。應指出，二值化是一種量化模式。
[0051]坐標變換可基于在基板10上已經(jīng)形成的圖案或者曝光場區(qū)域的畸變(擴展或收縮βι.以及旋轉(zhuǎn)θr)進行，以便減小此圖案與要在其上形成的圖案之間的覆蓋誤差。坐標變換可根據(jù)例如下式進行:
【權(quán)利要求】
1.一種繪制裝置，該繪制裝置在第一局部區(qū)域和第二局部區(qū)域上執(zhí)行繪制，第一局部區(qū)域和第二局部區(qū)域具有重疊區(qū)域，在所述重疊區(qū)域中第一局部區(qū)域和第二局部區(qū)域彼此重疊，所述裝置包括: 變換設(shè)備，被配置用于根據(jù)第一變換規(guī)則將第一局部區(qū)域的第一圖案數(shù)據(jù)變換成第一量化圖案數(shù)據(jù)，以及根據(jù)第二變換規(guī)則將第二局部區(qū)域的第二圖案數(shù)據(jù)變換成第二量化圖案數(shù)據(jù)，第一變換規(guī)則與第二變換規(guī)則不同；以及 控制器，被配置用于基于第一量化圖案數(shù)據(jù)控制第一局部區(qū)域上的繪制，以及基于第二量化圖案數(shù)據(jù)控制第二局部區(qū)域上的繪制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中， 第一變換規(guī)則和第二變換規(guī)則是根據(jù)誤差擴散方法的規(guī)則，并且 在第一變換規(guī)則中，通過量化所關(guān)注的像素的值而生成的誤差被擴散到與所關(guān)注的像素成第一位置關(guān)系的像素組，并且在第二變換規(guī)則中，通過量化所關(guān)注的像素的值而生成的誤差被擴散到與所關(guān)注的像素成第二位置關(guān)系的像素組，該第一位置關(guān)系與第二位置關(guān)系不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，變換設(shè)備在第一局部區(qū)域中的每一行上進行變換的方向與變換設(shè)備在第二局部區(qū)域中的每一行上進行變換的方向相反。`
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中， 對于第一局部區(qū)域中的每一行，變換設(shè)備進行變換的方向與基于第一量化圖案數(shù)據(jù)執(zhí)行繪制的方向是相同的，并且 對于第二局部區(qū)域中的每一行，變換設(shè)備進行變換的方向與基于第二量化圖案數(shù)據(jù)執(zhí)行繪制的方向是相同的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中， 用于在第一局部區(qū)域中執(zhí)行繪制的射束與用于在第二局部區(qū)域中執(zhí)行繪制的射束是不同的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，第一局部區(qū)域中的繪制和第二局部區(qū)域中的繪制并行地執(zhí)行。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述裝置被配置用于通過掃描帶電粒子束和光束之一來執(zhí)行繪制。
8.一種物品制造方法，所述方法包括: 使用根據(jù)權(quán)利要求1的繪制裝置在基板上執(zhí)行繪制； 顯影經(jīng)繪制的基板；以及 處理經(jīng)顯影的基板以制造物品。
9.一種數(shù)據(jù)處理方法，所述方法生成用于控制繪制裝置中的繪制的數(shù)據(jù)，該繪制裝置在第一局部區(qū)域和第二局部區(qū)域上執(zhí)行繪制，第一局部區(qū)域和第二局部區(qū)域具有重疊區(qū)域，在所述重疊區(qū)域中第一局部區(qū)域和第二局部區(qū)域彼此重疊，所述方法包括: 根據(jù)第一變換規(guī)則將第一局部區(qū)域的第一圖案數(shù)據(jù)變換成第一量化圖案數(shù)據(jù)，以及 根據(jù)第二變換規(guī)則將第二局部區(qū)域的第二圖案數(shù)據(jù)變換成第二量化圖案數(shù)據(jù)，第一變換規(guī)則與第二變換規(guī)則不同。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，第一變換規(guī)則與第二變換規(guī)則是根據(jù)誤差擴散方法的規(guī)則，并且 在第一變換規(guī)則中，通過量化所關(guān)注的像素的值而生成的誤差被擴散到與所關(guān)注的像素成第一位置關(guān)系的像素組，并且在第二變換規(guī)則中，通過量化所關(guān)注的像素的值而生成的誤差被擴散到與所關(guān)注的像素成第二位置關(guān)系的像素組，該第一位置關(guān)系與第二位置關(guān)系不同。
【文檔編號】H01J37/30GK103515174SQ201310234160
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年6月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月19日
【發(fā)明者】村木真人, 大石哲, 杵渕廣海 申請人:佳能株式會社