等離子顯示屏及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種等離子顯示屏及其制作方法。該等離子顯示屏包括相互封接的前基板部(1)和后基板部(2)，其中，前基板部(1)的前基板(14)為透明的聚酰亞胺類薄膜，后基板部(2)的后基板(24)為聚酰亞胺類薄膜。根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示屏，采用聚酰亞胺類薄膜代替玻璃基板，大大減少了前基板和后基板的厚度，可大大降低燒結(jié)溫度；另外前后基板的介質(zhì)層被聚酰亞胺類薄膜代替，也節(jié)省了制作成本，減少了包括介質(zhì)涂敷、干燥、燒結(jié)等工序，并得到了超薄柔性等離子顯示屏。
【專利說明】等離子顯示屏及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及等離子顯示屏的制造領(lǐng)域，具體而言涉及一種等離子顯示屏及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前通用的交流氣體放電等離子顯示屏(PDP屏)均采用表面放電型結(jié)構(gòu)，如圖1所示，其包括一個(gè)前基板部I’及與之封接在一起的后基板部2’，前基板部I’上設(shè)置有透明電極131’和匯流電極132’，兩者構(gòu)成放電電極，在放電電極的表面覆蓋一層介質(zhì)層11’，介質(zhì)層11’上覆蓋氧化鎂保護(hù)層12’ ；后基板部2’上設(shè)置有與放電電極13’相互垂直的尋址電極23’，尋址電極23’上覆蓋有一層介質(zhì)層21’，在介質(zhì)層21’上配置有與尋址電極23’平行的條狀障壁22’，且在條狀障壁22’的底部覆蓋有熒光粉層25’，前后基板部用玻璃粉封接在一起，并在其間充滿放電氣體。
[0003]在PDP屏制造過程中，前基板部與后基板部上的各層都需要高溫?zé)Y(jié)工藝緊密結(jié)合在一起，而且，由于前基板部和后基板部都采用玻璃基板作為基板，這些玻璃基板本身的熔點(diǎn)較高，因此，燒結(jié)工藝的燒結(jié)爐溫在500-600°C，特別是在量產(chǎn)線上要形成如此高的燒結(jié)溫度需要耗費(fèi)很多能源:諸如電能、天然氣等，所以動(dòng)能成本很高。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明旨在提供一種等離子顯示屏，以解決現(xiàn)有技術(shù)中等離子顯示屏的制作成本高的問題。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種等離子顯示屏，包括相互封接的前基板部和后基板部，其中，前基板部的前基板為透明的聚酰亞胺類薄膜，后基板部的后基板為聚酰亞胺類薄膜。
[0006]進(jìn)一步地，上述前基板和后基板的厚度為25?125 μ m,聚酰亞胺類薄膜為單面熱塑性的聚酰亞胺類薄膜，其中，聚酰亞胺類薄膜的一面在330?360°C下有粘性，另一面在500°C以下均沒有粘性，介電強(qiáng)度在300KV/mm以上。
[0007]進(jìn)一步地,上述前基板部和后基板部的介質(zhì)層的厚度為25?50 μ m,介質(zhì)層為聚酰亞胺類薄膜，其中，聚酰亞胺類薄膜的雙面在330?380°C下有粘性，介電強(qiáng)度在250KV/mm以上。
[0008]進(jìn)一步地，上述前基板部的介質(zhì)層為透明的聚酰亞胺類薄膜。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種上述等離子顯示屏的制作方法，制作方法包括:1)將前基板部介質(zhì)層和后基板部介質(zhì)層對(duì)合封接，在對(duì)合封接后的前基板部介質(zhì)層和后基板部介質(zhì)層的外表面制作匯流電極和尋址電極，在匯流電極上帖敷前基板部的前基板，在尋址電極上帖敷后基板部的后基板，形成等離子顯示屏；或者2)分別在前基板部介質(zhì)層和后基板部介質(zhì)層的外表面制作匯流電極和尋址電極，在匯流電極上帖敷前基板部的前基板，形成前基板部，在尋址電極上帖敷后基板部的后基板，形成后基板部，將前基板部和后基板部對(duì)合封接，形成等離子顯示屏。
[0010]進(jìn)一步地，在上述方法I)的對(duì)合封接之前和方法2)的帖敷基板之后，還包括以下步驟:在前基板部介質(zhì)層上蒸鍍形成氧化鎂層；在后基板部介質(zhì)層上帖敷障壁預(yù)制體，形成障壁，其中，障壁預(yù)制體包括陶瓷障壁預(yù)制體、超薄玻璃障壁預(yù)制體和殷鋼障壁預(yù)制體；以及在障壁的凹槽內(nèi)表面形成熒光粉層。
[0011]進(jìn)一步地，上述基板的帖敷方法為高溫膜壓工藝，膜壓溫度為330?360°C。
[0012]進(jìn)一步地，上述匯流電極和尋址電極的制作方法包括:A.采用磁控濺射鍍Cr-Cu-Cr，然后刻蝕出電極圖形；B.采用高溫膜壓工藝將金屬箔帖敷在介質(zhì)層上，帖敷感光性干膜保護(hù)金屬箔，曝光，顯影，對(duì)金屬箔進(jìn)行化學(xué)刻蝕，刻蝕完成后，再對(duì)感光性干膜進(jìn)行剝膜，得到匯流電極和尋址電極，其中，膜壓溫度330-360°C，金屬箔為銅、鋁、銀和金中的一種或兩種。進(jìn)一步地，上述方法I)的對(duì)合封接包括:將前基板介質(zhì)層和后基板介質(zhì)層對(duì)合后，置于惰性氣氛環(huán)境中進(jìn)行封接，控制封接溫度在330?380°C之間，向前基板部介質(zhì)層和后基板部介質(zhì)層的邊緣未加工部分加壓，使未加工部分粘結(jié)。
[0013]進(jìn)一步地，上述方法2)的對(duì)合封接包括:a.噴涂制作封接框，將前基板部和后基板部對(duì)合后，置于惰性氣氛環(huán)境中進(jìn)行封接，將前基板部和后基板部在惰性氣氛中封接；封接料為有機(jī)材料，封接溫度以有機(jī)材料的軟化溫度為準(zhǔn)，有機(jī)材料為熱塑型樹脂，選自由PE-聚乙烯、PVC-聚氯乙烯、PS-聚苯乙烯、PA-聚酰胺、POM-聚甲醛、PC-聚碳酸酯、聚苯醚、聚砜和橡膠組成的組中的任一種；或者b.將前基板部和后基板部對(duì)合后，置于惰性氣氛環(huán)境中進(jìn)行封接，控制封接溫度在330?380°C之間，向前基板部介質(zhì)層和后基板部介質(zhì)層的邊緣未加工部分加壓，使未加工部分粘結(jié)。
[0014]本發(fā)明達(dá)到的技術(shù)效果:根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示屏的制作方法，采用透明的聚酰亞胺類薄膜代替玻璃基板，大大減少了前基板部和后基板部的厚度，可大大降低燒結(jié)溫度，節(jié)約生產(chǎn)成本，另外前基板介質(zhì)層和后基板介質(zhì)層被聚酰亞胺類薄膜代替，也節(jié)省了制作成本，減少了包括介質(zhì)涂敷、干燥、燒結(jié)等工序，而且得到了超薄柔性等離子顯示屏。
[0015]除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)之外，本發(fā)明還有其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。下面將參照?qǐng)D和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]說明書附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0017]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示屏的透視圖；以及
[0018]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示屏的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說明，但如下實(shí)施例以及附圖僅是用以理解本發(fā)明，而不能限制本發(fā)明，本發(fā)明可以由權(quán)利要求限定和覆蓋的多種不同方式實(shí)施。
[0020]如圖2所示，在本發(fā)明的一種典型的實(shí)施方式中，提供了一種等離子顯示屏，包括相互封接的前基板部I和后基板部2，其中，前基板部I的前基板14為透明的聚酰亞胺類類薄膜，后基板部2的后基板24為聚酰亞胺類類薄膜。透明的聚酰亞胺類薄膜有良好的透光性，厚度在25 μ m以上時(shí)，對(duì)500nm以上波長(zhǎng)的光線透過率仍大于90% ;透明或不透明的聚酰亞胺類薄膜都有良好的耐熱性，薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變度在250°C以上，也具有足夠的機(jī)械強(qiáng)度，薄膜表面光潔、平整、無針孔，不會(huì)發(fā)生制作在其上的電池發(fā)生短路的情況，而且，采用聚酰亞胺類薄膜代替玻璃基板，大大減少了前基板部和后基板部的厚度，可大大降低燒結(jié)溫度，節(jié)約生產(chǎn)成本。
[0021]優(yōu)選地，本發(fā)明聚酰亞胺類薄膜為單面熱塑性的聚酰亞胺類薄膜，前基板和后基板的厚度為25?125 μ m，其中，聚酰亞胺類薄膜的一面在330?360°C下有粘性，另一面在500°C以下均沒有粘性，介電強(qiáng)度在300KV/mm以上。厚度在25?125 μ m之間，實(shí)現(xiàn)了超薄顯示屏對(duì)基板厚度的要求，而且此厚度下可見光透過率高達(dá)90%，增加了等離子顯示屏的透光率；聚酰亞胺類薄膜的一面在330?360°C下有粘性，便于在其上制作電極，另一面在500°C以下均沒有粘性，500°C以上開始碳化，在整個(gè)顯示屏的加工工序中都能保持薄膜的柔性和硬度；其介電強(qiáng)度在300KV/mm以上，作為上下基板的基板，絕緣性能較好，充分滿足了前后基板部對(duì)介電強(qiáng)度的要求。
[0022]本發(fā)明前基板部和后基板部的介質(zhì)層為聚酰亞胺類薄膜，介質(zhì)層的厚度為25?50 μ m，其中，聚酰亞胺類薄膜的雙面在330?380°C下有粘性，介電強(qiáng)度在250KV/mm以上。優(yōu)選地，前基板部的介質(zhì)層為透明的聚酰亞胺類薄膜。厚度在25?50 μ m之間，實(shí)現(xiàn)了超薄顯示屏對(duì)介質(zhì)層厚度的要求，而且此厚度下前基板部采用透明的聚酰亞胺類薄膜作為介質(zhì)層，使可見光透過率高達(dá)90%，增加了等離子顯示屏的透光率；聚酰亞胺類薄膜的雙面在330?380°C下有粘性，便于在其兩面制作電極、保護(hù)膜或障壁等，介電強(qiáng)度在250KV/mm以上，面電阻大于IO11 Ω，這樣才不至于在等離子顯示屏放電時(shí)介質(zhì)層被擊穿，因?yàn)闅怏w放電時(shí)的電壓一般200V以上,而介質(zhì)厚度小于25 μ m時(shí),達(dá)不到200KV/mm的介電強(qiáng)度,而介質(zhì)層厚度大于50 μ m時(shí),無法點(diǎn)亮。
[0023]同時(shí)，在本發(fā)明另一種典型的實(shí)施方式中，還提供了一種等離子顯示屏的制作方法，包括:1)將前基板部介質(zhì)層11和后基板部介質(zhì)層21對(duì)合封接，分別在對(duì)合封接后的前基板部介質(zhì)層11和后基板部介質(zhì)層21的外表面制作匯流電極13和尋址電極23，在匯流電極13和尋址電極23上帖敷基板，形成等離子顯示屏；或者2)分別在前基板部介質(zhì)層11和后基板部介質(zhì)層21的外表面制作匯流電極13和尋址電極23，在匯流電極13和尋址電極23上帖敷基板，形成如基板部I和后基板部2,將如基板部I和后基板部2對(duì)合封接，形成等離子顯示屏。
[0024]現(xiàn)有技術(shù)中的制作等離子顯示屏的工序一般包括前序工藝和后序工藝，前序工藝為分別制作完整的前后基板部，后序工藝包括封排老練，但是由于本發(fā)明的前后基板部的基板都采用聚酰亞胺類薄膜，不需要排氣管，使得本發(fā)明的工藝靈活，既可在對(duì)合封接工藝之前制作電極又可在對(duì)合封接工藝之后制作電極。
[0025]在上述方法I)的對(duì)合封接之前和方法2)的帖敷基板之后，還包括以下步驟:在前基板部介質(zhì)層11上蒸鍍形成氧化鎂層12 ;在后基板部介質(zhì)層21上帖敷障壁預(yù)制體，形成障壁；以及在障壁22的凹槽內(nèi)表面形成熒光粉層25，優(yōu)選的，障壁預(yù)制體包括陶瓷障壁預(yù)制體、超薄玻璃障壁預(yù)制體和殷鋼障壁預(yù)制體。
[0026]氧化鎂層以及熒光粉層通過現(xiàn)有技術(shù)即可制作而成，而且，熒光粉的燒結(jié)溫度較低，并因?yàn)樗x熒光粉漿料中的載體不同而不同，有機(jī)載體為聚乙烯醇類，燒結(jié)溫度約為180-320°C，有機(jī)載體為乙基纖維素類，燒結(jié)溫度約為300-450°C，大大節(jié)約了燒結(jié)成本；而障壁是將障壁預(yù)制體在330?380°C下，采用高溫膜壓工藝帖敷在介質(zhì)層上，工藝操作簡(jiǎn)單易于實(shí)現(xiàn)，三種障壁預(yù)制體采用現(xiàn)有技術(shù)易得，縮短了等離子顯示屏的制作流程。
[0027]優(yōu)選地，本發(fā)明基板的帖敷方法為高溫膜壓工藝，膜壓溫度為330?360°C。采用在330?360°C進(jìn)行膜壓，既保證了不會(huì)對(duì)介質(zhì)層和基板造成損傷，又實(shí)現(xiàn)了工藝簡(jiǎn)單、工作溫度低、節(jié)約成本的效果。
[0028]本發(fā)明匯流電極13和尋址電極23的制作方法包括:A.采用磁控濺射鍍Cr-Cu-Cr，然后刻蝕出電極圖形；B.采用高溫膜壓工藝將金屬箔帖敷在介質(zhì)層上，帖敷感光性干膜保護(hù)金屬箔，曝光，顯影，對(duì)金屬箔進(jìn)行化學(xué)刻蝕，刻蝕完成后，再對(duì)感光性干膜進(jìn)行剝膜，得到匯流電極和尋址電極，其中，膜壓溫度330-360°C，金屬箔為銅、鋁、銀和金中的一種或兩種。因?yàn)楸景l(fā)明所用的聚酰亞胺類薄膜具有耐高溫、耐濺射和耐腐蝕的特性，因此采用上述兩種方法都能得到理想的匯流電極和尋址電極。
[0029]優(yōu)選地，方法I)的對(duì)合封接包括:將前基板介質(zhì)層11和后基板介質(zhì)層21對(duì)合后，置于惰性氣氛環(huán)境中進(jìn)行封接，控制封接溫度在330?380°C之間，向前基板部介質(zhì)層11和后基板部介質(zhì)層21的邊緣未加工部分加壓，使未加工部分粘結(jié)。因?yàn)榻橘|(zhì)層采用的聚酰亞胺類薄膜的兩面在330?380°C下有粘性，因此只要在此溫度范圍將邊緣未加工部分粘結(jié)即可實(shí)現(xiàn)前后基板部的封接。
[0030]優(yōu)選地，方法2)的對(duì)合封接除了可以采用和方法I)中相同的對(duì)合封接工藝，也可以采用下述方法，具體操作為噴涂制作封接框，，將前基板部和后基板部對(duì)合后，置于惰性氣氛環(huán)境中進(jìn)行封接，將前基板部和后基板部在惰性氣氛中封接；封接料為有機(jī)材料，封接溫度以有機(jī)材料的剛剛軟化的溫度為最佳，有機(jī)材料為熱塑型樹脂，選自由PE-聚乙烯、PVC-聚氯乙烯、PS-聚苯乙烯、PA-聚酰胺、POM-聚甲醛、PC-聚碳酸酯、聚苯醚、聚砜和橡膠組成的組中的任一種。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以依據(jù)實(shí)際工藝條件選擇合適的有機(jī)材料作為封接材料。
[0031]以下將結(jié)合實(shí)施例1-5和對(duì)比例1，進(jìn)一步說明采用本發(fā)明的有益效果。
[0032]實(shí)施例1-5中作為介質(zhì)層材料的聚酰亞胺類薄膜的雙面在330?380°C下有粘性，介電強(qiáng)度在250KV/mm以上；作為基板的聚酰亞胺類薄膜的一面在330?360°C下有粘性，聚酰亞胺類薄膜的另一面在500°C以下均沒有粘性，介電強(qiáng)度在300KV/mm以上。
[0033]實(shí)施例1
[0034]材料:
[0035]前基板部介質(zhì)層材料為:透明的聚酰亞胺類薄膜，厚度為38μπι;后基板部介質(zhì)層材料為:不透明的聚酰亞胺類薄膜，厚度為38 μ m;前后基板部的基板為:透明聚酰亞胺類薄膜，厚度為100 μ m。
[0036]制作方法:
[0037]制作氧化鎂層；在前基板部介質(zhì)層上采用電子束蒸鍍法制作氧化鎂層；
[0038]制作障壁:采用超薄玻璃障壁預(yù)制體制作障壁，在360°C下采用高溫壓膜工藝將障壁帖敷在后基板部介質(zhì)層上，制作熒光粉層，在320°C下燒結(jié)；
[0039]前后基板部對(duì)合封接:在360°C下將前后基板部邊緣的未加工的部分粘結(jié)，完成封接；
[0040]制作匯流電極和尋址電極:采用高溫膜壓工藝將銅箔層帖敷在前后基板部上，膜壓溫度為360°C，再采用帖膜工藝帖敷感光性干膜進(jìn)行保護(hù)，曝光、顯影后再對(duì)銅箔層進(jìn)行化學(xué)刻蝕，銅箔層厚度約為15 μ m，刻蝕液為氯化鐵，刻蝕完成后，再對(duì)保護(hù)膜進(jìn)行剝膜，剝膜液為NaOH ；
[0041]基板帖敷:仍然采用高溫膜壓工藝帖敷基板，膜壓溫度360°C，得到等離子顯示屏。
[0042]實(shí)施例2:
[0043]材料:
[0044]前基板部介質(zhì)層材料為:透明的聚酰亞胺類薄膜，厚度為25μπι;后基板部介質(zhì)層材料為:透明聚酰亞胺類薄膜，厚度為50 μ m ;前后基板部的基板為:透明聚酰亞胺類薄膜，厚度為125 μ m。
[0045]制作方法:
[0046]氧化鎂層制作同實(shí)施例1 ;
[0047]障壁制作:采用殷鋼障壁預(yù)制體制作障壁，在380°C下采用高溫壓膜工藝將障壁帖敷在后基板部介質(zhì)層上，制作熒光粉層，在400 °C下燒結(jié)；
[0048]前后基板部對(duì)合封接:在350°C下將前后基板部邊緣的未加工的部分粘結(jié)，完成封接；
[0049]制作匯流電極和尋址電極:電極材料為金箔層，方法同實(shí)施例1 ;
[0050]基板料帖敷:采用高溫膜壓工藝帖敷基板，膜壓溫度350°C，得到等離子顯示屏。
[0051]實(shí)施例3
[0052]材料:
[0053]前基板部介質(zhì)層材料為:透明的聚酰亞胺類薄膜，厚度為50μπι;后基板部介質(zhì)層材料為:不透明的聚酰亞胺類薄膜，厚度為25 μ m;前基板部的基板為:透明聚酰亞胺類薄膜，后基板部的基板為:不透明聚酰亞胺類薄膜，厚度均為75 μ m。
[0054]制作方法:
[0055]匯流電極制作:采用高溫膜壓工藝將鋁箔帖敷在上基板上，膜壓溫度330攝氏度，再采用帖膜工藝帖敷感光性干膜進(jìn)行保護(hù)，曝光、顯影后再對(duì)鋁箔層進(jìn)行化學(xué)刻蝕，厚度約為20 μ m，刻蝕液為氯化鐵，刻蝕完成后，再對(duì)保護(hù)膜進(jìn)行薄膜，剝膜液為NaOH ；
[0056]前基板部基板帖敷:采用高溫膜壓工藝帖敷基板，膜壓溫度330°C ；
[0057]氧化鎂層制作:在前基板部介質(zhì)層上采用離子束蒸鍍法制作氧化鎂層；
[0058]尋址電極制作同匯流電極制作方法相同；
[0059]后基板部基板帖敷方法同前基板部基板帖敷；
[0060]障壁制作:采用陶瓷障壁預(yù)制體制作障壁，在330°C下采用高溫壓膜工藝將障壁帖敷在后基板部介質(zhì)層上，制作熒光粉層，在30(TC下燒結(jié)；
[0061]前后基板部對(duì)合封接:噴涂制作封接框，封接料為PE-聚乙烯，封接溫度為80°C，得到等離子顯示屏。
[0062]實(shí)施例4
[0063]前基板部介質(zhì)層材料為:透明的聚酰亞胺類薄膜，厚度為25μπι;后基板部介質(zhì)層材料為:透明的聚酰亞胺類薄膜，厚度為50 μ m;前基板部的基板為:透明聚酰亞胺類薄膜，后基板部的基板為:不透明聚酰亞胺類薄膜，厚度均為25 μ m。
[0064]制作方法:
[0065]匯流電極制作:電極材料為銀箔層，方法同實(shí)施例3 ；
[0066]前基板部基板帖敷:采用高溫膜壓工藝帖敷基板，膜壓溫度350°C ；
[0067]氧化鎂層制作同實(shí)施例3 ；
[0068]尋址電極制作同匯流電極制作方法相同；
[0069]后基板部基板帖敷方法同前基板部基板帖敷；
[0070]障壁制作:采用陶瓷障壁預(yù)制體制作障壁，在350°C下采用高溫壓膜工藝將障壁帖敷在后基板部介質(zhì)層上，制作熒光粉層，在320°C下燒結(jié)；
[0071]前后基板部對(duì)合封接:在360°C下將前后基板部邊緣的未加工的部分粘結(jié)，完成封接，得到等離子顯示屏。
[0072]實(shí)施例5
[0073]前基板部介質(zhì)層材料為:透明的聚酰亞胺類薄膜，厚度為50μπι ;后基板部介質(zhì)層材料為:不透明的聚酰亞胺類薄膜，厚度為50 μ m ;前后基板部的基板為:透明聚酰亞胺類薄膜，厚度為50 μ m。
[0074]制作方法:
[0075]匯流電極制作:電極材料為`銅箔層，方法同實(shí)施例3 ；
[0076]前基板部基板帖敷:采用高溫膜壓工藝帖敷基板，膜壓溫度350°C ；
[0077]氧化鎂層制作同實(shí)施例3 ；
[0078]尋址電極制作同匯流電極制作方法相同；
[0079]后基板部基板帖敷方法同前基板部基板帖敷；
[0080]障壁制作:采用陶瓷障壁預(yù)制體制作障壁，在350°C下采用高溫壓膜工藝將障壁帖敷在后基板部介質(zhì)層上，制作熒光粉層，在320°C下燒結(jié)；
[0081]前后基板部對(duì)合封接:噴涂制作封接框，封接料為PA-聚酰胺，封接溫度為100°C，得到等離子顯示屏。
[0082]對(duì)實(shí)施例1-5所制作等離子顯示屏進(jìn)行常規(guī)性能測(cè)試，測(cè)試結(jié)果見表1。
[0083]表1
[0084]
【權(quán)利要求】
1.一種等離子顯示屏，包括相互封接的前基板部(I)和后基板部(2)，其特征在于，所述前基板部(I)的前基板(14)為透明的聚酰亞胺類薄膜，所述后基板部(2)的后基板(24)為聚酰亞胺類薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示屏，其特征在于，所述前基板(14)和所述后基板(24)的厚度為25~125μm，所述聚酰亞胺類薄膜為單面熱塑性的聚酰亞胺類薄膜，其中，所述聚酰亞胺類薄膜的一面在330~360°C下有粘性，另一面在500°C以下均沒有粘性，介電強(qiáng)度在300KV/mm以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示屏，其特征在于，所述前基板部(1)和所述后基板部(2)的介質(zhì)層的厚度為25~50 μ m，所述介質(zhì)層為聚酰亞胺類薄膜，所述聚酰亞胺類薄膜為雙面熱塑性的聚酰亞胺類薄膜，其中，所述聚酰亞胺類薄膜的雙面在330~380°C下有粘性，介電強(qiáng)度在250KV/mm以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子顯示屏，其特征在于，所述前基板部的介質(zhì)層為透明的聚酰亞胺類薄膜。
5.一種如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的等離子顯示屏的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括: 1)將前基板部介質(zhì)層(11)和后基板部介質(zhì)層(21)對(duì)合封接，分別在對(duì)合封接后的前基板部介質(zhì)層(11)和后基板部介質(zhì)層(21)的外表面制作匯流電極(13)和尋址電極(23)，在所述匯流電極(13)上帖敷前基板(14)，在所述尋址電極(23)上帖敷后基板(24)，形成所述等離子顯示屏；或者 2)分別在所述前基板部介質(zhì)層(11)和后基板部介質(zhì)層(21)的外表面制作匯流電極(13)和尋址電極(23)，在所述匯流電極(13)上帖敷前基板(14)，形成所述前基板部(1)，在所述尋址電極(23)上帖敷后基板(24)，形成所述后基板部(2)，將所述前基板部(I)和所述后基板部(2)對(duì)合封接，形成所述等離子顯示屏。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述方法I)的對(duì)合封接之前和所述方法2)的帖敷基板之后，還包括以下步驟: 在前基板部介質(zhì)層(11)上蒸鍍形成氧化鎂層(12)； 在后基板部介質(zhì)層(21)上帖敷障壁預(yù)制體，形成障壁(22)，其中，所述障壁預(yù)制體包括陶瓷障壁預(yù)制體、超薄玻璃障壁預(yù)制體和殷鋼障壁預(yù)制體；以及 在所述障壁(22)的凹槽內(nèi)表面形成熒光粉層(25)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述基板的帖敷方法為高溫膜壓工藝，膜壓溫度為330~360°C。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述匯流電極(13)和所述尋址電極(23)的制作方法包括: A.采用磁控濺射鍍Cr-Cu-Cr，然后刻蝕出電極圖形； B.采用高溫膜壓工藝將金屬箔帖敷在介質(zhì)層上，帖敷感光性干膜保護(hù)所述金屬箔，曝光，顯影，對(duì)金屬箔進(jìn)行化學(xué)刻蝕，刻蝕完成后，再對(duì)感光性干膜進(jìn)行剝膜，得到所述匯流電極和所述尋址電極，其中，膜壓溫度330-360°C，所述金屬箔為銅、鋁、銀和金中的任一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述方法I)的對(duì)合封接包括:將所述前基板介質(zhì)層(11)和所述后基板介質(zhì)層(21)對(duì)合后，置于惰性氣氛環(huán)境中進(jìn)行封接，控制封接溫度在330~380°C之間，向前基板部介質(zhì)層(11)和后基板部介質(zhì)層(21)的邊緣未加工部分加壓，使所述未加工部分粘結(jié)。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述方法2)的對(duì)合封接包括: a.噴涂制作封接框，將所述前基板部(I)和所述后基板部(2)對(duì)合后，置于惰性氣氛環(huán)境中進(jìn)行封接，將所述前基板部和所述后基板部在惰性氣氛中封接，其中，封接料為有機(jī)材料，封接溫度以有機(jī)材料的軟化溫度為準(zhǔn)，所述有機(jī)材料為熱塑型樹脂，選自由PE-聚乙烯、PVC-聚氯乙烯、PS-聚苯乙烯、PA-聚酰胺、POM-聚甲醛、PC-聚碳酸酯、聚苯醚、聚砜和橡膠組成的組中的任一種；或者 b.將所述前基板部(I)和所述后基板部(2)對(duì)合后，置于惰性氣氛環(huán)境中進(jìn)行封接，控制封接溫度在330~380°C之間，向前基板部介質(zhì)層(11)和后基板部介質(zhì)層(21)的邊緣未加工部分加壓，使所 述未加工部分粘結(jié)。
【文檔編號(hào)】H01J11/34GK103762142SQ201110459906
【公開日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月31日
【發(fā)明者】魯開成 申請(qǐng)人:四川虹歐顯示器件有限公司